JP3531283B2 - 日射センサ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップに形成し
たセンサにより日射を検出するようにした日射センサに
関する。

【０００２】

【従来の技術】この種のものとしては、例えば、次のよ
うなものがある。すなわち、日射センサとしては、スポ
ット状に絞られた光が入射すると、その入射位置に応じ
た検出信号を出力するように受光部が配置されたもので
あり、近年では、このようなセンサの構成に加えて、セ
ンサの検出信号を処理するための信号処理回路を一体に
形成したものが考えられている。

【０００３】これは、センサによる検出信号を信号線な
どを介して外部に導出すると、微弱な検出信号であるか
ら、外来ノイズの悪影響を受け易く、不安定な検出信号
となる虞があるからであり、できるだけ内部にて増幅し
た信号として出力するように構成することが望ましいの
である。

【０００４】この場合に、信号処理回路部は、センサ部
と異なり、光が照射されると動作に支障を来す場合があ
るので、その悪影響を防止するために、例えば、特公昭
５２−２６８７６号公報にも示されるように、チップ表
面の信号処理回路部の部分を覆うように遮光膜を形成す
るようにすることが行われている。

【０００５】このように信号処理回路部の上部に遮光膜
を形成した構成とすることで、入射光をセンサ部のみに
受光させるようにしてその検出信号を信号処理回路部に
て例えば増幅して出力することができるようになり、安
定した検出動作を行うことができるようになるのであ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来構成のものでは、センサチップの製造工程中
に遮光膜を形成するための工程を付加する必要があるた
めに、工程数が増加すると共に、製造コストも高くなる
という不具合がある。

【０００７】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、センサチップの製造工程に遮光膜を形
成するための工程を付加することなく、安価に製作し得
る日射センサを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の日射センサは、
受光面で受ける光の位置を検出する光感応部およびその
光感応部の検出信号を電気的に処理する信号処理回路部
を有するセンサチップと、このセンサチップを内部に封
入するように配置された所定厚さ寸法の透光部材と、こ
の透光部材に入射する光のうち前記センサチップの光感
応部に到達する成分の光を選択的に入射させる光ガイド
部材とを設け、前記光ガイド部材を、前記透光部材の上
面に形成される所定形状の透光窓部を有する遮光膜によ
り構成し、前記センサチップの信号処理回路部を、前記
遮光膜の透光窓部周縁部の直下位置からその遮光膜が存
在する領域側に所定の禁止距離以上離れた領域に配設す
るように構成したところに特徴を有する（請求項１の発
明）。

【０００９】

【００１０】そして、前記禁止距離を、前記透光部材の
屈折率をｎ，厚さ寸法をｈとしたときに、式（１）で表
される禁止距離ｘｏとして設定することができる（請求
項２の発明）。

【数２】

【００１１】さらに、前記センサチップを、円形をなす
第１の受光部とこれに対して同心環状で所定間隔を存し
て配置された第２の受光部とからなる光感応部として構
成すると共に、これら第１および第２の受光部の検出信
号を増幅する増幅回路によりなる信号処理回路部を設け
る構成とし、前記遮光膜の透光窓部を、前記センサチッ
プの第１の受光部よりも大きく第２の受光部よりも小さ
い大きさに設定すると良い（請求項３の発明）。

【００１２】また、前記光ガイド部材を、所定形状の光
遮断部を形成する遮光膜により構成し、前記センサチッ
プを、前記光遮断部に対応する位置に形成された前記信
号処理回路部とこの信号処理回路部の外周部に形成され
た光感応部とからなる構成とすることもできる（請求項
４の発明）。

【００１３】

【作用および発明の効果】請求項１記載の日射センサに
よれば、日射は光ガイド部材を介して透光部材に入射さ
れると、センサチップの光感応部の入射角度に応じた位
置に投射されるようになる。光感応部では受光した入射
光を電気信号に変換して受光位置に応じた信号を出力す
るようになり、信号処理回路部を経て信号処理されて出
力されるようになる。このとき、信号処理回路部におい
ては、日射が光感応部のみに入射して信号処理回路部に
は入射しないように光ガイド部材により選択的に入射す
るように構成されているので、光の影響により信号処理
動作に変化を来すことなく精度の良い信号処理を行うこ
とができるようになる。したがって、センサチップの表
面に直接遮光膜を形成することにより信号処理回路部に
光が入射しないように構成する場合に比べて、安価に製
作することができるようになる。

【００１４】そして、日射は光ガイド部材としての遮光
膜の透光窓部を介してセンサチップに入射するようにな
り、入射角度に応じた日射光が透光部材を介してセンサ
チップの光感応部に入射するようになる。このとき、信
号処理回路部は透光窓部周縁部から禁止距離以上離れた
位置に配置されて日射光が照射されないようになってい
るので、その動作は光による悪影響を受けることなく動
作させることができる。

【００１５】請求項２記載の日射センサによれば、日射
は光ガイド部材としての遮光膜の透光窓部に対して、そ
の縁部から式（１）で示す禁止距離ｘｏ以上離れた領域
に信号処理回路部を形成しているので、日射光が遮光膜
の透光窓部にいかなる角度で入射しても、その日射光が
透光部材との境界部分で屈折することにより、禁止距離
よりも遠い領域には光が侵入できなくなり、これによっ
て、信号処理回路部には日射光が到達しないようにな
る。したがって、信号処理回路部への日射光の入射を防
止するために遮光膜への日射光の入射に対する制約条件
等を設ける構成が不要となり、どのように使用した場合
でも信号処理回路部を確実に動作させることができるよ
うになる。

【００１６】請求項３記載の日射センサによれば、垂直
方向の日射光に対しては第１の受光部のみに入射し、こ
れより傾斜した日射光が入射すると第１の受光部および
第２の受光部に入射するようになり、所定角度以上傾斜
した日射光が入射すると第１の受光部への入射光量が低
下するようになり、やがて第２の受光部のみへの入射状
態となる。この結果、第１および第２の受光部の合計の
受光量は日射光の入射角度が所定角度付近のときに最大
となり、これよりもいずれに傾いた場合でもそれよりも
小さい受光量となる。この結果、受光角度に応じた受光
信号を得ることができ、そして、この場合でも、信号処
理回路部には日射光が到達しないので、第１および第２
の受光部への受光量に対応した電気信号の処理を正確に
行うことができる。

【００１７】請求項４記載の日射センサによれば、セン
サチップの信号処理回路部に対して光感応部をその外周
部に配置し、その信号処理回路部を遮光膜よりなる光遮
断部により遮光するので、信号処理回路部は日射光が入
射されることなく動作させることができ、光感応部では
日射光の入射角度に対応した信号を得ることができるよ
うになり、受光環境に応じて柔軟な設置を行うことがで
きるようになる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の第１の実施例について、図１
ないし図８を参照しながら説明する。全体構成を示す図
２および図３において、センサチップ１は、リードフレ
ーム２に固定された状態で、エポキシなどの透光性を有
する樹脂からなるパッケージ３内に封入された状態とさ
れている。パッケージ３外部にはリードフレーム２に形
成された所定のリード端子２ａ〜２ｄが導出されてお
り、パッケージ３内部では、センサチップ１の所定端子
１ａ〜１ｄとボンディングワイヤ４により電気的に接続
されている。

【００１９】また、パッケージ３の上面部には光ガイド
部材の遮光膜としての遮光マスク５が形成されており、
この遮光マスク５の中心部には外部からの光を円形のス
ポット状にして内部に透過させる透光窓部としての透光
エリア６が形成されている。この場合、パッケージ３を
形成している透明エポキシ樹脂の屈折率ｎは例えば１．
５４程度のものであり、センサチップ１の上の厚さ寸法
は７００μｍ程度に設定されている。なお、樹脂封止
は、リードフレーム２にセンサチップ１を搭載してボン
ディングを行った状態で透明エポキシ樹脂を型に流し込
んで成形する一般的なモールド成形方法によるものであ
る。

【００２０】図４はセンサチップ１の上面を示す図で、
センサチップ１は、例えばｐ形のシリコン基板７（図５
参照）上の光感応部であるセンサ部８および４つに分割
配置された信号処理回路部９（９ａ〜９ｄで示す）を配
置してなるもので、全体として２ミリ角程度の寸法に形
成されている。センサ部８は、中央部に円形に形成され
た第１の受光部８ａとその外周に所定距離を存した状態
で円環状に形成された第２の受光部８ｂとから構成され
ている。また、信号処理回路部９の各回路部９ａ〜９ｄ
は、第２の受光部８ｂの外周側に所定距離を存した状態
で頂角に対応する４方にそれぞれ形成されている。

【００２１】この場合、第１の受光部８ａは直径３２０
μｍ、第２の受光部８ｂは内外の端部の各直径が１１２
０μｍ，１８２０μｍ程度にそれぞれ設定されている。
また、遮光マスク５の透光エリア６の直径は、第２の受
光部８ｂよりもやや小さい寸法として、例えば１１００
μｍに設定されている。

【００２２】図５は、センサチップの断面構造を模式的
に示したもので、以下、その概略構成について説明す
る。このシリコン基板７は、あらかじめ所定位置に対応
して高濃度ｎ形埋込層１０ａ，１０ｂなどが形成される
と共に、その上にエピタキシャル成長法により低濃度の
ｎ形のエピタキシャル層が形成されたものを用いてい
る。そして、エピタキシャル層は、センサ部８および信
号処理回路部９に対応したｎ形エピタキシャル領域１１
ａ，１１ｂ，１１ｃを分離形成するように円環状の絶縁
拡散領域１２ａおよび矩形枠状の絶縁拡散領域１２ｂを
形成している。

【００２３】センサ部８に対応するエピタキシャル領域
１１ａには、第１の受光部８ａに対応するｐ形拡散領域
１３ａおよび第２の受光部８ｂに対応する円環状（ドー
ナツ状）のｐ形拡散領域１３ｂが形成されている。ま
た、ｐ形拡散領域１３ａ，１３ｂのそれぞれ両側にはこ
れらを分離するように高濃度ｎ形拡散領域１４ａ，１４
ｂが円環状に形成されている。この場合、受光部８ａ，
８ｂを形成するｐ形拡散領域１３ａ，１３ｂは、光が入
射されると内部のｐｎ接合部に達した成分により光電流
が生成されて検出出力が得られるようになっている。

【００２４】第１および第２の受光部８ａおよび８ｂを
形成するｐ形拡散領域１３ａ，１３ｂのそれぞれには絶
縁膜１５の窓部に形成されたアルミニウム電極１６ａ，
１６ｂ，１６ｃにより電気的に接続され、そのアルミニ
ウム電極を介して信号処理回路部９側に電気的に接続さ
れている。

【００２５】さて、信号処理回路部９においては、例え
ば図５に示すものでは、ｎｐｎ形のトランジスタ１７お
よび抵抗１８が形成されている。すなわち、左側の信号
処理回路部９ａに配置されているトランジスタ１７は、
ベース層となるｐ形拡散領域１９内にエミッタ層となる
ｎ形拡散領域２０が形成され、ｎ形エピタキシャル領域
１１ｂ，ｐ形拡散領域１９およびｎ形拡散領域２０のそ
れぞれにはアルミニウム電極２１，２２，２３が形成さ
れており、それぞれコレクタ，ベースおよびエミッタ電
極として機能するようになっている。また、抵抗１８
は、ｐ形拡散領域２４の両側にアルミニウム電極２５，
２６が形成されてたものとして構成されている。また、
これらトランジスタ１７および抵抗１８を含む信号処理
回路部９ａ〜９ｄの全ての部分は、上面からこれらを保
護するための窒化シリコン（ＳｉＮ）などからなる絶縁
膜２７が形成されている。

【００２６】前述した遮光マスク５は、センサチップ１
に対して、図１に示すような位置で配置されている。す
なわち、遮光マスク５の透光エリア６は、センサチップ
１の第１の受光部８ａおよびその外周部を含んだ位置に
形成され、第２の受光部８ｂのすぐ内側の位置に形成さ
れている。また、入射光が４５°であるときには、屈折
率の関係でパッケージ３内部に入射した光が第２の受光
部８ｂの端部にまで投影されるような位置に配置されて
いる。

【００２７】なお、信号処理回路部９の構成は、断面構
造としては図示していないが、上述のような各種の拡散
領域を形成することにより、トランジスタ，ダイオード
あるいは抵抗等を形成して、例えば、電気的構成として
は図６に示すような増幅回路を構成している。すなわ
ち、第１および第２の受光部８ａ，８ｂは、２個のフォ
トダイオードを構成しており、これらの検出出力は並列
にして出力を得るようにしたフォトダイオードＰとして
示されている。フォトダイオードＰのカソード側は、例
えば、外部から与えられるバイアス印加用の５Ｖの電源
の出力端子ＶＣに接続されており、アノード側は抵抗２
８を介してアースされている。

【００２８】フォトダイオードＰのアノードは、検出信
号の出力端子Ｓとされ、信号処理回路部９に形成された
オペアンプ２９の非反転入力端子に接続されている。オ
ペアンプ２９の反転入力端子はアースされており、非反
転入力端子は抵抗３０を介して出力端子側に接続されて
いる。そして、オペアンプ２９の出力端子は抵抗３１を
介してもう一つのオペアンプ３２の非反転入力端子に接
続されている。オペアンプ３２の反転入力端子はアース
されている。オペアンプ３２の非反転入力端子は抵抗３
３を介して出力端子側に接続されている。オペアンプ３
２の出力端子は、センサの出力端子Ｑとして外部に導出
されている。

【００２９】次に本実施例の作用について、図７および
図８をも参照して説明する。すなわち、まず、外部から
入射する光がパッケージ３内部にどの様に入射していく
かを説明する。一般に、屈折率の異なる物質中に光が入
射すると、その入射角度に応じてスネルの法則によって
屈折がおこる。この場合においては、屈折率が大きいパ
ッケージ３側に入射光が屈折して入射するようになる。

【００３０】そこで、図７に示すように、遮光マスク５
の透光エリア６の端部において内部に入射角度φ１で光
Ｌ１が入射した場合には、パッケージ３のセンサチップ
１までの厚さ寸法をｈとして、その光Ｌ１がセンサチッ
プ１上で到達する位置を透光エリア６の端部直下からの
距離ｘで示すと、パッケージ３内への入射角度がφ２と
なり、到達距離ｘは次式（２）のように表されるように
なる。

【００３１】

【数３】

【００３２】ここで、上述したセンサチップ１の到達距
離ｘが最大となるのは、理論的には入射光Ｌ１の入射角
度が９０°となったときである。このとき、 sin９０°
は「１」となるから、式（２）にこれを代入して書き直
すと、式（１）に示したような最大到達距離ｘｏが得ら
れるようになる。なお、式（１）で示した最大到達距離
ｘｏは、換言すると、これ以上の距離にある部分にはい
かなる入射光も到達しないということであり、これを禁
止距離ｘｏとして設定してその領域に信号処理回路部９
を形成しているのである（図１参照）。

【００３３】また、上述した式（１）で示す禁止距離ｘ
ｏの値は、屈折率ｎの値が１よりも大であることを条件
として三平方の定理を用いると、次式（３）のように表
すことができるようになる。

【００３４】

【数４】

【００３５】なお、本実施例の場合には、禁止距離ｘｏ
は、屈折率ｎ＝１．５４、透明エポキシ樹脂３の厚さ寸
法ｈ＝７００μｍとして式（１）あるいは式（３）に代
入すると、約５９８μｍという値が得られるので、設計
的にはそれよりもやや大きい距離６００μｍを禁止距離
ｘｏとして設定し、信号処理回路部９はそれよりも外周
側に配置する構成としている。

【００３６】さて、センサチップ１に対して遮光マスク
５の透光エリア６が上述の関係で設定されている状態に
おいては、入射角度が４５°のときに受光面８ａ，８ｂ
に最も広い面積に投影され、それよりも低い角度あるい
は高い角度のいずれの側の入射光に対してもその投影面
積は狭くなる。したがって、受光する面積が最大である
入射角度が４５°の位置を最大出力として、図８に示す
ような出力特性を得ることができるようになる。この場
合、図８中では、入射角φ１よりも仰角δが実際的であ
ることから横軸は仰角δ（＝９０°−φ１）で示してお
り、仰角δがゼロということは真横から入射することに
対応し、また、仰角δが９０°ということは真上から入
射することに対応している。

【００３７】そして、得られた出力信号は、信号処理回
路部９にて各オペアンプ２９，３２を介して増幅され、
その増幅された安定でノイズの悪影響を受けにくい信号
を出力端子Ｑから得ることができるようになる。

【００３８】このような本実施例によれば、センサチッ
プ１の表面に一体に形成する信号処理回路部９に対し
て、直接遮光膜を形成しない構成としながら、式（１）
で示す禁止距離ｘｏ以上はなれた位置に配置する構成と
することで外部からの入射光が投影されることのない状
態とすることができ、センサチップに対して遮光膜を形
成するための工程を減らしてコストの低減を図ることが
できるようになる。

【００３９】また、式（１）の禁止距離を存して信号処
理回路部９を配設しているので、遮光マスクの透光エリ
アにいかなる方向から光が入射した場合でも信号処理回
路部に光が到達することがなくなり、遮光マスクに対す
る入射光の制約を受けることがなくなり、センサ素子を
配置する際の使い勝手が向上するようになる。

【００４０】さらに、受光部８を第１および第２の受光
部８ａおよび８ｂに分けた構成としているので、所望の
入射角度例えば４５°の光に対して最大の検出出力が得
られる構成とすることができ、信号処理のための構成が
簡単になる。

【００４１】図９ないし図１１は本発明の第２の実施例
を示すもので、以下、第１の実施例と異なる部分につい
て説明する。すなわち、この第２の実施例においては、
センサチップ１における光感応部と信号処理回路部との
配置位置を逆に配置した構成のセンサチップ３４を設け
たことと、これに伴う形状を呈する光遮断部としての遮
光マスク３５を設ける構成としている。

【００４２】図９は全体の縦断側面を示し、図１０には
センサチップ３４の上面を示している。これらの図にお
いて、センサチップ３４は、中心部に位置して信号処理
回路部３６が形成され、その外周部には光感応部として
の円環状をなす２つの受光部３７，３８が形成されてい
る。この場合、外周側の受光部３８が第１の受光部に相
当し、内周側の受光部３７が第２の受光部に相当してい
る。

【００４３】そして、遮光マスク３５のパターンは、信
号処理回路部３６を完全に覆うと共に、第２の受光部３
７をその直下に覆うように形成されている。また、信号
処理回路部３６は、遮光マスク３５の端部から前述した
禁止距離ｘｏ以上内側の領域に形成されている。つま
り、遮光マスク３５の外周部つまり透光窓部に相当する
領域からパッケージ３内部に入射する光が信号処理回路
部３６部分に入射することはないのである。

【００４４】この場合、例えば信号処理回路部３６は直
径８００μｍとして設定されており、第２の受光部３８
は内外の端部の直径がそれぞれ１３００μｍ，２０００
μｍに設定され、第１の受光部３７は内外の端部の直径
がそれぞれ２８００μｍ，３１２０μｍに設定されてい
る。また、遮光マスク３５の直径は、信号処理回路部３
６の外周部から禁止距離ｘｏつまり両側に６００μｍ以
上はなれた直径とされ、しかも、第２の受光部３７の外
側の端部よりも僅かに大きい直径となるように設定され
ている（具体的には、例えば直径２１００μｍ程度）。

【００４５】また、入射光の仰角δ（入射角φ１）が４
５°の場合には、図１１にも示すように、入射光が第１
および第２の受光部３８，３７の双方に入射するように
なるので、そのときの受光電流は最大となり、入射角φ
１が４５°よりも大きくなったりあるいは小さくなった
りすると、受光電流のレベルは減少するようになってい
る。また、検出された受光電流の信号は、信号処理回路
部３６にて増幅などの電気的処理が行われて出力信号と
して外部に取り出されるようになっている。したがっ
て、このような第２の実施例によっても、第１の実施例
と略同様の作用効果を得ることができるようになる。

【００４６】図１２は、本発明の第３の実施例を示すも
ので、第１の実施例と異なるところは、センサチップ１
に代えて、チップ外周部に大きい信号処理回路部３９を
設けたセンサチップ４０を配置した構成としているとこ
ろである。また、図１３は、本発明の第４の実施例を示
すもので、センサチップ１に代えて、チップ外周部の一
端側に信号処理回路部４１を設けたセンサチップ４２を
配置した構成としているところである。

【００４７】そして、このような第３および第４の実施
例によれば、フォトダイオードの部分に加えて、大きい
領域に信号処理回路部３９あるいは４１を形成してさら
に信号処理を多岐に渡って行えるＩＣ化構成を得ること
ができるようになり、他の回路構成との接続関係をより
簡素化することができるようになる。また、第４の実施
例では、信号処理回路部４１を一端側に広く設ける構成
としているので、禁止距離ｘｏを設ける領域を一方側の
みとすることができ、チップサイズの小形化も図ること
ができるようになる。

【００４８】本発明は、上記実施例にのみ限定されるも
のではなく、次のように変形また拡張できる。

【００４９】透光部材は、ガラスなどの材料を用いても
良い。信号処理回路部には、増幅回路の他に、出力信号
の判定回路や演算回路等を一体に組み込んだ構成とする
ことができる。第１および第２の受光部の幅寸法や半径
は、適宜の寸法に設定することができ、４５°でのピー
ク値を検出する構成に限らず、所望の仰角（入射角）で
の入射光で検出電流がピーク値を呈するように構成して
も良い。センサチップのシリコン基板はエピタキシャル
成長層を用いない構成のものを使用することもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す要部の縦断側面図

【図２】全体構成の縦断側面図

【図３】要部の上面図

【図４】センサチップの上面図

【図５】センサチップの構造を模式的に示す縦断側面図

【図６】電気的構成図

【図７】入射光の侵入角度を示す作用説明図

【図８】入射光の侵入角度と検出出力との相関関係図

【図９】本発明の第２の実施例を示す図２相当図

【図１０】図４相当図

【図１１】図１相当図

【図１２】本発明の第３の実施例を示す図４相当図

【図１３】本発明の第４の実施例を示す図４相当図

【符号の説明】

１はセンサチップ、２はリードフレーム、３はパッケー
ジ、５は遮光マスク（遮光膜）、６は透光エリア、７は
シリコン基板、８はセンサ部（光感応部）、９は信号処
理回路部、１０ａ，１０ｂは高濃度ｎ形埋込層、１１
ａ，１１ｂ，１１ｃはｎ形エピタキシャル領域、１２
ａ，１２ｂは絶縁拡散領域、１７はトランジスタ、１８
は抵抗、２９，３２はオペアンプ、３４，４０，４２は
センサチップ、３５は遮光マスク、３６，３９，４１は
信号処理回路部、３７，３８は受光部（光感応部）、Ｐ
はフォトダイオードである。

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−43145（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01J 1/00 - 1/60

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 受光面で受ける光の位置を検出する光感
   応部およびその光感応部の検出信号を電気的に処理する
   信号処理回路部を有するセンサチップと、 このセンサチップを内部に封入するように配置された所
   定厚さ寸法の透光部材と、 この透光部材に入射する光のうち前記センサチップの光
   感応部に到達する成分の光を選択的に入射させる光ガイ
   ド部材とを具備し、 前記光ガイド部材は、前記透光部材の上面に形成され所
   定形状の透光窓部を有する遮光膜により構成され、 前記センサチップの信号処理回路部は、前記遮光膜の透
   光窓部周縁部の直下位置からその遮光膜が存在する領域
   側に所定の禁止距離以上離れた領域に配設されているこ
   とを特徴とする日射センサ。
2. 【請求項２】 前記禁止距離は、前記透光部材の屈折率
   をｎ，厚さ寸法をｈとしたときに、式（１）で表される
   禁止距離ｘｏであることを特徴とする請求項１記載の日
   射センサ。 【数１】
3. 【請求項３】 前記センサチップは、 円形をなす第１の受光部とこれに対して同心環状で所定
   間隔を存して配置された第２の受光部とからなる光感応
   部を有すると共に、 これら第１および第２の受光部の検出信号を増幅する増
   幅回路により構成された信号処理回路部を有する構成と
   され、 前記遮光膜の透光窓部は、前記センサチップの第１の受
   光部よりも大きく第２の受光部よりも小さい大きさに設
   定されていることを特徴とする請求項１あるいは２記載
   の 日射センサ。
4. 【請求項４】 前記光ガイド部材は、所定形状の光遮断
   部を形成する遮光膜 により構成され、 前記センサチップは、前記光遮断部に対応する位置に形
   成された前記信号処理回路部とこの信号処理回路部の外
   周部に形成された光感応部とからなる構成とされている
   ことを特徴とする請求項１あるいは２に記載の 日射セン
   サ。