JP3594418B6 - 受光素子 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光センサーに好適な電磁シールド効果を有した受光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より赤外線リモコンや短距離光通信の受信部を構成する光センサーに用いられる受光素子においては、例えば実公平５−３６１８１号公報に示されるように、素子の前方に金属メッシュや導電性フィルムを配置してグランド電位に接続し、あるいは素子の表面に透明電極等で電磁シールドを施して、金属ケースに収納したり樹脂モールドを行っていた。
【０００３】
一方、受光素子と受光信号処理回路をモノリシックに組み込む場合、特公平７−１２０７６１号公報などに示されるように、受光信号処理回路のゲートやソースを形成するときに同時に受光素子の表面に高濃度層を形成し、この高濃度層で配線と同時にシールドをさせようとするものがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、受光素子組立て体の中に電磁シールドを埋め込むものはメッシュやフィルムの位置ずれ防止や配線などが煩雑であり、素子表面に透明電極等を設けるとそのシールド用電極と素子表面の間でコンデンサーを形成してしまい、電気容量の増大となって、受信感度が低下し、光通信にあっては通信可能到達距離が著しく短くなるという不都合がある。
【０００５】
一方、受光素子と受光信号処理回路をモノリシックに組み込む場合、受光素子に求められる光電気特性に対応する層の深さや不純物濃度と、回路部分に求められるドーパントや不純物濃度が異なり、あるいはこれら受光素子と回路部分の間のマッチングが取れなくなるので、理論的にはシールド層を配線に利用することは可能であるが、光信号の減衰やＳ／Ｎ比低下を生じることとなった。更にこのようなモノリシック受光素子は、製造プロセスが回路部分に制約されるので、受光素子の応答性が悪くなっていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述の点を考慮してなされたもので、低不純物濃度を有したＰ型導電性の半導体基板を用い、その半導体基板の裏面に設けられたＰ型高濃度層と、その半導体基板の表面側の略中央部に受光部として設けられたＮ型高濃度層と、そのＮ型高濃度層の更に表面にそのＮ型高濃度層より広い面積で設けられたシート抵抗が低いＰ型高濃度薄層と、半導体基板の表面においてＰ型高濃度薄層の周囲を囲繞するＰ型高濃度層とを設けたもので、受光部表面のＰ型高濃度薄層がシールド効果を有するＰＩＮ受光素子が得られ、さらに、この様な素子の周辺をその受光部表面のＰ型高濃度薄層と等電位に接続された導電性材料で覆う（包囲する）とより好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１は本発明実施例の受光素子の載置状態の側面模式図、図２はその受光素子の平面図である。これらの図において、１は、抵抗値が５００Ωｃｍ以上の低不純物濃度の半導体基板で、厚さ１８０乃至４００μｍのＰ型Ｓｉからなる素子基板である。この半導体基板１の抵抗値は、バイアス電圧を印加したときに空乏層が層の厚み全体に広がって受信感度を良好に保つのに有効な値で、好ましくは８００〜１２００Ωｃｍである。２は、半導体基板１の表面側の略中央部に受光部として設けられたＮ型高濃度層で、図の例では略正方形に設けられている。この受光部であるＮ型高濃度層２は、その表面の一部からＮ型オーミック電極２１が接続されており、例えば燐（Ｐ）を深さ１〜５μｍに拡散することにより不純物濃度が１×１０２０ｃｍ−３程度に設けられたものである。
【０００８】
３は、半導体基板１の裏面に設けられたＰ型高濃度層で、Ｐ型オーミック電極４を設ける場合に必要なもので、ホウ素（Ｂ）を拡散し、不純物濃度が略１×１０２０ｃｍ−３となるように設けられている。従って、Ｐ型電極を表面側から取り出す場合などにはこのＰ型高濃度層３は不要である。
【０００９】
５は、Ｎ型高濃度層２の更に表面に設けられたＰ型高濃度薄層で、Ｎ型高濃度層２の表面側の大部分を覆うようにＮ型高濃度層２より広い面積で設けられ、深さはＮ型高濃度層２より浅く、例えば０．５〜２μｍである。このようなＰ型高濃度薄層５は、ホウ素（Ｂ）を拡散して得られるが、導電性を得るために例えば表面抵抗が３０Ω／ロとなっている。好ましくは、シート抵抗が２０ＫΩ／ロ以下となるように構成されている。そしてＰ型高濃度薄層５はシールド電極５１にオーミック接触している。
【００１０】
６は半導体基板１の表面においてＰ型高濃度薄層５の周囲を囲繞するＰ型高濃度層で、受光部表面のＰ型高濃度薄層５と分離され、不純物濃度が略１×１０２０ｃｍ−３で深さが１〜７μｍとＰ型高濃度薄層５よりも深いほうが好ましい。そしてその囲繞Ｐ型高濃度層６の上方において、Ｐ型高濃度層６を覆うように、前述のシールド電極５１を口字状に配置してある。なお表面には、表面保護及び不所望の反射防止のために、二酸化シリコンとか窒化シリコンからなる絶縁膜１１が設けてあり、電極２１、５１がオーミックを取る部分においてはフォトリソグラフィ技術などを用いて透孔が設けてある。
【００１１】
この様な受光素子は、導電接着剤７を用いてフレーム８に固着されるが、素子の側面から入射するノイズを対策するために、金属フレームなどの導電性材料９で素子の側面を包囲するのが好ましく、受光部表面のＰ型高濃度薄層５のシールド電極５１と導電性材料９をワイヤボンド線等で接続して等電位面とするのが最も好ましい。
【００１２】
かかる構成において、受光素子はいわゆるＰＩＮフォトダイオードを形成し、受光感度が高く取れる構成となっており、しかも効果的な電磁シールド効果をもたらすことができる。図３は、この受光部表面のＰ型高濃度薄層６の表面抵抗値と、この受光素子を赤外線受光モジュールに組み込んだときの信号到達距離の相関図であり、受光部表面のＰ型高濃度薄層６の表面抵抗値が１０ＫΩ／ロ以下で特に優れた効果があることを示している。また、テレビ受像機とインバータ螢光灯をノイズ源として配置してノイズ耐性を調べた。その結果、本発明の受光素子をそのまま使用した場合、ロット平均でノイズ源から１６ｍｍはなれた場所で受光モジュールの出力にノイズの影響が現れたが、受光素子の周囲に導電性材料９を設けた場合、受光モジュールをノイズ源ケース（外箱）に当接させても、その出力にノイズの影響は現れなかった。
【００１３】
【発明の効果】
以上の如く、本発明はＰＩＮフォトダイオードとしての高感度な受光素子特性を保ち、しかも、表面に電磁ーシールド層、電磁シールドリング電極、対向リング層等々を有し、組立てに支障を与えないで効率良く電磁シールドを行うことができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施例の受光素子の載置状態の側面模式図である。
【図２】本発明実施例の受光素子の平面図である。
【図３】Ｐ型高濃度薄層６の表面抵抗値と信号到達距離の相関図である。
【符号の説明】
１ 半導体基板
２ Ｎ型高濃度層（受光部）
３ Ｐ型高濃度層
４ Ｐ型オーミック電極
５ Ｐ型高濃度薄層
６ Ｐ型高濃度層
７ 導電接着剤
８ フレーム
９ 導電性材料
【発明の属する技術分野】
本発明は光センサーに好適な電磁シールド効果を有した受光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より赤外線リモコンや短距離光通信の受信部を構成する光センサーに用いられる受光素子においては、例えば実公平５−３６１８１号公報に示されるように、素子の前方に金属メッシュや導電性フィルムを配置してグランド電位に接続し、あるいは素子の表面に透明電極等で電磁シールドを施して、金属ケースに収納したり樹脂モールドを行っていた。
【０００３】
一方、受光素子と受光信号処理回路をモノリシックに組み込む場合、特公平７−１２０７６１号公報などに示されるように、受光信号処理回路のゲートやソースを形成するときに同時に受光素子の表面に高濃度層を形成し、この高濃度層で配線と同時にシールドをさせようとするものがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、受光素子組立て体の中に電磁シールドを埋め込むものはメッシュやフィルムの位置ずれ防止や配線などが煩雑であり、素子表面に透明電極等を設けるとそのシールド用電極と素子表面の間でコンデンサーを形成してしまい、電気容量の増大となって、受信感度が低下し、光通信にあっては通信可能到達距離が著しく短くなるという不都合がある。
【０００５】
一方、受光素子と受光信号処理回路をモノリシックに組み込む場合、受光素子に求められる光電気特性に対応する層の深さや不純物濃度と、回路部分に求められるドーパントや不純物濃度が異なり、あるいはこれら受光素子と回路部分の間のマッチングが取れなくなるので、理論的にはシールド層を配線に利用することは可能であるが、光信号の減衰やＳ／Ｎ比低下を生じることとなった。更にこのようなモノリシック受光素子は、製造プロセスが回路部分に制約されるので、受光素子の応答性が悪くなっていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述の点を考慮してなされたもので、低不純物濃度を有したＰ型導電性の半導体基板を用い、その半導体基板の裏面に設けられたＰ型高濃度層と、その半導体基板の表面側の略中央部に受光部として設けられたＮ型高濃度層と、そのＮ型高濃度層の更に表面にそのＮ型高濃度層より広い面積で設けられたシート抵抗が低いＰ型高濃度薄層と、半導体基板の表面においてＰ型高濃度薄層の周囲を囲繞するＰ型高濃度層とを設けたもので、受光部表面のＰ型高濃度薄層がシールド効果を有するＰＩＮ受光素子が得られ、さらに、この様な素子の周辺をその受光部表面のＰ型高濃度薄層と等電位に接続された導電性材料で覆う（包囲する）とより好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１は本発明実施例の受光素子の載置状態の側面模式図、図２はその受光素子の平面図である。これらの図において、１は、抵抗値が５００Ωｃｍ以上の低不純物濃度の半導体基板で、厚さ１８０乃至４００μｍのＰ型Ｓｉからなる素子基板である。この半導体基板１の抵抗値は、バイアス電圧を印加したときに空乏層が層の厚み全体に広がって受信感度を良好に保つのに有効な値で、好ましくは８００〜１２００Ωｃｍである。２は、半導体基板１の表面側の略中央部に受光部として設けられたＮ型高濃度層で、図の例では略正方形に設けられている。この受光部であるＮ型高濃度層２は、その表面の一部からＮ型オーミック電極２１が接続されており、例えば燐（Ｐ）を深さ１〜５μｍに拡散することにより不純物濃度が１×１０２０ｃｍ−３程度に設けられたものである。
【０００８】
３は、半導体基板１の裏面に設けられたＰ型高濃度層で、Ｐ型オーミック電極４を設ける場合に必要なもので、ホウ素（Ｂ）を拡散し、不純物濃度が略１×１０２０ｃｍ−３となるように設けられている。従って、Ｐ型電極を表面側から取り出す場合などにはこのＰ型高濃度層３は不要である。
【０００９】
５は、Ｎ型高濃度層２の更に表面に設けられたＰ型高濃度薄層で、Ｎ型高濃度層２の表面側の大部分を覆うようにＮ型高濃度層２より広い面積で設けられ、深さはＮ型高濃度層２より浅く、例えば０．５〜２μｍである。このようなＰ型高濃度薄層５は、ホウ素（Ｂ）を拡散して得られるが、導電性を得るために例えば表面抵抗が３０Ω／ロとなっている。好ましくは、シート抵抗が２０ＫΩ／ロ以下となるように構成されている。そしてＰ型高濃度薄層５はシールド電極５１にオーミック接触している。
【００１０】
６は半導体基板１の表面においてＰ型高濃度薄層５の周囲を囲繞するＰ型高濃度層で、受光部表面のＰ型高濃度薄層５と分離され、不純物濃度が略１×１０２０ｃｍ−３で深さが１〜７μｍとＰ型高濃度薄層５よりも深いほうが好ましい。そしてその囲繞Ｐ型高濃度層６の上方において、Ｐ型高濃度層６を覆うように、前述のシールド電極５１を口字状に配置してある。なお表面には、表面保護及び不所望の反射防止のために、二酸化シリコンとか窒化シリコンからなる絶縁膜１１が設けてあり、電極２１、５１がオーミックを取る部分においてはフォトリソグラフィ技術などを用いて透孔が設けてある。
【００１１】
この様な受光素子は、導電接着剤７を用いてフレーム８に固着されるが、素子の側面から入射するノイズを対策するために、金属フレームなどの導電性材料９で素子の側面を包囲するのが好ましく、受光部表面のＰ型高濃度薄層５のシールド電極５１と導電性材料９をワイヤボンド線等で接続して等電位面とするのが最も好ましい。
【００１２】
かかる構成において、受光素子はいわゆるＰＩＮフォトダイオードを形成し、受光感度が高く取れる構成となっており、しかも効果的な電磁シールド効果をもたらすことができる。図３は、この受光部表面のＰ型高濃度薄層６の表面抵抗値と、この受光素子を赤外線受光モジュールに組み込んだときの信号到達距離の相関図であり、受光部表面のＰ型高濃度薄層６の表面抵抗値が１０ＫΩ／ロ以下で特に優れた効果があることを示している。また、テレビ受像機とインバータ螢光灯をノイズ源として配置してノイズ耐性を調べた。その結果、本発明の受光素子をそのまま使用した場合、ロット平均でノイズ源から１６ｍｍはなれた場所で受光モジュールの出力にノイズの影響が現れたが、受光素子の周囲に導電性材料９を設けた場合、受光モジュールをノイズ源ケース（外箱）に当接させても、その出力にノイズの影響は現れなかった。
【００１３】
【発明の効果】
以上の如く、本発明はＰＩＮフォトダイオードとしての高感度な受光素子特性を保ち、しかも、表面に電磁ーシールド層、電磁シールドリング電極、対向リング層等々を有し、組立てに支障を与えないで効率良く電磁シールドを行うことができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施例の受光素子の載置状態の側面模式図である。
【図２】本発明実施例の受光素子の平面図である。
【図３】Ｐ型高濃度薄層６の表面抵抗値と信号到達距離の相関図である。
【符号の説明】
１ 半導体基板
２ Ｎ型高濃度層（受光部）
３ Ｐ型高濃度層
４ Ｐ型オーミック電極
５ Ｐ型高濃度薄層
６ Ｐ型高濃度層
７ 導電接着剤
８ フレーム
９ 導電性材料
Claims (1)
- 低不純物濃度を有したＰ型導電性の半導体基板を用い、その半導体基板の裏面に設けられたＰ型高濃度層と、その半導体基板の表面側の略中央部に受光部として設けられたＮ型高濃度層と、そのＮ型高濃度層の更に表面に該Ｎ型高濃度層より広い面積で設けられたシート抵抗が低いＰ型高濃度薄層と、半導体基板の表面においてＰ型高濃度薄層の周囲を囲繞する囲繞Ｐ型高濃度層と、前記Ｐ型高濃度薄層に接触したシールド電極とを具備し、前記シールド電極は、前記囲繞Ｐ型高濃度層を覆うように配置したことを特徴とする受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1996226771A JP3594418B6 (ja) | 1996-08-28 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1996226771A JP3594418B6 (ja) | 1996-08-28 | 受光素子 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1070301A JPH1070301A (ja) | 1998-03-10 |
| JP3594418B2 JP3594418B2 (ja) | 2004-12-02 |
| JP3594418B6 true JP3594418B6 (ja) | 2005-02-16 |
Family
ID=
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