JP2770810B2 - 受光素子 - Google Patents
受光素子Info
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- JP2770810B2 JP2770810B2 JP35417795A JP35417795A JP2770810B2 JP 2770810 B2 JP2770810 B2 JP 2770810B2 JP 35417795 A JP35417795 A JP 35417795A JP 35417795 A JP35417795 A JP 35417795A JP 2770810 B2 JP2770810 B2 JP 2770810B2
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- Japan
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- light
- receiving element
- conductive layer
- light receiving
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトカプラ等に用
いられる受光素子たとえばフォトトランジスタ、フォト
ダイオードに関する。
いられる受光素子たとえばフォトトランジスタ、フォト
ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来のフォトトランジスタの平面
図、図５は図４のＶ−Ｖ線断面図である。図４、図５を
参照して従来のフォトトランジスタを説明すると、Ｎ型
コレクタ領域１内にＰ型ベース領域２を形成し、Ｐ型ベ
ース領域２内にＮ型エミッタ領域３を形成する。その上
に、酸化シリコンよりなる絶縁層４を形成し、この絶縁
層４にコンタクトホールを形成してベースアルミニウム
電極５及びエミッタアルミニウム電極６を形成する。こ
の場合、コレクタアルミニウム電極（図示せず）も同様
に形成する。図４、図５においては、エミッタ領域３に
大面積のコンタクトホールを形成してアルミニウムコン
タクトを形成する。従って、アルミニウムの比抵抗は
０．３Ω／□と低いので、エミッタコンタクトの抵抗を
小さくできる。
図、図５は図４のＶ−Ｖ線断面図である。図４、図５を
参照して従来のフォトトランジスタを説明すると、Ｎ型
コレクタ領域１内にＰ型ベース領域２を形成し、Ｐ型ベ
ース領域２内にＮ型エミッタ領域３を形成する。その上
に、酸化シリコンよりなる絶縁層４を形成し、この絶縁
層４にコンタクトホールを形成してベースアルミニウム
電極５及びエミッタアルミニウム電極６を形成する。こ
の場合、コレクタアルミニウム電極（図示せず）も同様
に形成する。図４、図５においては、エミッタ領域３に
大面積のコンタクトホールを形成してアルミニウムコン
タクトを形成する。従って、アルミニウムの比抵抗は
０．３Ω／□と低いので、エミッタコンタクトの抵抗を
小さくできる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のフォトトランジスタにおいては、受光面となるエ
ミッタ領域３の一部を遮光性のアルミニウム層で覆うこ
とになり、この結果、光がフォトトランジスタに照射さ
れたときに発生するキャリア数は減少する。従って、ベ
ース電流ＩBが減少し、コレクタ電流ＩC（＝βＩB）が
減少する。このように、フォトトランジスタの光電流の
減少を招き、従って、高感度のフォトトランジスタが得
らないという課題があった。従って、本発明の目的は、
高感度のフォトトランジスタ等の受光素子を提供するこ
とである。
従来のフォトトランジスタにおいては、受光面となるエ
ミッタ領域３の一部を遮光性のアルミニウム層で覆うこ
とになり、この結果、光がフォトトランジスタに照射さ
れたときに発生するキャリア数は減少する。従って、ベ
ース電流ＩBが減少し、コレクタ電流ＩC（＝βＩB）が
減少する。このように、フォトトランジスタの光電流の
減少を招き、従って、高感度のフォトトランジスタが得
らないという課題があった。従って、本発明の目的は、
高感度のフォトトランジスタ等の受光素子を提供するこ
とである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明は、透光性導電膜を受光素子の受光面たとえ
ばフォトトランジスタのエミッタ領域表面に形成する。
好ましくは、透光性導電膜を受光面全域に形成する。こ
れにより、受光面のコンタクト抵抗を増大させることな
く、光が受光素子に照射されたときに発生するキャリア
数が増加する。
めに本発明は、透光性導電膜を受光素子の受光面たとえ
ばフォトトランジスタのエミッタ領域表面に形成する。
好ましくは、透光性導電膜を受光面全域に形成する。こ
れにより、受光面のコンタクト抵抗を増大させることな
く、光が受光素子に照射されたときに発生するキャリア
数が増加する。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る受光素子の第
１の実施の形態を示す平面図、図２は図１のII−II線断
面図であって、フォトトランジスタに適用される。図
１、図２においては、絶縁層４のコンタクトホールをエ
ミッタ領域３表面の全域に形成し、その上に、ポリシリ
コン層７のパターンを形成する。また、ポリシリコン層
７のパターンを含む全体に酸化シリコンよりなる絶縁層
８を形成する。さらに、この絶縁層８にコンタクトホー
ルを形成してベースアルミニウム電極５及びエミッタア
ルミニウム電極６’を形成する。
１の実施の形態を示す平面図、図２は図１のII−II線断
面図であって、フォトトランジスタに適用される。図
１、図２においては、絶縁層４のコンタクトホールをエ
ミッタ領域３表面の全域に形成し、その上に、ポリシリ
コン層７のパターンを形成する。また、ポリシリコン層
７のパターンを含む全体に酸化シリコンよりなる絶縁層
８を形成する。さらに、この絶縁層８にコンタクトホー
ルを形成してベースアルミニウム電極５及びエミッタア
ルミニウム電極６’を形成する。
【０００６】ポリシリコン層７は、スパッタにより形成
し、その後、りん等の不純物を拡散して比抵抗を１０Ω
／□程度に下げる。これにより、従来のエミッタコンタ
クト抵抗とほぼ同一の値のエミッタコンタクト抵抗を実
現する。他方、ポリシリコン層７は波長λ＝９４０ｎｍ
で透過率９９％を有する透光性導電層である。従って、
光がフォトトランジスタに照射されると、従来のアルミ
ニウムコンタクトに比較して発生するキャリア数は著し
く増加する。この結果、ベース電流ＩBは増加し、コレ
クタ電流ＩC（＝βＩB）が増加する。また、エミッタア
ルミニウム電極６’はエミッタ領域３の外側に設けられ
ており、これにより、フォトトランジスタに照射される
光を遮光しないようにしている。
し、その後、りん等の不純物を拡散して比抵抗を１０Ω
／□程度に下げる。これにより、従来のエミッタコンタ
クト抵抗とほぼ同一の値のエミッタコンタクト抵抗を実
現する。他方、ポリシリコン層７は波長λ＝９４０ｎｍ
で透過率９９％を有する透光性導電層である。従って、
光がフォトトランジスタに照射されると、従来のアルミ
ニウムコンタクトに比較して発生するキャリア数は著し
く増加する。この結果、ベース電流ＩBは増加し、コレ
クタ電流ＩC（＝βＩB）が増加する。また、エミッタア
ルミニウム電極６’はエミッタ領域３の外側に設けられ
ており、これにより、フォトトランジスタに照射される
光を遮光しないようにしている。
【０００７】図３は本発明に係る受光素子の第２の実施
の形態を示す断面図であって、フォトダイオードに適用
したものである。図３において、フォトダイオードにお
いては、Ｐ-型単結晶シリコン基板１１内にＮ+型埋込層
１２及びＮ-型不純物層１３を形成し、ＰＮ接合を生成
する。また、Ｎ-型不純物層１３を含む全体に酸化シリ
コンよりなる絶縁層１４を形成し、この絶縁層１４のコ
ンタクトホールをＮ-型不純物層１３全域に形成する。
さらに、その上にポリシリコン層５のパターンを形成す
る。さらに、このポリシリコン層１５のパターンを含む
全体に酸化シリコンよりなる絶縁層１６を形成する。さ
らに、この絶縁層１６のコンタクトホールを形成してア
ルミニウム陰極１７を形成する。尚、フォトダイオード
の陽極はＰ-型単結晶シリコン基板１１である。また、
図３においては、フォトダイオードの形成と共に、Ｎ+
型埋込層２１、コレクタ領域２２、ベース領域２３、エ
ミッタ領域２４、アルミニウムコレクタ電極２５、アル
ミニウムベース電極２６、アルミニウムエミッタ電極２
７よりなるＮＰＮ型トランジスタをも同時に形成する。
の形態を示す断面図であって、フォトダイオードに適用
したものである。図３において、フォトダイオードにお
いては、Ｐ-型単結晶シリコン基板１１内にＮ+型埋込層
１２及びＮ-型不純物層１３を形成し、ＰＮ接合を生成
する。また、Ｎ-型不純物層１３を含む全体に酸化シリ
コンよりなる絶縁層１４を形成し、この絶縁層１４のコ
ンタクトホールをＮ-型不純物層１３全域に形成する。
さらに、その上にポリシリコン層５のパターンを形成す
る。さらに、このポリシリコン層１５のパターンを含む
全体に酸化シリコンよりなる絶縁層１６を形成する。さ
らに、この絶縁層１６のコンタクトホールを形成してア
ルミニウム陰極１７を形成する。尚、フォトダイオード
の陽極はＰ-型単結晶シリコン基板１１である。また、
図３においては、フォトダイオードの形成と共に、Ｎ+
型埋込層２１、コレクタ領域２２、ベース領域２３、エ
ミッタ領域２４、アルミニウムコレクタ電極２５、アル
ミニウムベース電極２６、アルミニウムエミッタ電極２
７よりなるＮＰＮ型トランジスタをも同時に形成する。
【０００８】図３においても、ポリシリコン層１５は、
スパッタにより形成し、その後、りん等の不純物を拡散
して比抵抗を１０Ω／□程度に下げる。これにより、従
来のコンタクト抵抗とほぼ同一の値のコンタクト抵抗を
実現する。また、ポリシリコン層１５は波長λ＝９４０
ｎｍで透過率９９％を有する透光性導電層である。従っ
て、光がフォトダイオードに照射されると、従来のアル
ミニウムコンタクトに比較して発生するキャリア数は著
しく増加する。この結果、光電流が増加する。また、陰
極１７はＮ-不純物層１３の外側に設けられており、こ
れにより、フォトダイオードに照射される光を遮光しな
いようにしている。
スパッタにより形成し、その後、りん等の不純物を拡散
して比抵抗を１０Ω／□程度に下げる。これにより、従
来のコンタクト抵抗とほぼ同一の値のコンタクト抵抗を
実現する。また、ポリシリコン層１５は波長λ＝９４０
ｎｍで透過率９９％を有する透光性導電層である。従っ
て、光がフォトダイオードに照射されると、従来のアル
ミニウムコンタクトに比較して発生するキャリア数は著
しく増加する。この結果、光電流が増加する。また、陰
極１７はＮ-不純物層１３の外側に設けられており、こ
れにより、フォトダイオードに照射される光を遮光しな
いようにしている。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、透
光性導電層を受光面に設けたので、受光面でのコンタク
ト抵抗を増大させることなく、光が受光素子に照射され
たときに発生するキャリア数を増加でき、従って、高感
度の受光素子が得られる。
光性導電層を受光面に設けたので、受光面でのコンタク
ト抵抗を増大させることなく、光が受光素子に照射され
たときに発生するキャリア数を増加でき、従って、高感
度の受光素子が得られる。
【図１】本発明に係る受光素子の第１の実施の形態を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】図１のII−II線断面図である。
【図３】本発明に係る受光素子の第２の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】従来のフォトトランジスタを示す平面図であ
る。
る。
【図５】図４のＶ−Ｖ線断面図である。
【符号の説明】 １…コレクタ領域 ２…ベース領域 ３…エミッタ領域 ４…絶縁層 ５…ベースアルミニウム電極 ６…エミッタアルミニウム電極 １１…Ｐ-型単結晶シリコン基板 １２…Ｎ+型埋込層 １３…Ｎ-型不純物層 １４…絶縁層 １５…ポリシリコン層 １６…絶縁層 ２１…Ｎ+型埋込層 ２２…コレクタ領域 ２３…ベース領域 ２４…エミッタ領域 ２５…コレクタアルミニウム電極 ２６…ベースアルミニウム電極 ２７…エミッタアルミニウム電極
Claims (6)
- 【請求項１】 受光面のコンタクトを透光性導電層
（７、１５）により構成し、前記透光性導電層を前記受
光面全域に形成し、さらに、前記透光性導電層の電極
（６’、１７）を前記受光面の外側において前記透光性
導電層に設けた受光素子。 - 【請求項２】 前記透光性導電層はポリシリコンよりな
る請求項１に記載の受光素子。 - 【請求項３】 前記受光素子はフォトトランジスタであ
る請求項１に記載の受光素子。 - 【請求項４】 前記受光素子はフォトダイオードである
請求項１に記載の受光素子。 - 【請求項５】 エミッタ領域（３）のコンタクトを透光
性導電層（７）により構成し、前記透光性導電層を前記
エミッタ領域表面全域に形成し、さらに、前記透光性導
電層の電極（６’）を前記エミッタ領域の外側において
前記透光性導電層に設けたフォトトランジスタ。 - 【請求項６】 前記透光性導電層はポリシリコンにより
なる請求項５に記載のフォトトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35417795A JP2770810B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35417795A JP2770810B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186355A JPH09186355A (ja) | 1997-07-15 |
| JP2770810B2 true JP2770810B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=18435813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35417795A Expired - Fee Related JP2770810B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770810B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841771B2 (en) | 2001-05-22 | 2005-01-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical coupling device and light-receiving circuit of same |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1432044A1 (fr) * | 2002-12-20 | 2004-06-23 | EM Microelectronic-Marin SA | Photodiode à filtre en polysilicium intégré |
| JP2009033043A (ja) | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | 光半導体装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147876A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-09 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| JPH0369173A (ja) * | 1989-08-08 | 1991-03-25 | Nec Corp | ホトカプラ |
| JPH04208577A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-30 | Nec Corp | ホトダイオード及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP35417795A patent/JP2770810B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841771B2 (en) | 2001-05-22 | 2005-01-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical coupling device and light-receiving circuit of same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09186355A (ja) | 1997-07-15 |
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