JPH0369173A - ホトカプラ - Google Patents
ホトカプラInfo
- Publication number
- JPH0369173A JPH0369173A JP1205937A JP20593789A JPH0369173A JP H0369173 A JPH0369173 A JP H0369173A JP 1205937 A JP1205937 A JP 1205937A JP 20593789 A JP20593789 A JP 20593789A JP H0369173 A JPH0369173 A JP H0369173A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- polysilicon layer
- aluminum wiring
- photosensitive
- electronic circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 35
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光素子と受光素子を含む集積回路からなる
光結合装置、すなわちホトカプラに関する。
光結合装置、すなわちホトカプラに関する。
従来のＣＭＲＲ改善が施されているホトカプラの受光側
は第２図に示す様に、ＰＮ接合を有する受光部と、受光
部で光電変換された電気信号を処理する電子回路部（図
示省略〉とを１チップ上に形成して戒り、ポリシリコン
層５で成る透明導電膜をホトカプラの受光部７の表面に
絶縁膜６を介して配置し、コンタクトをとり１層目のア
ルミ配線３で引きまわしスルーホールでグランド電位と
なっている２層目のアルミ配線２につなげることにより
、ノイズをグランドに逃がしＣＭＲＲの改善を行なって
いる。
は第２図に示す様に、ＰＮ接合を有する受光部と、受光
部で光電変換された電気信号を処理する電子回路部（図
示省略〉とを１チップ上に形成して戒り、ポリシリコン
層５で成る透明導電膜をホトカプラの受光部７の表面に
絶縁膜６を介して配置し、コンタクトをとり１層目のア
ルミ配線３で引きまわしスルーホールでグランド電位と
なっている２層目のアルミ配線２につなげることにより
、ノイズをグランドに逃がしＣＭＲＲの改善を行なって
いる。
上述した従来のＣＭＲＲ対策では、受光部７に設けたポ
リシリコン層５にコンタクトをとり１層目のアルミ配線
３で引きまわし、眉間膜４に設けたスルーホールを介し
てグランド電位となっている２層目のアルミ配線２につ
なげている。その為１層目のアルミ配線がポリシリコン
層５が形成されている部分と形成されていない部分すな
わちポリシリコン層５の段差部９を通過する際アルミ配
線の断切れの恐れがあり、より効果的にノイズ対策を行
うのに、ポリシリコン層５の比抵抗を下げる、すなわち
ポリシリコン層５をある程度以上厚く出来ないという問
題点がある。
リシリコン層５にコンタクトをとり１層目のアルミ配線
３で引きまわし、眉間膜４に設けたスルーホールを介し
てグランド電位となっている２層目のアルミ配線２につ
なげている。その為１層目のアルミ配線がポリシリコン
層５が形成されている部分と形成されていない部分すな
わちポリシリコン層５の段差部９を通過する際アルミ配
線の断切れの恐れがあり、より効果的にノイズ対策を行
うのに、ポリシリコン層５の比抵抗を下げる、すなわち
ポリシリコン層５をある程度以上厚く出来ないという問
題点がある。
本発明のホトカプラは、ＣＭＲＲ改善の為、シールド方
法として受光ＩＣの受光部であるフォトダイオード部表
面に透明導電膜であるポリシリコン層を厚く成長させ、
ポリシリコン層の比抵抗を下げる為に１層目のアルミ配
線でポリシリコン層の段差部を通らず、ポリシリコン層
の直上でスルーホールを通してグランド電位となってい
る２層目のアルミ配線につなげた構成になっている。こ
の結果、アルミの断切れの恐れなく受光部表面上のポリ
シリコン層を厚く出来、ポリシリコン層の比抵抗を下げ
ることが出来るのでＣＭＲＲが向上し、入力側からのノ
イズによる出力の誤動作を今まで以上に防ぐことが出来
る。
法として受光ＩＣの受光部であるフォトダイオード部表
面に透明導電膜であるポリシリコン層を厚く成長させ、
ポリシリコン層の比抵抗を下げる為に１層目のアルミ配
線でポリシリコン層の段差部を通らず、ポリシリコン層
の直上でスルーホールを通してグランド電位となってい
る２層目のアルミ配線につなげた構成になっている。こ
の結果、アルミの断切れの恐れなく受光部表面上のポリ
シリコン層を厚く出来、ポリシリコン層の比抵抗を下げ
ることが出来るのでＣＭＲＲが向上し、入力側からのノ
イズによる出力の誤動作を今まで以上に防ぐことが出来
る。
第１図に本発明のＣＭＲＲ改善を施したホトカプラの受
光部の断面部を示す。受光部からの電気信号を処理する
電子回路部、発光部等、他の部分は従来と変らないので
図示及び説明は省略する。
光部の断面部を示す。受光部からの電気信号を処理する
電子回路部、発光部等、他の部分は従来と変らないので
図示及び説明は省略する。
本発明によるホトカプラは第１図に示すように、Ｎ型半
導体層８にＰ壁領域を形成してそこを受光部７とし、こ
の受光部７の上に比抵抗の小さいポリシリコン層５、す
なわち厚いポリシリコン層５を絶縁膜６ａを介して形成
し、さらに、全体を２層目の絶縁膜６ｂで覆う、ポリシ
リコン層上の絶縁膜６ｂ上には１層目のアルミ配線３を
施し、絶縁膜６ｂに開けた穴を介し、てポリシリコン層
と１層目のアルミ配線とを接続する。この１層目のアル
ミ配線はこの上に設けた眉間膜４に設けたスルーホール
を介して眉間膜上のグランド電位となっている２層目の
アルミ配線２にポリシリコン層上でつなげることにより
受光ＩＣ全体がシールドされる。
導体層８にＰ壁領域を形成してそこを受光部７とし、こ
の受光部７の上に比抵抗の小さいポリシリコン層５、す
なわち厚いポリシリコン層５を絶縁膜６ａを介して形成
し、さらに、全体を２層目の絶縁膜６ｂで覆う、ポリシ
リコン層上の絶縁膜６ｂ上には１層目のアルミ配線３を
施し、絶縁膜６ｂに開けた穴を介し、てポリシリコン層
と１層目のアルミ配線とを接続する。この１層目のアル
ミ配線はこの上に設けた眉間膜４に設けたスルーホール
を介して眉間膜上のグランド電位となっている２層目の
アルミ配線２にポリシリコン層上でつなげることにより
受光ＩＣ全体がシールドされる。
以上説明したように、本発明のホトカプラの受光ＩＣは
ポリシリコン層の上で、１層目のアルミ配線とグランド
電位となっている２層目のアルミ配線とをつなげること
により、ポリシリコン層の段差を気にすることなくポリ
シリコン層を厚くし、比抵抗を下げることが出来るので
、より効果的にＣＭＲＲの改善が出来る。
ポリシリコン層の上で、１層目のアルミ配線とグランド
電位となっている２層目のアルミ配線とをつなげること
により、ポリシリコン層の段差を気にすることなくポリ
シリコン層を厚くし、比抵抗を下げることが出来るので
、より効果的にＣＭＲＲの改善が出来る。
配線、４・・・層間膜、５・・・ポリシリコン層、６・
・・絶縁膜、７・・・受光部、８・・・半導体層、９・
・・ポリシリコン層段差部。
・・絶縁膜、７・・・受光部、８・・・半導体層、９・
・・ポリシリコン層段差部。
Claims (1)
- 発光素子とその発光素子と間隔をあけて配置され発光素
子から光を受ける受光素子とから構成されるホトカプラ
において、受光素子は受光部と受光部からの電気信号を
処理する電子回路部が１チップになっている受光ＩＣを
用い、かつ受光ＩＣの電子回路部のアルミ配線は１層目
のアルミ配線を用い、さらに電子回路部の少なくとも一
部をグランド電位となっている２層目のアルミ配線で覆
い、また、受光部をポリシリコン層で覆い、そのポリシ
リコン層はグランド電位と接続された２層目のアルミ配
線と導通されさらにポリシリコン層と２層目のアルミを
い配線を導通させるアルミ配線がポリシリコン層の端部
を横切らず、ポリシリコン層の直上で該層と２層目アル
ミ配線とが電気的に接続されていることを特徴とするホ
トカプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1205937A JPH0369173A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | ホトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1205937A JPH0369173A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | ホトカプラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369173A true JPH0369173A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16515199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1205937A Pending JPH0369173A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | ホトカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0369173A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09186355A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Nec Corp | 受光素子 |
| JP2009158570A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Seiko Instruments Inc | 光検出半導体装置、光検出装置、及び画像表示装置 |
| JP2009158569A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Seiko Instruments Inc | 光検出半導体装置、光検出装置、及び画像表示装置 |
| JP2015056590A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 受光素子および光結合型信号絶縁装置 |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP1205937A patent/JPH0369173A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09186355A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Nec Corp | 受光素子 |
| JP2009158570A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Seiko Instruments Inc | 光検出半導体装置、光検出装置、及び画像表示装置 |
| JP2009158569A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Seiko Instruments Inc | 光検出半導体装置、光検出装置、及び画像表示装置 |
| JP2015056590A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 受光素子および光結合型信号絶縁装置 |
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