JPH09186355A - 受光素子 - Google Patents
受光素子Info
- Publication number
- JPH09186355A JPH09186355A JP35417795A JP35417795A JPH09186355A JP H09186355 A JPH09186355 A JP H09186355A JP 35417795 A JP35417795 A JP 35417795A JP 35417795 A JP35417795 A JP 35417795A JP H09186355 A JPH09186355 A JP H09186355A
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- Japan
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- conductive layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 受光面のコンタクトを遮光性のアルミニウム
層により構成していたために、光が照射されたときに発
生するキャリア数が減少し、受光素子の感度が低下して
いた。 【解決手段】 コレクタ領域１、ベース領域２及びエミ
ッタ領域３よりなるフォトトランジスタにおいて、エミ
ッタ領域３表面の全域に透光性のポリシリコン層７によ
りコンタクトを構成する。遮光性のエミッタアルミニウ
ム電極６’はエミッタ領域３の外側のポリシリコン層７
上に設けられ、フォトトランジスタに照射される光を遮
光しないようにする。
層により構成していたために、光が照射されたときに発
生するキャリア数が減少し、受光素子の感度が低下して
いた。 【解決手段】 コレクタ領域１、ベース領域２及びエミ
ッタ領域３よりなるフォトトランジスタにおいて、エミ
ッタ領域３表面の全域に透光性のポリシリコン層７によ
りコンタクトを構成する。遮光性のエミッタアルミニウ
ム電極６’はエミッタ領域３の外側のポリシリコン層７
上に設けられ、フォトトランジスタに照射される光を遮
光しないようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトカプラ等に用
いられる受光素子たとえばフォトトランジスタ、フォト
ダイオードに関する。
いられる受光素子たとえばフォトトランジスタ、フォト
ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来のフォトトランジスタの平面
図、図５は図４のＶ−Ｖ線断面図である。図４、図５を
参照して従来のフォトトランジスタを説明すると、Ｎ型
コレクタ領域１内にＰ型ベース領域２を形成し、Ｐ型ベ
ース領域２内にＮ型エミッタ領域３を形成する。その上
に、酸化シリコンよりなる絶縁層４を形成し、この絶縁
層４にコンタクトホールを形成してベースアルミニウム
電極５及びエミッタアルミニウム電極６を形成する。こ
の場合、ベースアルミニウム電極（図示せず）も同様に
形成する。図４、図５においては、エミッタ領域３に大
面積のコンタクトホールを形成してアルミニウムコンタ
クトを形成する。従って、アルミニウムの比抵抗は０．
３Ω／□と低いので、エミッタコンタクトの抵抗を小さ
くできる。
図、図５は図４のＶ−Ｖ線断面図である。図４、図５を
参照して従来のフォトトランジスタを説明すると、Ｎ型
コレクタ領域１内にＰ型ベース領域２を形成し、Ｐ型ベ
ース領域２内にＮ型エミッタ領域３を形成する。その上
に、酸化シリコンよりなる絶縁層４を形成し、この絶縁
層４にコンタクトホールを形成してベースアルミニウム
電極５及びエミッタアルミニウム電極６を形成する。こ
の場合、ベースアルミニウム電極（図示せず）も同様に
形成する。図４、図５においては、エミッタ領域３に大
面積のコンタクトホールを形成してアルミニウムコンタ
クトを形成する。従って、アルミニウムの比抵抗は０．
３Ω／□と低いので、エミッタコンタクトの抵抗を小さ
くできる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のフォトトランジスタにおいては、受光面となるエ
ミッタ領域３の一部を遮光性のアルミニウム層で覆うこ
とになり、この結果、光がフォトトランジスタに照射さ
れたときに発生するキャリア数は減少する。従って、ベ
ース電流ＩBが減少し、コレクタ電流ＩC（＝βＩB）が
減少する。このように、フォトトランジスタの光電流の
減少を招き、従って、高感度のフォトトランジスタが得
らないという課題があった。従って、本発明の目的は、
高感度のフォトトランジスタ等の受光素子を提供するこ
とである。
従来のフォトトランジスタにおいては、受光面となるエ
ミッタ領域３の一部を遮光性のアルミニウム層で覆うこ
とになり、この結果、光がフォトトランジスタに照射さ
れたときに発生するキャリア数は減少する。従って、ベ
ース電流ＩBが減少し、コレクタ電流ＩC（＝βＩB）が
減少する。このように、フォトトランジスタの光電流の
減少を招き、従って、高感度のフォトトランジスタが得
らないという課題があった。従って、本発明の目的は、
高感度のフォトトランジスタ等の受光素子を提供するこ
とである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明は、透光性導電膜を受光素子の受光面たとえ
ばフォトトランジスタのエミッタ領域表面に形成する。
好ましくは、透光性導電膜を受光面全域に形成する。こ
れにより、受光面のコンタクト抵抗を減少させることな
く、光が受光素子に照射されたときに発生するキャリア
数が増加する。
めに本発明は、透光性導電膜を受光素子の受光面たとえ
ばフォトトランジスタのエミッタ領域表面に形成する。
好ましくは、透光性導電膜を受光面全域に形成する。こ
れにより、受光面のコンタクト抵抗を減少させることな
く、光が受光素子に照射されたときに発生するキャリア
数が増加する。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る受光素子の第
１の実施の形態を示す平面図、図２は図１のII−II線断
面図であって、フォトトランジスタに適用される。図
１、図２においては、絶縁層４のコンタクトホールをエ
ミッタ領域３表面の全域に形成し、その上に、ポリシリ
コン層７のパターンを形成する。また、ポリシリコン層
７のパターンを含む全体に酸化シリコンよりなる絶縁層
８を形成する。さらに、この絶縁層８にコンタクトホー
ルを形成してベースアルミニウム電極５及びエミッタア
ルミニウム電極６’を形成する。
１の実施の形態を示す平面図、図２は図１のII−II線断
面図であって、フォトトランジスタに適用される。図
１、図２においては、絶縁層４のコンタクトホールをエ
ミッタ領域３表面の全域に形成し、その上に、ポリシリ
コン層７のパターンを形成する。また、ポリシリコン層
７のパターンを含む全体に酸化シリコンよりなる絶縁層
８を形成する。さらに、この絶縁層８にコンタクトホー
ルを形成してベースアルミニウム電極５及びエミッタア
ルミニウム電極６’を形成する。
【０００６】ポリシリコン層７は、スパッタにより形成
し、その後、りん等の不純物を拡散して比抵抗を１０Ω
／□程度に下げる。これにより、従来のエミッタコンタ
クト抵抗とほぼ同一の値のエミッタコンタクト抵抗を実
現する。他方、ポリシリコン層７は波長λ＝９４０ｎｍ
で透過率９９％を有する透光性導電層である。従って、
光がフォトトランジスタに照射されると、従来のアルミ
ニウムコンタクトに比較して発生するキャリア数は著し
く増加する。この結果、ベース電流ＩBは増加し、コレ
クタ電流ＩC（＝βＩB）が増加する。また、エミッタア
ルミニウム電極６’はエミッタ領域３の外側に設けられ
ており、これにより、フォトトランジスタに照射される
光を遮光しないようにしている。
し、その後、りん等の不純物を拡散して比抵抗を１０Ω
／□程度に下げる。これにより、従来のエミッタコンタ
クト抵抗とほぼ同一の値のエミッタコンタクト抵抗を実
現する。他方、ポリシリコン層７は波長λ＝９４０ｎｍ
で透過率９９％を有する透光性導電層である。従って、
光がフォトトランジスタに照射されると、従来のアルミ
ニウムコンタクトに比較して発生するキャリア数は著し
く増加する。この結果、ベース電流ＩBは増加し、コレ
クタ電流ＩC（＝βＩB）が増加する。また、エミッタア
ルミニウム電極６’はエミッタ領域３の外側に設けられ
ており、これにより、フォトトランジスタに照射される
光を遮光しないようにしている。
【０００７】図３は本発明に係る受光素子の第２の実施
の形態を示す断面図であって、フォトダイオードに適用
したものである。図３において、フォトダイオードにお
いては、Ｐ-型単結晶シリコン基板１１内にＮ+型埋込層
１２及びＮ-型不純物層１３を形成し、ＰＮ接合を生成
する。また、Ｎ-型不純物層１３を含む全体に酸化シリ
コンよりなる絶縁層１４を形成し、この絶縁層１４のコ
ンタクトホールをＮ-型不純物層１３全域に形成する。
さらに、その上にポリシリコン層５のパターンを形成す
る。さらに、このポリシリコン層１５のパターンを含む
全体に酸化シリコンよりなる絶縁層１６を形成する。さ
らに、この絶縁層１６のコンタクトホールを形成してア
ルミニウム陰極１７を形成する。尚、フォトダイオード
の陽極はＰ-型単結晶シリコン基板１１である。また、
図３においては、フォトダイオードの形成と共に、Ｎ+
型埋込層２１、コレクタ領域２２、ベース領域２３、エ
ミッタ領域２４、アルミニウムコレクタ電極２５、アル
ミニウムベース電極２６、アルミニウムエミッタ電極２
７よりなるＮＰＮ型トランジスタをも同時に形成する。
の形態を示す断面図であって、フォトダイオードに適用
したものである。図３において、フォトダイオードにお
いては、Ｐ-型単結晶シリコン基板１１内にＮ+型埋込層
１２及びＮ-型不純物層１３を形成し、ＰＮ接合を生成
する。また、Ｎ-型不純物層１３を含む全体に酸化シリ
コンよりなる絶縁層１４を形成し、この絶縁層１４のコ
ンタクトホールをＮ-型不純物層１３全域に形成する。
さらに、その上にポリシリコン層５のパターンを形成す
る。さらに、このポリシリコン層１５のパターンを含む
全体に酸化シリコンよりなる絶縁層１６を形成する。さ
らに、この絶縁層１６のコンタクトホールを形成してア
ルミニウム陰極１７を形成する。尚、フォトダイオード
の陽極はＰ-型単結晶シリコン基板１１である。また、
図３においては、フォトダイオードの形成と共に、Ｎ+
型埋込層２１、コレクタ領域２２、ベース領域２３、エ
ミッタ領域２４、アルミニウムコレクタ電極２５、アル
ミニウムベース電極２６、アルミニウムエミッタ電極２
７よりなるＮＰＮ型トランジスタをも同時に形成する。
【０００８】図３においても、ポリシリコン層１５は、
スパッタにより形成し、その後、りん等の不純物を拡散
して比抵抗を１０Ω／□程度に下げる。これにより、従
来のコンタクト抵抗とほぼ同一の値のコンタクト抵抗を
実現する。また、ポリシリコン層１５は波長λ＝９４０
ｎｍで透過率９９％を有する透光性導電層である。従っ
て、光がフォトダイオードに照射されると、従来のアル
ミニウムコンタクトに比較して発生するキャリア数は著
しく増加する。この結果、光電流が増加する。また、陰
極１７はＮ-不純物層１３の外側に設けられており、こ
れにより、フォトダイオードに照射される光を遮光しな
いようにしている。
スパッタにより形成し、その後、りん等の不純物を拡散
して比抵抗を１０Ω／□程度に下げる。これにより、従
来のコンタクト抵抗とほぼ同一の値のコンタクト抵抗を
実現する。また、ポリシリコン層１５は波長λ＝９４０
ｎｍで透過率９９％を有する透光性導電層である。従っ
て、光がフォトダイオードに照射されると、従来のアル
ミニウムコンタクトに比較して発生するキャリア数は著
しく増加する。この結果、光電流が増加する。また、陰
極１７はＮ-不純物層１３の外側に設けられており、こ
れにより、フォトダイオードに照射される光を遮光しな
いようにしている。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、透
光性導電層を受光面に設けたので、受光面でのコンタク
ト抵抗を減少させることなく、光が受光素子の照射され
たときに発生するキャリア数を増加でき、従って、高感
度の受光素子が得られる。
光性導電層を受光面に設けたので、受光面でのコンタク
ト抵抗を減少させることなく、光が受光素子の照射され
たときに発生するキャリア数を増加でき、従って、高感
度の受光素子が得られる。
【図１】本発明に係る受光素子の第１の実施の形態を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】図１のII−II線断面図である。
【図３】本発明に係る受光素子の第２の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】従来のフォトトランジスタを示す平面図であ
る。
る。
【図５】図４のＶ−Ｖ線断面図である。
１…コレクタ領域 ２…ベース領域 ３…エミッタ領域 ４…絶縁層 ５…ベースアルミニウム電極 ６…エミッタアルミニウム電極 １１…Ｐ-型単結晶シリコン基板 １２…Ｎ+型埋込層 １３…Ｎ-型不純物層 １４…絶縁層 １５…ポリシリコン層 １６…絶縁層 ２１…Ｎ+型埋込層 ２２…コレクタ領域 ２３…ベース領域 ２４…エミッタ領域 ２５…コレクタアルミニウム電極 ２６…ベースアルミニウム電極 ２７…エミッタアルミニウム電極
Claims (10)
- 【請求項１】 受光面のコンタクトを透光性導電層
（７、１５）により構成した受光素子。 - 【請求項２】 前記透光性導電層を前記受光面全域に形
成した請求項１に記載の受光素子。 - 【請求項３】 前記透光性導電層はポリシリコンよりな
る請求項１に記載の受光素子。 - 【請求項４】 さらに、前記透光性導電層の電極
（６’、１５）を前記受光面の外側において前記透光性
導電層に設けた請求項１に記載の受光素子。 - 【請求項５】 前記受光素子はフォトトランジスタであ
る請求項１に記載の受光素子。 - 【請求項６】 前記受光素子はフォトダイオードである
請求項１に記載の受光素子。 - 【請求項７】 エミッタ領域（３）のコンタクトを透光
性導電層（７）により構成したフォトトランジスタ。 - 【請求項８】 前記透光性導電層を前記エミッタ領域表
面全域に形成した請求項７に記載のフォトトランジス
タ。 - 【請求項９】 前記透光性導電層はポリシリコンにより
なる請求項７に記載のフォトトランジスタ。 - 【請求項１０】 さらに、前記透光性導電層の電極
（６’）を前記エミッタ領域の外側において前記透光性
導電層に設けた請求項７に記載のフォトトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35417795A JP2770810B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35417795A JP2770810B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186355A true JPH09186355A (ja) | 1997-07-15 |
| JP2770810B2 JP2770810B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=18435813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35417795A Expired - Fee Related JP2770810B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770810B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1432044A1 (fr) * | 2002-12-20 | 2004-06-23 | EM Microelectronic-Marin SA | Photodiode à filtre en polysilicium intégré |
| JP2009033043A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | 光半導体装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3775574B2 (ja) | 2001-05-22 | 2006-05-17 | シャープ株式会社 | 光結合装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147876A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-09 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| JPH0369173A (ja) * | 1989-08-08 | 1991-03-25 | Nec Corp | ホトカプラ |
| JPH04208577A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-30 | Nec Corp | ホトダイオード及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP35417795A patent/JP2770810B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147876A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-09 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| JPH0369173A (ja) * | 1989-08-08 | 1991-03-25 | Nec Corp | ホトカプラ |
| JPH04208577A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-30 | Nec Corp | ホトダイオード及びその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1432044A1 (fr) * | 2002-12-20 | 2004-06-23 | EM Microelectronic-Marin SA | Photodiode à filtre en polysilicium intégré |
| WO2004057678A1 (fr) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Em Microelectronic-Marin Sa | Dispositif de detection de lumiere a filtre integre |
| JP2009033043A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | 光半導体装置 |
| US7888765B2 (en) | 2007-07-30 | 2011-02-15 | Panasonic Corporation | Optical semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2770810B2 (ja) | 1998-07-02 |
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| JPH0438148B2 (ja) |
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