JPH04240781A - フォトトランジスタ - Google Patents
フォトトランジスタInfo
- Publication number
- JPH04240781A JPH04240781A JP3007366A JP736691A JPH04240781A JP H04240781 A JPH04240781 A JP H04240781A JP 3007366 A JP3007366 A JP 3007366A JP 736691 A JP736691 A JP 736691A JP H04240781 A JPH04240781 A JP H04240781A
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- JP
- Japan
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- phototransistor
- polysilicon
- junction
- light
- emitter
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- Pending
Links
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- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 18
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフォトトランジスタに関
し、特にフォトカプラに搭載されるフォトトランジスタ
に関する。
し、特にフォトカプラに搭載されるフォトトランジスタ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフォトトランジスタは、図３に示
す様に、コレクタ・ベース接合（以下ＣＢ接合）１１に
囲まれた広いベース領域１６内にエミッタ領域１４を配
し、ベース電極１２Ｂ，エミッタ電極１３ＥおよびＣＢ
接合１１をおおうようにアルミ配線（以下アルミリング
）１５を有しており、アルミリングはエミッタ電極１３
Ｅに電気的に接続されている。
す様に、コレクタ・ベース接合（以下ＣＢ接合）１１に
囲まれた広いベース領域１６内にエミッタ領域１４を配
し、ベース電極１２Ｂ，エミッタ電極１３ＥおよびＣＢ
接合１１をおおうようにアルミ配線（以下アルミリング
）１５を有しており、アルミリングはエミッタ電極１３
Ｅに電気的に接続されている。
【０００３】フォトカプラに搭載されるフォトトランジ
スタは、入力側すなわち、ＬＥＤ側と出力側すなわちフ
ォトトランジスタ側とは電気的に絶縁されているので、
ＬＥＤ側とフォトトランジスタ側の間には高電位がかか
ることがある。これによる高電界からＣＢ接合上の酸化
膜の分極を防がなければならず、アルミリングを配し、
かつ通常接地側になるエミッタ電極に電気的に接続し、
ＣＢ接合を保護している。通常アルミリングはＣＢ接合
からベース領域側に５〜１０μｍ張り出している。
スタは、入力側すなわち、ＬＥＤ側と出力側すなわちフ
ォトトランジスタ側とは電気的に絶縁されているので、
ＬＥＤ側とフォトトランジスタ側の間には高電位がかか
ることがある。これによる高電界からＣＢ接合上の酸化
膜の分極を防がなければならず、アルミリングを配し、
かつ通常接地側になるエミッタ電極に電気的に接続し、
ＣＢ接合を保護している。通常アルミリングはＣＢ接合
からベース領域側に５〜１０μｍ張り出している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のフォ
トトランジスタは、アルミリングがベース領域側に張り
出しているので、受光部であるベース領域がアルミリン
グにより遮光される部分があるので実効的な受光部の面
積が小さくなることになるので、フォトトランジスタと
しての受光感度がアルミリングで遮光されている分だけ
悪くなるという問題点があった。
トトランジスタは、アルミリングがベース領域側に張り
出しているので、受光部であるベース領域がアルミリン
グにより遮光される部分があるので実効的な受光部の面
積が小さくなることになるので、フォトトランジスタと
しての受光感度がアルミリングで遮光されている分だけ
悪くなるという問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトトランジ
スタは、透光性であるポリシリコンに導電性をもたせた
ポリシリリングを有している。
スタは、透光性であるポリシリコンに導電性をもたせた
ポリシリリングを有している。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明のフォトトランジスタの一実施例の平面
図、図２はそのＡ−Ａ断面図であり、図４（ａ）、図４
（ｂ）は工程を説明する為の断面図である。
。図１は本発明のフォトトランジスタの一実施例の平面
図、図２はそのＡ−Ａ断面図であり、図４（ａ）、図４
（ｂ）は工程を説明する為の断面図である。
【０００７】Ｎ型エピタキシャル層を成長させたＮ型基
板７に酸化膜８を形成し、ホトリソグラフィ技術を用い
てベース領域６をパターニングし、Ｐ型不純物ボロンを
拡散またはイオン注入した後酸化し、次にエミッタ領域
４をパターニングし、Ｎ型不純物リンを拡散，酸化する
。その後ポリシリコン５を成長し、リンを拡散してポリ
シリコン５に導電性をもたせる。ＣＢ接合１をおおうよ
うに所望の形状にパターニングした後酸化して酸化膜９
をつけ（図４（ａ））、次にベースコンタクト２ＢＢ、
エミッタコンタクト３ＥＥおよびポリシリコン上にエミ
ッタと接続させる為のコンタクト１０をあけ、アルミ蒸
着、パターニングしてベース電極２Ｂ、エミッタ電極３
Ｅを形成し、本発明のフォトトランジスタを得る（図１
、図２、図４（ｂ））。
板７に酸化膜８を形成し、ホトリソグラフィ技術を用い
てベース領域６をパターニングし、Ｐ型不純物ボロンを
拡散またはイオン注入した後酸化し、次にエミッタ領域
４をパターニングし、Ｎ型不純物リンを拡散，酸化する
。その後ポリシリコン５を成長し、リンを拡散してポリ
シリコン５に導電性をもたせる。ＣＢ接合１をおおうよ
うに所望の形状にパターニングした後酸化して酸化膜９
をつけ（図４（ａ））、次にベースコンタクト２ＢＢ、
エミッタコンタクト３ＥＥおよびポリシリコン上にエミ
ッタと接続させる為のコンタクト１０をあけ、アルミ蒸
着、パターニングしてベース電極２Ｂ、エミッタ電極３
Ｅを形成し、本発明のフォトトランジスタを得る（図１
、図２、図４（ｂ））。
【０００８】ボンディングに必要な電極にアルミを使用
し、ＣＢ接合上の保護には、透光性であるポリシリコン
を使用しているのでポリシリリングをつける事によりフ
ォトトランジスタの受光部面積の減少による感度低下が
生じない。
し、ＣＢ接合上の保護には、透光性であるポリシリコン
を使用しているのでポリシリリングをつける事によりフ
ォトトランジスタの受光部面積の減少による感度低下が
生じない。
【０００９】図５は本発明のもうひとつの実施例の平面
図である。前記第１の実施例と同じ製法であるが、ポリ
シリコンをパターニングする時に、第１の実施例ではＣ
Ｂ接合上のみポリシリコンを残したが、本実施例ではポ
リシリコンの透光性を考慮して受光部全面に残すことと
する。こうすることにより、ＣＢ接合の保護とは別に、
受光部全面が導電性のポリシリコン５ａでおおわれるの
で、受光部がシールドされるという利点が生じる。すな
わち、フォトカプラのＬＥＤ側の電位が高速で変化した
時に、フォトトランジスタ側に生じる変位電流が前記ポ
リシリコンのシールド膜の為に受光部に流れ込まなくな
る。
図である。前記第１の実施例と同じ製法であるが、ポリ
シリコンをパターニングする時に、第１の実施例ではＣ
Ｂ接合上のみポリシリコンを残したが、本実施例ではポ
リシリコンの透光性を考慮して受光部全面に残すことと
する。こうすることにより、ＣＢ接合の保護とは別に、
受光部全面が導電性のポリシリコン５ａでおおわれるの
で、受光部がシールドされるという利点が生じる。すな
わち、フォトカプラのＬＥＤ側の電位が高速で変化した
時に、フォトトランジスタ側に生じる変位電流が前記ポ
リシリコンのシールド膜の為に受光部に流れ込まなくな
る。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、透光性の
ポリシリコンリングをフォトトランジスタのＣＢ接合保
護に使用したので、遮光による受光感度低下がないとい
う効果を有する。
ポリシリコンリングをフォトトランジスタのＣＢ接合保
護に使用したので、遮光による受光感度低下がないとい
う効果を有する。
【図１】本発明の平面図。
【図２】本発明の断面図。
【図３】従来例の断面図。
【図４】本発明のフォトトランジスタの製造工程を示す
図。
図。
【図５】本発明のもうひとつの実施例の平面図。
１，１１ ＣＢ接合
２Ｂ，１２Ｂ ベース電極
２ＢＢ ベースコンタクト
３Ｅ，１３Ｅ エミッタ電極
３ＥＥ エミッタコンタクト
４，１４ エミッタ領域
５ ポリシリリング
６，１６ ベース領域
７ Ｎ型基板
８ 酸化膜
９ 第２の酸化膜
１０ ポリシリコンコンタクト
１５ アルミリング
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコンプレーナ型フォトトランジス
タに於いて、ボンディングパッド用電極に金属膜を使用
し、かつ、コレクタ・ベース接合の酸化膜上に導電性を
有するポリシリコンを配し、該ポリシリコンをエミッタ
ボンディングパッド電極と電気的に接続したことを特徴
とするフォトトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3007366A JPH04240781A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | フォトトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3007366A JPH04240781A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | フォトトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04240781A true JPH04240781A (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=11663974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3007366A Pending JPH04240781A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | フォトトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04240781A (ja) |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP3007366A patent/JPH04240781A/ja active Pending
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