JPH05235394A - フォトトランジスタ - Google Patents
フォトトランジスタInfo
- Publication number
- JPH05235394A JPH05235394A JP4039043A JP3904392A JPH05235394A JP H05235394 A JPH05235394 A JP H05235394A JP 4039043 A JP4039043 A JP 4039043A JP 3904392 A JP3904392 A JP 3904392A JP H05235394 A JPH05235394 A JP H05235394A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- layer
- area
- type
- electrode
- Prior art date
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- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトトランジスタの感度を向上させる。
【構成】 エミッタ電極６の面積をＮ型エミッタ層３の
面積より小さくする。
面積より小さくする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトトランジスタの
感度を向上させる構造に関するものである。
感度を向上させる構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３（ａ）は従来のフォトトランジスタ
の構造の一例を示す平面図であり、同図（ｂ）はそのＣ
−Ｃ′断面図である。これらの図に示されるように、た
とえば、Ｎ型シリコン基板１の表面に、Ｐ型ベース層
２、Ｐ型ベース層２の一部にＮ型エミッタ層３をそれぞ
れ拡散により形成し、それらの表面はＳｉＯ2 のような
酸化膜４で被覆され、必要な箇所に穴をあけ、ベース電
極５およびエミッタ電極６が設けられている。このと
き、Ｐ型ベース層２は受光部となるため面積を大きく設
定し、ベース電極５は受光を妨げるため、極力小さく設
定していた。なお、Ｎ型シリコン基板１はコレクタとな
り、図示されていないが裏面にはコレクタ電極を設け
る。
の構造の一例を示す平面図であり、同図（ｂ）はそのＣ
−Ｃ′断面図である。これらの図に示されるように、た
とえば、Ｎ型シリコン基板１の表面に、Ｐ型ベース層
２、Ｐ型ベース層２の一部にＮ型エミッタ層３をそれぞ
れ拡散により形成し、それらの表面はＳｉＯ2 のような
酸化膜４で被覆され、必要な箇所に穴をあけ、ベース電
極５およびエミッタ電極６が設けられている。このと
き、Ｐ型ベース層２は受光部となるため面積を大きく設
定し、ベース電極５は受光を妨げるため、極力小さく設
定していた。なお、Ｎ型シリコン基板１はコレクタとな
り、図示されていないが裏面にはコレクタ電極を設け
る。
【０００３】Ｎ型エミッタ層３は電気特性上必要な大き
さに設定し、エミッタ電極６はＮ型エミッタ層３の面積
と同等、または、特性安定化のためエミッタ層面積より
大きく設定し、ＰＮ接合面を覆うようにしていた。
さに設定し、エミッタ電極６はＮ型エミッタ層３の面積
と同等、または、特性安定化のためエミッタ層面積より
大きく設定し、ＰＮ接合面を覆うようにしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】フォトトランジスタの
感度を向上させるときの手段として、１つは受光部であ
るベース拡散面積を大きくするが、この方法はチップサ
イズが大きくなるため、チップコストが高くなる。他の
手段としては、トランジスタのｈFEを大きく設定する
が、応答速度が悪くなる欠点を有している。また、エミ
ッタ電極の面積は、エミッタ電流を通過させるのに十分
であり、かつワイヤボンディングに必要な大きさであれ
ばよく、必ずしもＮ型エミッタ層の面積以上にする必要
はない。
感度を向上させるときの手段として、１つは受光部であ
るベース拡散面積を大きくするが、この方法はチップサ
イズが大きくなるため、チップコストが高くなる。他の
手段としては、トランジスタのｈFEを大きく設定する
が、応答速度が悪くなる欠点を有している。また、エミ
ッタ電極の面積は、エミッタ電流を通過させるのに十分
であり、かつワイヤボンディングに必要な大きさであれ
ばよく、必ずしもＮ型エミッタ層の面積以上にする必要
はない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明においては、エミ
ッタ電極の面積をエミッタ層の面積より小さくし、さら
に、エミッタ電極の一部はエミッタ層とベース層とのＰ
Ｎ接合面を覆うようにした。
ッタ電極の面積をエミッタ層の面積より小さくし、さら
に、エミッタ電極の一部はエミッタ層とベース層とのＰ
Ｎ接合面を覆うようにした。
【０００６】
【作用】本発明によれば、エミッタ電極の面積はエミッ
タ拡散層の面積より小さいので、ベース部とともにエミ
ッタ部においても受光できる。ベース部およびエミッタ
部で受光し発生した少数キャリアは、電子−正孔対を作
りベース電流となり、トランジスタが動作してコレクタ
−エミッタ間に光電流が流れる。従来のベース部のみの
受光部に比べ、受光面積が広いためベース電流は従来に
比べ大きくなる。
タ拡散層の面積より小さいので、ベース部とともにエミ
ッタ部においても受光できる。ベース部およびエミッタ
部で受光し発生した少数キャリアは、電子−正孔対を作
りベース電流となり、トランジスタが動作してコレクタ
−エミッタ間に光電流が流れる。従来のベース部のみの
受光部に比べ、受光面積が広いためベース電流は従来に
比べ大きくなる。
【０００７】
【実施例】図１（ａ）および（ｂ）は本発明の第１の実
施例を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はそのＡ
−Ａ′断面図である。図３（ａ），（ｂ）に示される従
来例と同様の部分には同一の符号を付してある。本発明
の従来例と異なるところは、エミッタ電極５の形状であ
る。
施例を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はそのＡ
−Ａ′断面図である。図３（ａ），（ｂ）に示される従
来例と同様の部分には同一の符号を付してある。本発明
の従来例と異なるところは、エミッタ電極５の形状であ
る。
【０００８】Ｐ型ベース層２は受光部となるため、チッ
プの有効面積一杯に設定し、ベース電極５は従来同様受
光を妨げるため極力小さく設定する。場合によってはベ
ース電極の設けられていないものもある。
プの有効面積一杯に設定し、ベース電極５は従来同様受
光を妨げるため極力小さく設定する。場合によってはベ
ース電極の設けられていないものもある。
【０００９】Ｎ型エミッタ層３の面積は電気特性上必要
な大きさに設定し、エミッタ電極６はＮ型エミッタ層３
の面積よりは小さいが、特性上およびワイヤボンディン
グ上必要な大きさの面積とし、残りのエミッタ層の表面
は酸化膜４で被覆される。
な大きさに設定し、エミッタ電極６はＮ型エミッタ層３
の面積よりは小さいが、特性上およびワイヤボンディン
グ上必要な大きさの面積とし、残りのエミッタ層の表面
は酸化膜４で被覆される。
【００１０】図２（ａ），（ｂ）は、第２の実施例を示
し、同図（ａ）は平面図であり、同図（ｂ）はそのＢ−
Ｂ′断面図である。エミッタ電極６の一部は、Ｐ型ベー
ス層２とＮ型エミッタ層３の境界のＰＮ接合面を覆い、
さらにその延長部６−１は残余のＰＮ接合面の上部を覆
い、この部分をエミッタ電位とし特性を安定化させる。
このガードリング状の延長部６−１はＡｌを蒸着しエミ
ッタ電極６と同時に形成される。
し、同図（ａ）は平面図であり、同図（ｂ）はそのＢ−
Ｂ′断面図である。エミッタ電極６の一部は、Ｐ型ベー
ス層２とＮ型エミッタ層３の境界のＰＮ接合面を覆い、
さらにその延長部６−１は残余のＰＮ接合面の上部を覆
い、この部分をエミッタ電位とし特性を安定化させる。
このガードリング状の延長部６−１はＡｌを蒸着しエミ
ッタ電極６と同時に形成される。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、エミッタ
電極の面積はエミッタ層の面積よりは小さいが、必要に
して十分な大きさの面積とし、残りのエミッタ層も受光
エリアとして使用するため、従来のフォトトランジスタ
に比べ感度を向上することができる。
電極の面積はエミッタ層の面積よりは小さいが、必要に
して十分な大きさの面積とし、残りのエミッタ層も受光
エリアとして使用するため、従来のフォトトランジスタ
に比べ感度を向上することができる。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例の平面図、（ｂ）は
そのＡ−Ａ′断面図である。
そのＡ−Ａ′断面図である。
【図２】（ａ）は他の実施例の平面図、（ｂ）はそのＢ
−Ｂ′断面図である。
−Ｂ′断面図である。
【図３】（ａ）は従来の一例の平面図、（ｂ）はそのＣ
−Ｃ′断面図である。
−Ｃ′断面図である。
１ Ｎ型シリコン基板 ２ Ｐ型ベース層 ３ Ｎ型エミッタ層 ４ 酸化膜 ５ ベース電極 ６ エミッタ電極
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の表面にベース層，エミッタ
層およびエミッタ電極を形成し、エミッタ電極の面積を
エミッタ層の面積より小さくしたことを特徴とするフォ
トトランジスタ。 - 【請求項２】 エミッタ電極の一部はエミッタ層とベー
ス層とのＰＮ接合面を覆っている請求項１記載のフォト
トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4039043A JPH05235394A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | フォトトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4039043A JPH05235394A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | フォトトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235394A true JPH05235394A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12542096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4039043A Withdrawn JPH05235394A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | フォトトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235394A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7226835B2 (en) * | 2001-12-28 | 2007-06-05 | Texas Instruments Incorporated | Versatile system for optimizing current gain in bipolar transistor structures |
| US7888765B2 (en) | 2007-07-30 | 2011-02-15 | Panasonic Corporation | Optical semiconductor device |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP4039043A patent/JPH05235394A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7226835B2 (en) * | 2001-12-28 | 2007-06-05 | Texas Instruments Incorporated | Versatile system for optimizing current gain in bipolar transistor structures |
| US7615805B2 (en) | 2001-12-28 | 2009-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Versatile system for optimizing current gain in bipolar transistor structures |
| US7888765B2 (en) | 2007-07-30 | 2011-02-15 | Panasonic Corporation | Optical semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |