JPH0621512A - Ｌｅｄアレイ - Google Patents
ＬｅｄアレイInfo
- Publication number
- JPH0621512A JPH0621512A JP17355392A JP17355392A JPH0621512A JP H0621512 A JPH0621512 A JP H0621512A JP 17355392 A JP17355392 A JP 17355392A JP 17355392 A JP17355392 A JP 17355392A JP H0621512 A JPH0621512 A JP H0621512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led array
- light emitting
- transparent electrode
- emitting portion
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光出力を向上させ、かつ電流密度が均一な発
光分布の優れたＬＥＤアレイを得る。 【構成】 ＬＥＤアレイにおいて、ＧａＡｓＰウエハ１
１に不純物領域１３を形成した後、外部導出電極として
の透明電極（例えば、ＩＴＯ）をウエハに全面に蒸着
し、ホトリソ・エッチングにより透明電極１５を形成す
る。この透明電極１５は発光部１４全体を覆うようにす
る。
光分布の優れたＬＥＤアレイを得る。 【構成】 ＬＥＤアレイにおいて、ＧａＡｓＰウエハ１
１に不純物領域１３を形成した後、外部導出電極として
の透明電極（例えば、ＩＴＯ）をウエハに全面に蒸着
し、ホトリソ・エッチングにより透明電極１５を形成す
る。この透明電極１５は発光部１４全体を覆うようにす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＥＤプリンタの光源
などに用いるＬＥＤアレイに関するものである。
などに用いるＬＥＤアレイに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、以下に示すようなものがあった。図４はかかる
従来のＬＥＤアレイの構成図であり、図４（ａ）はその
ＬＥＤアレイの平面図、図４（ｂ）はそのＬＥＤアレイ
のＡ−Ａ線断面図、図４（ｃ）は図４（ｂ）に対応した
ＬＥＤアレイのニアフィールドにおける光出力特性を示
す図である。
例えば、以下に示すようなものがあった。図４はかかる
従来のＬＥＤアレイの構成図であり、図４（ａ）はその
ＬＥＤアレイの平面図、図４（ｂ）はそのＬＥＤアレイ
のＡ−Ａ線断面図、図４（ｃ）は図４（ｂ）に対応した
ＬＥＤアレイのニアフィールドにおける光出力特性を示
す図である。
【０００３】この図に示すように、従来のＬＥＤアレイ
は、ＧａＡｓＰウエハ１に不純物を選択拡散させるため
の拡散マスク２を形成し、その後、不純物を拡散させ、
この不純物領域３を発光部５とし、この一部に外部導出
電極（例えば、Ａｌ電極）４を接触させる構造であっ
た。６は外部環境から保護するためのパッシベーション
膜である。
は、ＧａＡｓＰウエハ１に不純物を選択拡散させるため
の拡散マスク２を形成し、その後、不純物を拡散させ、
この不純物領域３を発光部５とし、この一部に外部導出
電極（例えば、Ａｌ電極）４を接触させる構造であっ
た。６は外部環境から保護するためのパッシベーション
膜である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べたＬＥＤアレイの構造では、以下に示すような問題点
があった。 （１）図５（ａ）に示すように、発光部５の表面の一部
に光を透過しない、例えば外部導出電極４（Ａｌ）が接
続されるので、発光部５の２５％が被覆され、図５
（ｂ）に示すように、発光エリア７の内、部分７ａが外
部導出電極４により、遮光されることになり、実効的な
発光エリア７が低減する。すなわち、光出力が低くな
る。
べたＬＥＤアレイの構造では、以下に示すような問題点
があった。 （１）図５（ａ）に示すように、発光部５の表面の一部
に光を透過しない、例えば外部導出電極４（Ａｌ）が接
続されるので、発光部５の２５％が被覆され、図５
（ｂ）に示すように、発光エリア７の内、部分７ａが外
部導出電極４により、遮光されることになり、実効的な
発光エリア７が低減する。すなわち、光出力が低くな
る。
【０００５】（２）図６に示すように、外部導出電極４
は不純物領域３の一部と接触するので、その接触部３ａ
に電流は集中することになる。すなわち、電流密度が不
均一となり、図５（ｂ）に示すように、その接触部３ａ
に近い部分５ａは電流が大きく明るく発光するが、その
接触部３ａより離れる部分５ｂは電流が小さくなり、暗
く発光することになり、図４（ｃ）に示すような、ニア
フィールドパターンの発光分布となってしまい、発光部
全体が均一に発光しないという問題点があった。
は不純物領域３の一部と接触するので、その接触部３ａ
に電流は集中することになる。すなわち、電流密度が不
均一となり、図５（ｂ）に示すように、その接触部３ａ
に近い部分５ａは電流が大きく明るく発光するが、その
接触部３ａより離れる部分５ｂは電流が小さくなり、暗
く発光することになり、図４（ｃ）に示すような、ニア
フィールドパターンの発光分布となってしまい、発光部
全体が均一に発光しないという問題点があった。
【０００６】また、電流の集中により、その接触個所が
劣化しやすいといった問題も有している。更に、発光部
の表面には外部環境からの保護のためのパッシベーショ
ン膜を形成する必要があった。本発明は、以上述べた電
流密度が不均一であるため、光出力が低くなり、均一に
発光をさせることができない。更に、パッシベーション
膜を必須とするといった問題点を除去し、光出力が向上
し、かつ電流密度を均一にし、発光分布の優れたＬＥＤ
アレイを提供することを目的とする。
劣化しやすいといった問題も有している。更に、発光部
の表面には外部環境からの保護のためのパッシベーショ
ン膜を形成する必要があった。本発明は、以上述べた電
流密度が不均一であるため、光出力が低くなり、均一に
発光をさせることができない。更に、パッシベーション
膜を必須とするといった問題点を除去し、光出力が向上
し、かつ電流密度を均一にし、発光分布の優れたＬＥＤ
アレイを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ＬＥＤアレイにおいて、半導体基板に不
純物を選択拡散させて形成する発光部と、該発光部の全
面に形成される外部導出電極としての透明電極とを設
け、該透明電極が前記発光部の全面で電気的に接続され
るようにしたものである。
成するために、ＬＥＤアレイにおいて、半導体基板に不
純物を選択拡散させて形成する発光部と、該発光部の全
面に形成される外部導出電極としての透明電極とを設
け、該透明電極が前記発光部の全面で電気的に接続され
るようにしたものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、上記したように、ＬＥＤアレ
イにおいて電極を透明電極にし、発光部全体を電気的に
接続可能にし、発光部全面を覆うようにしたので、光出
力が向上し、かつ電流密度を均一にすることができ、発
光分布の優れたＬＥＤアレイを得ることができる。
イにおいて電極を透明電極にし、発光部全体を電気的に
接続可能にし、発光部全面を覆うようにしたので、光出
力が向上し、かつ電流密度を均一にすることができ、発
光分布の優れたＬＥＤアレイを得ることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すＬ
ＥＤアレイの構成図であり、図１（ａ）はそのＬＥＤア
レイの平面図、図１（ｂ）はそのＬＥＤアレイのＡ−Ａ
線断面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）に対応したＬＥＤア
レイの光出力特性を示す図である。なお、ここでは、基
板には複数の同一形状のＬＥＤが集積され、配設され
る、所謂ＬＥＤアレイであるが、ここでは、その一つだ
けを図示して説明する。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すＬ
ＥＤアレイの構成図であり、図１（ａ）はそのＬＥＤア
レイの平面図、図１（ｂ）はそのＬＥＤアレイのＡ−Ａ
線断面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）に対応したＬＥＤア
レイの光出力特性を示す図である。なお、ここでは、基
板には複数の同一形状のＬＥＤが集積され、配設され
る、所謂ＬＥＤアレイであるが、ここでは、その一つだ
けを図示して説明する。
【００１０】これらの図に示すように、ＧａＡｓＰウエ
ハ１１に不純物を選択拡散させるための拡散マスク１２
を形成し、その後、不純物を拡散させ、この不純物領域
１３を発光部１４とする。その不純物領域１３を形成し
た後、透明電極（例えば、ＩＴＯ）をウエハに全面に蒸
着し、ホトリソ・エッチングにより透明電極１５をパタ
ーニングする。この透明電極１５は、発光部１４全体を
覆い、一端をワイヤボンディングパッドが予定されると
ころまで配線する。そして、ワイヤボンディングパッド
用の電極材を蒸着し、ホトリソ・エッチングし、ボンデ
ィングパッド１６を形成する。
ハ１１に不純物を選択拡散させるための拡散マスク１２
を形成し、その後、不純物を拡散させ、この不純物領域
１３を発光部１４とする。その不純物領域１３を形成し
た後、透明電極（例えば、ＩＴＯ）をウエハに全面に蒸
着し、ホトリソ・エッチングにより透明電極１５をパタ
ーニングする。この透明電極１５は、発光部１４全体を
覆い、一端をワイヤボンディングパッドが予定されると
ころまで配線する。そして、ワイヤボンディングパッド
用の電極材を蒸着し、ホトリソ・エッチングし、ボンデ
ィングパッド１６を形成する。
【００１１】このように、発光部１４全面に対して外部
導出電極としての透明電極１５が接触するように構成
し、発光部１４全面をその透明電極１５で覆うようにし
たので、図２（ａ）に示すように、発光部１４の全面を
透明電極１５が覆うようにしたので、図２（ｂ）に示す
ように、発光エリア１７は透明電極１５によって遮光さ
れる部分はなくなり、光出力は従来のものに比して、２
５％向上させることができる。
導出電極としての透明電極１５が接触するように構成
し、発光部１４全面をその透明電極１５で覆うようにし
たので、図２（ａ）に示すように、発光部１４の全面を
透明電極１５が覆うようにしたので、図２（ｂ）に示す
ように、発光エリア１７は透明電極１５によって遮光さ
れる部分はなくなり、光出力は従来のものに比して、２
５％向上させることができる。
【００１２】また、図３に示すように、透明電極１５は
不純物領域１３の全面に接触するので、電流密度が均一
となり、図１（ｃ）に示すように、分布が良好なニアフ
ィールドパターンを得ることができる。更に、透明電極
１５は外部環境に対して保護効果を奏するので、パッシ
ベーション膜の代わりとすることができる。
不純物領域１３の全面に接触するので、電流密度が均一
となり、図１（ｃ）に示すように、分布が良好なニアフ
ィールドパターンを得ることができる。更に、透明電極
１５は外部環境に対して保護効果を奏するので、パッシ
ベーション膜の代わりとすることができる。
【００１３】このように、従来のＬＥＤアレイに比べ
て、より発光面積及び発光出力を向上させることができ
るとともに、構造を簡単にすることができる。なお、本
発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の
趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発
明の範囲から排除するものではない。
て、より発光面積及び発光出力を向上させることができ
るとともに、構造を簡単にすることができる。なお、本
発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の
趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発
明の範囲から排除するものではない。
【００１４】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、発光部全面が外部導出電極としての透明電極と
接触するようにしたので、電流密度が均一となり、分布
が良好なニアフィールドパターンを得ることが可能にな
り、従来よりも発光面積及び発光出力を向上させること
ができる。
よれば、発光部全面が外部導出電極としての透明電極と
接触するようにしたので、電流密度が均一となり、分布
が良好なニアフィールドパターンを得ることが可能にな
り、従来よりも発光面積及び発光出力を向上させること
ができる。
【００１５】また、構造を簡単にすることができ、コス
トの低減を図ることができる。
トの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示すＬＥＤアレイの構成図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施例を示すＬＥＤアレイの要部平面
図である。
図である。
【図３】本発明の実施例を示すＬＥＤアレイの要部断面
図である。
図である。
【図４】従来の実施例を示すＬＥＤアレイの構成図であ
る。
る。
【図５】従来のＬＥＤアレイの要部平面図である。
【図６】従来のＬＥＤアレイの要部断面図である。
１１ ＧａＡｓＰウエハ １２ 拡散マスク １３ 不純物領域 １４ 発光部 １５ 透明電極 １６ ボンディングパッド １７ 発光エリア
Claims (1)
- 【請求項１】（ａ）半導体基板に不純物を選択拡散させ
て形成する発光部と、 （ｂ）該発光部の全面に形成される外部導出電極として
の透明電極とを設け、 （ｃ）該透明電極が前記発光部の全面で電気的に接続さ
れることを特徴とするＬＥＤアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17355392A JPH0621512A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | Ｌｅｄアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17355392A JPH0621512A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | Ｌｅｄアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621512A true JPH0621512A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15962679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17355392A Withdrawn JPH0621512A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | Ｌｅｄアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621512A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7726835B2 (en) | 2005-02-28 | 2010-06-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED array |
| US8149259B2 (en) | 2006-12-05 | 2012-04-03 | Oki Data Corporation | Drive device, LED array, LED head, and image forming apparatus provided therewith |
-
1992
- 1992-07-01 JP JP17355392A patent/JPH0621512A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7726835B2 (en) | 2005-02-28 | 2010-06-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED array |
| US8149259B2 (en) | 2006-12-05 | 2012-04-03 | Oki Data Corporation | Drive device, LED array, LED head, and image forming apparatus provided therewith |
| US8723903B2 (en) | 2006-12-05 | 2014-05-13 | Oki Data Corporation | Drive device, LED array, LED head, and image forming apparatus provided therewith |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7511306B2 (en) | Semiconductor light emitting device and apparatus having a translucent conductive film | |
| JP3693468B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US6933169B2 (en) | Optical semiconductor device | |
| KR102377198B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JP2907170B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP4493153B2 (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
| JP5148336B2 (ja) | 発光ダイオードチップおよびその製造方法 | |
| JPH11150298A (ja) | 窒化ガリウム系半導体発光素子と受光素子 | |
| US5523590A (en) | LED array with insulating films | |
| JP3960636B2 (ja) | 発光素子 | |
| JPH0858155A (ja) | Ｌｅｄプリントヘッド、およびｌｅｄアレイチップ、ならびにそのｌｅｄアレイチップの製造方法 | |
| JP3631359B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| KR20170008968A (ko) | ZnO 투명 전극을 포함하는 발광 소자 | |
| JP3556080B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JPH0621512A (ja) | Ｌｅｄアレイ | |
| JPH111027A (ja) | Ｌｅｄアレイおよびプリントヘッドならびに電子写真プリンタ | |
| CN116230733A (zh) | 一种Micro LED芯片及其制备方法 | |
| KR20020048546A (ko) | ＧａＮ계열 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| JP3794956B2 (ja) | Ｌｅｄアレイ | |
| JP3473977B2 (ja) | Ｌｅｄアレイの形成方法 | |
| JP2003023182A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| KR100598154B1 (ko) | 무반사 처리영역을 갖는 발광다이오드 소자의 칩 제작방법 | |
| KR900004969B1 (ko) | 광소자 어레이의 전극 형성방법 | |
| JPH01128480A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP2002164579A (ja) | 半導体発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |