JPH01128480A - 発光ダイオードアレイ - Google Patents
発光ダイオードアレイInfo
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- JPH01128480A JPH01128480A JP62285225A JP28522587A JPH01128480A JP H01128480 A JPH01128480 A JP H01128480A JP 62285225 A JP62285225 A JP 62285225A JP 28522587 A JP28522587 A JP 28522587A JP H01128480 A JPH01128480 A JP H01128480A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は発光ダイオード（ＬＥＤ）プリンタ等の光源と
して使用される発光ダイオードアレイに関する。
して使用される発光ダイオードアレイに関する。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば、以下に
示すものがあった。
示すものがあった。
第２図はかかる従来の面発光型ダイオードの部分斜視図
である。
である。
図中、１はｎ型ＧａＡｓｊＪ仮、２はこの基板１上に形
成されたＧａＡｓＰのｎ４工ピタキシヤル層、３はｎ゛
エピタキシヤルＦＪ２亜鉛Ｚｎを部分的に拡散して配列
方向に等ピッチに形成されたｐ゛拡散層で、これらｎ３
工ピタキシヤル層２及びｐ゛拡散Ｎ３によって発光ダイ
オード毎の発光に寄与するｐｎ接合を形成している。４
はこのｐ９拡散層３を形成するために用いた拡散マスク
で、例えば、窒化シリコン層で形成している。５はｐ゛
拡散ｊり３と電気的に接続されるように設けられた電極
配線層で、例えば、アルミニウムで形成している。
成されたＧａＡｓＰのｎ４工ピタキシヤル層、３はｎ゛
エピタキシヤルＦＪ２亜鉛Ｚｎを部分的に拡散して配列
方向に等ピッチに形成されたｐ゛拡散層で、これらｎ３
工ピタキシヤル層２及びｐ゛拡散Ｎ３によって発光ダイ
オード毎の発光に寄与するｐｎ接合を形成している。４
はこのｐ９拡散層３を形成するために用いた拡散マスク
で、例えば、窒化シリコン層で形成している。５はｐ゛
拡散ｊり３と電気的に接続されるように設けられた電極
配線層で、例えば、アルミニウムで形成している。
（発明が解決しようとする問題点）
上記した従来の構造によると、発光形状はｐ。
拡散Ｎ３の平面形状により決定される。しかしながら、
これはｎ゛エピタキシ＋ル層２発光波長に対して充分な
吸収係数を有していることが条件であり、光漏れ、滲み
により隣接する発光領域とのクロストークを少なくする
ために必要な条件である。ところが、発光波長が短いも
の（概ねλｐ＜６５０ ｎｓ）になると吸収係数が小さ
くなり、光漏れ、滲みが多くなるため、亜鉛Ｚｎの拡散
によって形成されるｐ°拡散層３の平面形状の通りの発
光形状が得られなくなる。
これはｎ゛エピタキシ＋ル層２発光波長に対して充分な
吸収係数を有していることが条件であり、光漏れ、滲み
により隣接する発光領域とのクロストークを少なくする
ために必要な条件である。ところが、発光波長が短いも
の（概ねλｐ＜６５０ ｎｓ）になると吸収係数が小さ
くなり、光漏れ、滲みが多くなるため、亜鉛Ｚｎの拡散
によって形成されるｐ°拡散層３の平面形状の通りの発
光形状が得られなくなる。
本発明は、以上述べたようなＬＥＤアレイの発光領域の
光漏れ、滲み等をカバーし、隣接する相互発光領域の光
ストロークが少ないＬＥＤアレイを提供することを目的
とする。
光漏れ、滲み等をカバーし、隣接する相互発光領域の光
ストロークが少ないＬＥＤアレイを提供することを目的
とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するために、複数個の発光
ダイオードの発光形状をｐｎ接合形状により決定してい
る発光ダイオードアレイにおいて、発光領域の形状規制
及び光漏れ、滲み等をカバーするために遮光層を形成す
るようにしたものである。
ダイオードの発光形状をｐｎ接合形状により決定してい
る発光ダイオードアレイにおいて、発光領域の形状規制
及び光漏れ、滲み等をカバーするために遮光層を形成す
るようにしたものである。
（作用）
本発明によれば、上記のように、遮光層を設けることに
より、発光領域の光漏れや、滲みが生じる場合において
も、それらの影響を最小限にでき、隣接する光クロスト
ークを少なくすることができる。また、遮光層により発
光形状が規定されるために、ｐ°拡散層の異常拡散によ
る異形発光を矯正することができる。
より、発光領域の光漏れや、滲みが生じる場合において
も、それらの影響を最小限にでき、隣接する光クロスト
ークを少なくすることができる。また、遮光層により発
光形状が規定されるために、ｐ°拡散層の異常拡散によ
る異形発光を矯正することができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示すＬＥＤアレイの部分斜視
図である。
図である。
図中、ｌはｎ型ＧａＡｓ基板であり、その基板上のＧａ
ＡｓＰのｎ°エピタキシャル層２に拡散マスク４により
亜鉛Ｚｎを部分的に拡散して配列方向に等ピンチに形成
されたｐ゛拡ｔ＆層３を形成している。
ＡｓＰのｎ°エピタキシャル層２に拡散マスク４により
亜鉛Ｚｎを部分的に拡散して配列方向に等ピンチに形成
されたｐ゛拡ｔ＆層３を形成している。
５はＰ゛拡散層３と電気的に接続されるように設けられ
た電極配線層であり、例えば、アルミニウムで形成され
ている。６は発光領域を開口しである遮光層であり、例
えば、アルミニウムや不透明な樹脂（黒色ポリイミド）
を拡散マスク４ （中間絶縁膜）を介して形成する。
た電極配線層であり、例えば、アルミニウムで形成され
ている。６は発光領域を開口しである遮光層であり、例
えば、アルミニウムや不透明な樹脂（黒色ポリイミド）
を拡散マスク４ （中間絶縁膜）を介して形成する。
なお、上記実施例ではＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ基板を用い
て亜鉛Ｚｎを選択的に拡散することによりｐｎ接合を形
成しているが、他の基板材料を用いて、他のｐｎ接合形
成方法によってもよいことは明らかである。
て亜鉛Ｚｎを選択的に拡散することによりｐｎ接合を形
成しているが、他の基板材料を用いて、他のｐｎ接合形
成方法によってもよいことは明らかである。
また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、遮光層
を設けることにより、発光領域の光漏れや、滲み等が生
じる場合においても、それらの影響を最小限にでき、隣
接する発光領域の光クロストークを少なくすることがで
きる。
を設けることにより、発光領域の光漏れや、滲み等が生
じる場合においても、それらの影響を最小限にでき、隣
接する発光領域の光クロストークを少なくすることがで
きる。
また、遮光層により発光形状が規定されるために、ｐ゛
拡散層の異常拡散による異形発光を矯正することができ
る。
拡散層の異常拡散による異形発光を矯正することができ
る。
第１図は本発明の実施例を示すＬＥＤアレイの部分斜視
図、第２図は従来の面発光型ダイオードの部分斜視図で
ある。 １・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・ｎ１工ピタキシヤ
ル層、３・・・ｐ゛拡散層、４・・・拡散マスク、５・
・・電極配線層、６・・・遮光層。 特許出願人 沖電気工業株式会社
図、第２図は従来の面発光型ダイオードの部分斜視図で
ある。 １・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・ｎ１工ピタキシヤ
ル層、３・・・ｐ゛拡散層、４・・・拡散マスク、５・
・・電極配線層、６・・・遮光層。 特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数個の発光ダイオードの発光形状をｐｎ接合形状に
より決定している発光ダイオードアレイにおいて、 所望の発光形状を規定する遮光層を設けたことを特徴と
する発光ダイオードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62285225A JPH01128480A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 発光ダイオードアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62285225A JPH01128480A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 発光ダイオードアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128480A true JPH01128480A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=17688724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62285225A Pending JPH01128480A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 発光ダイオードアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01128480A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5038186A (en) * | 1988-11-07 | 1991-08-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Light emitting diode array |
| JPH0480072U (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-13 |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP62285225A patent/JPH01128480A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5038186A (en) * | 1988-11-07 | 1991-08-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Light emitting diode array |
| JPH0480072U (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-13 |
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