JPH07273368A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
- Publication number
- JPH07273368A JPH07273368A JP5847894A JP5847894A JPH07273368A JP H07273368 A JPH07273368 A JP H07273368A JP 5847894 A JP5847894 A JP 5847894A JP 5847894 A JP5847894 A JP 5847894A JP H07273368 A JPH07273368 A JP H07273368A
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- JP
- Japan
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- light
- upper electrode
- substrate
- emitting diode
- light emitting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 面発光型発光ダイオード１１の光出力を増大
する。 【構成】 半導体基板２上にＮ形半導体層３とＰ形半導
体層４とを積層してＰＮ接合５を形成し、前記基板２最
上部の光取出し面６に上部電極７を、基板２下面に下部
電極８をそれぞれ形成し、前記光取出し面６より光を放
射するようにした面発光型発光ダイオードに於いて、前
記基板２下面に形成する下部電極８は少なくとも前記上
部電極７と対向する直下部分を除く基板２下面の周辺部
分に電極を形成する。
する。 【構成】 半導体基板２上にＮ形半導体層３とＰ形半導
体層４とを積層してＰＮ接合５を形成し、前記基板２最
上部の光取出し面６に上部電極７を、基板２下面に下部
電極８をそれぞれ形成し、前記光取出し面６より光を放
射するようにした面発光型発光ダイオードに於いて、前
記基板２下面に形成する下部電極８は少なくとも前記上
部電極７と対向する直下部分を除く基板２下面の周辺部
分に電極を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は発光ダイオード、特に
基板最上部の光取出し面に上部電極を形成した面発光型
発光ダイオードの光出力の増大に関する。
基板最上部の光取出し面に上部電極を形成した面発光型
発光ダイオードの光出力の増大に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種面発光型発光ダイオード１は、図
３に示すように、Ｎ型半導体基板２上にＮ形半導体層３
とＰ形半導体層４とを積層してＰＮ接合５を形成すると
共に最上部の光取出し面６に上部電極７を、また基板２
の下面に下部電極８を形成した構造であり、ＰＮ接合５
に順方向電圧を印加すると、Ｐ形領域には電子が、Ｎ形
領域には正孔が注入され、これらの少数キャリアの一部
が多数キャリアと発光再結合することによって、禁制帯
幅Ｅｇに相当するエネルギを放出して光を発し、この光
を最上部の光取出し面６より放射して利用するものであ
る。放射される光のピーク波長λは、概ね発光領域材料
の禁制帯幅Ｅｇで決まり、λ（ｎｍ）＝１２４０／Ｅｇ
（ｅｖ）で表され、赤外、赤、黄、緑色など数種の発光
色の発光ダイオードが開発され、表示素子などに利用さ
れている。
３に示すように、Ｎ型半導体基板２上にＮ形半導体層３
とＰ形半導体層４とを積層してＰＮ接合５を形成すると
共に最上部の光取出し面６に上部電極７を、また基板２
の下面に下部電極８を形成した構造であり、ＰＮ接合５
に順方向電圧を印加すると、Ｐ形領域には電子が、Ｎ形
領域には正孔が注入され、これらの少数キャリアの一部
が多数キャリアと発光再結合することによって、禁制帯
幅Ｅｇに相当するエネルギを放出して光を発し、この光
を最上部の光取出し面６より放射して利用するものであ
る。放射される光のピーク波長λは、概ね発光領域材料
の禁制帯幅Ｅｇで決まり、λ（ｎｍ）＝１２４０／Ｅｇ
（ｅｖ）で表され、赤外、赤、黄、緑色など数種の発光
色の発光ダイオードが開発され、表示素子などに利用さ
れている。
【０００３】ところで、かかる発光ダイオード１は少数
キャリアの注入が可能な拡散領域内で発光が生じるもの
であり、発光領域はＰＮ接合５に隣接した近傍に限定さ
れるが、電流の流れないところは発光に寄与しないた
め、例えば、図４に点線図示した領域が発光領域Ａとな
る。即ち、上部電極７より流入した動作電流Ｉは、同図
に矢示するように、半導体基板２内で、上部電極７の直
下部分ｎから若干周辺部分ｍに放物線状に曲下して下部
電極８へと流れ、ＰＮ接合５部分では上部電極７の直下
部分ｎとその周辺部分ｍを含む領域Ａを通過し、この領
域Ａが発光領域となる。そして、この領域Ａで発光した
光は半導体基板２内の表面で何回も反射を受け、拡散光
となって最上部の光取出し面６より導出される。
キャリアの注入が可能な拡散領域内で発光が生じるもの
であり、発光領域はＰＮ接合５に隣接した近傍に限定さ
れるが、電流の流れないところは発光に寄与しないた
め、例えば、図４に点線図示した領域が発光領域Ａとな
る。即ち、上部電極７より流入した動作電流Ｉは、同図
に矢示するように、半導体基板２内で、上部電極７の直
下部分ｎから若干周辺部分ｍに放物線状に曲下して下部
電極８へと流れ、ＰＮ接合５部分では上部電極７の直下
部分ｎとその周辺部分ｍを含む領域Ａを通過し、この領
域Ａが発光領域となる。そして、この領域Ａで発光した
光は半導体基板２内の表面で何回も反射を受け、拡散光
となって最上部の光取出し面６より導出される。
【０００４】尚、一般にオーム性電極は合金化処理を行
うので反射率が小さく、発光が吸収されるため、下部電
極８は上記発光の吸収を改善するため、例えば図５
（ａ）に示すように、オーム性電極８を形成するための
孔をもつＳｉＯ2 膜９を半導体基板２と電極８の金属の
間に挟んだり、図５（ｂ）に示すように、オーム性電極
８をドット状に形成し、残りの部分は高反射率の金属蒸
着膜１０で形成するなどの工夫がなされている。
うので反射率が小さく、発光が吸収されるため、下部電
極８は上記発光の吸収を改善するため、例えば図５
（ａ）に示すように、オーム性電極８を形成するための
孔をもつＳｉＯ2 膜９を半導体基板２と電極８の金属の
間に挟んだり、図５（ｂ）に示すように、オーム性電極
８をドット状に形成し、残りの部分は高反射率の金属蒸
着膜１０で形成するなどの工夫がなされている。
【０００５】しかしながら、このように最上部の光取出
し面６に上部電極７を形成した面発光型発光ダイオード
１は発光領域Ａの内、電流密度が高く、発光強度も高い
上部電極７の直下部分ｎで発生された光は上部電極７に
より遮蔽されており、電流密度が急激に低下して発光強
度が下がる周辺部分ｍで発生された光が放出される。従
って、最上部の光取出し面６における発光強度は、図６
の曲線ａに示すように、上部電極６の周辺部分から急激
に低下する先鋭な形状となり、下部電極８を反射性に形
成しても、光取出し効率が低く光出力が弱くなるといっ
た問題があった。
し面６に上部電極７を形成した面発光型発光ダイオード
１は発光領域Ａの内、電流密度が高く、発光強度も高い
上部電極７の直下部分ｎで発生された光は上部電極７に
より遮蔽されており、電流密度が急激に低下して発光強
度が下がる周辺部分ｍで発生された光が放出される。従
って、最上部の光取出し面６における発光強度は、図６
の曲線ａに示すように、上部電極６の周辺部分から急激
に低下する先鋭な形状となり、下部電極８を反射性に形
成しても、光取出し効率が低く光出力が弱くなるといっ
た問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このため、上部電極の
直下部分に、該上部電極と略同一形状を成して動作電流
の流れを阻害するブロック層を設け、上部電極の直下部
分以外の光が有効に取出される部分における電流密度を
高くなるように形成し、高い光出力が得られるようにし
たものが提案されている（特開昭５８−３４９８４号公
報、特開平２−１８１９８０号公報参照）。しかしなが
ら、これらは何れも上部電極の直下部分の半導体基板に
通電時に逆バイアスされる導電層を形成したり、あるい
は電気抵抗の高い絶縁体層や単結晶層を形成して上記ブ
ロック層を構成するものであり、製造工程が極めて煩雑
になる問題があった。
直下部分に、該上部電極と略同一形状を成して動作電流
の流れを阻害するブロック層を設け、上部電極の直下部
分以外の光が有効に取出される部分における電流密度を
高くなるように形成し、高い光出力が得られるようにし
たものが提案されている（特開昭５８−３４９８４号公
報、特開平２−１８１９８０号公報参照）。しかしなが
ら、これらは何れも上部電極の直下部分の半導体基板に
通電時に逆バイアスされる導電層を形成したり、あるい
は電気抵抗の高い絶縁体層や単結晶層を形成して上記ブ
ロック層を構成するものであり、製造工程が極めて煩雑
になる問題があった。
【０００７】従って、本発明は上記面発光型発光ダイオ
ードにおいて、上部電極の直下部分で発生する光が上部
電極によって遮蔽され、光出力が弱くなる問題点に鑑み
なされたものであり、製造工程を特に煩雑にすることな
く、同一電流時の光出力が増大できる発光ダイオードを
得ることを目的としている。
ードにおいて、上部電極の直下部分で発生する光が上部
電極によって遮蔽され、光出力が弱くなる問題点に鑑み
なされたものであり、製造工程を特に煩雑にすることな
く、同一電流時の光出力が増大できる発光ダイオードを
得ることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このため、本発明の発光
ダイオードは、半導体基板上にＮ形半導体層とＰ形半導
体層とを積層してＰＮ接合を形成し、前記基板最上部の
光取出し面に上部電極を、基板下面に下部電極をそれぞ
れ形成し、前記光取出し面より光を放射するようにした
面発光型発光ダイオードに於いて、前記基板下面に形成
する下部電極は少なくとも前記上部電極と対向する直下
部分を除く基板下面の周辺部分に電極形成されたことを
特徴としている。また、本発明の発光ダイオードは、前
記基板下面の上部電極と対向する直下部分は鏡面の光反
射性に形成されたことを特徴としている。
ダイオードは、半導体基板上にＮ形半導体層とＰ形半導
体層とを積層してＰＮ接合を形成し、前記基板最上部の
光取出し面に上部電極を、基板下面に下部電極をそれぞ
れ形成し、前記光取出し面より光を放射するようにした
面発光型発光ダイオードに於いて、前記基板下面に形成
する下部電極は少なくとも前記上部電極と対向する直下
部分を除く基板下面の周辺部分に電極形成されたことを
特徴としている。また、本発明の発光ダイオードは、前
記基板下面の上部電極と対向する直下部分は鏡面の光反
射性に形成されたことを特徴としている。
【０００９】
【作用】基板下面の上部電極と対向する直下部分には下
部電極は形成されず、動作電流は上部電極から基板内を
基板下面周辺部の下部電極に向って流れる。従って、同
じ動作電流を流す場合、電流は上部電極の直下部分が低
減されて周辺に向って広がり、発光領域が拡大されると
共に、周辺領域に流れる電流密度も増加する。従って、
光放射が遮蔽される上部電極の直下部分の発光が低減さ
れ、その分発光領域が周辺方向に拡大され、光の光取出
し効率がアップして光出力が増大する。また、基板下面
の上部電極と対向する直下部分は光吸収性の下部電極が
配設されず、鏡面の光反射性に形成されているから、下
面方向に放射された光がこの鏡面の壁面で反射され、発
光出力の増加に寄与する。
部電極は形成されず、動作電流は上部電極から基板内を
基板下面周辺部の下部電極に向って流れる。従って、同
じ動作電流を流す場合、電流は上部電極の直下部分が低
減されて周辺に向って広がり、発光領域が拡大されると
共に、周辺領域に流れる電流密度も増加する。従って、
光放射が遮蔽される上部電極の直下部分の発光が低減さ
れ、その分発光領域が周辺方向に拡大され、光の光取出
し効率がアップして光出力が増大する。また、基板下面
の上部電極と対向する直下部分は光吸収性の下部電極が
配設されず、鏡面の光反射性に形成されているから、下
面方向に放射された光がこの鏡面の壁面で反射され、発
光出力の増加に寄与する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳
述する。
述する。
【００１１】図１は本発明の一実施例の発光ダイオード
の概略構成を示す断面図である。
の概略構成を示す断面図である。
【００１２】この発光ダイオード１１は、前記図３に示
した従来の発光ダイオード１と同様に、Ｎ型半導体基板
２上にＮ形半導体層３とＰ形半導体層４とを積層してＰ
Ｎ接合５を形成すると共に最上部の光取出し面６に上部
電極７を、また基板２の下面に下部電極８を形成した面
発光型発光ダイオードである。
した従来の発光ダイオード１と同様に、Ｎ型半導体基板
２上にＮ形半導体層３とＰ形半導体層４とを積層してＰ
Ｎ接合５を形成すると共に最上部の光取出し面６に上部
電極７を、また基板２の下面に下部電極８を形成した面
発光型発光ダイオードである。
【００１３】この発光ダイオード１１において、上記発
光ダイオード１と基本的に異なる点は、半導体基板２の
下面側に形成した下部電極８を半導体基板２の最上部の
光取出し面６に形成した上部電極７と対向する直下部分
を除く半導体基板２の下面の周辺部分に形成した点のみ
であり、その他の構成は同様である。従って、同じ構成
部分は図３と同一参照符号を付し、詳細説明を略す。
光ダイオード１と基本的に異なる点は、半導体基板２の
下面側に形成した下部電極８を半導体基板２の最上部の
光取出し面６に形成した上部電極７と対向する直下部分
を除く半導体基板２の下面の周辺部分に形成した点のみ
であり、その他の構成は同様である。従って、同じ構成
部分は図３と同一参照符号を付し、詳細説明を略す。
【００１４】このように構成した発光ダイオード１１は
両電極７、８間に順方向電圧を印加して動作電流Ｉを流
すと、電流Ｉは同図に矢示するように、上部電極７の直
下部分ｎには下部電極８は配設されず、直下部分ｎを通
過する電流が低減される。逆に、周辺部分ｍは下部電極
８が配設されているため、周辺部分ｍを通過する電流が
周縁領域に広がると共に、周縁領域での電流密度が増加
する。従って、ＰＮ接合近傍に形成される発光領域Ｂは
従来の発光ダイオード１の発光領域Ａに比べて周縁方向
に拡大される。
両電極７、８間に順方向電圧を印加して動作電流Ｉを流
すと、電流Ｉは同図に矢示するように、上部電極７の直
下部分ｎには下部電極８は配設されず、直下部分ｎを通
過する電流が低減される。逆に、周辺部分ｍは下部電極
８が配設されているため、周辺部分ｍを通過する電流が
周縁領域に広がると共に、周縁領域での電流密度が増加
する。従って、ＰＮ接合近傍に形成される発光領域Ｂは
従来の発光ダイオード１の発光領域Ａに比べて周縁方向
に拡大される。
【００１５】この発光領域Ｂにおいて、上部電極７の直
下部分ｎは電流が低減され、この直下部分ｎでの発光強
度は従来に比べて可成小さくなるが、この部分ｎでの発
光は上部電極７で上方向の光が遮蔽され、光取出し面６
よりの光放出に寄与しない。一方、周辺部分ｍの発光は
電流密度が増加され、従来に比べて可成り大きくなると
共に周縁領域への電流の広がりで発光面積が拡大する。
そして、周辺部分ｍ上の光取出し面６には光を遮蔽する
上部電極７などはないから、上方向へ有効に放射され、
図２の曲線ｂに実線図示するように、従来の曲線ａに比
べ発光出力が拡大する。
下部分ｎは電流が低減され、この直下部分ｎでの発光強
度は従来に比べて可成小さくなるが、この部分ｎでの発
光は上部電極７で上方向の光が遮蔽され、光取出し面６
よりの光放出に寄与しない。一方、周辺部分ｍの発光は
電流密度が増加され、従来に比べて可成り大きくなると
共に周縁領域への電流の広がりで発光面積が拡大する。
そして、周辺部分ｍ上の光取出し面６には光を遮蔽する
上部電極７などはないから、上方向へ有効に放射され、
図２の曲線ｂに実線図示するように、従来の曲線ａに比
べ発光出力が拡大する。
【００１６】また、半導体基板２の下面側は上部電極７
と対向する直下部分ｎには下部電極８が配設されていな
いため、この部分に光吸収性のアロイ層が形成されず、
半導体基板２の下面方向に放射される光が反射される。
従って、この部分の基板２の表面を研磨加工やエッチン
グにより鏡面仕上げしたり、非オーミックに金属蒸着な
どにより光反射性に形成することにより、下面方向に放
射される光を有効に反射して、光取出し面５よりの発光
出力に寄与する。
と対向する直下部分ｎには下部電極８が配設されていな
いため、この部分に光吸収性のアロイ層が形成されず、
半導体基板２の下面方向に放射される光が反射される。
従って、この部分の基板２の表面を研磨加工やエッチン
グにより鏡面仕上げしたり、非オーミックに金属蒸着な
どにより光反射性に形成することにより、下面方向に放
射される光を有効に反射して、光取出し面５よりの発光
出力に寄与する。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、本発明は半導体基板にＮ
形半導体層とＰ形半導体層とを積層し、該基板の上下面
に上部電極と下部電極をそれぞれ形成し、順方向電流を
流してＰＮ接合部で生じた発光を前記基板の表面側に導
出するようにした発光ダイオードにおいて、前記基板下
面に形成される下部電極を上部電極の直下部分を除く周
辺部分に形成するように構成したから、上部電極で遮光
され、無駄な発光となる直下部分の電流が減少でき、逆
に上部電極で遮光されず、上方への光導出が有効に導出
される周辺部分への電流が高められるから、発光出力が
増大できる。また、基板下面の上部電極と対向する直下
部分には下部電極が形成されず、鏡面の光反射性に形成
したから、基板下面方向への発光が反射され、発光出力
の増大に寄与し、発光強度の高い面発光型発光ダイオー
ドを得ることができる。また、本発明は下部電極をパタ
ーニングして形成するだけでよく、半導体基板の上部電
極の直下部分に電流のブロック層などを形成するものに
比べ製造工程が極めて簡単に構成できる。
形半導体層とＰ形半導体層とを積層し、該基板の上下面
に上部電極と下部電極をそれぞれ形成し、順方向電流を
流してＰＮ接合部で生じた発光を前記基板の表面側に導
出するようにした発光ダイオードにおいて、前記基板下
面に形成される下部電極を上部電極の直下部分を除く周
辺部分に形成するように構成したから、上部電極で遮光
され、無駄な発光となる直下部分の電流が減少でき、逆
に上部電極で遮光されず、上方への光導出が有効に導出
される周辺部分への電流が高められるから、発光出力が
増大できる。また、基板下面の上部電極と対向する直下
部分には下部電極が形成されず、鏡面の光反射性に形成
したから、基板下面方向への発光が反射され、発光出力
の増大に寄与し、発光強度の高い面発光型発光ダイオー
ドを得ることができる。また、本発明は下部電極をパタ
ーニングして形成するだけでよく、半導体基板の上部電
極の直下部分に電流のブロック層などを形成するものに
比べ製造工程が極めて簡単に構成できる。
【図１】本発明の発光ダイオードの構成と作動を説明す
るための概略構成図。
るための概略構成図。
【図２】図１の発光ダイオードで得られる発光強度図。
【図３】従来の発光ダイオードの構成を説明するための
概略構成図。
概略構成図。
【図４】図３の発光ダイオードの作動説明図。
【図５】図３の発光ダイオードの下部電極の構造例を説
明する概略図。
明する概略図。
【図６】図３の発光ダイオードで得られる発光強度図。
2 Ｎ型半導体基板 3 Ｎ形導電層 4 Ｐ形導電層 5 ＰＮ接合 6 光取出し面 7 上部電極 8 下部電極 11 発光ダイオード
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上にＮ形半導体層とＰ形半導
体層とを積層してＰＮ接合を形成し、前記基板最上部の
光取出し面に上部電極を、基板下面に下部電極をそれぞ
れ形成し、前記光取出し面より光を放射するようにした
面発光型発光ダイオードに於いて、前記基板下面に形成
する下部電極は少なくとも前記上部電極と対向する直下
部分を除く基板下面の周辺部分に電極形成されたことを
特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 前記基板下面の上部電極と対向する直下
部分は鏡面の光反射性に形成されたことを特徴とする請
求項１記載の発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5847894A JPH07273368A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5847894A JPH07273368A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273368A true JPH07273368A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13085551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5847894A Pending JPH07273368A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273368A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006507654A (ja) * | 2001-10-22 | 2006-03-02 | オリオール， インク． | 反射層を有するダイオードの製造方法 |
| JP2007081011A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2007258326A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
| JP2009510730A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | ラティス パワー （チアンシ） コーポレイション | 半導体発光デバイスおよびその製造方法 |
| US7939849B2 (en) | 2001-07-17 | 2011-05-10 | Lg Electronics Inc. | Diode having high brightness and method thereof |
| JP2012248893A (ja) * | 2004-09-22 | 2012-12-13 | Cree Inc | レンズ状表面を有する高効率ｉｉｉ族窒化物ｌｅｄ |
| US9000468B2 (en) | 2001-10-26 | 2015-04-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
-
1994
- 1994-03-29 JP JP5847894A patent/JPH07273368A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10553744B2 (en) | 2001-07-17 | 2020-02-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having high brightness and method thereof |
| US10147841B2 (en) | 2001-07-17 | 2018-12-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having high brightness and method thereof |
| US9640713B2 (en) | 2001-07-17 | 2017-05-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having high brightness and method thereof |
| US7939849B2 (en) | 2001-07-17 | 2011-05-10 | Lg Electronics Inc. | Diode having high brightness and method thereof |
| US9406837B2 (en) | 2001-10-22 | 2016-08-02 | Lg Innotek Co., Ltd | Method of making diode having reflective layer |
| US7682854B2 (en) | 2001-10-22 | 2010-03-23 | Lg Electronics Inc. | Method of making diode having reflective layer |
| US7785908B2 (en) | 2001-10-22 | 2010-08-31 | Lg Electronics Inc. | Method of making diode having reflective layer |
| JP2006507654A (ja) * | 2001-10-22 | 2006-03-02 | オリオール， インク． | 反射層を有するダイオードの製造方法 |
| US9620677B2 (en) | 2001-10-26 | 2017-04-11 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
| US9000468B2 (en) | 2001-10-26 | 2015-04-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
| US10032959B2 (en) | 2001-10-26 | 2018-07-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
| US10326055B2 (en) | 2001-10-26 | 2019-06-18 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
| US8878209B2 (en) | 2004-09-22 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | High efficiency group III nitride LED with lenticular surface |
| US8692267B2 (en) | 2004-09-22 | 2014-04-08 | Cree, Inc. | High efficiency Group III nitride LED with lenticular surface |
| JP2012248893A (ja) * | 2004-09-22 | 2012-12-13 | Cree Inc | レンズ状表面を有する高効率ｉｉｉ族窒化物ｌｅｄ |
| JP2007081011A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2009510730A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | ラティス パワー （チアンシ） コーポレイション | 半導体発光デバイスおよびその製造方法 |
| JP2007258326A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
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