RU2006147272A - Способ изготовления датчика изображения и датчик изображения - Google Patents

Способ изготовления датчика изображения и датчик изображения Download PDF

Info

Publication number
RU2006147272A
RU2006147272A RU2006147272/28A RU2006147272A RU2006147272A RU 2006147272 A RU2006147272 A RU 2006147272A RU 2006147272/28 A RU2006147272/28 A RU 2006147272/28A RU 2006147272 A RU2006147272 A RU 2006147272A RU 2006147272 A RU2006147272 A RU 2006147272A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
semiconductor layer
plate
metallization pattern
pixels
Prior art date
Application number
RU2006147272/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Йорис МАС (NL)
Йорис МАС
БРЭЙН Лендерт ДЕ (NL)
БРЭЙН Лендерт ДЕ
Даниель В. Э. ВЕРБЮГТ (NL)
Даниель В. Э. ВЕРБЮГТ
ВЕН Николас Й. А. ВАН (NL)
ВЕН Николас Й. А. ВАН
Эрик К. Э. ГРЮНСВЕН (NL)
Эрик К. Э. ГРЮНСВЕН
Герардус Л. Й. РЕВЕРС (NL)
Герардус Л. Й. РЕВЕРС
Эрик Х. ГРОТ (NL)
Эрик Х. ГРОТ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Publication of RU2006147272A publication Critical patent/RU2006147272A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления датчика (1) изображения, освещаемого с задней стороны (14), включающий в себя стадии, на которых:начинают с пластины (2), имеющей первую (3) и вторую (4) поверхность,создают светочувствительные области (5) пикселей, простирающиеся в пластину от первой поверхности (3),прикрепляют пластину к защитной подложке (7) так, что первая поверхность (3) обращена к этой защитной подложке (7),отличающийся тем, что пластина содержит подложку (8) из первого материала с оптическим прозрачным слоем (9) и слоем полупроводникового материала (10), причем подложку (8) селективно удаляют со слоя (10) полупроводникового материала, используя оптический прозрачный слой (9) в качестве тормозящего слоя.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что оптический прозрачный слой (9) является слоем углубленного оксида КНД-пластины.3. Способ по п.2, отличающийся тем, что на слое полупроводникового материала эпитаксиально выращивают дополнительный полупроводниковый слой (11), при этом общая толщина полупроводникового слоя составляет менее 5 мкм.4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что на оптическом прозрачном слое (9) создают цветофильтр (12).5. Способ по пп.1-3, в котором перед прикреплением пластины к защитной подложке на первой стороне (6) пластины создают рисунок (13) металлизации, отличающийся тем, что этот рисунок металлизации выполняют так, что поступающий от задней стороны (14) свет отражается рисунком металлизации к светочувствительным областям (5) пикселей.6. Способ по п.5, отличающийся тем, что рисунок (13) металлизации является многоуровневой металлизацией, в которой металлические уровни (16) действуют как отражатели, так что в различных светочувствитель�

Claims (18)

1. Способ изготовления датчика (1) изображения, освещаемого с задней стороны (14), включающий в себя стадии, на которых:
начинают с пластины (2), имеющей первую (3) и вторую (4) поверхность,
создают светочувствительные области (5) пикселей, простирающиеся в пластину от первой поверхности (3),
прикрепляют пластину к защитной подложке (7) так, что первая поверхность (3) обращена к этой защитной подложке (7),
отличающийся тем, что пластина содержит подложку (8) из первого материала с оптическим прозрачным слоем (9) и слоем полупроводникового материала (10), причем подложку (8) селективно удаляют со слоя (10) полупроводникового материала, используя оптический прозрачный слой (9) в качестве тормозящего слоя.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что оптический прозрачный слой (9) является слоем углубленного оксида КНД-пластины.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что на слое полупроводникового материала эпитаксиально выращивают дополнительный полупроводниковый слой (11), при этом общая толщина полупроводникового слоя составляет менее 5 мкм.
4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что на оптическом прозрачном слое (9) создают цветофильтр (12).
5. Способ по пп.1-3, в котором перед прикреплением пластины к защитной подложке на первой стороне (6) пластины создают рисунок (13) металлизации, отличающийся тем, что этот рисунок металлизации выполняют так, что поступающий от задней стороны (14) свет отражается рисунком металлизации к светочувствительным областям (5) пикселей.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что рисунок (13) металлизации является многоуровневой металлизацией, в которой металлические уровни (16) действуют как отражатели, так что в различных светочувствительных областях (5) пикселей поглощаются различные цвета.
7. Способ по пп.1-3, в котором перед прикреплением пластины к защитной подложке на первой стороне (6) пластины создают рисунок (13) металлизации, отличающийся тем, что от задней стороны до этого рисунка (13) металлизации формируют отверстие (50) для выполнения внешнего электрического соединения.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что внутри этого отверстия (50) формируют электропроводный столбик или проволочное соединение (51).
9. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что рисунок (13) металлизации включает в себя удлинения (16) контактных площадок, при этом, как видно на перпендикулярной проекции, первая часть (17) полупроводникового слоя, имеющая перекрывание с удлинениями контактных площадок, электрически изолирована от второй части (18) этого полупроводникового слоя со светочувствительными областями пикселей.
10. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что между первой частью (17) и второй частью (18) полупроводникового слоя выполнена изоляция посредством изоляции (19) канавками через весь полупроводниковый слой.
11. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что между первой частью и второй частью полупроводникового слоя выполнена изоляция посредством изоляции (20) p-n-переходами.
12. Способ по п.9, отличающийся тем, что первую часть полупроводникового слоя удаляют после изготовления цветофильтра (12).
13. Способ по п.9 или 11, отличающийся тем, что первую часть полупроводникового слоя удаляют после изготовления микролинзы.
14. Датчик изображения, содержащий полупроводниковый слой (10), имеющий первую (3) и вторую (4) поверхность, причем этот полупроводниковый слой содержит светочувствительные области (5), простирающиеся в полупроводниковый слой от первой поверхности (6), при этом вторая поверхность полупроводникового слоя имеет оптический прозрачный слой (9), через который свет поступает сквозь полупроводниковый слой в светочувствительные области пикселей, а первая поверхность полупроводникового слоя обращена к защитной подложке (7), отличающийся тем, что имеется цветофильтр в непосредственном контакте с оптическим прозрачным слоем.
15. Датчик изображения по п.14, отличающийся тем, что часть света, не поглощенного в полупроводниковом слое, перенаправляется в светочувствительные области пикселей посредством отражения от рисунка (13) металлизации.
16. Датчик изображения по п.15, отличающийся тем, что рисунок металлизации является рисунком многоуровневой металлизации, и при этом различные цвета света отражаются посредством различных уровней металла к различным светочувствительным областям пикселей.
17. Датчик изображения по п.14, отличающийся тем, что рисунок (13) металлизации, созданный на первой поверхности (3) полупроводникового слоя (10), подсоединен через отверстие (50) сквозь полупроводниковый слой (10) и защитный слой (7) для выполнения внешнего электрического соединения.
18. Датчик изображения по п.17, отличающийся тем, что внутри отверстия (50) сформирован электропроводный столбик или проволочное соединение (51).
RU2006147272/28A 2004-06-09 2005-05-12 Способ изготовления датчика изображения и датчик изображения RU2006147272A (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP04102618 2004-06-09
EP04102618.8 2004-06-09
EP04105544.3 2004-11-05
EP04105544 2004-11-05
PCT/IB2005/051560 WO2005122262A1 (en) 2004-06-09 2005-05-12 Method of manufacturing an image sensor and image sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2006147272A true RU2006147272A (ru) 2008-07-20

Family

ID=34967103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006147272/28A RU2006147272A (ru) 2004-06-09 2005-05-12 Способ изготовления датчика изображения и датчик изображения

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20080265348A1 (ru)
EP (1) EP1759413A1 (ru)
JP (1) JP2008503097A (ru)
KR (1) KR20070033991A (ru)
BR (1) BRPI0511880A (ru)
CA (1) CA2569775A1 (ru)
MX (1) MXPA06014220A (ru)
RU (1) RU2006147272A (ru)
TW (1) TW200611398A (ru)
WO (1) WO2005122262A1 (ru)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070001100A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light reflection for backside illuminated sensor
US7799491B2 (en) 2006-04-07 2010-09-21 Aptina Imaging Corp. Color filter array and imaging device containing such color filter array and method of fabrication
US7611960B2 (en) * 2006-04-24 2009-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for wafer backside alignment
US8704277B2 (en) * 2006-05-09 2014-04-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Spectrally efficient photodiode for backside illuminated sensor
US7638852B2 (en) * 2006-05-09 2009-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of making wafer structure for backside illuminated color image sensor
US7791170B2 (en) 2006-07-10 2010-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of making a deep junction for electrical crosstalk reduction of an image sensor
JP2008205091A (ja) * 2007-02-19 2008-09-04 Fujifilm Corp 電子デバイス及びその製造方法並びに電子デバイス用シリコン基板
US7755123B2 (en) * 2007-08-24 2010-07-13 Aptina Imaging Corporation Apparatus, system, and method providing backside illuminated imaging device
US7999342B2 (en) 2007-09-24 2011-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Image sensor element for backside-illuminated sensor
US8183510B2 (en) * 2008-02-12 2012-05-22 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with buried self aligned focusing element
US8097929B2 (en) * 2008-05-23 2012-01-17 Chia-Sheng Lin Electronics device package and fabrication method thereof
US7838956B2 (en) * 2008-12-17 2010-11-23 Eastman Kodak Company Back illuminated sensor with low crosstalk
FR2949173A1 (fr) * 2009-08-12 2011-02-18 St Microelectronics Sa Capteur d'images eclaire par la face arriere protege des rayons infrarouges
US8748946B2 (en) 2010-04-29 2014-06-10 Omnivision Technologies, Inc. Isolated wire bond in integrated electrical components
US8318580B2 (en) 2010-04-29 2012-11-27 Omnivision Technologies, Inc. Isolating wire bonding in integrated electrical components
US8507962B2 (en) 2010-10-04 2013-08-13 International Business Machines Corporation Isolation structures for global shutter imager pixel, methods of manufacture and design structures
US8624342B2 (en) 2010-11-05 2014-01-07 Invensas Corporation Rear-face illuminated solid state image sensors
US8466000B2 (en) 2011-04-14 2013-06-18 United Microelectronics Corp. Backside-illuminated image sensor and fabricating method thereof
US20130010165A1 (en) 2011-07-05 2013-01-10 United Microelectronics Corp. Optical micro structure, method for fabricating the same and applications thereof
US9312292B2 (en) 2011-10-26 2016-04-12 United Microelectronics Corp. Back side illumination image sensor and manufacturing method thereof
US8318579B1 (en) 2011-12-01 2012-11-27 United Microelectronics Corp. Method for fabricating semiconductor device
US8815102B2 (en) 2012-03-23 2014-08-26 United Microelectronics Corporation Method for fabricating patterned dichroic film
US9401441B2 (en) 2012-06-14 2016-07-26 United Microelectronics Corporation Back-illuminated image sensor with dishing depression surface
US8779344B2 (en) 2012-07-11 2014-07-15 United Microelectronics Corp. Image sensor including a deep trench isolation (DTI)that does not contact a connecting element physically
US8828779B2 (en) 2012-11-01 2014-09-09 United Microelectronics Corp. Backside illumination (BSI) CMOS image sensor process
US8779484B2 (en) 2012-11-29 2014-07-15 United Microelectronics Corp. Image sensor and process thereof
JP6182909B2 (ja) * 2013-03-05 2017-08-23 株式会社リコー 有機ｅｌ発光装置の製造方法
US9279923B2 (en) 2013-03-26 2016-03-08 United Microelectronics Corporation Color filter layer and method of fabricating the same
US9160949B2 (en) 2013-04-01 2015-10-13 Omnivision Technologies, Inc. Enhanced photon detection device with biased deep trench isolation
US9537040B2 (en) 2013-05-09 2017-01-03 United Microelectronics Corp. Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor and manufacturing method thereof
US9129876B2 (en) 2013-05-28 2015-09-08 United Microelectronics Corp. Image sensor and process thereof
US9054007B2 (en) 2013-08-15 2015-06-09 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor pixel cell with switched deep trench isolation structure
US9496304B2 (en) 2013-08-15 2016-11-15 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor pixel cell with switched deep trench isolation structure
US9054106B2 (en) 2013-11-13 2015-06-09 United Microelectronics Corp. Semiconductor structure and method for manufacturing the same
US9841319B2 (en) 2013-11-19 2017-12-12 United Microelectronics Corp. Light detecting device
US10580789B2 (en) * 2017-07-10 2020-03-03 Macronix International Co., Ltd. Semiconductor device having etching control layer in substrate and method of fabricating the same
CA3171124A1 (en) * 2020-03-31 2021-10-07 National Research Council Of Canada Short range infrared imaging systems
TWI730799B (zh) * 2020-06-04 2021-06-11 力晶積成電子製造股份有限公司 影像感測器的製造方法及對準標記結構

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4230543B2 (ja) * 1998-03-16 2009-02-25 エヌエックスピー ビー ヴィ 「チップサイズパッケージ」を有する半導体装置の製造方法
WO1999048156A2 (en) * 1998-03-19 1999-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radiation-sensitive semiconductor device and method of manufacturing same
KR100296136B1 (ko) * 1998-06-27 2001-08-07 박종섭 칼라필터의특성측정용테스트패턴을갖는이미지센서
US6168965B1 (en) * 1999-08-12 2001-01-02 Tower Semiconductor Ltd. Method for making backside illuminated image sensor
US6498336B1 (en) * 2000-11-15 2002-12-24 Pixim, Inc. Integrated light sensors with back reflectors for increased quantum efficiency
EP1540733B1 (en) * 2002-09-19 2008-07-16 Quantum Semiconductor, LLC Light-sensing device
US8039882B2 (en) * 2003-08-22 2011-10-18 Micron Technology, Inc. High gain, low noise photodiode for image sensors and method of formation

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008503097A (ja) 2008-01-31
BRPI0511880A (pt) 2008-01-15
MXPA06014220A (es) 2007-05-04
EP1759413A1 (en) 2007-03-07
US20080265348A1 (en) 2008-10-30
CA2569775A1 (en) 2005-12-22
KR20070033991A (ko) 2007-03-27
WO2005122262A1 (en) 2005-12-22
TW200611398A (en) 2006-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2006147272A (ru) Способ изготовления датчика изображения и датчик изображения
CN104656182B (zh) 具有光学耦合到后表面的led的薄边缘背光
JP5355536B2 (ja) 光電素子および光電素子の製造方法
TWI284424B (en) Producing self-aligned and self-exposed photoresist patterns on light emitting devices
TW578313B (en) Opto-electronic component
CN104953016A (zh) 半导体发光装置
CN102194980B (zh) 发光器件封装和包括发光器件封装的照明系统
CN101904005B (zh) 光电子器件和光电子器件的制造方法
CN102265399A (zh) 光电子投影装置
KR20050027910A (ko) 확장된 활성 발광 영역을 지닌 발광 장치
JP2016516305A (ja) 発光素子パッケージ
JP3791872B2 (ja) 線状照明装置
CN102374466A (zh) 灯具
KR20090021531A (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
JPH0858155A (ja) Ｌｅｄプリントヘッド、およびｌｅｄアレイチップ、ならびにそのｌｅｄアレイチップの製造方法
US20050087750A1 (en) LED array
CA2457905C (fr) Procede de fabrication de capteur d'image couleur avec ouvertures de contact creusees avant amincissement
KR100829378B1 (ko) 이미지 센서 및 이의 제조 방법
CN114667601A (zh) 用于自对准光刻胶图案化的像素化发光二极管
JP3225103B2 (ja) 発光・受光素子及びそれらの製造方法
CN113646910A (zh) 光电组件、光电装置和方法
US20120326195A1 (en) Led module and manufacturing method thereof
JP2022510037A (ja) マトリクスアレイを作製するための二段階蛍光体堆積
US11506933B2 (en) Light-emitting module, method for manufacturing the same, and liquid-crystal display device
JPS63102361A (ja) 密着型固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20100111