JP2008503097A - イメージセンサおよびイメージセンサを製造する方法 - Google Patents
イメージセンサおよびイメージセンサを製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008503097A JP2008503097A JP2007526619A JP2007526619A JP2008503097A JP 2008503097 A JP2008503097 A JP 2008503097A JP 2007526619 A JP2007526619 A JP 2007526619A JP 2007526619 A JP2007526619 A JP 2007526619A JP 2008503097 A JP2008503097 A JP 2008503097A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor layer
- image sensor
- wafer
- wiring pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 190
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 36
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229940126639 Compound 33 Drugs 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003811 SiGeC Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
背面照射型イメージセンサ(14)の製造方法を開示する。本発明の方法は、第1および第2の表面(3,4)を有するウェハ(2)から出発し、第1表面(3)からウェハ(2)内に延在する感光性ピクセル領域(5)を設けるステップと、第1表面(3)を保護基板(7)に対向させて保護基板上にウェハ(2)を固定するステップとを具える。ウェハは、第1の材料の基板(8)と、光学透明層(9)と、半導体材料の層(10)とを具える。基板(8)を、光学透明層(9)を停止層として用いて、半導体材料の層から選択的に除去する。背面照射型イメージセンサでは、光は半導体層を透過して感光性ピクセル領域(5)に入射しなければならない。吸収損失を低減するために、半導体層(10)を比較的薄く均一に作製できると非常に有利である。半導体層の厚さを減少させると、感光性領域に入射する光が多くなり、このことがイメージセンサの効率改善につながる。
【選択図】図2
【選択図】図2
Description
本発明は、
第1および第2の表面を有するウェハから出発し、
前記第1表面からウェハ内へ延在する感光性ピクセル領域を設けるステップと、
前記ウェハを保護基板の上に、前記第1表面を保護基板に対向させて固定するステップと、
を具える背面照射型イメージセンサを製造する方法に関するものである。
第1および第2の表面を有するウェハから出発し、
前記第1表面からウェハ内へ延在する感光性ピクセル領域を設けるステップと、
前記ウェハを保護基板の上に、前記第1表面を保護基板に対向させて固定するステップと、
を具える背面照射型イメージセンサを製造する方法に関するものである。
さらに、本発明は、第1および第2の表面を有する半導体層を具え、該半導体層は該層の第1の表面から該層内へ延在する感光性ピクセル領域を具え、第1表面が保護基板に対向し、前記半導体層の第2表面が光学透明層を具え、光が該光学透明層を経て前記半導体層内の感光性ピクセル領域へ入射するイメージセンサに関するものである。
米国特許第6168965号には、半導体基板に製造されるピクセルマトリクス(例えばCMOS APSピクセル)を含む背面照射型イメージセンサを製造する方法が開示されている。半導体基板は、半導体基板の製造処理された前面を保護基板に向けて保護基板に接着剤で固定する。次に、保護基板で構造的に支持された半導体基板の露出した背面にグラインディングおよび/またはエッチング処理を施し、続いてオプションの化学的/機械的処理を施し、10〜15ミクロンの薄さの透明基板にする。次に、透明基板(例えばガラス)を半導体基板の背面に固定し、これによって、半導体基板を透明基板と保護基板との間に挟みこむ。
透明な表面の薄層化は、非常に不均一なプロセスであり、半導体基板の厚さの変化は吸収の差になる。
それゆえ、既知のイメージセンサでは、効率が制限され光吸収の差が特に短波長(青色)では容認できないほど大きいという欠点を有する。
本発明の目的は、効率が改善されるとともに光吸収の差が低減されたイメージセンサを製造する方法を提供することにある。
本発明の目的は、ウェハが第1の材料の基板と光学透明層と半導体材料の層と具え、前記基板を、前記光学透明層を停止層として用いて選択的に除去することにより達成される。
前記基板は、停止層に向かって選択除去技術を用いることにより光学透明層から選択的に除去できる。この種の除去技術は、ウェットエッチングおよび/またはケミカルメカニカルポリシング(CMP)でもよい。停止層の除去速度は、基板材料の除去速度よりもはるかに遅くなければならない。背面照射型イメージセンサであるので、光は半導体層を透過し感光性ピクセル領域に入射しなければならない。したがって、半導体層を比較的薄くできるということは大きな利点である。
半導体層の厚さが減少すると、より多くの光が感光性領域に入射でき、その結果、イメージセンサの効率が改善される。特に短波長の光では、半導体層の厚さを減少することが有利である。
半導体層の厚さおよび均一性を非常に良好に制御できるので、ピクセル(センサ)間の吸収差はかなり減少する。
背面照射型イメージセンサは、従来の前面照射型と比較して、多くの利点がある。従来のイメージセンサでは、ピクセルは、通常金属またはポリシリコン層からなる接続導線によって駆動される。これらの層は光に透明ではないので、入射光は全ピクセル領域には到達できない。コスト削減のためにピクセル領域を減らすという継続的な動きがある。しかし、前面照射型イメージセンサのピクセル領域をさらに減少させると、本質的に、ピクセル領域の感光性領域が相対的に減少する。
背面照射型の本発明では、ポリシリコンまたは金属の接続導線はピクセルの感光性領域を左右することはない。全ピクセル領域は感光性で、100%の充填率を可能にする。それゆえ、利点は、とりわけ、感度が向上すること、入射光の角度(CRA)が大きくできること、接続配線のレイアウトに設計自由度が増すことである。主光線入射角度(CRA)が大きくなると、1つのレンズ素子(例えばカメラモジュールのVGAレンズ)を省略できるので、カメラモジュールを小さくできる。これにより、感度が向上し(例えば反射損失の2〜4%の減少)、コストが削減される。また、小型駆動のために重要なモジュールの高さも小さくなる。変調伝達関数(MTF)とFナンバーとのトレードオフのため、背面照射でMTFとFナンバーを改善できる程度は交換可能である(MTFは鮮明度およびコントラストの尺度であり、Fナンバーはレンズの開口(diafragma)の尺度である)。
前記光学透明層はシリコンオンインシュレータ(SOI)ウェハの埋込酸化物層とすると有利である。SOIウェハの埋込酸化物を、シリコン基板の除去の間、エッチング停止層として使用できる。今日では、市販のSOIウェハは、100ナノメートルのオーダーの厚みを有するエピタキシャル半導体層を有する。基板の除去の後、残存するエピタキシャル半導体層は、最初の厚さと変わらず、非常に均一である。アモルファス半導体層及びエピタキシャル半導体層のために、厚さおよび均一性を数ナノメートル以内に制御できる。
全プロセス中に薄いエピタキシャル半導体表面が埋込酸化物層により保護され続けることは、もう1つの大きな利点である。半導体の表面に処理による不純物が付着せず、いかなる欠陥もダングリングボンドも界面電荷もないほぼ完全なシリコン/酸化物界面が得られる。
SOIウェハは、シリコンオンインシュレータ基板である。シリコンは歪んでいてもよい。本発明は、Geオンインシュレータ(GeOI)ウェハ、SiGeあるいはSiGeCのようなSiGeの化合物オンインシュレータウェハにも等しく良好に使える。シリコン以外の半導体オンインシュレータウェハはいまだに入手困難で非常に高価であるが、SOIウェハは一般に入手可能なので、SOIウェハを使用すると有利である。
市販のSOIウェハは、通常100ナノメートルオーダーの厚さのエピタキシャル半導体層を有する。半導体層の厚さが5μm未満、好ましくは1〜3μmの範囲のとき、半導体層内の感光性領域の光吸収は最適である。それゆえ、半導体材料の層の上に追加の半導体層をエピタキシャル成長させ、半導体層の全体の厚さを5ミクロン未満にすることが望ましい。
イメージセンサが背面照射型であるので、色フィルタを光学透明層上に設けることができる。色フィルタ層はスピンコートし、露光後に現像できる。(RGB)フィルタの色領域(例えば、赤色、緑色、青色)は順に製造される。400〜700ナノメートルの範囲内の波長の光がフィルタ処理され、フィルタを通過した各波長が異なる感光性ピクセル領域に集められる。
上述した利点とは別に、リフレクタとして金属層を用いることによりセンサの効率を改善できるという他の利点がある。光を感光性ピクセル領域へ方向を変えるためのリフレクタとして働く特別な配線パターンを設計してもよい。これは、半導体層が可視光線の総吸収深度よりはるかに小さいときに、特に適切である。この場合、背面から入射した光は、配線パターンで反射され感光性ピクセル領域に入射する。
多層配線の異なる金属層を、異なる色の光のためのリフレクタとして使うことができる。かくして、異なる色の光は異なる感光性ピクセル領域へと反射される。
感光性ピクセル領域を有する半導体エピタキシャル層の感光性領域を半導体エピタキシャル層の残部から電気的に絶縁するために、特別な処置を講ずる。この目的ために、配線パターンに、イメージセンサと外部を接続するための特別に設計されたボンディングパッド延長部を設ける。
イメージセンサの外部接続は、前面あるいは背面のいずれの側からも接続できる。外部接続を、保護層と半導体層を貫通する開口部を経て背面側から行う場合、半導体層が開口部の位置で除去される利点がある。半導体層の開口部は、異なるダイ間の電気的な分離として働く。背面(光の入射側)から電気的に接続するその他の利点は、例えばワイヤボンディングまたはフリップチップ技術により、ダイを他の基板またはICに容易に接続できることである。ボンディングパッド延長部に設置された導電性のスタッドを開口部内に設けることができる。このようなスタッドはスタッドバンピングプロセスに有利に使用することができる。
外部接続を前面側から行う場合には、背面側から入射する光を妨げる金属接触がないという利点がある。この場合には、異なるダイ間を電気的に分離するために特別な対策をとらなければならない。これは、以下の実施例で説明する。
垂直投影で見て、ボンディングパッド延長部と重なる半導体層の第1部分を、感光性ピクセル領域を有する半導体層の第2部分から電気的に絶縁する。
半導体層の第1部分と第2部分との絶縁は、半導体層を貫通するトレンチによって形成する。トレンチは電気絶縁材料で装填する。
また、半導体層の第1部分と第2部分との絶縁は、接合分離によって形成してもよい。
代替実施例では、ボンディングパッド延長部の下方の半導体層の第1部分は、例えばエッチングによって除去する。
製造プロセス中プレーナ表面をできるだけ長く保つために、半導体エピタキシャル層の第1部分は、プロセスの後半で、色フィルタの製造後に除去する。色フィルタはフォトレジストから作られるので、これらの層を、ボンディングパッド延長部の下方の半導体層の第1部分をエッチングするためのエッチングマスクとして使うこともできる。
色フィルタの製造処理をプレーナ表面上で行うことができるので、厚さの変化を回避でき、その結果としてイメージセンサの可視像におけるフリンジ効果を回避できる。
本発明の方法に係るその他の有利な実施例では、ボンディングパッド延長部の下方のシリコンの除去は、色フィルタおよびマイクロレンズの製作後に行うこともできる。色フィルタおよびマイクロレンズを堆積させた後に、プラズマ窒化物層のようなハードエッチングマスク層をマイクロレンズ上に堆積させる。
このようにして、「ギャップレスマイクロレンズ」を形成する。マイクロレンズ32の上にこの追加層33があると、マイクロレンズの領域とピクセル領域とが同一になるのでこれらのレンズ間に間隔がなくなる。
イメージセンサ領域を半導体層の残部から電気的に絶縁するために、ハードエッチングマスクを用いて、ボンディングパッド延長部の下方の半導体層の第1部分をエッチングする。
本発明のその他の目的は、効率が改善され、吸収差が低減されたイメージセンサを提供することにある。
本発明のこの目的は、半導体層に吸収されない光の一部を配線パターンの反射によって感光性ピクセル領域へ向け直すことにより達成される。これは、半導体層の厚さが可視光線の総吸収深度よりはるかに小さいときに、特に適切である。損失を減らすために、感光性領域に対向する金属層によって、半導体層に吸収されていない光を反射させ、光を感光性ピクセル領域へ向け直す。
配線パターンを多層配線パターンとし、異なる色の光を異なる感光性ピクセル領域の方へ反射させることが好ましい。
イメージセンサの効率は、金属層がリフレクタとして働く多層配線を用いて増大できる。
有利な実施例において、イメージセンサは、半導体層の第1表面上に設けられた配線パターンを具える。配線パターンは、ボンディングパッド延長部を具えることができる。外部接続は、背面側(光が入射する側)から、半導体層と保護層を貫通する開口部を経てボンディングパッド延長部と接続することによって構成する。背面側からの電気接続は、ダイを他の基板またはICに例えばワイヤボンディングまたはフリップチップ技術によって容易に接続できるので、有利である。ボンディングパッド延長部に設置された導電性スタッドあるいはワイヤボンドを開口部内に設けることができる。このようなスタッドはスタッドバンピングプロセスに有利に使用することができる。
本発明を実現する方法は、添付図面を参照して本明細書中に記載されている。本発明の精神から逸脱することなく、多数の変更および修正が可能なことは明らかである。それゆえ、本発明の実施例は説明のためだけであり、特許請求の範囲を制限する目的でないことを明確に理解されたい。
本発明の特徴は、例として本発明の好適実施例を示す添付図面を参照することでよりよく理解される。
本発明は、特定の実施例に関して特定の図面を参照して説明されるが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲のみにより限定される。添付図面は単なる概略図であり本発明を制限するものではない。説明の便宜上、図中の要素の寸法は拡大され、一定の比率で描かれていない点に留意されたい。
明細書および特許請求の範囲の中で用いている、上部、下部、上方、下方などの用語は説明のためであり、必ずしも相対位置を説明するためではない。このような用語は状況に合わせて交換可能であり、本明細書に記載されている本発明の実施例は記載され図示されている向きとは別の向きでも動作可能であるということを理解されたい。
出発原料は、シリコン基板8および厚みが400ナノメートルの埋込酸化物9(BOX)を有するシリコンオンインシュレータ(SOI)ウェハ2である。
エピタキシャル半導体層10は、1015at/cm3の典型的ドーピング濃度(抵抗率10Ohm.cm)を有するp型半導体であり、100ナノメートルの厚さを有する。
図1は、SOIウェハ2上のイメージセンサ1の製造方法を示す。第1ステップにおいて、SOIウェハのエピタキシャル半導体層10の上に、シリコン層11を1〜3ミクロンの範囲内の全厚にエピタキシャル成長させる。イメージセンサとして使用するために、二次元配列の感光性素子5(ダイオードまたはトランジスタ)を、イメージセンサに適するCMOSプロセスで製造する。プロセスの後の工程でイメージセンシング領域と外部ボンドパッドとを接続するために、配線パターンに特別なボンディングパッド延長部16を作製する。ガラスプレートの形態の保護基板7を、ウェハの第1表面3の上に接着層24で固定する。
図2において、SOIウェハの基板8を、グラインディングおよびその次のKOH溶液中のエッチングによって除去する。KOH溶液中におけるシリコンのエッチング速度(典型的には0.75マイクロメートル/分)は、酸化シリコンのエッチング速度(典型的には1ナノメートル/分)よりはるかに速い。100の選択性が容易に得られる。
埋込酸化物層9はエッチング停止層として働く。CMOSイメージセンサに面している保護基板7は、半導体層がエッチングされるのを防止する。
シリコン基板8は、HF/HNO3混合溶液およびその次のKOH溶液のウェットエッチングによっても、除去可能である。
感光性ピクセル領域(第1部分20)を具える半導体層と、半導体層の残部(第2部分21)との間を絶縁するために、半導体層の第2部分21を除去する。
このために、図3には、図2の全構造を上下逆に示す。
図3Aにおいて、レジストマスク22をイメージセンシング部20の上に設ける。このレジストマスクを用いて、イメージセンシング部の外側部分21、すなわち、ボンディングパッド延長部16の上方の埋込酸化物9(BOX)およびSiエピタキシャル上層10をエッチングする(図3B参照)。この図には示していないが、Siエピタキシャル層10は(ボンディングパッド延長部からBGAボールへの接続を構成する)リードの上方およびボンドパッドの上方でも除去する。その後、レジストマスク22を除去する。
代案として、埋込酸化物9はレジストマスクを使用してエッチングし、シリコンエピタキシャル層10は酸化物ハードマスクを使用してエッチングすることもできる。
図4において、埋込酸化物9(BOX)に、色フィルタ12およびマイクロレンズ(図示せず)を設ける。色フィルタおよびマイクロレンズは感光性レジスト層であり、これはフォトグラフィック技術で設けることができる。ピクセル5に対する色領域23のアライメントのために、標準CMOSプロセスと同じアライメントマークが使用できる。これらのアライメントマークは、シリコンエピタキシャル層にエッチングされたパターンである。エピタキシャル層の厚さが1〜3μmなので、マークはステッパーによって容易に検出可能である。背面からウェハを露光するために、標準のアライメントマークの鏡像となる特別なマークが必要である。
図5において、第2のガラスプレート25を色フィルタ12およびマイクロレンズの上に第2の接着層26で固定する。
図6において、柔軟層27を設ける。
図7において、ウェハを切り欠く。切欠28は上部の接着層26で終端する。
図8において、金属リード29およびソルダーマスクを設ける。BGAボール30を作製する。
図6〜8に示すプロセスは、WO95/19645で開示されているウエハレベルパッケージプロセスに記載されている。
図7A,B−8Aに示される代替実施例では、ボンディングパッド延長部は、背面側から接続する。
第2のガラスプレート25(典型的な厚さ400μmを有する)をソーイングしてボンディングパッド延長部16の真上に開口部50を形成する。ソーイングによるウェハの平面度及びトレランスではソーイングをボンディングパッド延長部の金属層で正確に止めるのは非常に困難である(図7A参照)。したがって、ソーイング処理は、開口部50の終端とボンディングパッド延長部16との間にわずか数ミクロンを残して止めてもよい(図7B参照)。
その後、残りの数ミクロンのガラスを除去する。ドライエッチング技術、例えばフッ素含有ガスを用いることが好ましい。ワイヤボンディングには、半導体層10に最も近いボンディングパッドを用いるのが好ましい。半導体層に最も近いこれらのボンディングパッドは、ワイヤボンディング51に適する厚い金属層から形成する(図8A参照)。
開口部50内に、例えばCuのスタッドをスタッドバンプのために設置することができる。この種のスタッドは、薄い金属層に設置できるので、ボンディングパッドの各レベルに設置することができる。スタッドは、フリップチップのようなスタッドバンププロセスにおいて、容易に外部と接続できるように、第2のガラスプレート25の表面に突出させるのが好ましい。
この代替実施例(図7A、B−図8A)では、電気的接続は、光が入射する背面側から設ける。これは、はんだボールを用いて反対側から接続する図7−図8の実施例と逆である。イメージセンサのマウントプロセスでは、半導体の活性領域が位置する側からワイヤボンディングまたはスタッドバンピングを行えることは重要である。例えば、コンパニオンダイと共にダイ−ダイボンディングを行う場合、あるいは、I2MCのようなボンディングプロセスを使用する場合である。ダイをフリップチップ技術を用いてフレキシブル基板の背面に実装するモジュールもある。この場合、スタッドバンプを、半導体の活性領域が位置するのと同じ側に設けなければならない。
CMOSプロセスの後工程でのイメージセンサの分離のために、CMOSプロセスの前工程として、特別な処置を予め行う必要がある。
米国特許第6177295号に記載されている方法では、イメージセンサの周囲の半導体層部分21を最初に除去することで、イメージセンサを分離できる。
しかしこの方法はCMOSイメージセンサの製造に適していない。イメージセンサの良好な性能のために、シリコン上層10の厚さは1〜3ミクロンである(これに反し米国特許第6177295号では100ナノメートルである)。イメージセンサの周囲の半導体層部分を除去すると、1〜3ミクロンのトポグラフィ(でこぼこ形状)が発生する。
このトポグラフィは、プロセスの後の工程で問題を引き起こしうる。先端CMOSプロセスでは、サブミクロンのデバイスを数ミクロンのトポグラフィを有するウェハ上に製造することは不可能である。
本発明による方法では、プロセスの後の段階でボンディングパッド延長部の下方のシリコン部分21をエッチングする。シリコン部分21のエッチングをプロセスの後半へ移動させることによる主な利点は、先端ディープサブミクロンCMOSプロセスをウェハのプレーナ表面上で実行できることにある。
色フィルタの製作前に、ボンディングパッド延長部の下方のシリコンのエッチングを行う図3Aおよび3Bに示す方法の代案として、色フィルタの製作後に、ボンディングパッド延長部16の下のシリコン21を除去できる。酸化物層9およびその次のシリコンエピタキシャル層10をエッチングするためのエッチングマスクとして透明レジスト層31を用いる。
図9および10はこの第2の実施例を示す。
色フィルタ12をプレーナ表面上で製造できることは非常に有利である。色フィルタ層のスピンコーティングおよび次の現像によって色領域23を作製する。異なる色領域23を順に作製し、ピクセル5の上方に整列配置する。
図11および12は可視光線に対する色フィルタの性能を示す。
青色、緑色および赤色の透過率はそれぞれ約80%、80%および90%以上である。このRGBフィルタは、携帯電話およびウェブカメラに応用される。
シアン色、マゼンタ色および黄色の透過率はそれぞれ約80%、90%および95%である。このCMYフィルタは、ビデオアプリケーションに応用される。
色フィルタはフォトレジストから作られるので、これらの層をエッチングマスクとして用いて、ボンディングパッド延長部の下方のシリコン上層をエッチングできる。カラープロセスの第1層は透明層31であり、この透明層31を露光し現像してボンディングパッド延長部の領域で開口させる。色フィルタ層およびマイクロレンズはボンディングパッド延長部の位置で開口されるので、カラー/マイクロレンズのサンドイッチ体をエッチングマスクとして用いてBOX酸化物9およびエピタキシャル層10をエッチングできる。
図13〜16は、色フィルタおよびマイクロレンズ32の作製後に、ボンディングパッド延長部の下方のシリコンを除去できる方法の有利な第3実施例を示す。
この実施例は、「ギャップレス」マイクロレンズという利点がある。色フィルタ12およびマイクロレンズ32を堆積した後、プラズマ窒化物層33を堆積する(図13参照)。このようにして、図14に示すように、「ギャップレスマイクロレンズ」を形成する。この追加の層33のないレンズではレンズ間に間隔があるので、マイクロレンズの表面はピクセル表面より小さく、光の一部は入射できない。マイクロレンズ32の上にこの追加の層33があると、間隔がなくなってマイクロレンズの領域とピクセル領域が同じになる。
その後フォトレジスト34を設ける。ボンディングパッド延長部16の上方のレジストを露光し現像する。プラズマ窒素化合物33、BOX酸化物9およびシリコンエピタキシャル層10をエッチングする(図15参照)。プラズマ窒化物層の上のレジスト層34は、プラズマ含有酸素のストリップ処理によって、プラズマ窒素化合物から選択的に除去できる(図16参照)。代案として、この透明なレジストはそこに残ってもよい。
第2実施例と比較して、第3実施例の利点は以下のとおりである。
色フィルタ層12およびマイクロレンズ層32は、プラズマ窒化物層33およびレジスト層34によって、エッチングステップから保護される。
より大きなマイクロレンズ領域を有するギャップレスマイクロレンズ32が得られる。
色フィルタ層12およびマイクロレンズ層32は、プラズマ窒化物層33およびレジスト層34によって、エッチングステップから保護される。
より大きなマイクロレンズ領域を有するギャップレスマイクロレンズ32が得られる。
上述した窒化物層33の代わりに、Alのようなその他の材料を使うこともできる。Alのさらなる利点は、Alが遮光体としても働くことができるということである。
第4および第5実施例では、ボンディングパッド延長部16の下方のシリコン21を除去せずに、イメージセンシング領域から電気的に絶縁する。
これは、
リードの下方の半導体層に形成されたn型注入領域35(第4実施例)または
ボンディングパッド延長部を囲む閉ループとして構成され、酸化物で満されたトレンチ40(第5実施例)
によって、実現できる。
リードの下方の半導体層に形成されたn型注入領域35(第4実施例)または
ボンディングパッド延長部を囲む閉ループとして構成され、酸化物で満されたトレンチ40(第5実施例)
によって、実現できる。
第4実施例では、感光性ピクセル領域20を設ける半導体エピタキシャル層を、リード29を配置する半導体層の残部21から電気的に絶縁する。
この電気絶縁は、n型注入によって得られる。レジストマスクを用いて、後の工程でリード29とボンディングパッド延長部16とを接続する領域35においてエピタキシャル上層に注入を行う(図17の上面図参照)。n形(P、As)注入37は、レジストマスク38を通して高エネルギー(メガ電子ボルト範囲)で行う。酸化物層39は表面を保護する(図20参照)。エピタキシャル層の全厚に亘りドーピングするために、レジスト層38の除去の後、高温のアニーリングを行う(図21参照)。
後の処理において、金属リード29をn型Si35と接触させるので、金属リード29はp型半導体層36から電気的に絶縁される(ノッチ28に平行な線B−B’の断面図である図18およびノッチ28に垂直な線A−A’の断面図参照)
この方法の大きな利点は、トポグラフィがウェハに導入されないということである。
第5実施例では、リードが接触するシリコン層部分を、ボンディングパッド延長部16を囲むループ40によって、感光性ピクセル領域を有する半導体層部分から電気的に絶縁する(図22〜24参照)。ループは、酸化シリコンのような電気絶縁材料を充填されるエッチングトレンチ41により形成される(図25〜28参照)。トレンチに酸化物を充填した後、平坦化ステップを行う。代案として、トレンチに薄層(熱)酸化物およびポリシリコンを充填してもよい。ポリシリコンはCVDプロセスで設けてもよい。
絶縁ループを作製するいくつかの方法がある。最も簡潔な方法の1つは、このステップを従来のCMOSプロセスのシャロートレンチアイソレーション(STI:shallow trench isolation)の製造ステップと結合することである。
STIプロセスの場合と同様に、酸化物42および窒化物ハードマスク43を使用してトレンチをエッチングし、酸化物44をトレンチに充填し、平坦化する。
しかし、これらのSTIトレンチは、絶縁するのに十分に深くない。エピタキシャル層(3〜5ミクロン)の全厚さを貫通するトレンチをエッチングするために追加のトレンチエッチングを行う必要がある。埋込酸化物層(BOX)はエッチング停止層として働く。図25および26は、シャロートレンチ46および追加のディープトレンチ41のエッチングをそれぞれ示す。絶縁体を充填し、平坦化するステップは、標準のSTIプロセスに結合できる。
この目的ために、ギャップ充填材料44を堆積する(図27参照)。好ましくは、ディープトレンチ41の幅は、良好な平坦化を得るためにトレンチに堆積する酸化物44の厚みの2倍未満である。その後、ケミカルメカニカルポリシング(CMP)によって、ウェハを平坦化する(図28参照)。代案として、トレンチに、薄層(熱)酸化物およびポリシリコンを充填してもよい。ポリシリコンはCVDプロセスで設けてもよい。
この第5実施例は、追加のマスクステップが1つのみであり、そのプロセスで導入されるトポグラフィはないという利点がある。
イメージセンシング部のピクセルを、ディープトレンチ41によって互いに分離できる。これを図29に示す。光は、色フィルタ23を通過して、ピクセルの感光性領域5に入射する。フィルタを通過した光は、pn接合の空乏層で発生する電流に変わる。pn接合の空乏層は、BOXとエピタキシャル層との界面またはディープトレンチの側壁に接触することが可能である。
空乏層はエピタキシャル層のバルク内に位置することも可能である。
ピクセル絶縁のためのディープトレンチは、イメージセンサ部20をエピタキシャル層21の残部から電気絶縁するためのディープトレンチと同時に製造できる。
更なる有利な実施例では、プロセスのこの段階で、ディープトレンチに絶縁体を充填しない。トレンチは、色フィルタプロセスのための平坦化層(第2実施例の透明なレジスト層)を設ける次のステップで充填する。この方法の利点は、前工程が変更されず、色フィルタプロセスのレジスト変更が少ない点にある。
これらのディープトレンチのさらなる利点は、アライメントマークとしてディープトレンチを使用できるということである。これらのマークを用いて、感光性ピクセル領域上の色フィルタおよびマイクロレンズを整列配置する。トレンチが全エピタキシャル層を貫通するので、プロセスのこの段階においてこれらのトレンチをステッパで良好に検出できる。
背面照射型イメージセンサでは、光は半導体層10の背面14から入射する。この光は、感光性ピクセル領域5を形成する接合の空乏層領域へ入射する前に、半導体層10を透過しなければならない。
空乏層領域に入射前の可視光線の、半導体層での吸収はゼロに低減できる。この特定の場合には、接合の空乏層領域が光学透明層に接触する。
半導体層厚が可視光線の総吸収深度よりはるかに小さいときに、一定量の光が半導体層を透過する。
この光は、リフレクタとして機能する配線パターン13で反射しうる。
このために、特別な配線パターンを、CMOS配線パターンに設計する。
配線パターン13は、光を感光性ピクセル領域5へ向け直すためのリフレクタとして働くように構成する。損失を減らすために、感光性領域に対向する金属層によって、半導体層内で吸収されない光を反射して、感光性ピクセル領域へ向け直す。
イメージセンサの効率は、金属層がリフレクタとして機能する多層配線を用いて増加できる。図30は、異なる金属層を選択することによって2つの異なる波長に対して最適化された2つのイメージセンサピクセルを示す。
本発明は、ウェブカメラおよび携帯電話カメラのようなCMOSイメージングアプリケーション分野、PDA(パーソナル携帯情報端末)およびDSC(デジタルスチルカメラ)に適用可能である。
Claims (18)
- 第1および第2の表面を有するウェハから出発し、
第1表面からウェハ内に延在する感光性ピクセル領域を設けるステップと、
前記ウェハを保護基板上に、第1表面を保護基板に対向させて固定するステップと、
を具える背面照射型イメージセンサを製造する方法において、
前記ウェハは、第1の材料の基板と、光学透明層と、半導体材料の層とを具え、
前記光学透明層を停止層として用いて、前記第1の材料の基板を前記半導体材料の層から選択的に除去することを特徴とする背面照射型イメージセンサの製造方法。 - 前記光学透明層がSOIウェハの埋込酸化物層であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 追加の半導体層を前記半導体材料の層の上にエピタキシャル成長し、該半導体層の全厚が5ミクロン未満であることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 色フィルタを前記光学透明層の上に設けることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記ウェハを前記保護基板の上に固定する前に配線パターンを前記ウェハの第1表面に設け、前記配線パターンが、背面側から入射する光が前記配線パターンで反射され、前記感光性ピクセル領域へ入射するように設計されていることを特徴とする請求項1〜3に記載の方法。
- 前記配線パターンが多層配線であり、異なる色が異なる感光性ピクセル領域で吸収されるように、前記多層配線がリフレクタとして働くことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記ウェハを前記保護基板の上に固定する前に配線パターンを前記ウェハの第1表面に設け、外部電気接続を行うために、背面から前記配線パターンに達する開口部を形成することを特徴とする請求項1〜3に記載の方法。
- 導電性のスタッドあるいはワイヤボンドを前記開口部内に形成することを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記配線パターンがボンディングパッド延長部を含み、垂直投影で見て前記ボンディングパッド延長部と重なる前記半導体層の第1部分を、前記感光性ピクセル領域を有する前記半導体層の第2部分から電気的に絶縁することを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記半導体層の第1部分と第2部分との絶縁は、前記半導体層を貫通するトレンチ分離でなすことを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記半導体層の第1部分と第2部分との絶縁は、接合分離でなすことを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記半導体層の第1部分を、色フィルタの製造後に除去することを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記半導体層の第1部分を、マイクロレンズの製造後に除去することを特徴とする請求項9または11に記載の方法。
- 第1および第2の表面を有する半導体層を具え、該半導体層が該層の第1の表面から層内へ延在する感光性ピクセル領域を具え、前記半導体層の第2表面が光学透明層を具え、光が該光学透明層を経て前記半導体層内の感光性ピクセル領域へ入射し、前記半導体層の第1表面が保護基板に対向配置されているイメージセンサにおいて、前記光学透明層と直接接触させた色フィルタを具えることを特徴とするイメージセンサ。
- 前記半導体層に吸収されない光の一部を配線パターンでの反射によって前記感光性ピクセル領域へ向け直すことを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサ。
- 前記配線パターンが多層配線パターンであり、異なる色の光が異なるレベルの金属パターンで異なる感光性ピクセル領域へ向け反射されることを特徴とする請求項15に記載のイメージセンサ。
- 前記半導体層の第1表面に設けられる配線パターンが、前記半導体層および前記保護層を貫通する開口部を経て外部と電気的に接続されていることを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサ。
- 前記開口部内に導電性のスタッドまたはワイヤボンドが形成されていることを特徴とする請求項17に記載のイメージセンサ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP04102618 | 2004-06-09 | ||
EP04105544 | 2004-11-05 | ||
PCT/IB2005/051560 WO2005122262A1 (en) | 2004-06-09 | 2005-05-12 | Method of manufacturing an image sensor and image sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008503097A true JP2008503097A (ja) | 2008-01-31 |
Family
ID=34967103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007526619A Withdrawn JP2008503097A (ja) | 2004-06-09 | 2005-05-12 | イメージセンサおよびイメージセンサを製造する方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080265348A1 (ja) |
EP (1) | EP1759413A1 (ja) |
JP (1) | JP2008503097A (ja) |
KR (1) | KR20070033991A (ja) |
BR (1) | BRPI0511880A (ja) |
CA (1) | CA2569775A1 (ja) |
MX (1) | MXPA06014220A (ja) |
RU (1) | RU2006147272A (ja) |
TW (1) | TW200611398A (ja) |
WO (1) | WO2005122262A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009283944A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Xitec Inc | 電子デバイスパッケージ及びその製造方法 |
JP2014175053A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-22 | Ricoh Co Ltd | 有機el発光装置及びその製造方法、並びに有機el光源装置 |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070001100A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light reflection for backside illuminated sensor |
US7799491B2 (en) | 2006-04-07 | 2010-09-21 | Aptina Imaging Corp. | Color filter array and imaging device containing such color filter array and method of fabrication |
US7611960B2 (en) * | 2006-04-24 | 2009-11-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for wafer backside alignment |
US7638852B2 (en) * | 2006-05-09 | 2009-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of making wafer structure for backside illuminated color image sensor |
US8704277B2 (en) * | 2006-05-09 | 2014-04-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Spectrally efficient photodiode for backside illuminated sensor |
US7791170B2 (en) | 2006-07-10 | 2010-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of making a deep junction for electrical crosstalk reduction of an image sensor |
JP2008205091A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Fujifilm Corp | 電子デバイス及びその製造方法並びに電子デバイス用シリコン基板 |
US7755123B2 (en) * | 2007-08-24 | 2010-07-13 | Aptina Imaging Corporation | Apparatus, system, and method providing backside illuminated imaging device |
US7999342B2 (en) | 2007-09-24 | 2011-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Image sensor element for backside-illuminated sensor |
US8183510B2 (en) * | 2008-02-12 | 2012-05-22 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with buried self aligned focusing element |
US7838956B2 (en) * | 2008-12-17 | 2010-11-23 | Eastman Kodak Company | Back illuminated sensor with low crosstalk |
FR2949173A1 (fr) * | 2009-08-12 | 2011-02-18 | St Microelectronics Sa | Capteur d'images eclaire par la face arriere protege des rayons infrarouges |
US8748946B2 (en) | 2010-04-29 | 2014-06-10 | Omnivision Technologies, Inc. | Isolated wire bond in integrated electrical components |
US8318580B2 (en) | 2010-04-29 | 2012-11-27 | Omnivision Technologies, Inc. | Isolating wire bonding in integrated electrical components |
US8507962B2 (en) | 2010-10-04 | 2013-08-13 | International Business Machines Corporation | Isolation structures for global shutter imager pixel, methods of manufacture and design structures |
US8624342B2 (en) * | 2010-11-05 | 2014-01-07 | Invensas Corporation | Rear-face illuminated solid state image sensors |
US8466000B2 (en) | 2011-04-14 | 2013-06-18 | United Microelectronics Corp. | Backside-illuminated image sensor and fabricating method thereof |
US20130010165A1 (en) | 2011-07-05 | 2013-01-10 | United Microelectronics Corp. | Optical micro structure, method for fabricating the same and applications thereof |
US9312292B2 (en) | 2011-10-26 | 2016-04-12 | United Microelectronics Corp. | Back side illumination image sensor and manufacturing method thereof |
US8318579B1 (en) | 2011-12-01 | 2012-11-27 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating semiconductor device |
US8815102B2 (en) | 2012-03-23 | 2014-08-26 | United Microelectronics Corporation | Method for fabricating patterned dichroic film |
US9401441B2 (en) | 2012-06-14 | 2016-07-26 | United Microelectronics Corporation | Back-illuminated image sensor with dishing depression surface |
US8779344B2 (en) | 2012-07-11 | 2014-07-15 | United Microelectronics Corp. | Image sensor including a deep trench isolation (DTI)that does not contact a connecting element physically |
US8828779B2 (en) | 2012-11-01 | 2014-09-09 | United Microelectronics Corp. | Backside illumination (BSI) CMOS image sensor process |
US8779484B2 (en) | 2012-11-29 | 2014-07-15 | United Microelectronics Corp. | Image sensor and process thereof |
US9279923B2 (en) | 2013-03-26 | 2016-03-08 | United Microelectronics Corporation | Color filter layer and method of fabricating the same |
US9160949B2 (en) | 2013-04-01 | 2015-10-13 | Omnivision Technologies, Inc. | Enhanced photon detection device with biased deep trench isolation |
US9537040B2 (en) | 2013-05-09 | 2017-01-03 | United Microelectronics Corp. | Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor and manufacturing method thereof |
US9129876B2 (en) | 2013-05-28 | 2015-09-08 | United Microelectronics Corp. | Image sensor and process thereof |
US9054007B2 (en) | 2013-08-15 | 2015-06-09 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor pixel cell with switched deep trench isolation structure |
US9496304B2 (en) | 2013-08-15 | 2016-11-15 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor pixel cell with switched deep trench isolation structure |
US9054106B2 (en) | 2013-11-13 | 2015-06-09 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor structure and method for manufacturing the same |
US9841319B2 (en) | 2013-11-19 | 2017-12-12 | United Microelectronics Corp. | Light detecting device |
US10580789B2 (en) * | 2017-07-10 | 2020-03-03 | Macronix International Co., Ltd. | Semiconductor device having etching control layer in substrate and method of fabricating the same |
US20230099143A1 (en) * | 2020-03-31 | 2023-03-30 | National Research Council Of Canada | Short range infrared imaging systems |
TWI730799B (zh) * | 2020-06-04 | 2021-06-11 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 影像感測器的製造方法及對準標記結構 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4230543B2 (ja) * | 1998-03-16 | 2009-02-25 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 「チップサイズパッケージ」を有する半導体装置の製造方法 |
JP2002501679A (ja) * | 1998-03-19 | 2002-01-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射感知半導体装置及びそれを製造する方法 |
KR100296136B1 (ko) * | 1998-06-27 | 2001-08-07 | 박종섭 | 칼라필터의특성측정용테스트패턴을갖는이미지센서 |
US6168965B1 (en) * | 1999-08-12 | 2001-01-02 | Tower Semiconductor Ltd. | Method for making backside illuminated image sensor |
US6498336B1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-12-24 | Pixim, Inc. | Integrated light sensors with back reflectors for increased quantum efficiency |
WO2004027879A2 (en) * | 2002-09-19 | 2004-04-01 | Quantum Semiconductor Llc | Light-sensing device |
US8039882B2 (en) * | 2003-08-22 | 2011-10-18 | Micron Technology, Inc. | High gain, low noise photodiode for image sensors and method of formation |
-
2005
- 2005-05-12 CA CA002569775A patent/CA2569775A1/en not_active Abandoned
- 2005-05-12 MX MXPA06014220A patent/MXPA06014220A/es not_active Application Discontinuation
- 2005-05-12 JP JP2007526619A patent/JP2008503097A/ja not_active Withdrawn
- 2005-05-12 EP EP05736222A patent/EP1759413A1/en not_active Withdrawn
- 2005-05-12 US US11/570,248 patent/US20080265348A1/en not_active Abandoned
- 2005-05-12 BR BRPI0511880-8A patent/BRPI0511880A/pt not_active Application Discontinuation
- 2005-05-12 KR KR1020067025796A patent/KR20070033991A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-05-12 WO PCT/IB2005/051560 patent/WO2005122262A1/en active Application Filing
- 2005-05-12 RU RU2006147272/28A patent/RU2006147272A/ru not_active Application Discontinuation
- 2005-06-06 TW TW094118591A patent/TW200611398A/zh unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009283944A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Xitec Inc | 電子デバイスパッケージ及びその製造方法 |
JP2014175053A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-22 | Ricoh Co Ltd | 有機el発光装置及びその製造方法、並びに有機el光源装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005122262A1 (en) | 2005-12-22 |
CA2569775A1 (en) | 2005-12-22 |
RU2006147272A (ru) | 2008-07-20 |
EP1759413A1 (en) | 2007-03-07 |
KR20070033991A (ko) | 2007-03-27 |
TW200611398A (en) | 2006-04-01 |
BRPI0511880A (pt) | 2008-01-15 |
US20080265348A1 (en) | 2008-10-30 |
MXPA06014220A (es) | 2007-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008503097A (ja) | イメージセンサおよびイメージセンサを製造する方法 | |
US11037978B2 (en) | Dual facing BSI image sensors with wafer level stacking | |
US11735619B2 (en) | Semiconductor image sensor device having back side illuminated image sensors with embedded color filters | |
US11901396B2 (en) | Back side illuminated image sensor with reduced sidewall-induced leakage | |
US10734429B2 (en) | Pad structure for backside illuminated (BSI) image sensors | |
US9543355B2 (en) | Dark current reduction for back side illuminated image sensor | |
TWI407558B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
US9147703B2 (en) | CMOS image sensor structure | |
US7932575B2 (en) | Method of fabricating back-illuminated imaging sensors using a bump bonding technique | |
US9691809B2 (en) | Backside illuminated image sensor device having an oxide film and method of forming an oxide film of a backside illuminated image sensor device | |
CN104733486A (zh) | 图像传感器器件及其制造方法和半导体器件制造方法 | |
US20220013567A1 (en) | Semiconductor device produced by bonding substrates together | |
US11342373B2 (en) | Manufacturing method of image sensing device | |
TW201731085A (zh) | 半導體影像感測裝置 | |
CN105789228A (zh) | 半导体结构及其制造方法 | |
US20170186796A1 (en) | Frontside illuminated (fsi) image sensor with a reflector | |
JP2004063757A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
CN1965411A (zh) | 制造图像传感器的方法和图像传感器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080509 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080904 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20091105 |