TWI407558B - 半導體裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

半導體裝置及其製造方法
本發明基於日本申請案JP2008-322519，內容亦引用該申請案之內容。
本發明關於半導體裝置及其製造方法。
作為攜帶用相機模組或攝錄影機、數位相機、監控用攝影機等所使用之固態攝像元件，CMOS影像感測器乃習知者。於該CMOS影像感測器，為提升感度等畫素性能而有背面照射型構造被提案(例如參照文獻1：特開2007-324629號公報)。亦即，該背面照射性構造，係由未配置電極層及配線層的基板之背面側射入光，而提升聚光特性。
 (用以解決課題的手段)
本發明之一態樣的半導體裝置，係包含：半導體基板；在貫穿上述半導體基板的貫穿孔內，介由具有均勻膜厚構成之絕緣膜填埋第1導電材料而成的，亦作為定位用標記使用的，用於將電極取出至上述半導體基板背面側的背面取出電極；及焊墊，設於上述半導體基板之背面，被連接於上述背面取出電極。
本發明之一態樣的半導體裝置之方法，係用於形成背面取出電極，該背面取出電極，係用於將亦作為定位用標記被使用的電極，取出至半導體基板之背面側者；包含：於上述半導體基板形成貫穿孔；於上述貫穿孔內壁形成具有均勻膜厚的絕緣膜；及介由上述絕緣膜將第1導電材料填埋於上述貫穿孔內而形成接觸層。
於此，上述文獻1揭示之背面照射型固態攝像元件，須將電極取出至基板之背面側。
但是，該電極之取出工程，係和受光感測器部之光二極體與單晶片透鏡間之定位用對準標記之形成為不同的工程，工程有增加之傾向。亦即，該背面照射型固態攝像元件之情況下，首先，在基板表面側形成受光感測器部及電極層等時，係於接觸孔內填埋絕緣層形成對準標記。之後，於基板背面側形成單晶片透鏡時，係挖空對準標記之絕緣層，形成接觸層用於將電極取出至基板背面側。如上述說明，上述背面照射型固態攝像元件之情況下，需要將作為定位用標記形成的對準標記，重新形成而作為連接於電極層與配線層的背面取出電極，和表面照射型構造比較，該部分將造成工程數之增加。因此，強烈要求可以削減工程數的製程。
另外，以對準標記作為背面取出電極而重新形成的文獻1之構造中，亦有不適合微細化，不適合裝置之小型化的傾向。其理由在於，欲僅使成為對準標記之絕緣層外側部分殘留而挖空內側部分，於該內側部分填埋導電材料形成接觸層，以其作為背面取出電極時，在考慮定位精確度等之情況下，難以均勻地形成絕緣層之膜厚，微細化有其限制。
以下參照圖面說明本發明之實施形態。又，圖面僅為模式表示，須注意者為各圖面之尺寸及比率與現實者有所差異。另外，圖面相互間亦包含互相之尺寸關係及/或比率不同之部分。特別是，以下所示幾個實施形態僅為將本發明之技術思想具體化之裝置及方法之一例，並非由構成元件之形狀、構造、配置等，而限定本發明之技術思想。本發明之技術思想在不脫離其要旨情況下可做各種變更實施。
(第1實施形態)
圖1為本發明第1實施形態之半導體裝置之構成例，其中，半導體裝置係說明背面照射型之CMOS影像感測器之例。另外，圖1之例表示單位格設為1畫素1格構造之3Tr(電晶體)型之例。
如圖1所示，該背面照射型CMOS影像感測器，係包含：光二極體部PD；傳送(讀出)用MOS電晶體TG；及重置用MOS電晶體及放大用MOS電晶體(未圖示)，而構成1個單位格。於背面照射型CMOS影像感測器，此種構成之複數個單位格被配置成為矩陣狀。
亦即，於各單位格，光二極體部PD係由受光部11與累積層12構成。受光部11為電荷儲存區域，用於儲存射入光被光電轉換而得的信號電荷，例如在SOI(Silicon On Insulator)基板之矽磊晶層10之表面部(感測器畫素區域)被形成的N導電型(第1導電型)擴散層構成。累積層12，係用於控制暗電流者，係對應於11之表面部設置的，例如為具有P導電型(第2導電型)的低雜質濃度之擴散層區域(P- 層)。累積層12的雜質濃度，例如約為1×1016 ～1×1017 。
傳送用MOS電晶體TG，係控制光二極體部PD之信號電荷之儲存者，鄰接於光二極體部PD被設置。亦即，傳送用MOS電晶體TG之讀出閘極(讀出電極)G，係介由絕緣膜13被形成於矽磊晶層10之表面上。讀出閘極G之形成係使用多晶矽等。汲極係作為光二極體部PD之陽極功能，源極係作為浮置擴散層(floating diffusion)FD之功能。浮置擴散層FD，係形成於矽磊晶層10之表面部的高雜質濃度之擴散層區域(N+ 層)。
如圖中所示31係劃定單位格用的畫素分離區域(P層)，32係畫素分離用之STI(Shallow Trench Isolation)。另外，為方便起見，雖未圖示，於單位格，於矽磊晶層10之表面側(另一斷面)，分別設置重置用MOS電晶體及放大用MOS電晶體。
背面照射型CMOS影像感測器，其射入光係由矽磊晶層10之背面側照射，透過矽磊晶層10，由光二極體部PD受光。此時，射入光不會被複數層配線層等遮斷，而射入矽磊晶層10內，被引導至光二極體部PD。因此，於矽磊晶層10之背面側(感測器之背面側)，介由鈍性氧化膜33及鈍性氮化膜34，對應於每一單位格設置RGB(紅、綠、藍)之彩色濾光片35及微透鏡36。
另外，於矽磊晶層10之周邊區域設置背面取出電極21。該背面取出電極21，亦作為例如感測器畫素區域之光二極體部PD與微透鏡36之定位用對準標記之功能。亦即，於感測器之周邊區域，以貫穿矽磊晶層10的方式設置成為對準標記的接觸層21a及絕緣膜21c。接觸層21a，係於矽磊晶層10被穿孔的接觸孔21b內，介由膜厚大略均勻的薄的絕緣膜21c，填埋例如添加有適量雜質的低電阻多晶矽而構成(貫穿導孔構造)。
接觸層21a之一端，係連接於設於矽磊晶層10之背面側(感測器背面側)的Al焊墊22。Al焊墊22，係介由背面絕緣膜23之背面接觸部23a，連接於接觸層21a之一端。該Al焊墊22，係藉由鈍性絕緣膜24、上述鈍性氧化膜33及上述鈍性氮化膜34被大致覆蓋，僅露出其表面部。
於矽磊晶層10之表面側，接觸層21a之另一端，係被連接於設於層間絕緣膜25的配線層接觸部26。該配線層接觸部26，係介由設於絕緣膜層41內的例如銅(Cu)構成之第1層配線27a、Cu構成之第1層導孔28a、Cu構成之第2層配線27b、Cu構成之第2層導孔28b，被連接於Al構成之配線層(或電極層)29。如此則，上述傳送用MOS電晶體TG等所連接之配線層(或電極層)，可介由背面取出電極21被取出至感測器(矽磊晶層10)之背面側。
於配線層29之上方(感測器之表面側)介由絕緣膜層41貼合支撐基板42。
本實施形態之構成時，藉由設為背面照射型構造，不僅可提升CMOS影像感測器之聚光特性，對準標記亦可直接作為背面取出電極21利用，可以達成製程之簡略化之同時，可以形成更微細之對準標記，結果可實現感測器之小型化。
圖2為背面取出電極21之構成例。本實施形態之情況下，於背面取出電極21，藉由具有大略均勻膜厚之薄的氧化膜(SiO2 膜)可以形成絕緣膜21c。
亦即，詳如後述，例如使矽磊晶層10氧化而於接觸孔21b內壁形成由SiO2 膜構成之絕緣膜21c之後，填埋低電阻多晶矽而形成接觸層21a，如此則，可以形成兼作為對準標記的背面取出電極21。因此，不僅單純削減工程數，亦可形成具有大略均勻膜厚、而且薄的絕緣膜21c。因此，和先前說明之文獻1揭示之背面照射型固態攝像元件比較，可以形成更微細之對準標記。
於此，例如假設感測器之使用電壓VDD為3.3V，使接觸層21a與矽磊晶層10之間絕緣用的絕緣膜21c之最小膜厚大略成為5nm(1個對準標記單位之絕緣膜厚，於加工前後約為10nm)。因此，文獻1揭示之背面照射型固態攝像元件時，在考慮挖穿絕緣層的加工精確度(例如15nm)及定位精確度(例如25nm)時，即使同一條件(使用電壓VDD=3.3V，最小膜厚=5nm)下，絕緣層亦需要50nm以上之厚度(加工前，相當於1對準標記)。
以下說明製造上述構成之背面照射型CMOS影像感測器的。又，於此，表示使用SOI基板，形成由多晶矽構成之背面取出電極之例。
首先，例如如圖3所示，準備SOI基板1。SOI基板1，係具有Si基板2，填埋氧化膜3，及矽磊晶層10。
之後，如圖4所示，於矽磊晶層10之表面上沈積氮化矽(SiN)等之阻障(SiN)等之阻障膜4之後，於周邊區域，藉由習知微影成像技術形成貫穿矽磊晶層10到達填埋氧化膜3的接觸孔(貫穿導孔)21b。
之後，如圖5所示，使矽磊晶層10氧化而於接觸孔21b內壁形成由SiO2 膜構成之絕緣膜21c。此時，絕緣膜21c，係使其最小膜厚成為特定值(感測器之使用電壓VDD=3.3V時為5nm)而被控制，形成為具有大略均勻膜厚。之後，介由該絕緣膜21c，於接觸孔21b內填埋低電阻多晶矽而形成接觸層21a，如此則，可以微細地形成兼作為對準標記的背面取出電極21。
之後，如圖6所示，剝離阻障膜4之後，進行氧化工程。
之後，如圖7所示，進行通常之MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)之製造工程，在感測器畫素區域對應之矽磊晶層10，分別形成畫素分離區域31、畫素分離用之STI32、傳送用MOS電晶體TG之讀出閘極G、光二極體部PD(受光部11與累積層12)、及浮置擴散層FD等。如此而形成配置成為矩陣狀的複數個單位格。
之後，如圖8所示，在矽磊晶層10之表面上沈積層間絕緣膜25，形成到達接觸層21a的接觸孔25a。
之後，如圖9所示，在接觸孔25a內填埋鎢(W)，進行CMP(化學機械研磨)工程，形成連接於接觸層21a的配線層接觸部26。
之後，如圖10所示，使用習知技術，形成絕緣膜層41，及連接於配線層接觸部26的第1層配線27a、第1層導孔28a、第2層配線27b、第2層導孔28b及配線層29。
之後，如圖11所示，在平坦化絕緣膜層41之表面上，使用習知工程貼合支撐基板42。
之後，如圖12所示，蝕刻除去Si基板2。
之後，如圖13所示，蝕刻除去填埋氧化膜3之後，蝕刻除去接觸層21a之一部分之同時，蝕刻除去絕緣膜21c之一部分以使接觸層21a之一端突出。
之後，如圖14所示，在矽磊晶層10之背面側沈積背面絕緣膜23。
之後，如圖15所示，蝕刻除去背面絕緣膜23之一部分以使接觸層21a露出，形成背面接觸部23a。
之後，如圖16所示，介由背面接觸部23a，以連接於接觸層21a的方式，在矽磊晶層10之背面側形成Al焊墊22之後，於Al焊墊22上及背面絕緣膜23上沈積鈍性絕緣膜24。
之後，如圖17所示，除去感測器畫素區域對應之鈍性絕緣膜24及背面絕緣膜23。
之後，如圖18所示，以覆蓋露出之感測器畫素區域之矽磊晶層10及周邊區域之鈍性絕緣膜24的方式，沈積鈍性氧化膜33及鈍性氮化膜34。
之後，如圖19所示，針對鈍性絕緣膜24、鈍性氧化膜33及鈍性氮化膜34之一部分設置開口，使Al焊墊22露出該開口部。
最後，以背面取出電極21作為對準標記，於感測器畫素區域對應之矽磊晶層10之背面上，對應於各單位格形成彩色濾光片35及微透鏡36，完成例如圖1所示CMOS影像感測器。
如上述說明，對準標記可以直接利用作為感測器背面側之取出電極(或者感測器背面側之取出電極可以直接利用作為對準標記)。亦即，形成兼作為對準標記的背面取出電極。如此則，形成對準標記的工程與形成背面取出電極的工程可以統一成為1個。可以削減工程數。
而且，依據本實施形態，對準標記可以微細化(形成為窄幅)，背面照射型CMOS影像感測器更能形成為小型化。
(第2實施形態)
圖20為本發明第2實施形態之半導體裝置之構成例。於此說明於背面照射型CMOS影像感測器，可以進一步抑制電極之寄生電阻之情況。另外，和第1實施形態同一之部分附加同一符號並省略詳細說明。
亦即，本實施形態之背面照射型CMOS影像感測器，兼作為對準標記的背面取出電極21，係使用填埋鎢(W)而成的接觸層21a’來構成。接觸層21a’，係例如以鎢來替換構成上述接觸層21a的低電阻多晶矽而形成。
以下說明製造上述構成之背面照射型CMOS影像感測器之方法。又，至蝕刻除去Si基板2為止之工程係和第1實施形態同樣，因此，說明其以後之工程。
首先，至蝕刻除去Si基板2為止之工程之進行狀態(參照圖3～圖12)，係如圖21所示，藉由習知微影成像技術工程，於填埋氧化膜3形成接觸層21a對應之貫穿導孔3a。
之後，如圖22所示，蝕刻除去接觸層21a之低電阻多晶矽。
之後，如圖23所示，介由絕緣膜21c，於接觸孔21b內填埋鎢形成接觸層21a’。如此則可使，具有填埋鎢而成的接觸層21a’之，兼作為對準標記的背面取出電極21被微細化形成。此情況下，接觸層21a’之寄生電阻，係小於接觸層21a。
之後，如圖24所示，蝕刻除去填埋氧化膜3之後，更進一步蝕刻除去接觸層21a’之一部分之同時，以使接觸層21a’之一端突出的方式，蝕刻除去絕緣膜21c之一部分。
之後，如圖25所示，於矽磊晶層10之背面側沈積背面絕緣膜23。
之後，如圖26所示，以使接觸層21a’突出的方式，除去背面絕緣膜23之一部分，形成背面接觸部23a。
之後，如圖27所示，介由背面接觸部23a，以連接接觸層21a的方式，於矽磊晶層10之背面形成Al焊墊22之後，再於Al焊墊22上及背面絕緣膜23上沈積鈍性絕緣膜24。
之後，如圖28所示，除去感測器畫素區域對應之鈍性絕緣膜24及背面絕緣膜23。
之後，如圖29所示，以覆蓋露出之感測器畫素區域之矽磊晶層10及周邊區域之鈍性絕緣膜24的方式，沈積鈍性氧化膜33及鈍性氮化膜34。
之後，如圖30所示，針對鈍性絕緣膜24、鈍性氧化膜33及鈍性氮化膜34之一部分設置開口，使Al焊墊22露出該開口部。
最後，以背面取出電極21作為對準標記，於感測器畫素區域對應之矽磊晶層10之背面上，對應於各單位格形成彩色濾光片35及微透鏡36，完成例如圖20所示CMOS影像感測器。
本實施形態之情況下，除第1實施形態之效果(對準標記可以微細化，背面照射型CMOS影像感測器可以形成更小型化)以外，藉由鎢來替換作為背面取出電極21之接觸層的多晶矽，可以大幅降低背面取出電極21之寄生電阻。
(第3實施形態)
圖31為本發明第3實施形態之半導體裝置之構成例。於此說明於背面照射型CMOS影像感測器，可以進一步抑制電極之寄生電阻之另一例。另外，和第1實施形態同一之部分附加同一符號並省略詳細說明。
亦即，本實施形態之背面照射型CMOS影像感測器，兼作為對準標記的背面取出電極21之接觸層21a”及焊墊22a，係使用銅(Cu)來構成。接觸層21a”及焊墊22a，係例如藉由電場鍍層法同時形成。
以下說明製造上述構成之背面照射型CMOS影像感測器之方法。又，直至在背面絕緣膜23形成背面接觸部23a之工程為止係和第1實施形態同樣，因此，說明其以後之工程。
首先，直至在背面絕緣膜23形成背面接觸部23a之工程之進行狀態(參照圖3～圖15)，係如圖32所示，蝕刻除去接觸層21a之低電阻多晶矽。
之後，如圖33所示，藉由電場鍍層法，於接觸孔21b內填埋Cu形成接觸層21a”之同時，形成焊墊22a。如此則可使具有填埋銅而成的接觸層21a”之，兼作為對準標記的背面取出電極21被微細化形成。此情況下，接觸層21a”之寄生電阻，係較接觸層21a、接觸層21a’更小。
又，形成背面取出電極21之後，再於焊墊22a及背面絕緣膜23上沈積鈍性絕緣膜24。
之後，如圖34所示，除去感測器畫素區域對應之鈍性絕緣膜24及背面絕緣膜23。
之後，如圖35所示，以覆蓋露出之感測器畫素區域之矽磊晶層10及周邊區域之鈍性絕緣膜24的方式，沈積鈍性氧化膜33及鈍性氮化膜34。
之後，如圖36所示，針對鈍性絕緣膜24、鈍性氧化膜33及鈍性氮化膜34之一部分設置開口，使焊墊22a露出該開口部。
最後，以背面取出電極21利用作為對準標記，於感測器畫素區域對應之矽磊晶層10之背面上，對應於各單位格形成彩色濾光片35及微透鏡36，完成例如圖31所示CMOS影像感測器。
本實施形態之情況下，除第1實施形態之效果(對準標記可以微細化，背面照射型CMOS影像感測器可以形成更小型化)以外，藉由Cu來替換作為背面取出電極21之接觸層的多晶矽，可以大幅降低背面取出電極21之寄生電阻。
另外，藉由同時形成背面取出電極21之接觸層21a”與焊墊22a，較上述第2實施形態更能削減工程數。
又，於上述各實施形態中說明背面照射型CMOS影像感測器之例，但不限定於此，例如可以適用於將電極取出至裝置之背面側的構成之各種半導體裝置。
另外，背面取出電極之接觸層之個數及配置等並不限定於此各實施形態之構成。
又，於背面取出電極之接觸層形成時，可以取代鎢改由銅等予以替換(第2實施形態)。
特別是，於第2、第3實施形態中，接觸層之形成，在不替換多晶矽之情況下，使用鎢或銅等來形成亦可，此情況下，可以削減工程數。
以上係依據實施形態具體說明本發明，但本發明並不限定於上述實施形態，在不脫離其要旨情況下可做各種變更實施。
PD．．．光二極體部
FD．．．浮置擴散層
TG．．．傳送用MOS電晶體
10．．．矽磊晶層
11．．．受光部
12．．．累積層
13．．．絕緣膜
21．．．背面取出電極
21a．．．接觸層
21b．．．接觸孔
21c．．．絕緣膜
22．．．Al焊墊
23．．．背面絕緣膜
23a．．．背面接觸部
24．．．鈍性絕緣膜
25．．．層間絕緣膜
26．．．配線層接觸部
27a．．．第1層配線
27b．．．第2層配線
28a．．．第1層導孔
28b．．．第2層導孔
29．．．配線層
31．．．畫素分離區域
32．．．STI
33．．．鈍性氧化膜
34‧‧‧鈍性氮化膜
35‧‧‧彩色濾光片
36‧‧‧微透鏡
41‧‧‧絕緣膜層
42‧‧‧支撐基板
圖1為本發明第1實施形態之半導體裝置(背面照射型之CMOS影像感測器)之構成例斷面圖。
圖2為第1實施形態之背面照射型之CMOS影像感測器的背面取出電極之構成例平面圖。
圖3為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖4為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖5為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖6為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖7為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖8為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖9為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖10為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖11為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖12為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖13為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖14為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖15為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖16為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖17為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖18為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖19為第1實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖20為本發明第2實施形態之半導體裝置(背面照射型之CMOS影像感測器)之構成例斷面圖。
圖21為第2實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖22為第2實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖23為第2實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖24為第2實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖25為第2實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖26為第2實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖27為第2實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖28為第2實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖29為第2實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖30為第2實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖31為本發明第3實施形態之半導體裝置(背面照射型之CMOS影像感測器)之構成例斷面圖。
圖32為第3實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖33為第3實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖34為第3實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖35為第3實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
圖36為第3實施形態之CMOS影像感測器之製造方法說明用的工程斷面圖。
PD．．．光二極體部
FD．．．浮置擴散層
TG．．．傳送用MOS電晶體
10．．．矽磊晶層
11．．．受光部
12．．．累積層
13．．．絕緣膜
21．．．背面取出電極
21a．．．接觸層
21b．．．接觸孔
21c．．．絕緣膜
22．．．Al焊墊
23．．．背面絕緣膜
23a．．．背面接觸部
24．．．鈍性絕緣膜
25．．．層間絕緣膜
26．．．配線層接觸部
27a．．．第1層配線
27b．．．第2層配線
28a．．．第1層導孔
28b．．．第2層導孔
29．．．配線層
31．．．畫素分離區域
32．．．STI
33．．．鈍性氧化膜
34．．．鈍性氮化膜
35．．．彩色濾光片
36．．．微透鏡
41．．．絕緣膜層
42．．．支撐基板

Claims (15)

  1. 一種半導體裝置，其特徵為包含：半導體基板；在貫穿上述半導體基板的貫穿孔內，介由具有均勻膜厚構成的絕緣膜填埋第1導電材料而被形成的，亦作為定位用標記使用的，將電極取出至上述半導體基板背面側用的背面取出電極；及焊墊，設於上述半導體基板之背面，被連接於上述背面取出電極；上述電極，係包含較上述第1導電材料為低電阻的第2導電材料。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中另包含：背面照射型之CMOS影像感測器，其係由以下構成：在上述半導體基板之表面側設置感測器部；及在和上述表面側呈對向的上述半導體基板之上述背面側設置，以上述背面取出電極作為上述定位用標記使用而被形成的透鏡。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中上述電極及上述焊墊，係包含較上述第1導電材料為低電阻的第3導電材料。
  4. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置，其中上述第1導電材料為添加有雜質的多晶矽，第2導電材料為鎢(W)，第3導電材料為銅。
  5. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中另包含：連接於上述電極的接觸部(contact)。
  6. 如申請專利範圍第5項之半導體裝置，其中另包含：電連接於上述接觸部的複數層配線及導孔；及電連接於上述複數層配線及導孔的配線層。
  7. 一種半導體裝置之方法，用於形成背面取出電極，該背面取出電極，係用於將亦作為定位用標記被使用的電極，取出至半導體基板之背面側者；其特徵為包含：於上述半導體基板形成貫穿孔；於上述貫穿孔內壁形成具有均勻膜厚的絕緣膜；及介由上述絕緣膜將第1導電材料填埋於上述貫穿孔內而形成接觸層。
  8. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置之方法，其中另包含：形成上述接觸層之後，形成背面照射型之CMOS影像感測器；該CMOS影像感測器具備：形成於上述半導體基板表面側的感測器部；及於和上述表面側呈對向的上述半導體基板之上述背面側，以上述背面取出電極作為上述定位用標記使用而形成的透鏡。
  9. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置之方法，其中形成上述接觸層，係包含：將填埋於上述貫穿孔內的 上述第1導電材料，以較上述第1導電材料為低電阻的第2導電材料予以替換。
  10. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置之方法，其中形成上述接觸層，係包含：將填埋於上述貫穿孔內的上述第1導電材料，以較上述第1導電材料為低電阻的第2導電材料予以替換；另包含：在上述半導體基板之背面，藉由上述第2導電材料形成連接於上述接觸層的焊墊。
  11. 如申請專利範圍第10項之半導體裝置之方法，其中上述接觸層與上述焊墊為同時形成。
  12. 如申請專利範圍第11項之半導體裝置之方法，其中同時形成上述接觸層及上述焊墊，係包含較上述第1導電材料為低電阻的第3導電材料。
  13. 如申請專利範圍第12項之半導體裝置之方法，其中上述第1導電材料為添加有雜質的多晶矽，第2導電材料為鎢(W)，第3導電材料為銅。
  14. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置之方法，其中另包含：形成電連接於上述接觸層的接觸部。
  15. 如申請專利範圍第14項之半導體裝置之方法，其中另包含：電連接於上述接觸部的複數層配線及導孔；及電連接於上述複數層配線及導孔的配線層。
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