JP2016516305A - 発光素子パッケージ - Google Patents

Abstract

【解決手段】実施例は、互いに高さの違う第１領域及び第２領域を含む回路基板；前記第１領域及び第２領域にそれぞれ配置された発光素子；及び前記それぞれの発光素子上に配置された蛍光体層を含み、前記それぞれの発光素子は水平方向に１００μｍ以内の距離に配置される発光素子パッケージを提供する。【選択図】 図４ａ

Description

実施例は発光素子パッケージに関するものである。

ＧａＮ、ＡｌＧａＮなどの３〜５族化合物半導体は広くて調整の容易なバンドギャップエネルギーを持つなどの多くの利点のため、光電子工学分野（ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）と電子素子などに広く使われる。

特に、半導体の３〜５族又は２〜６族化合物半導体物質を用いた発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）やレーザーダイオードのような発光素子は薄膜成長技術及び素子材料の開発によって赤色、緑色、青色及び紫外線などの多様な色を具現することができ、蛍光物質を用いること又は色を組み合わせることで効率の良い白色光線も具現することができ、蛍光灯、白熱灯などの既存の光源に比べ、低消費電力、半永久的な寿命、早い応答速度、安全性、環境に優しい特性の利点を持つ。

したがって、光通信手段の送信モジュール、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）表示装置のバックライトを構成する冷陰極蛍光ランプ（ＣＣＦＬ：Ｃｏｌｄ Ｃａｔｈｏｄｅ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ Ｌａｍｐ）を取り替える発光ダイオードバックライト、蛍光灯や白熱電球を取り替えることができる白色発光ダイオード照明装置、自動車のヘッドランプ及び信号灯にまで応用が拡大されている。

照明装置や自動車ヘッドランプには単一ユニット内に複数の発光素子パッケージが配置された発光素子パッケージを使うことができ、それぞれの発光素子はワイヤボンディングなどの方法で電流を受けることができる。

図１は発光素子パッケージの配列を示した図である。

複数の発光素子１００が横に四つ縦に二つ配列されており、それぞれの発光素子１００はワイヤ１１０、１１５でボンディングされている。隣り合う発光素子１００は横方向及び縦方向にそれぞれｄ_１とｄ_２だけ離隔しているが、前述した隣り合う発光素子１００の間の離隔距離がｄ_１とｄ_２より大きければ暗部が発生することがある。

図２は３列の発光素子パッケージの暗部の形成を示した図である。

複数の発光素子１００、１００’が横に四つ縦に三つ配列されており、それぞれの発光素子１００、１００’はワイヤ１１０、１１５にボンディングされている。隣り合う発光素子１００を横方向及び縦方向にそれぞれｄ_１とｄ_２だけ離隔させることで暗部が発生しないように配列するとき、内部に配置された発光素子１００’のワイヤボンディングに必要な空間の確保が難しい。

すなわち、発光素子を３列以上に配置するとき、外部の領域と隣り合わないように配置された発光素子のワイヤボンディングのための空間が必要であり、前述した空間は発光素子パッケージ全体にわたって暗部として現れることがある。

実施例は、自動車ヘッドランプなどの光源として使われる発光素子パッケージにおいて暗部の発生なしに面光源を具現しようとする。

実施例は、第１領域と前記第１領域より高い第２領域とを含み、前記第２領域は前記第１領域を挟んで向かい合う第２−１領域及び第２−２領域を含む回路基板；前記第１領域及び第２領域にそれぞれ少なくとも一つずつ配置された発光素子；及び前記それぞれの発光素子上に配置された蛍光体層を含み、前記それぞれの発光素子は水平方向に１００μｍ以内の距離に配置される発光素子パッケージを提供する。

前記回路基板は、前記第１領域の第２回路基板と前記第２領域の第２回路基板が接触して配置されることができる。

前記第２領域の高さが前記第１領域の高さより高いことができる。前記第１領域内に２列の発光素子が配置され、前記２列の発光素子は互いに５０μｍ〜１００μｍだけ離隔されることができる。

隣り合って配置される前記第１領域内の発光素子と前記第２領域内の発光素子は０より大きくて１００μｍより小さい水平方向の距離を置いて配置されることができる。

前記第１領域に１列〜２列の発光素子が配置され、前記第２−１領域と第２−２領域にそれぞれ１列の発光素子が配置されることができる。

前記第１領域の底面と前記第２領域の底面の高低差は１６０μｍ〜５ｍｍであってもよい。

前記それぞれの発光素子の高さは９０μｍ〜１００μｍであってもよく、前記蛍光体層の高さは５０μｍ〜６０μｍであってもよい。

前記第１領域に配置された発光素子の出力は前記第２領域に配置された発光素子の出力より高いこともできる。

前記回路基板は前記第２領域より高く配置された第３領域をさらに含み、前記第３領域は前記第２領域を挟んで向かい合う第３−１領域及び第３−２領域を含み、前記第３−１領域と第３−２領域にそれぞれ少なくとも一つの発光素子が配置されることができる。

前記第３領域の発光素子は前記第２領域の発光素子から水平方向に１００μｍ以内の距離に配置されることができる。

隣り合って配置される前記第２領域内の発光素子と前記第３領域内の発光素子は０より大きくて１００μｍより小さい水平方向の距離を置いて配置されることができる。

前記第２領域の底面と前記第３領域の底面の高低差は１６０μｍ〜５ｍｍであってもよい。

前記第２領域に配置された発光素子の出力は前記第３領域に配置された発光素子の出力より高いこともできる。

他の実施例は、互いに高さの違う少なくとも二つの領域を含む回路基板；前記少なくとも二つの領域にそれぞれ少なくとも一つが配置された発光素子；及び前記それぞれの発光素子上に配置された蛍光体層を含み、前記それぞれの発光素子は水平方向に１００μｍ以内の距離に配置されることができる。

前記回路基板は、第１領域と、前記第１領域より高い第２領域と、前記第２領域より高い第３領域を含み、前記第１領域、第２領域及び第３領域にそれぞれ発光素子が配置されることができる。

前記第１領域と第２領域の高低差は、前記第２領域と前記第３領域の高低差と同一であってもよい。

前記第２領域は前記第１領域を挟んで向かい合う一対が対称状に配置されることができる。

前記一対の第２領域上にそれぞれ配置された発光素子は、前記第１領域を挟んで対称状に配置されることができる。

前記第３領域は前記第１領域を挟んで向かい合う一対が対称状に配置され、前記一対の第３領域上にそれぞれ配置された発光素子は前記第１領域を挟んで対称状に配置されることができる。

この実施例による発光素子パッケージは、内部に発光素子アレイが隣り合って配置されて面光源を具現することができ、それぞれの発光素子が並列で連結されれば、単一発光素子パッケージ内で一部の発光素子にだけ電流が供給されるローカルディミング（ｌｏｃａｌ ｄｉｍｍｉｎｇ）を具現することもできる。このような配置は、発光素子パッケージがヘッドランプに備えられるとき、面光源が具現されることができ、ヘッドランプにおいて一部の領域のみが点灯して多様な信号を具現することができる。

発光素子パッケージの配列を示した図である。 ３列の発光素子パッケージの暗部形成を示した図である。 発光素子の一実施例を示した図である。 発光素子パッケージの第１実施例の断面図である。 発光素子パッケージの第２実施例の断面図である。 図４ａの発光素子パッケージ内の発光素子の配置を示した図である。 図４ａの発光素子パッケージ内の発光素子の配置を示した図である。 図４ｂの発光素子パッケージ内の発光素子の配置を示した図である。 発光素子パッケージの第３実施例の断面図である。 発光素子パッケージの第４実施例の断面図である。 図５ａの発光素子パッケージ内の暗部の減少を示した図である。 図５ｂの発光素子パッケージ内の暗部の減少を示した図である。 図６の発光素子パッケージ内の暗部の減少を示した図である。 図７ａの発光素子パッケージ内の暗部の減少を示した図である。 図７ｂの発光素子パッケージ内の暗部の減少を示した図である。 実施例による車両用ランプユニットを示す分解構成図である。 実施例による車両用ランプユニットを示す分解構成図である。 実施例による車両用ランプユニットを示す分解構成図である。 実施例によるランプユニットを含む車両用尾灯を示す図である。

以下、前記の目的を具体的に実現することができる本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。

本発明の実施例の説明において、各要素（ｅｌｅｍｅｎｔ）の“上又は下（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）”に形成されるものとして記載される場合、上又は下（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）は二つの要素（ｅｌｅｍｅｎｔ）が互いに直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触する或いは一つ以上の他の要素（ｅｌｅｍｅｎｔ）が前記二つの要素（ｅｌｅｍｅｎｔ）の間に配置されて（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）形成されるものを全て含む。また“上又は下（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）”として表現される場合、一つの要素（ｅｌｅｍｅｎｔ）を基準に上方のみでなく下方の意味も含むことができる。

図３は発光素子の一実施例の図である。

この実施例による発光素子１００は以下の発光素子パッケージ内のすべての発光素子に適用可能であり、図示の垂直型の発光素子の外に水平型の発光素子が適用されることもできる。

発光素子１００内の発光構造物２０は、第１導電型半導体層２２、活性層２４及び第２導電型半導体層２６を含んでなる。

第１導電型半導体層２２はＩＩＩ〜Ｖ族、ＩＩ〜ＶＩ族などの化合物半導体から具現されることができ、第１導電型ドーパントがドープされることができる。例えば、第１導電型半導体層２２は、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を持つ半導体物質、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、及びＡｌＧａＩｎＰのいずれか１種以上から形成できる。

第１導電型半導体層２２がｎ型半導体層の場合、第１導電型ドーパントはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのようなｎ型ドーパントを含むことができる。第１導電型半導体層２２は単層又は多層からなることができるが、これに限定されない。

発光素子１００が紫外線（ＵＶ）、深紫外線（Ｄｅｅｐ ＵＶ）又は非分極性発光素子の場合、第１導電型半導体層２２はＩｎＡｌＧａＮ及びＡｌＧａＮの少なくとも１種を含むことができる。

活性層２４は第１導電型半導体層２２と第２導電型半導体層２６の間に配置され、単一井戸構造、多重井戸構造、単一量子井戸構造、多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造、量子点構造又は量子線構造のいずれか一つを含むことができる。

活性層２４はＩＩＩ〜Ｖ族元素の化合物半導体材料を用いて井戸層と障壁層、例えばＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＡｓ（ＩｎＧａＡｓ）／ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ（ＩｎＧａＰ）／ＡｌＧａＰのいずれか１種以上のペア構造に形成できるが、これに限定されない。井戸層は障壁層のエネルギーバンドギャップより小さなエネルギーバンドギャップを持つ物質から形成されることができる。

第２導電型半導体層２６は半導体化合物から形成できる。第２導電型半導体層２６はＩＩＩ〜Ｖ族、ＩＩ〜ＶＩ族などの化合物半導体から具現でき、第２導電型ドーパントがドープされることができる。第２導電型半導体層２６は、例えばＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を持つ半導体物質、ＡｌＧａＮ、ＧａＮＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのいずれか１種以上からなることができる。

第２導電型半導体層２６がｐ型半導体層の場合、第２導電型ドーパントはＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントであることができる。第２導電型半導体層２６は単層又は多層に形成できるが、これに限定されない。発光素子１００が紫外線（ＵＶ）、深紫外線（Ｄｅｅｐ ＵＶ）又は非分極性発光素子の場合、第２導電型半導体層２６はＩｎＡｌＧａＮ及びＡｌＧａＮの中で少なくとも１種を含むことができる。

第１導電型半導体層２２の表面に凹凸構造が形成されて発光素子１００の光抽出効率を向上させることができ、第１導電型半導体層２２上に第１電極７０を配置できる。第１電極７０は導電性物質、例えば金属から形成されることができ、より詳しくはＡｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ及びこれらの選択的な組合せからなることができ、単層又は多層構造に形成されることができる。

発光構造物２０、特に第２導電型半導体層２６は、オーミック層３０、反射層４０、接合層５０及び導電性支持基板６０上に配置されることができ、オーミック層３０、反射層４０、接合層５０及び導電性支持基板６０が第２電極として作用することができる。

オーミック層３０は約２００Åの厚さを持つことができる。オーミック層３０は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯＮ（ＩＺＯ Ｎｉｔｒｉｄｅ）、ＡＧＺＯ（Ａｌ−Ｇａ ＺｎＯ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ ＺｎＯ）、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、及びＨｆの中で少なくとも１種を含んでなることができるが、このような材料に限定されない。

反射層４０は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、或いはＡｌ、Ａｇ、Ｐｔ又はＲｈを含む合金を含む金属層からなることができる。アルミニウムや銀などは活性層２４から発生した光を効果的に反射して発光素子の光抽出効率を格段に改善することができる。

導電性支持基板（ｍｅｔａｌ ｓｕｐｐｏｒｔ）６０は電気伝導度に優れた金属を使うことができ、発光作動時に発生する熱を充分に発散させることができなければならないので、熱伝導度の高い金属を使うことができる。

導電性支持基板６０は金属又は半導体物質などから形成できる。また、電気伝導性と熱伝導性が高い物質から形成できる。例えば、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択される物質又はこれらの合金からなることができ、さらに金（Ａｕ）、銅合金（Ｃｕ Ａｌｌｏｙ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）、キャリアウェハー（例えば、ＧａＮ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、Ｇａ_２Ｏ_３など）などを選択的に含むことができる。

前記導電性支持基板６０は窒化物半導体全体に撓みを引き起こさなく、スクライビング（ｓｃｒｉｂｉｎｇ）工程及びブレーキング（ｂｒｅａｋｉｎｇ）工程によって別個のチップにうまく分離させるための程度の機械的強度を持つことができる。

接合層５０は反射層４０と導電性支持基板６０を結合し、金（Ａｕ）、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択される物質又はこれらの合金から形成することができる。

オーミック層３０と反射層４０はスポットタリング法や電子ビーム蒸着法によって形成でき、導電性支持基板６０は電気化学的な金属蒸着法や共晶（Ｅｕｔｅｃｔｉｃ）金属を用いたボンディング法などで形成するか、或いは別の方法で接合層５０を形成することができる。

発光構造物２０の周囲にはパッシベーション層８０を配置できる。パッシベーション層８０は絶縁物質からなることができ、絶縁物質は非伝導性の酸化物や窒化物からなることができる。一例として、パッシベーション層８０はシリコン酸化物（ＳｉＯ_２）層、酸化窒化物層、酸化アルミニウム層からなることができる。

図４ａ及び図４ｂは発光素子パッケージの第１実施例及び第２実施例の断面図である。

図４ａに示した発光素子パッケージ２００ａは、回路基板が互いに高さの違う第１領域ａと第２領域ｂ_１、ｂ_２を含み、第１領域ａと第２領域ｂ_１、ｂ_２にそれぞれ発光素子１００ａ、１００ｂアレイが互いに異なる高さに配置されている。第１領域ａは第１回路基板２１０の表面であり、第２領域ｂ_１、ｂ_２は第２回路基板２１５の表面であることができる。

第１回路基板２１０は結合層２１２を介して第２回路基板２１５と接触結合され、第１回路基板２１０の一部がキャビティを成し、前記キャビティの底面が第１領域ａであることができる。

図示の構造の発光素子パッケージ２００ａは、第１領域ａの二つの発光素子１００ａアレイと第２領域ｂ_１、ｂ_２の二つの発光素子１００ｂアレイが互いに高さを異にして配置されるので、特に第１領域ａの二つの発光素子１００ａアレイがワイヤボンディングされる空間が確保され、それぞれの発光素子１００ａ、１００ｂアレイ間の距離を減らすことができ、暗部の発生を防ぐことができる。

この断面図には四つの発光素子１００ａ、１００ｂアレイが示されているが、図８ａで後述するように、他の方向（例えば、縦方向）にも複数の発光素子を配置できる。ワイヤボンディングが図４ａに示した方向（例えば、横方向）にだけなされるので、他の方向にはワイヤボンディング領域を別に確保しないこともできる。

図４ｂに示した発光素子パッケージ２００ｂは図４ａに示した構造に似ているが、第１領域ａに単一発光素子１００ａのみが示されている。すなわち、この実施例による発光素子パッケージ２００ｂは、三つの発光素子１００ａ、１００ｂアレイが一方向（例えば、横方向）に示された点で図４ａに示した実施例と違っている。

図５ａ及び図５ｂは図４ａの発光素子パッケージ内の発光素子の配置を示した図である。

図５ａにおいて、発光素子パッケージ２００ａは第１回路基板２１０と第２回路基板２１５が結合層２１２を介して結合されており、第１回路基板２１０と第２回路基板２１５はプリント基板（ＰＣＢ、Ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）、メタルＰＣＢ又はフレキシブルＰＣＢなどであることができ、結合層２１２は導電性又は非導電性接着剤であることができる。

第１回路基板２１０にはキャビティが形成されている。キャビティの底面が第１領域ａを成し、第１領域ａに発光素子１００ａアレイが二つ配置されている。図５ａは断面図であるが、実際に発光素子１００ａアレイの配置は図８ａに示したように横に二つ、縦に四つ又はそれ以上であることができる。

発光素子１００ａアレイは前述したキャビティの底面、つまり第１領域ａに一対が配置され、それぞれの発光素子１００ａ上には蛍光体層１５０ａがコンフォーマルコーティング方式で配置されている。この実施例において、発光素子１００ａがワイヤ１６０ａでボンディングされており、発光素子１００ａ上の第１−１ボンディングパッド１９０ａが第１回路基板２１０上の第２−１ボンディングパッド２１０ａにワイヤ１６０ａで連結されている。

蛍光体層１５０ａの一部は開放されることで、第１−１ボンディングパッド１９０ａが配置されるとともにワイヤ１６０ａがボンディングされる空間を確保し、蛍光体層１５０ａは発光素子１００ａの上面の外に側面にも配置できる。

第２回路基板２１５は前述したキャビティを挟んで向かい合い、一対が配置されることができる。向かい合う一対の第２回路基板２１５の表面は第２領域と言える。第２領域は第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２が向かい合って配置されている。第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２を含む第２領域の高さは第１領域ａの高さより高い。

第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２に配置された発光素子１００ｂアレイの構造は第１領域ａに示した発光素子１００ａアレイの構造と同様である。すなわち、発光素子１００ｂアレイは第２回路基板２１５の表面、つまり第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２に配置され、それぞれの発光素子１００ｂ上には蛍光体層１５０ｂがコンフォーマルコーティング方式で配置されている。発光素子１００ｂ上の第１−２ボンディングパッド１９０ｂが第２回路基板２１５上の第２−２ボンディングパッド２１５ａにワイヤ１６０ｂで連結されている。

蛍光体層１５０ｂの一部は開放されることで、第１−２ボンディングパッド１９０ｂが配置されるとともにワイヤ１６０ｂがボンディングされる空間を確保し、蛍光体層１５０ｂは発光素子１００ｂの上面の外に側面にも配置できる。

第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２に配置された発光素子１００ｂアレイはそれぞれ第１領域ａの反対方向、つまり図５ａにおいて外側方向にワイヤ１６０ｂがボンディングされるので、第１領域ａ上の発光素子１００ａアレイと水平方向に隣接して配置できる。

第１回路基板２１０と第２回路基板２１５が互いに高さを異にしないで配置されれば、第１領域ａの発光素子１００ａがワイヤ１６０ａでボンディングされる第２−１ボンディングパッド２１０ａが隣接した発光素子１００ｂに近接して配置されるため、製造工程中にワイヤボンディングが難しくなることがある。しかし、図５ａに示した構造は、第１回路基板２１０にキャビティを形成し、発光素子１００ａアレイを配置し、ワイヤ１６０ａボンディング工程の後に第２回路基板２１５を配置することができる。

発光素子１００ａ、１００ｂの高さ（ｈ_１）は９０μｍ〜１００μｍであることができ、蛍光体層１５０ａの高さ（ｈ_２）は５０μｍ〜６０μｍであることができ、ワイヤ１６０ａの高さ（ｈ_３）は１６０μｍ前後であることができ、前述した発光素子１００ａ、１００ｂの高さ（ｈ_１）や蛍光体層１５０ａの高さ（ｈ_２）と類似することができ、前述した高さ（ｈ_１、ｈ_２、ｈ_３）はいずれも第１回路基板２１０のキャビティの底面からの高さである。

キャビティの深み（ｈ_４）は第１領域ａ上の発光素子１００ａと第２領域上の発光素子１００ｂの高低差であることができ、１６０μｍ〜５ｍｍであることができる。キャビティの深み（ｈ_４）があまりに小さければ、ワイヤ１６０ａが上部の第２回路基板２１５などの形成工程で損傷されることがあり、キャビティの深み（ｈ_４）があまりに大きければ、第１領域ａ上の発光素子１００ａと第２領域上の発光素子１００ｂの輝度や指向角による照明装置やヘッドランプの輝度不均一が発生することがある。

それぞれの発光素子１００ａ、１００ｂは水平方向に互いに１００μｍ以内の距離に配置されるときに暗部の発生を防止することができる。第１領域ａ内に配置された一対の発光素子１００ａは互いに５０μｍ〜１００μｍの距離（ｄ_３）だけ離隔して配置できる。第１領域ａ内に配置された一対の発光素子１００ａの間の離隔距離（ｄ_３）が５０μｍより小さければ、製造工程で一対の発光素子１００ａの実装などが難しくなることがあり、１００μｍより大きければ、一対の発光素子１００ａ、１００ｂの間で暗部が発生することがある。

前述した離隔距離の確保のために、第１領域ａに配置された発光素子１００ａアレイは図５ａにおいて外方にワイヤボンディングされている。すなわち、第１領域ａに配置された一対の発光素子１００ａアレイはそれぞれ隣接した第２領域に配置された発光素子１００ｂアレイの方向にワイヤボンディングされている。

隣り合って配置される第１領域ａの発光素子１００ａと第２−１領域ｂ_１又は第２−２領域ｂ_２の発光素子１００ｂの間の離隔距離（ｄ_４）は水平方向に互いに５０μｍ〜１００μｍ以内の距離に配置できる。離隔距離（ｄ_４）が５０μｍより小さければ、ワイヤ１６０ａをボンディングする空間が足りないことがあり、１００μｍより大きければ、一対の発光素子１００ａ、１００ｂの間で暗部が発生することがある。前述した離隔距離ｄ_３又はｄ_４は水平方向の離隔距離を意味する。すなわち、ｄ_４は、発光素子１００ａ、１００ｂが同一平面上に配置された場合、水平方向に離隔した距離を意味する。

図５ｂに示した発光素子パッケージ２００ａは図５ａの発光素子パッケージ２００ａと類似しているが、第２領域、つまり第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２に配置された発光素子１００ｂアレイの一部が第１領域ａの底面と向かい合って配置されている。すなわち、一対の発光素子１００ｂが図５ａに比べて第１回路基板２１０上のキャビティの内部に一部突出して配置されており、第２回路基板２１５も第１回路基板２１０上のキャビティの内部に一部突出して配置されるので、一対の発光素子１００ｂは第１領域ａの底面と直接向かい合って配置されないことができる。

この構造による発光素子パッケージ２００ａにおいて、第１領域ａの発光素子１００ａと第２−１領域ｂ_１又は第２−２領域ｂ_２の発光素子１００ｂの間の水平方向の離隔距離は１００μｍ以内であるだけでなく、図示のようにゼロ（ｚｅｒｏ）を成すこともできる。図５ｂにおいて、第１領域ａの発光素子１００ａと第２−１領域ｂ_１又は第２−２領域ｂ_２の発光素子１００ｂの縁部が一致するものはそれぞれの活性層の縁部が一致することができる。

図６は図４ｂの発光素子パッケージ内の発光素子の配置を示した図である。

この実施例による発光素子パッケージ２００ｂは図５ｂに示した実施例と類似しているが、第１領域ａ上に単一発光素子１００ａのみが配置された点で違っている。よって、一対の発光素子１００ｂが第１回路基板２１０上のキャビティの内部に一部突出して配置されており、第２回路基板２１５も第１回路基板２１０上のキャビティの内部に一部突出して配置されるので、一対の発光素子１００ｂは第１領域ａの底面と直接向かい合って配置されないことができる。

この構造による発光素子パッケージ２００ａにおいて、第１領域ａの発光素子１００ａの両側縁部と第２−１領域ｂ_１及び第２−２領域ｂ_２の発光素子１００ｂの間の水平方向の離隔距離は、図示のようにゼロ（ｚｅｒｏ）を成すことができる。そして、図６に示した実施例において、第２−１領域ｂ_１及び第２−２領域ｂ_２の発光素子１００ｂがキャビティの方向に突出しない場合、第１領域ａの発光素子１００ａの両側縁部と第２−１領域ｂ_１及び第２−２領域ｂ_２の発光素子１００ｂの間の水平方向の離隔距離は１００μｍ以内であることができる。

図示しなかったが、発光素子１００ａと第２−１領域ｂ_１及び第２−２領域ｂ_２の間の水平方向の離隔距離は図５ａなどに示した距離（ｄ_４）と同一であることができる。

前述した実施例と後述する実施例において、発光素子が互いに高さを異にして配置されるので、第１領域に配置された発光素子の出力は第２領域に配置された発光素子の出力より大きくなることができ、三つ以上の高さの異なる領域を含む場合、高さが低い領域に配置された発光素子であればあるほど出力が高くなることができる。

前述した実施例において、一対の第２領域、つまり第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２は第１領域ａを挟んで向かい合って対称を成し、第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２上に配置された発光素子１６０ｂは第１領域ａを挟んで対称状に配置されている。

後述する実施例においては、一対の第３領域、つまり第３−１領域ｃ_１と第３−２領域ｃ_２は第１領域ａを挟んで向かい合って対称を成し、第３−１領域ｃ_１と第３−２領域ｃ_２上に配置された発光素子１６０ｃは第１領域ａを挟んで対称状に配置されている。

図７ａ及び図７ｂは発光素子パッケージの第３実施例及び第４実施例の断面図で、回路基板が互いに高さを異にする三つの領域に配置される実施例である。

図７ａに示した発光素子パッケージ２００ｃは、回路基板が第１回路基板２１０と第２回路基板２１５の外に第３回路基板２２５を含み、第１回路基板２１０と第２回路基板２１５は結合層２１２を介して結合され、第２回路基板２１５と第３回路基板２２５も結合層２２２を介して結合できる。

第１回路基板２１０の内部にはキャビティが形成され、キャビティの底面が第１領域ａを成し、第１領域ａ上に一対の発光素子１００ａが配置される。発光素子１００ａの構成及び配置などは図５ａに示した実施例と同様である。

第２回路基板２１５は第１回路基板２１０内のキャビティを挟んで一対が配置され、それぞれの第２回路基板２１５は段差構造を持つ。前記段差構造は、第１領域ａ方向の高さが縁部方向の高さより低く、前述した高さが低い領域に発光素子１００ｂアレイが配置されている。発光素子１００ｂアレイが配置される第２回路基板２１５上の領域を第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２とそれぞれ呼ぶことができる。第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２上に配置された一対の発光素子１００ｂの構成及び配置などは図５ａに示した実施例と同様である。

第３−１領域ｃ_１と第２−１領域ｂ_１の高低差（ｈ_４）は、図５ａにおいて第１領域ａ上の発光素子１００ａと第２領域上の発光素子１００ｂの高低差（ｈ_４）と同様に１６０μｍ〜５ｍｍであることができる。第２回路の高さ（ｈ_４）があまりに小さければ、ワイヤ１６０ｂが上部の第３回路基板２２５などの形成工程で損傷されることがあり、第２回路の高さ（ｈ_４）があまりに大きければ、第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２上の発光素子１００ｂと第３領域上の発光素子１００ｃの輝度や指向角による照明装置やヘッドランプの輝度不均一が発生することがある。

第３回路基板２２５は第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２を挟んで向かい合って一対が配置されることができ、向かい合う一対の第３回路基板２２５の表面を第３領域と言える。第３領域は第３−１領域ｃ_１と第３−２領域ｃ_２が向かい合って配置されている。第３−１領域ｃ_１と第３−２領域ｃ_２を含む第３領域の高さは、第１領域ａ、第２−１領域ｂ_１及び第２−２領域ｂ_２の高さより高い。

第３−１領域ｃ_１と第３−２領域ｃ_２に配置された発光素子１００ｃアレイの構造は第１領域ａなどに示した発光素子１００ａアレイの構造と同様である。すなわち、発光素子１００ｃアレイは第３回路基板２２５の表面、つまり第３−１領域ｃ_１と第３−２領域ｃ_２に配置され、それぞれの発光素子１００ｃ上には蛍光体層１５０ｃがコンフォーマルコーティング方式で配置されている。発光素子１００ｃ上の第１−３ボンディングパッド１９０ｃが第３回路基板２２５上の第２−３ボンディングパッド２２５ａにワイヤ１６０ｃで連結されている。

蛍光体層１５０ｃの一部は開放されることで、第１−３ボンディングパッド１９０ｃが配置されるとともにワイヤ１６０ｃがボンディングされる空間を確保し、蛍光体層１５０ｃは発光素子１００ｃの上面の外に側面にも配置できる。

第３−１領域ｃ_１と第３−２領域ｃ_２に配置された発光素子１００ｃアレイはそれぞれ第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２の反対方向、つまり図７ａにおいて外側方向にワイヤ１６０ｃがボンディングされるので、第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２上の発光素子１００ｂアレイと水平方向に隣接して配置できる。

図７ａにおいて隣り合って配置される第２−１領域ｂ_１又は第２−２領域ｂ_２の発光素子１００ｂと、それぞれ第３−１領域ｃ_１と第３−２領域ｃ_２に配置された発光素子１００ｃの間の水平方向の離隔距離（ｄ_５）は５０μｍ〜１００μｍ以内の距離となることができる。離隔距離（ｄ_５）が５０μｍより小さければ、ワイヤ１６０ｂをボンディングする空間が足りないことがあり、１００μｍより大きければ、一対の発光素子１００ｂ、１００ｂの間で暗部が発生することがある。

前述した水平方向の離隔距離（ｄ_５）が５０μｍ〜１００μｍだけ確保された第２−１領域ｂ_１又は第２−２領域ｂ_２に発光素子１００ｂがワイヤボンディングされている。

第３−１領域ｃ_１と第３−２領域ｃ_２に配置された発光素子１００ｃアレイはそれぞれ第２−１領域ｂ_１又は第２−２領域ｂ_２の反対方向、つまり図７ａにおいて外側方向にワイヤ１６０ｃでボンディングされるので、第２−１領域ｂ_１又は第２−２領域ｂ_２上の発光素子１００ｂアレイと水平方向に隣接して配置できる。

図７ｂに示した発光素子パッケージ２００ａは図７ａの発光素子パッケージ２００ａと類似しているが、第１領域ａに単一発光素子１００ａが配置され、第２領域、つまり第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２に配置された発光素子１００ｂアレイの一部が第１領域ａの底面と向かい合って配置され、第３領域、つまり第３−１領域ｃ_１と第３−２領域ｃ_２に配置された発光素子１００ｃアレイの一部が第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２の底面と向かい合って配置されている。

すなわち、一対の発光素子１００ｂが図７ａに比べて第１回路基板２１０上のキャビティの内部に一部突出して配置され、第２回路基板２１５も第１回路基板２１０上のキャビティの内部に一部突出して配置されるので、一対の発光素子１００ｂは第１領域ａの底面と直接向かい合って配置されないこともできる。また、一対の発光素子１００ｃが図７ａに比べて第２回路基板２１５上のキャビティの内部に一部突出して配置され、第３回路基板２１５も第２回路基板２１５上のキャビティの内部に一部突出して配置されるので、一対の発光素子１００ｃは第２−１領域ｂ_１と第２−２領域ｂ_２の底面と直接向かい合って配置されないこともできる。

この構造による発光素子パッケージ２００ｄにおいて、第１領域ａの発光素子１００ａと第２−１領域ｂ_１又は第２−２領域ｂ_２の発光素子１００ｂの間の水平方向の離隔距離は１００μｍ以内であるだけでなく、図示のようにゼロ（ｚｅｒｏ）を成すこともできる。また、第２−１領域ｂ_１又は第２−２領域ｂ_２の発光素子１００ｂと第３−１領域ｃ_１又は第３−２領域ｃ_２の発光素子１００ｃの間の水平方向の離隔距離は１００μｍ以内であるだけでなく、図示のようにゼロ（ｚｅｒｏ）を成すこともできる。

また、この実施例において、第１領域ａ上に単一発光素子１００ａのみが配置され、第１領域ａの発光素子１００ａの両側縁部と第２−１領域ｂ_１及び第２−２領域ｂ_２の発光素子１００ｂの間の水平方向の離隔距離は、図示のようにゼロ（ｚｅｒｏ）を成すことができる。

図７ａ及び図７ｂにおいて、発光素子が三つの互いに高さの違う領域に配置されており、第３回路発光素子１００ｃの構造をより上側に付け加えれば四つ以上の相異なる高さに配置される発光素子パッケージを具現することもできる。

図８ａ〜図８ｅは図５ａ〜図７ｂの発光素子パッケージ内の暗部の減少を示した図である。

図８ａに示した発光素子パッケージは図５ａの平面図で、発光素子とその間隔のみを概略的に示している。第１領域上の発光素子１００ａの間の横方向の距離は５０μｍ〜１００μｍであり、第１領域上の発光素子１００ａと隣接した第２領域上の発光素子１００ｂの間の横方向の距離も５０μｍ〜１００μｍである。他の方向、つまり図８ａにおいて縦方向間のそれぞれの発光素子１００ａ、１００ｂの間の距離は、ワイヤボンディングが前述した横方向になされるので、別の制限を受けないことができる。

図８ｂに示した発光素子パッケージは図５ｂの平面図で、発光素子とその間隔のみを概略的に示している。第１領域上の発光素子１００ａの間の横方向の距離は５０μｍ〜１００μｍで、第１領域上の発光素子１００ａと隣接した第２領域上の発光素子１００ｂの間の横方向の距離もゼロである。他の方向、つまり図８ｂにおいて、縦方向間のそれぞれの発光素子１００ａ、１００ｂの間の距離は、ワイヤボンディングが前述した横方向になされるので、別の制限を受けないことができる。

図８ｃに示した発光素子パッケージは図６の平面図で、発光素子とその間隔のみを概略的に示している。第１領域上に単一発光素子１００ａが配置され、第１領域上の発光素子１００ａと隣接した第２領域上の発光素子１００ｂの間の横方向の距離はゼロである。他の方向、つまり図８ｃにおいて、縦方向間のそれぞれの発光素子１００ａ、１００ｂの間の距離は、ワイヤボンディングが前述した横方向になされるので、別の制限を受けないことができる。

図８ｄに示した発光素子パッケージは図７ａの平面図で、発光素子とその間隔のみを概略的に示している。第１領域上の発光素子１００ａの間の横方向の距離は５０μｍ〜１００μｍで、第１領域上の発光素子１００ａと隣接した第２領域上の発光素子１００ｂの間の横方向の距離も５０μｍ〜１００μｍであり、第２領域上の発光素子１００ｂと隣接した第３領域上の発光素子１００ｃの間の横方向の距離も５０μｍ〜１００μｍである。他の方向、つまり図８ａにおいて、縦方向間のそれぞれの発光素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃの間の距離は、ワイヤボンディングが前述した横方向になされるので、別の制限を受けないことができる。

図８ｅに示した発光素子パッケージは図７ｂの平面図で、発光素子とその間隔のみを概略的に示している。第１領域上に単一発光素子１００ａが配置され、第１領域上の発光素子１００ａと隣接した第２領域上の発光素子１００ｂの間の横方向の距離はゼロであり、第２領域上の発光素子１００ｂと隣接した第３領域上の発光素子１００ｃの間の横方向の距離もゼロである。

図８ｂ、図８ｃ及び図８ｅにおいて、横方向に二つの発光素子、三つの発光素子又は五つの発光素子が互いに隣り合って配置されることにより、面光源が配置されたような効果を具現することができる。

前述した発光素子パッケージ内で発光素子アレイが互いに隣り合って配置されることで面光源を具現することができ、それぞれの発光素子が並列で連結されれば、単一発光素子パッケージ内で一部発光素子にだけ電流が供給されるローカルディミング（ｌｏｃａｌ ｄｉｍｍｉｎｇ）を具現することもできる。このような配置は、発光素子パッケージがヘッドランプに備えられるとき、面光源が具現でき、ヘッドランプの一部領域のみが点灯して多様な信号を具現することができる。

図９ａ〜図９ｃは実施例による車両用ランプユニットを示す分解構成図である。

図９ａ〜図９ｃに示したように、複数の発光素子１００が配置されたベースプレート（ｂａｓｅ ｐｌａｔｅ）４００、スペーサー（ｓｐａｃｅｒ）７００、及び光学部材（ｏｐｔｉｃａｌ ｍｅｍｂｅｒ）６００を含むことができる。

ここで、発光素子１００はベースプレート４００上に配置できる。ベースプレート４００は、発光素子１００を電気的に連結する電極パターンを含むことができる。発光素子１００は前述した発光素子パッケージ内に配置された発光素子であることができ、一部領域では複数の発光素子が隣り合って配置されている。

そして、ベースプレート４００は、柔軟性を持つように製作でき、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ガラス、ポリカーボネート（ＰＣ）、シリコン（Ｓｉ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）などから選択された１種の物質からなるＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）基板であることもでき、フィルム状に形成されることもできる。

また、ベースプレート４００は、単層ＰＣＢ、多層ＰＣＢ、セラミック基板、メタルコアＰＣＢなどを選択的に使うことができる。

このように、ベースプレート４００はフレキシブル素材を適用することによって撓めることもできるが、構造的変形によっても撓めることができる。

したがって、ベースプレート４００は、一つ以上の曲率を持つ曲面を含むことができる。

ついで、ベースプレート４００は、レンズ２００の連結突起に対応する領域にホール（ｈｏｌｅ）が形成できる。

ここで、ベースプレート４００のホールを通じて、レンズ２００がベースプレート４００に締結できる。

また、ベースプレート４００は、発光素子１００と向かい合う上面の反対方向である下方に突出する固定突起（ｆｉｘｉｎｇ ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ）４２０を含むこともできる。

ここで、ベースプレート４００は、固定突起４２０によって、曲率を持つ装着対象物に固定できる。

そして、ベースプレート４００は、反射コーティングフィルム及び反射コーティング物質層のいずれか一つが形成されることもでき、光源から生成された光を光学部材６００の方向に反射させることができる。

ここで、反射コーティングフィルム又は反射コーティング物質層は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）などのように高反射率を持つ金属又は金属酸化物を含んでなることができる。

場合によって、ベースプレート４００には、光源から発生する熱を放出するための多数の放熱ピン（ｐｉｎ）が配置されることもできる。

発光素子１００は発光ダイオードチップ（ＬＥＤ ｃｈｉｐ）であることができ、赤色ＬＥＤチップ、青色ＬＥＤチップ又は紫外線ＬＥＤチップから構成されるか、あるいは赤色ＬＥＤチップ、緑色ＬＥＤチップ、青色ＬＥＤチップ、黄緑色（Ｙｅｌｌｏｗ ｇｒｅｅｎ）ＬＥＤチップ、及び白色ＬＥＤチップの中で少なくとも一つ又はそれ以上を組み合わせたパッケージ形態に構成されることもできる。

ランプユニットを車両の尾灯に適用する場合、発光素子１００は、垂直型発光チップ、例えば、赤色発光チップであることができるが、実施例がこれに限定されるものではない。

スペーサー７００は、ベースプレート４００と光学部材６００の間に配置され、光学部材６００の周縁部を支持することができる。

ここで、スペーサー７００は、ベースプレート４００と向かい合う底面と、底面の周縁部から光学部材６００の方向に伸びる側面とを含むことができる。

また、スペーサー７００の底面は、ベースプレート４００から一定間隔だけ離隔して配置されることができる。

しかし、場合によって、スペーサー７００の底面は、ベースプレート４００に接触することもできる。

ついで、スペーサー７００の底面は、一つ以上の曲率を持つ曲面であることもできる。

また、スペーサー７００の側面は、スペーサー７００の底面に対して傾くことができる。

そして、スペーサー７００は、反射コーティングフィルム及び反射コーティング物質層のいずれか一つが形成されることもでき、光源１００から生成された光を光学部材６００の方向に反射させることができる。

ここで、反射コーティングフィルム又は反射コーティング物質層は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）などのように高反射率を持つ金属又は金属酸化物を含んでなることができる。

ついで、光学部材６００は、ベースプレート４００から一定間隔で離隔して配置されることができ、ベースプレート４００と光学部材６００の間の空間には光混合領域（ｌｉｇｈｔ ｍｉｘｉｎｇ ａｒｅａ）が形成できる。

ここで、光学部材６００は、ベースプレート４００から一定間隔だけ離隔して配置されることができ、その間隔は約１０ｍｍ以上であることができる。

光学部材６００とベースプレート４００の間の距離が約１０ｍｍ以下の場合、ランプユニットは均一な輝度を現さなく、光源１００が位置する領域で高輝度が現れるホットスポット（ｈｏｔ ｓｐｏｔ）現象又はこれと反対に相対的に低輝度が現れるダークスポット（ｄａｒｋ ｓｐｏｔ）が現れることができる。

そして、光学部材６００は少なくとも一枚のシートからなり、拡散シート、プリズムシート、輝度強化シートなどを選択的に含むことができる。

ここで、拡散シートは発光素子１００から出射された光を拡散させ、プリズムシートは拡散された光を発光領域にガイドし、輝度拡散シートは輝度を強化させる。

例として、拡散シートは一般的にアクリル樹脂から形成できるが、これに限定されるものではなく、その外にもポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、レジン（ｒｅｓｉｎ）のような高透過性プラスチックなどの光拡散機能を果たし得る素材からなることができる。

また、光学部材６００は、一つ以上の曲率を持つ曲面を含むことができる。

ここで、光学部材６００は、カバー部材又は装着対象物の外形によって、凹状曲面、凸状曲面、偏平な平面の中で少なくとも一つを持つ表面を持つことができる。

このように、実施例は、光源をカバーするレンズ２００とベースプレート４００と光学部材６００の間の空間に光混合（ｌｉｇｈｔ ｍｉｘｉｎｇ）領域を形成することにより、少数の光源で面光源を具現することができる。

ここで、面光源（ｓｕｒｆａｃｅ ｌｉｇｈｔ ｓｏｕｒｃｅ）とは、光を発する部分が面状に拡散する光源を意味するもので、実施例においては、隣り合って配置された少数の光源で面光源を具現することができるランプユニットを提供することができる。また、発光素子が互いに並列で連結され、ランプユニット内で一部の発光素子のみが点灯して一つのランプユニット内で多数の信号を具現することができる。

図１０は実施例によるランプユニットを含む車両用尾灯を示す図である。

図示のように、車両用尾灯８００は、第１ランプユニット８１２、第２ランプユニット８１４、第３ランプユニット８１６、及びハウジング８１０を含むことができる。

ここで、第１ランプユニット８１２は方向指示灯の役目のための光源であることができ、第２ランプユニット８１４は車幅灯の役目のための光源であることができ、第３ランプユニット８１６は停止灯の役目のための光源であることができるが、これに限定されるものではなく、その役目が互いに取り替えられることができる。

そして、ハウジング８１０は第１〜第３ランプユニット８１２、８１４、８１６を収納し、投光性素材からなることができる。

この際、ハウジング８１０は車体のデザインによって屈曲を持つことができ、第１〜第３ランプユニット８１２、８１４、８１６はハウジング８１０の形状によって撓むことができる面光源を具現することができる。

以上、実施例に基づいて説明したが、これはただ例示のためのもので、本発明を限定するものではなく、本発明が属する分野の通常の知識を持った者であれば、この実施例の本質的な特性を逸脱しない範疇内で、以上に例示しなかったさまざまの変形及び応用が可能であるのが分かる。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は変形して実施することができるものである。そして、このような変形及び応用に関連した相違点は添付の請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものに解釈されなければならない。

実施例による発光素子パッケージは車両用ランプユニットなどにおいて面光源を具現することができる。

Claims (20)

1. 第１領域と前記第１領域より高い第２領域とを含み、前記第２領域は前記第１領域を挟んで向かい合う第２−１領域及び第２−２領域を含む回路基板；
   前記第１領域及び第２領域にそれぞれ少なくとも一つずつ配置された発光素子；及び
   前記それぞれの発光素子上に配置された蛍光体層を含み、
   前記それぞれの発光素子は水平方向に１００μｍ以内の距離に配置される、発光素子パッケージ。
2. 前記回路基板は、前記第１領域の第２回路基板と前記第２領域の第２回路基板が接触して配置される、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
3. 前記第２領域の高さが前記第１領域の高さより高い、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
4. 前記第１領域内に２列の発光素子が配置され、前記２列の発光素子は互いに５０μｍ〜１００μｍだけ離隔される、請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
5. 隣り合って配置される前記第１領域内の発光素子と前記第２領域内の発光素子は０より大きくて１００μｍより小さい水平方向の距離を置いて配置される、請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
6. 前記第１領域に１列〜２列の発光素子が配置され、前記第２−１領域と第２−２領域にそれぞれ１列の発光素子が配置される、請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
7. 前記第１領域の底面と前記第２領域の底面の高低差は１６０μｍ〜５ｍｍである、請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
8. 前記それぞれの発光素子の高さは９０μｍ〜１００μｍであり、前記蛍光体層の高さは５０μｍ〜６０μｍである、請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
9. 前記第１領域に配置された発光素子の出力は前記第２領域に配置された発光素子の出力より高い、請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
10. 前記回路基板は前記第２領域より高く配置された第３領域をさらに含み、前記第３領域は前記第２領域を挟んで向かい合う第３−１領域及び第３−２領域を含み、前記第３−１領域と第３−２領域にそれぞれ少なくとも一つの発光素子が配置された、請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
11. 前記第３領域の発光素子は前記第２領域の発光素子から水平方向に１００μｍ以内の距離に配置される、請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
12. 隣り合って配置される前記第２領域内の発光素子と前記第３領域内の発光素子は０より大きくて１００μｍより小さい水平方向の距離を置いて配置される、請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
13. 前記第２領域の底面と前記第３領域の底面の高低差は１６０μｍ〜５ｍｍである、請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
14. 前記第２領域に配置された発光素子の出力は前記第３領域に配置された発光素子の出力より高い、請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
15. 互いに高さの違う少なくとも二つの領域を含む回路基板；
    前記少なくとも二つの領域にそれぞれ少なくとも一つが配置された発光素子；及び
    前記それぞれの発光素子上に配置された蛍光体層を含み、
    前記それぞれの発光素子は水平方向に１００μｍ以内の距離に配置される、発光素子パッケージ。
16. 前記回路基板は、第１領域と、前記第１領域より高い第２領域と、前記第２領域より高い第３領域を含み、前記第１領域、第２領域及び第３領域にそれぞれ発光素子が配置された、請求項１５に記載の発光素子パッケージ。
17. 前記第１領域と第２領域の高低差は、前記第２領域と前記第３領域の高低差と同一である、請求項１６に記載の発光素子パッケージ。
18. 前記第２領域は前記第１領域を挟んで向かい合う一対が対称状に配置される、請求項１５に記載の発光素子パッケージ。
19. 前記一対の第２領域上にそれぞれ配置された発光素子は、前記第１領域を挟んで対称状に配置される、請求項１８に記載の発光素子パッケージ。
20. 前記第３領域は前記第１領域を挟んで向かい合う一対が対称状に配置され、前記一対の第３領域上にそれぞれ配置された発光素子は前記第１領域を挟んで対称状に配置される、請求項１６〜１９に記載の発光素子パッケージ。

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