JPS63102361A - 密着型固体撮像装置 - Google Patents
密着型固体撮像装置Info
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- JPS63102361A JPS63102361A JP61249067A JP24906786A JPS63102361A JP S63102361 A JPS63102361 A JP S63102361A JP 61249067 A JP61249067 A JP 61249067A JP 24906786 A JP24906786 A JP 24906786A JP S63102361 A JPS63102361 A JP S63102361A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分計〕
本発明は密着型固体撮像装置の構造に関する。
第２図に従来の密着型固体撮像装置の断面図の一例を示
す。
す。
第２図において、２０１は実装基板、２ｏ２は絶縁性透
明基板、２０３は接着層、２ｏ４は遮光層、２０５は絶
縁ｊ８．２０６は光電変ｉ！ｉｌＬ素子で、下部電極２
０７．上部電極２０８．光導電層２゜９より成る。２１
０及び２１１はパッシベーション層、２１２は光吸収層
、２１３は原稿、２１４は入射光で、矢印は光騙の向き
を示す。尚、第２図は従来型の密着型固体撮像装置のう
ち、ロッドレンズアレイ等のレンズ系を用いずに原稿を
直かに読み取る完全密着型固体撮像装置の断面図の一例
を示しである。
明基板、２０３は接着層、２ｏ４は遮光層、２０５は絶
縁ｊ８．２０６は光電変ｉ！ｉｌＬ素子で、下部電極２
０７．上部電極２０８．光導電層２゜９より成る。２１
０及び２１１はパッシベーション層、２１２は光吸収層
、２１３は原稿、２１４は入射光で、矢印は光騙の向き
を示す。尚、第２図は従来型の密着型固体撮像装置のう
ち、ロッドレンズアレイ等のレンズ系を用いずに原稿を
直かに読み取る完全密着型固体撮像装置の断面図の一例
を示しである。
しかし、第２図に示した従来型では、ロッドレンズアレ
イ等のレンズ系を省くことができる為、低コスト化・小
型化が可能であるものの、さらに、低コスト化、小型化
を図る為に、光源と光電変換索子を同一実装基板上に集
積する構造及び技術を開発する必要が生じた。
イ等のレンズ系を省くことができる為、低コスト化・小
型化が可能であるものの、さらに、低コスト化、小型化
を図る為に、光源と光電変換索子を同一実装基板上に集
積する構造及び技術を開発する必要が生じた。
本発明の密着型固体撮像装置は、実装基板２０１、絶縁
性透明基板２０２．及び該透明基板上に形成された光′
屯変良索子２０６とから成る密着型固体撮像装置におい
て、該実装基板上に発光素子を設けたことを特徴とする
。
性透明基板２０２．及び該透明基板上に形成された光′
屯変良索子２０６とから成る密着型固体撮像装置におい
て、該実装基板上に発光素子を設けたことを特徴とする
。
第１図に本発明の実施例における密着型固体撮像装置の
断面図の一例を示す。
断面図の一例を示す。
第１図において、１０１は実装基板、１０２は接’Ｍ
）・ｊで、絶縁性透明基板１０７に屈折率等の光学的特
性が近い光学接着剤を用いている。１０３は発光素子で
下部電極１０４１発光層１０５．上部６明電極１０６よ
り成り、実装基板上に形成されてφる。１０７は絶縁性
透明基板、１０８は遮光層で、Ｏｒ、ＭＯ等の金属材料
若しくは多結晶シリコン等の材料により形成される。１
０９は絶縁層、１１０は薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）で
、多結晶シリコン（Ｐｏ１ｙ −Ｓ ｉ ）又は非晶質
シリコン（α−３ｉ）を素子材としており、各光電変換
索子に設けるスイッチ及びシフトレジスタ等の走査回路
を構成している。１１１は層間絶縁膜である。１１２は
下部電極、１１３は光導電層、１１４は上部電極で、１
１２〜１１４で光電変換素子を形成している。尚、１１
２′は、下部電極１１２と同一工程、同一材料で形成さ
れる開口部を有する遮光層で、遮光層１０８と共に入射
光を絞り込む役割を果たしている。１１５はパッジイー
２１２層、１１６は開口部を有する光吸収層で、原稿面
で反射した尤の隣接画素への飛び込みを低減し、ＭＴＩ
Ｆを向上させる目的で設けられている。１１７はパッジ
ベージ１ン層、１１８ハＩＫＭ、１１９は、発光素子よ
り発せられた光を示し、矢印は光源の向きを示す。
）・ｊで、絶縁性透明基板１０７に屈折率等の光学的特
性が近い光学接着剤を用いている。１０３は発光素子で
下部電極１０４１発光層１０５．上部６明電極１０６よ
り成り、実装基板上に形成されてφる。１０７は絶縁性
透明基板、１０８は遮光層で、Ｏｒ、ＭＯ等の金属材料
若しくは多結晶シリコン等の材料により形成される。１
０９は絶縁層、１１０は薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）で
、多結晶シリコン（Ｐｏ１ｙ −Ｓ ｉ ）又は非晶質
シリコン（α−３ｉ）を素子材としており、各光電変換
索子に設けるスイッチ及びシフトレジスタ等の走査回路
を構成している。１１１は層間絶縁膜である。１１２は
下部電極、１１３は光導電層、１１４は上部電極で、１
１２〜１１４で光電変換素子を形成している。尚、１１
２′は、下部電極１１２と同一工程、同一材料で形成さ
れる開口部を有する遮光層で、遮光層１０８と共に入射
光を絞り込む役割を果たしている。１１５はパッジイー
２１２層、１１６は開口部を有する光吸収層で、原稿面
で反射した尤の隣接画素への飛び込みを低減し、ＭＴＩ
Ｆを向上させる目的で設けられている。１１７はパッジ
ベージ１ン層、１１８ハＩＫＭ、１１９は、発光素子よ
り発せられた光を示し、矢印は光源の向きを示す。
尚、発光素子としては、実装基板（安価なガラス基板が
望ましい）上に形成する必要があることから、エレクト
ロルミネセンス（ＥＬ）セルを低温で形成した。−例と
して、緑色に発色するＫＬを形成する場合には、下′ｌ
ＩＭ電極１０４を形成後、絶縁層を形成し、螢光体層を
、（１）ＣｕとＡｔを加えたＺ ｎ Ｓ、 （２）Ｔ
１） ？、を加えたＺｎＳ、（３）Ｏｅを加えたＣａＳ
等を電子ビーム魚着法、スパッタ法等の成膜方法で低温
で形成し、続いて絶縁層。
望ましい）上に形成する必要があることから、エレクト
ロルミネセンス（ＥＬ）セルを低温で形成した。−例と
して、緑色に発色するＫＬを形成する場合には、下′ｌ
ＩＭ電極１０４を形成後、絶縁層を形成し、螢光体層を
、（１）ＣｕとＡｔを加えたＺ ｎ Ｓ、 （２）Ｔ
１） ？、を加えたＺｎＳ、（３）Ｏｅを加えたＣａＳ
等を電子ビーム魚着法、スパッタ法等の成膜方法で低温
で形成し、続いて絶縁層。
上部透明′成極１０６を形成することにより、ＥＬを安
価な実装基板上に形成できる。又、緑色に発色するＦｆ
Ｌの他にも、赤色、青色等に発色するＥＬも作製可能な
ことから、これら三色のＥＬを同一実装基板上にストラ
イプ状、又はモザイク状等に配置することにより、カラ
ーフィルター等を用いずにカラー読み出しを行なうこと
もできる。又、ＥＬの上下゛電極に印加する電圧を変え
ることにより発光色が三色に変わるＫＬが開発されてい
ることから、この様なＫＬを発光素子として用いること
により、−次元の密Ｎｍ固体撮像装置を例にとると、読
み出し用の画素は一列のままで、カラー読み出しを行な
うこともできる。
価な実装基板上に形成できる。又、緑色に発色するＦｆ
Ｌの他にも、赤色、青色等に発色するＥＬも作製可能な
ことから、これら三色のＥＬを同一実装基板上にストラ
イプ状、又はモザイク状等に配置することにより、カラ
ーフィルター等を用いずにカラー読み出しを行なうこと
もできる。又、ＥＬの上下゛電極に印加する電圧を変え
ることにより発光色が三色に変わるＫＬが開発されてい
ることから、この様なＫＬを発光素子として用いること
により、−次元の密Ｎｍ固体撮像装置を例にとると、読
み出し用の画素は一列のままで、カラー読み出しを行な
うこともできる。
又、発光素子としては、Ｅ Ｌの他にも、シリコンを含
有する非晶質半導体を素子材とした発光ダイオード（Ｌ
ＦＸＤ）をプラズマｃｖｎ法等の製造方法で低温で作製
することもできる。
有する非晶質半導体を素子材とした発光ダイオード（Ｌ
ＦＸＤ）をプラズマｃｖｎ法等の製造方法で低温で作製
することもできる。
以上述べた様に、本発明によれば、光源（発光素子）、
光電変換索子（受光素子）及び走査回路から成る読み取
り糸を同一実装基板上に集積し、さらに、鴛ツドレンズ
等のレンズ系を省くことも可能なことから、従来型が、
ｙｅ諒ユニット、レンズユニット、受光索子ユニットの
３つのユニットから成っていたのに対し、これらの機能
を同一基板上に集積することが可能となった。その結果
、密着型固体撮像装置の超小型化が可能となった他、光
源としてＬ Ｅ Ｄユニットを用いた場合と比べて、大
巾なコストダウンが可能となった。さらに、光源、レン
ズ糸等を組み込む必要も無いことから１これらの組立て
工数が減ったことも大巾なコストダウンに寄与している
。又、カラーフィルターを用いずにカラー読み出しを行
なうことも可能なことから、こちらも従来型と比べて大
巾なコストダウンが可能となった。
光電変換索子（受光素子）及び走査回路から成る読み取
り糸を同一実装基板上に集積し、さらに、鴛ツドレンズ
等のレンズ系を省くことも可能なことから、従来型が、
ｙｅ諒ユニット、レンズユニット、受光索子ユニットの
３つのユニットから成っていたのに対し、これらの機能
を同一基板上に集積することが可能となった。その結果
、密着型固体撮像装置の超小型化が可能となった他、光
源としてＬ Ｅ Ｄユニットを用いた場合と比べて、大
巾なコストダウンが可能となった。さらに、光源、レン
ズ糸等を組み込む必要も無いことから１これらの組立て
工数が減ったことも大巾なコストダウンに寄与している
。又、カラーフィルターを用いずにカラー読み出しを行
なうことも可能なことから、こちらも従来型と比べて大
巾なコストダウンが可能となった。
第１図は本発明の実施例の密着型固体撮像装置の断面図
の一例を示す。 第２図は従来の密着型一体撮像装置の断面図の一例を示
す。 １０１．２０１・・・・・・実装基板 １０２．２０３・・・・・・接着層 １０３ ・°°・・・発光索子 １０４ ・・・・・・下部電極 １０５ ・・・・・・発光層 １０６ ・・・・・・透明上部電極１０７．２０
２・・・・・・絶縁性透明基板１０８ ・・・・
・・遮光層 １１０ ・・・・・・ ＴＩＦＴ２０６
・・・・・・光電変換素子１１２．２０７・
・・・・・下部電極 １１３．２０９・・・・・・光′４電層１１４．２０８
・・・・・・下部電極 １１５．１１７，２１０，２１１・・・・・・ノぐツシ
ベーシ１ン層 １１６．２１２・・・・・・九吸収層 １１８．２１５・・・・・・原稿 以上
の一例を示す。 第２図は従来の密着型一体撮像装置の断面図の一例を示
す。 １０１．２０１・・・・・・実装基板 １０２．２０３・・・・・・接着層 １０３ ・°°・・・発光索子 １０４ ・・・・・・下部電極 １０５ ・・・・・・発光層 １０６ ・・・・・・透明上部電極１０７．２０
２・・・・・・絶縁性透明基板１０８ ・・・・
・・遮光層 １１０ ・・・・・・ ＴＩＦＴ２０６
・・・・・・光電変換素子１１２．２０７・
・・・・・下部電極 １１３．２０９・・・・・・光′４電層１１４．２０８
・・・・・・下部電極 １１５．１１７，２１０，２１１・・・・・・ノぐツシ
ベーシ１ン層 １１６．２１２・・・・・・九吸収層 １１８．２１５・・・・・・原稿 以上
Claims (3)
- （１）実装基板２０１、絶縁性透明基板２０２、及び該
透明基板上に形成された光電変換素子２０６とから成る
密着型固体撮像装置において、該実装基板上に発光素子
を設けたことを特徴とする密着型固体撮像装置。 - （２）前記発光素子として、エレクトロルミネセンス（
ＥＬ）セルを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
一項記載の密着型固体撮像装置。 - （３）前記発光素子として、異なる三色の発光色を有す
るエレクトロルミネセンス（ＥＬ）セルを実装基板上に
配置したことを特徴とする特許請求の範囲第一項記載の
密着型固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61249067A JPS63102361A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 密着型固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61249067A JPS63102361A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 密着型固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102361A true JPS63102361A (ja) | 1988-05-07 |
Family
ID=17187513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61249067A Pending JPS63102361A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 密着型固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63102361A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0255763U (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-23 | ||
| JPH02219358A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-08-31 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| JPH02226954A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-10 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| EP0468624A2 (en) * | 1990-05-22 | 1992-01-29 | Westinghouse Electric Corporation | Facsimile machine using thin film eletroluminescent device |
| US5466948A (en) * | 1994-10-11 | 1995-11-14 | John M. Baker | Monolithic silicon opto-coupler using enhanced silicon based LEDS |
| US6815654B1 (en) | 1996-09-18 | 2004-11-09 | Nec Corporation | Image sensor device using thin film light source arranged light receiving elements and image to be sensed |
| JP2007300141A (ja) * | 2007-08-08 | 2007-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP61249067A patent/JPS63102361A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0255763U (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-23 | ||
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| JP2007300141A (ja) * | 2007-08-08 | 2007-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ |
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