KR970024329A - 발광 효율이 개선된 발광 다이오드(light emitting diode with improved luminous efficiency) - Google Patents

발광 효율이 개선된 발광 다이오드(light emitting diode with improved luminous efficiency) Download PDF

Info

Publication number
KR970024329A
KR970024329A KR1019960044218A KR19960044218A KR970024329A KR 970024329 A KR970024329 A KR 970024329A KR 1019960044218 A KR1019960044218 A KR 1019960044218A KR 19960044218 A KR19960044218 A KR 19960044218A KR 970024329 A KR970024329 A KR 970024329A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
contact layer
light emitting
emitting diode
frosted
layer structure
Prior art date
Application number
KR1019960044218A
Other languages
English (en)
Inventor
게르너 요헨
Original Assignee
한스-울리히 슈타이거 ; 한스-위르겐 마우테
테믹 텔레풍켄 마이크로엑렉트로닉 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한스-울리히 슈타이거 ; 한스-위르겐 마우테, 테믹 텔레풍켄 마이크로엑렉트로닉 게엠베하 filed Critical 한스-울리히 슈타이거 ; 한스-위르겐 마우테
Publication of KR970024329A publication Critical patent/KR970024329A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/305—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table characterised by the doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

개선된 발광 효율로 바람직하게 녹색 광을 발생하기 위한 발광 다이오드가 기술된다. 발광에 적당한 다수의 에피텍셜 층이 GaP의 도핑된 반도체 기판 웨이퍼 위에 배열된다. 상기 에피텍셜 층의 표면은 완전히 후로스팅(frosting) 된다. 내부로부터의 광 방출은 후로스팅에 의해 상당히 개선된다. 콘택트 층은 발광 다이오드와 콘택팅하기 위해 후로스팅된 표면 위에 위치된다. 상기 콘택트 층은 몇몇의 부분 층으로 구성되고, 적어도 후로스팅된 표면을 부분적으로 커버한다. 또한 발광 다이오드의 후면부에 콘택트층이 있다.

Description

발광 효율이 개선된 발광 다이오드(LIGHT EMITTING DIODE WITH IMPROVED LUMINOUS EFFICIENCY)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 단면도.

Claims (8)

  1. 발광에 적당하고 반도체 기판 상에 배열된 다수의 에피텍셜 층으로 구성되며, 이들 에피텍셜 층의 표면 상의 적어도 일부에 콘택트 층 구조가 제공되어 있는 발광 다이오드에 있어서, 상기 에피텍셜 층의 표면은 발광 효율을 증가시키기 위해 완전히 후로스팅되며, 상기 콘택트 층 구조는 상기 후로스팅된 표면 위에 배열되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 도핑된 갈륨 인화물로 제조되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 반도체 기판의 도핑된 갈륨 인화물은 (1 1 1) 결정면을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 에피텍셜 층은 상기 반도체 기판 위에 배열된 GaP의 n-전도 층 및 상기 n-전도 층 위에 배열된 GaP의 p-전도 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 후로스팅된 표면의 거칠기 깊이는 1㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 후로스팅된 표면 위에 배열 되는 상기 콘택트 층 구조는 차례로 금-아연의 제1 콘택트 층, 티타늄-팅스텐-질화물의 제2 콘택트 층, 및 알루미늄의 제3 콘택트 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  7. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 후로스팅된 표면 위에 배열 되는 상기 콘택트 층 구조는 차례로 금-아연의 제1 콘택트 층, 티타늄-팅스텐-질화물의 제2 콘택트 층, 및 알루미늄-실리콘의 제3 콘택트 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  8. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 후로스팅된 표면에 반대되는 표면은 금-게르마늄으로 제조된 추가 콘택트 층을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960044218A 1995-10-09 1996-10-07 발광 효율이 개선된 발광 다이오드(light emitting diode with improved luminous efficiency) KR970024329A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19537544.0 1995-10-09
DE19537544A DE19537544A1 (de) 1995-10-09 1995-10-09 Lumineszenzdiode mit verbesserter Lichtausbeute

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970024329A true KR970024329A (ko) 1997-05-30

Family

ID=7774381

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960044218A KR970024329A (ko) 1995-10-09 1996-10-07 발광 효율이 개선된 발광 다이오드(light emitting diode with improved luminous efficiency)

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5898192A (ko)
JP (1) JPH09116190A (ko)
KR (1) KR970024329A (ko)
DE (1) DE19537544A1 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6348703B1 (en) * 1999-04-27 2002-02-19 Showa Denko Kabushiki Kaisha Epitaxial wafer for infrared light-emitting device and light-emitting device using the same
JP2000312026A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Showa Denko Kk 赤外発光素子用エピタキシャル基板およびこれを用いた発光素子
DE19943406C2 (de) 1999-09-10 2001-07-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemissionsdiode mit Oberflächenstrukturierung
US6277665B1 (en) * 2000-01-10 2001-08-21 United Epitaxy Company, Ltd. Fabrication process of semiconductor light-emitting device with enhanced external quantum efficiency
US20040120371A1 (en) * 2000-02-18 2004-06-24 Jds Uniphase Corporation Contact structure for a semiconductor component
TW564584B (en) * 2001-06-25 2003-12-01 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device
DE10148227B4 (de) * 2001-09-28 2015-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und strahlungsemittierendes Bauelement
JP3802424B2 (ja) 2002-01-15 2006-07-26 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
WO2004086522A1 (en) * 2003-03-24 2004-10-07 Showa Denko K.K. Ohmic electrode structure, compound semiconductor light-emitting device having the same, and led lamp
JP2005191099A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 発光ダイオード装置
JP4092658B2 (ja) * 2004-04-27 2008-05-28 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
KR101154744B1 (ko) * 2005-08-01 2012-06-08 엘지이노텍 주식회사 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법
JP5346443B2 (ja) 2007-04-16 2013-11-20 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
CN100583475C (zh) * 2007-07-19 2010-01-20 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 氮化物半导体发光元件及其制作方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3537028A (en) * 1967-10-23 1970-10-27 Rca Corp Confocal semiconductor diode injection laser
US3739217A (en) * 1969-06-23 1973-06-12 Bell Telephone Labor Inc Surface roughening of electroluminescent diodes
US3877052A (en) * 1973-12-26 1975-04-08 Bell Telephone Labor Inc Light-emitting semiconductor apparatus for optical fibers
CA1058732A (en) * 1976-06-11 1979-07-17 Northern Telecom Limited Light emitting diodes with increased light emission efficiency
JPS5543883A (en) * 1978-09-22 1980-03-27 Sumitomo Electric Ind Ltd High-output photodiode
EP0035118B1 (en) * 1980-02-28 1985-11-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Iii - v group compound semiconductor light-emitting element and method of producing the same
NL186354C (nl) * 1981-01-13 1990-11-01 Sharp Kk Halfgeleiderinrichting die uit iii-v verbindingen bestaat, met een samengestelde elektrode.
JPS6254485A (ja) * 1985-09-03 1987-03-10 Toshiba Corp 半導体発光素子の製造方法
JP2953468B2 (ja) * 1989-06-21 1999-09-27 三菱化学株式会社 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法
JPH0442582A (ja) * 1990-06-08 1992-02-13 Eastman Kodak Japan Kk 発光ダイオードアレイ
JPH04264781A (ja) * 1991-02-20 1992-09-21 Eastman Kodak Japan Kk 発光ダイオードアレイ
DE4231007C2 (de) * 1992-09-16 1998-08-20 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdioden

Also Published As

Publication number Publication date
DE19537544A1 (de) 1997-04-10
JPH09116190A (ja) 1997-05-02
US5898192A (en) 1999-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100707218B1 (ko) 개선된 전류 확산 구조를 갖는 조절 가능한 발광 다이오드
KR970024329A (ko) 발광 효율이 개선된 발광 다이오드(light emitting diode with improved luminous efficiency)
CA2200305A1 (en) Vertical geometry light emitting diode with group iii nitride active layer and extended lifetime
WO2005020337A8 (ja) 発光装置
DE68921766D1 (de) Im blauen licht von siliziumkarbid ausstrahlende diode.
EP2270883A3 (en) Enhanced light extraction in LEDs through the use of internal and external optical elements
KR960026992A (ko) 질화물 반도체 발광 소자 및 질화물 반도체 발광 다이오드
TW360984B (en) Improved light extraction from a semiconductor light-emitting device via chip shaping
KR970018759A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
WO2002097904A3 (en) Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice
JPH01151274A (ja) 発光ダイオード
KR930022619A (ko) 반도체 발광소자
JP2000091638A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
EP1220335A3 (en) Surface-light-emitting device including AlGaInP and AlGaAs multi-film reflecting layers
WO2001035447A3 (de) Hocheffiziente uv-emitter auf nitridhalbleiterbasis
CN110233196B (zh) 光电子器件和发光机构
JP2001196630A (ja) エンハンスされた外部量子効率を有する半導体発光素子の製造方法
JP2009010060A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
KR101381984B1 (ko) 발광 다이오드 칩 제조방법 및 그에 의해 제조된 발광다이오드 칩
KR20160106151A (ko) 성형된 기판을 갖는 반도체 발광 디바이스 및 그 제조 방법
JP2002185037A (ja) 発光装置
KR970024328A (ko) 발광 다이오드(light emittign diode)
KR100826284B1 (ko) 발광 다이오드 및 그 제조방법
TWI291250B (en) Light emitting diode structure
KR20070117808A (ko) 발광 다이오드 칩 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee