KR970024329A - 발광 효율이 개선된 발광 다이오드(light emitting diode with improved luminous efficiency) - Google Patents

발광 효율이 개선된 발광 다이오드(light emitting diode with improved luminous efficiency) Download PDF

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게르너 요헨
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한스-울리히 슈타이거 ; 한스-위르겐 마우테
테믹 텔레풍켄 마이크로엑렉트로닉 게엠베하
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Abstract

개선된 발광 효율로 바람직하게 녹색 광을 발생하기 위한 발광 다이오드가 기술된다. 발광에 적당한 다수의 에피텍셜 층이 GaP의 도핑된 반도체 기판 웨이퍼 위에 배열된다. 상기 에피텍셜 층의 표면은 완전히 후로스팅(frosting) 된다. 내부로부터의 광 방출은 후로스팅에 의해 상당히 개선된다. 콘택트 층은 발광 다이오드와 콘택팅하기 위해 후로스팅된 표면 위에 위치된다. 상기 콘택트 층은 몇몇의 부분 층으로 구성되고, 적어도 후로스팅된 표면을 부분적으로 커버한다. 또한 발광 다이오드의 후면부에 콘택트층이 있다.

Description

발광 효율이 개선된 발광 다이오드(LIGHT EMITTING DIODE WITH IMPROVED LUMINOUS EFFICIENCY)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 단면도.

Claims (8)

  1. 발광에 적당하고 반도체 기판 상에 배열된 다수의 에피텍셜 층으로 구성되며, 이들 에피텍셜 층의 표면 상의 적어도 일부에 콘택트 층 구조가 제공되어 있는 발광 다이오드에 있어서, 상기 에피텍셜 층의 표면은 발광 효율을 증가시키기 위해 완전히 후로스팅되며, 상기 콘택트 층 구조는 상기 후로스팅된 표면 위에 배열되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 도핑된 갈륨 인화물로 제조되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 반도체 기판의 도핑된 갈륨 인화물은 (1 1 1) 결정면을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 에피텍셜 층은 상기 반도체 기판 위에 배열된 GaP의 n-전도 층 및 상기 n-전도 층 위에 배열된 GaP의 p-전도 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 후로스팅된 표면의 거칠기 깊이는 1㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 후로스팅된 표면 위에 배열 되는 상기 콘택트 층 구조는 차례로 금-아연의 제1 콘택트 층, 티타늄-팅스텐-질화물의 제2 콘택트 층, 및 알루미늄의 제3 콘택트 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  7. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 후로스팅된 표면 위에 배열 되는 상기 콘택트 층 구조는 차례로 금-아연의 제1 콘택트 층, 티타늄-팅스텐-질화물의 제2 콘택트 층, 및 알루미늄-실리콘의 제3 콘택트 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  8. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 후로스팅된 표면에 반대되는 표면은 금-게르마늄으로 제조된 추가 콘택트 층을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960044218A 1995-10-09 1996-10-07 발광 효율이 개선된 발광 다이오드(light emitting diode with improved luminous efficiency) KR970024329A (ko)

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