KR960039454A - 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

자외에서 녹색으로 건너는 단파장광을 방출하는 고,성능인 반도체 레이저 다이오드를 얻는 것 및 그의 제조 방법.을 제공하는 것을 목적으로 한다.
사파이어 기판 1에 n형 GaN 콘택트층 5을 형성하고, 이 GaN 콘택트층 5상에 n형 Al GaN 크래드층 7, 언도프 GaN 활성화 8, p형 Al GaN 크래드층 9, p형 GaN 콘택트층 10, p형 반도체 반사경 11을 적층한 에피택셜트층을 형성한다.
여기에서 사피이어 기판 1의 이면 n형 콘택트층의 5의 면을 거의 동일 평면으로 연속되어서 이 동일 평면상에 n형 콘택층 5와, 접속하는 전극 17을 형성한다.

Description

반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예 1에 표시하는 반도체 레이저 다이오드의 구성 단면도.

Claims (12)

  1. 홀을 가지는 절연성의 기관과, 상기 기판의 주면측에 노출면을 가지도록 상기 기판의 상기 홀에 설치된제1도전형 반도체에서 되는 제1의 콘택트층과, 제1도전형 반도체에서 되는 제1의 크래드층과, 활성층과 제2도전형 반도체에서 되는 제2의 크래드층과 제2도전형 반도체에서 되는 제2의 콘택트층의 순으로 적층하여 구성되어상기 제1의 크래드층이 상기 제1의 콘택트증과 접합되도록 형성된 반도체층을 구비하고, 상기 제1의 콘택트증에는 상기 제1의 크래드층이 상기 기판의 주면측에 노출되도록 개구부가 설치되며, 상기 개구부내에서 제1의 크래드층이 표면상에 형성된 제1의 반사경과, 상기 제1의 반사경과 대향하도록 상기 반도체층에서 제2의 콘택트층상에 형성된 제2의 반사경과, 상기 제1의 콘택트층의 노출면과, 접속하도록 상기 기판의 주면상에 형성된 전극을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 제1의 콘택트층에서 상기 노출면은 기관의 단변과 연속한 거의 동일한 평면을 이루도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  3. 제1항에 있어서, 제1의 콘택트층에서, 상기 노출면은 기관의 주면의 단변에서 제1의 크래드층에 연속한 평면으로 되는 면으로, 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반도체층은 그의 측면이 기관으로 덮여져 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  5. 주면에 개구부를 가지는 절연성의 기판과, 상기 기판상에 형성된 제1도전형 반도체에서 되는 제1의 콘택트층과. 제1도전형 반도체에서 되는 제1의 크래드층과 활성층과 제2도전형 반도체에서 되는 제2의 크래드층과 제2도전형 반도체에서 되는 제2의 콘택트층과의 순으로 적충하여 구성되어 상기 제1의 크래드층이 상기 기판에서 상기 개구부의 저면을 이루는 것과 함께, 상기 제1의 콘택트층과 접합되도록 형성된 반도체층과 상기 개구부의 저면에서 제1의 크래드층상에 형성된 제1의 반사경과, 상기 제1의 반사경과 대향하도록 상기 반도체층에 있어서 제2의 콘택트층상에 형성된 제2의 반사경과, 상기 기판의 주면에 형성된 전극을 구비하고, 상기 절연 기관을 통하여 형성된 상기 전극과, 상기 제1의 콘택트층을 전기적으로 접속수단에 의해 접속하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  6. 제5항에 있어서, 전극과 제1의 콘택트층의 전기적 접속수단은 상기 기판에 형성된 콘택트홀, 또는 기판 상기 개구부를 사용하여 전극을 연장하여 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 라이저 다이오드.
  7. 제1항 내지 제6항의 어느것 1항에 있어서, 제1과 제2의 콘택트층 제1과 제2의 크래드층 및 활성층은 질화갈륨을 포함한 반도체로 이루는 것을 특징으로 한 반도체 레이저 다이오드.
  8. 제7항에 있어서, 기관은 사파이어로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  9. 절연성의 기관 주면에 형성된 홀에 제1도전형에서 되는 제1의 반도체층을 매립하도록 형성하는 제1의고정과, 상기 제1의 반도체층상에 크래드층으로 되는 제1도전형에서 되는 제2의 반도체층, 활성층으로 되는제3 의반도체층, 크래드층으로 되는 제2도전형에서 되는 제4의 반도체층의 순으로 적층하는 제2의 공정과, 상기 제1의 반도체층이 노출하기까지 상기 기판의 이면을 연마하는 제3의 공정과, 상기 기판 이면에서 노출한 제1의 반도체층의 일면내에 상기 제2의 반도체층을 노출시키는 홀을 형성하는 제4의 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 제2의 공정은 기관상 및 제1의 반도체층상에 에피택셜층을 성장시킨 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서, 제2의 공정은 제2, 제3 및 제4의 반도체층이 제1의 반도체층이 매립된 홀내의 형성되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
  12. 제9항 내지 11항의 어느것 1항에 있어서, 제1, 제2, 제3 및 제4의 반도체층은 질소갈륨을 포함한 반도체로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
    ※참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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