JP5267778B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年、プロジェクタやディスプレイなどの表示装置の光源用の発光装置として、高輝度で色再現性に優れたレーザ装置が期待されている。しかしながら、スクリーン面での乱反射光が相互に干渉して発生するスペックルノイズが問題となることがある。この問題に対しては、例えば下記特許文献１では、スクリーンを揺動させてスペックルパターンを変化させることでスペックルノイズを低減させる方法が提案されている。
特開平１１−６４７８９号公報

しかしながら、上記特許文献１に開示された方法では、スクリーンが限定されてしまう、スクリーンを動かすためのモーター等の部材が必要になってしまう、モーター等から雑音が発生してしまう、などの新たな問題が発生する場合がある。

また、スペックルノイズを低減させるために、光源用の発光装置として、一般的なＬＥＤ（Light Emitting Diode）を用いることも考えられる。しかしながら、ＬＥＤでは、十分な光出力を得られないことがある。

本発明の目的の１つは、スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供することにある。

本発明に係る発光装置は、
クラッド層と、
前記クラッド層の上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された他のクラッド層と、
を含み、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、利得領域を構成し、
前記利得領域は、前記活性層の一の側面に設けられた第１端面から、該活性層の他の側面に設けられた第２端面まで連続しており、
前記利得領域のうちの前記第１端面側は、平面的に見て、前記第１端面の垂線に対して傾いており、
前記利得領域のうちの前記第２端面側は、平面的に見て、前記第２端面の垂線に対して傾いており、
前記第１端面および前記第２端面のうちの少なくとも一方から出射される光は、単一の方向または集束する方向に進む。

本発明に係る発光装置では、後述するように、前記利得領域に生じる光のレーザ発振を抑制または防止することができる。従って、スペックルノイズを低減させることができる。さらに、本発明に係る発光装置では、前記利得領域に生じる光は、該利得領域内において利得を受けながら進行して、外部に出射されることができる。従って、従来の一般的なＬＥＤよりも利得を受ける距離が大きいため、高い出力を得ることができる。以上のように、本発明によれば、スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供することができる。

なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定の部材（以下「Ａ部材」という）の「上方」に形成された他の特定の部材（以下「Ｂ部材」という）」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ部材上に直接Ｂ部材が形成されているような場合と、Ａ部材上に他の部材を介してＢ部材が形成されているような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。

本発明に係る発光装置において、
さらに、第１ミラーを含み、
前記利得領域は、前記第１端面から前記第２端面までの間に、該利得領域に生じる光を反射させる少なくとも１つの反射面を有し、
前記第１ミラーは、前記反射面の側方に形成されていることができる。

本発明に係る発光装置において、
前記利得領域は、前記第１端面から前記第２端面までの間に、該利得領域に生じる光を反射させる少なくとも１つの反射面を有し、
前記利得領域に生じる光は、前記反射面で全反射することができる。

本発明に係る発光装置において、
前記利得領域のうちの少なくとも一部は、第１部分および第２部分を構成し、
前記反射面は、前記第１部分の端面のうちの少なくとも一部と、前記第２部分の端面のうちの少なくとも一部とが重なる面であり、
前記第１部分の平面形状と、前記第２部分の平面形状とは、前記反射面の垂線に対して線対称であることができる。

本発明に係る発光装置において、
前記利得領域は、前記第１端面から前記第２端面までの間に、該利得領域に生じる光を反射させる少なくとも１つの反射面を有し、
フレネルの式により得られる前記第１端面の反射率ｒ_１、前記第２端面の反射率ｒ_２、および前記反射面の反射率Ｒ_１，Ｒ_２，Ｒ_３，・・・，Ｒ_ｎは、下記式（１）を満たすことができる。
ｒ_１ｒ_２（Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３・・・Ｒ_ｎ）^２ｅｘｐ｛２（ｇ−α）Ｌ｝＜１ ・・・（１）

但し、ｇは、利得定数であり、αは、内部損失であり、Ｌは、前記利得領域に生じる光の前記第１端面から前記第２端面までの光路長である。

本発明に係る発光装置において、
前記利得領域に生じる光は、前記第１端面および前記第２端面で全反射しないことができる。

本発明に係る発光装置において、
前記利得領域に生じる光は、前記第１端面または前記第２端面のどちらか一方で全反射することができる。

本発明に係る発光装置において、
さらに、前記第１端面または前記第２端面の側方に形成された第２ミラーを含むことができる。

本発明に係る発光装置において、
前記活性層の平面形状は、四角形ではないことができる。

本発明に係る発光装置において、
前記クラッド層に電気的に接続された電極と、
前記他のクラッド層に電気的に接続された他の電極と、
を含むことができる。

なお、本発明に係る記載では、「電気的に接続」という文言を、例えば、「特定の部材（以下「Ｃ部材」という）に「電気的に接続」された他の特定の部材（以下「Ｄ部材」という）」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ｃ部材とＤ部材とが、直接接して電気的に接続されているような場合と、Ｃ部材とＤ部材とが、他の部材を介して電気的に接続されているような場合とが含まれるものとして、「電気的に接続」という文言を用いている。

本発明に係る発光装置において、
前記第１傾斜部は、複数配列されており、
前記利得領域は、複数の前記第１傾斜部を接続する第１接続部を有することができる。

本発明に係る発光装置において、
前記複数の第１傾斜部は、傾いている側のものほど傾き角が大きいことができる。

本発明に係る発光装置において、
前記第２傾斜部は、複数配列されており、
前記利得領域は、複数の前記第２傾斜部を接続する第２接続部を有することができる。

本発明に係る発光装置において、
前記複数の第２傾斜部は、傾いている側のものほど傾き角が大きいことができる。

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明するが、以下の例に限定されるわけではない。

１． 第１の実施形態
１．１． まず、第１の実施形態に係る発光装置１００について説明する。

図１は、発光装置１００を概略的に示す平面図であり、図２は、図１のII−II線断面図である。なお、ここでは、発光装置１００がＩｎＧａＡｌＰ系（赤色）の半導体発光装置である場合について説明する。

発光装置１００は、図１及び図２に示すように、クラッド層（以下「第１クラッド層」という）１０６と、活性層１０８と、クラッド層（以下「第２クラッド層」という）１１０と、第１電極１２０と、第２電極１２２と、を含む。発光装置１００は、さらに、例えば、基板１０２と、バッファ層１０４と、コンタクト層１１２と、第１ミラー１３０と、を含むことができる。

基板１０２としては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板などを用いることができる。

バッファ層１０４は、図２に示すように、基板１０２上に形成されている。バッファ層１０４は、例えば、その上方に形成される層の結晶性を向上させることができる。バッファ層１０４としては、例えば、基板１０２よりも結晶性の良好な（例えば欠陥密度の低い）第１導電型（ｎ型）のＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などを用いることができる。

第１クラッド層１０６は、バッファ層１０４上に形成されている。第１クラッド層１０６は、例えば、第１導電型の半導体からなる。第１クラッド層１０６としては、例えばｎ型ＡｌＧａＰ層などを用いることができる。

活性層１０８は、第１クラッド層１０６上に形成されている。活性層１０８は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。

活性層１０８の一部は、利得領域１８０を構成している。利得領域１８０には、光を生じさせることができ、この光は、利得領域１８０内で利得を受けることができる。活性層１０８の形状は、例えば直方体（立方体である場合を含む）などである。活性層１０８の平面形状は、例えば四角形などである。活性層１０８は、例えば図１に示すように、４つの側面１０７，１０９，１１４，１１６を有する。例えば、第１側面１０７に対して、第２側面１０９及び第３側面１１４は垂直であり、第４側面１１６は平行である。

利得領域１８０は、図１に示すように、第１側面１０７に設けられた第１端面１７０から、第２側面１０９に設けられた第２端面１７２まで連続している。利得領域１８０のうちの第１端面１７０側は、平面的に見て（図１参照）、第１端面１７０の垂線に対して傾いている。図示の例では、この傾いている部分を第１傾斜部１８１とする。また、利得領域１８０のうちの第２端面１７２側は、平面的に見て、第２端面１７２の垂線に対して傾いている。図示の例では、この傾いている部分を第２傾斜部１８２とする。第１傾斜部１８１及び第２傾斜部１８２が傾いていることにより、利得領域１８０に生じる光のレーザ発振を抑制または防止することができる。従って、発光装置１００は、レーザ光ではない光を発することができる。

第１傾斜部１８１は、図１に示すように、第１側面１０７から第３側面１１４まで、第１側面１０７の垂線に対して角度θ_Ａの傾きを有する方向（以下「第１方向」ともいう）Ａに向かって設けられている。なお、第１傾斜部１８１が所定方向に向かって設けられている場合とは、例えば、当該所定方向が、平面的に見て、第１傾斜部１８１の第１側面１０７側の第１端面１７０の中心から、第３側面１１４側の第３端面１７４の中心までを直線的に結ぶ方向に一致する場合をいうことができる。このことは、後述する連続部１８４についても同様である。また、第１傾斜部１８１は、平面的に見て、第３側面１１４から第１側面１０７まで、第３側面１１４の垂線に対して角度θ_Ｃの傾きを有する方向（以下「第３方向」ともいう）Ｃに向かって設けられている。第３方向Ｃは、例えば第１方向Ａとは逆向きである。また、角度θ_Ｃと角度θ_Ａの和は、例えば９０度である。第１傾斜部１８１の平面形状は、例えば図１に示すような四角形である。また、例えば、第１傾斜部１８１の第１端面１７０及び第３端面１７４以外の２つの端面は、互いに平行である。

第２傾斜部１８２は、図１に示すように、第２側面１０９から第４側面１１６及び連続部１８４の外側側面１０５まで、第２側面１０９の垂線に対して角度θ_Ｂの傾きを有する方向（以下「第２方向」ともいう）Ｂに向かって設けられている。連続部１８４の外側側面１０５とは、連続部１８４の側面のうち、活性層１０８の第３側面１１４及び第４側面１１６以外の側面であって、第２端面１７２側とは反対側の側面のことである。なお、第２傾斜部１８２が所定方向に向かって設けられている場合とは、例えば、以下の場合をいうことができる。即ち、当該所定方向が、平面的に見て、第２傾斜部１８２の第２端面１７２の中心から、直線状の第２傾斜部１８２を仮想的に第４側面１１６まで直線的に延ばした場合の第４側面１１６側の第４端面１７６の中心までを直線的に結ぶ方向に一致する場合である。また、第２傾斜部１８２は、平面的に見て、第４側面１１６から第２側面１０９まで、第４側面１１６の垂線に対して角度θ_Ｄの傾きを有する方向（以下「第４方向」ともいう）Ｄに向かって設けられている。第４方向Ｄは、例えば第２方向Ｂとは逆向きである。また、角度θ_Ｄと角度θ_Ｂの和は、例えば９０度である。第２傾斜部１８２の平面形状は、例えば図１に示すような五角形である。また、例えば、第２傾斜部１８２の第２端面１７２、第４側面１１６側の端面、及び外側側面１０５側の端面以外の２つの端面は、互いに平行である。

利得領域１８０は、さらに、例えば連続部１８４を有することができる。図示の例では、第１傾斜部１８１および第２傾斜部１８２が、連続部１８４により接続されている。これにより、利得領域１８０は、第１端面１７０から第２端面１７２まで連続的に設けられることができる。連続部１８４は、平面的に見て、第３側面１１４から第４側面１１６まで、第３側面１１４の垂線に対して角度θ_Ｅの傾きを有する方向（以下「第５方向」ともいう）Ｅに向かって設けられている。また、連続部１８４は、平面的に見て、第４側面１１６から第３側面１１４まで、第４側面１１６の垂線に対して角度θ_Ｆの傾きを有する方向（以下「第６方向」ともいう）Ｆに向かって設けられている。第６方向Ｆは、例えば第５方向Ｅとは逆向きである。また、角度θ_Ｆと角度θ_Ｅの和は、例えば９０度である。連続部１８４の平面形状は、例えば図１に示すような四角形である。また、例えば、連続部１８４の第３側面１１４側の端面及び第４側面１１６側の端面以外の２つの端面は、互いに平行である。

利得領域１８０は、例えば、第１端面１７０から第２端面１７２まで連続する間に、利得領域１８０に生じる光を反射させる反射面を有することができる。利得領域１８０は、少なくとも１つの反射面を有することができる。利得領域１８０は、例えば図１に示すように、２つの反射面（第１反射面１７８及び第２反射面１７９）を有することができる。第１反射面１７８は、第３端面１７４と、連続部１８４の第３側面１１４側の端面との重なり面である。図示の例では、第３端面１７４と、連続部１８４の第３側面１１４側の端面とは、反射面１７８において完全に重なっているが、例えば、図示しないが、第３端面１７４と、連続部１８４の第３側面１１４側の端面とは、一部で重なっていることもできる。また、第２反射面１７９は、第４端面１７６の第２端面１７２側の一部と、連続部１８４の第４側面１１６側の端面との重なり面である。図示の例では、第４端面１７６の一部と、連続部１８４の第４側面１１６側の端面とは、第２反射面１７９において完全に重なっているが、例えば、図示しないが、第４端面１７６と、連続部１８４の第４側面１１６側の端面とは、一部で重なっていることもできる。

利得領域１８０に生じる光の波長帯において、第１端面１７０の反射率は、例えば、第１反射面１７８及び第２反射面１７９の各々の反射率よりも高い。また、第２端面１７２の反射率は、例えば、第１反射面１７８及び第２反射面１７９の各々の反射率よりも高い。例えば、図１及び図２に示すように、第１反射面１７８及び第２反射面１７９を第１ミラー１３０によって覆うことにより、高い反射率を得ることができる。第１ミラー１３０は、第１反射面１７８の側方および第２反射面１７９の側方に形成されている。第１ミラー１３０は、例えば誘電体多層膜ミラーなどである。具体的には、第１ミラー１３０としては、例えば、利得領域１８０の側面側からＳｉＯ_２層、Ｔａ_２Ｏ_５層の順序で４ペア積層したミラーなどを用いることができる。なお、例えば、利得領域１８０に生じる光が第１反射面１７８で全反射する場合（反射率は１）などには、第１ミラー１３０を設けなくても良いが、設けても良い。利得領域１８０に生じる光が第１反射面１７８で全反射する場合とは、例えば、角度θ_Ｃ及び角度θ_Ｅの各々が全反射の臨界角以上である場合である。同様に、例えば、利得領域１８０に生じる光が第２反射面１７９で全反射する場合などには、第１ミラー１３０を設けなくても良いが、設けても良い。利得領域１８０に生じる光が第２反射面１７９で全反射する場合とは、例えば、角度θ_Ｄ及び角度θ_Ｆの各々が全反射の臨界角以上である場合である。

第１反射面１７８及び第２反射面１７９の各々の反射率は、１またはそれに近いことが望ましい。これに対し、第１端面１７０及び第２端面１７２のうちの少なくとも一方の反射率は、０またはそれに近いことが望ましい。例えば、必要に応じて、第１端面１７０及び第２端面１７２のうちの少なくとも一方を反射低減部（図示せず）によって覆うことにより、低い反射率を得ることができる。反射低減部としては、例えばＳｉＮ単層などを用いることができる。なお、第１ミラー１３０及び反射低減部としては、上述した例に限定されるわけではなく、例えば、ＴｉＯ_２層、ＳｉＮ層、ＴｉＮ層や、これらの多層膜などを用いることができる。

公知のフレネルの式により得られる第１端面１７０の反射率ｒ_１、第２端面１７２の反射率ｒ_２、及び第１端面１７０から第２端面１７２までの間の反射面の反射率Ｒ_１，Ｒ_２，Ｒ_３，・・・，Ｒ_ｎ（ｎは自然数。図示の例ではｎ＝２）は、下記式（１）を満たすことができる。下記式（１）の左辺が１以下であることにより、利得領域１８０に生じる光のレーザ発振をより確実に抑制または防止することができる。
ｒ_１ｒ_２（Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３・・・Ｒ_ｎ）^２ｅｘｐ｛２（ｇ−α）Ｌ｝＜１ ・・・（１）

但し、ｇは、利得定数であり、αは、内部損失であり、Ｌは、利得領域１８０に生じる光の第１端面１７０から第２端面１７２までの光路長である。

また、利得領域１８０は、第１部分および第２部分を有することができる。例えば図示の例では、第１傾斜部１８１が第１部分であり、連続部１８４が第２部分である。第１部分の平面形状と、第２部分の平面形状とは、例えば、第１反射面１７８の垂線に対して線対称である。第１部分の平面形状と、第２部分の平面形状とは、例えば、第１反射面１７８の垂直二等分線に対して線対称である。第１部分の第１反射面１７８の垂線に対する角度θ_Ｃと、第２部分の第１反射面１７８の垂線に対する角度θ_Ｅとは、例えば同じである。なお、第１部分とは、例えば、その平面形状が第１反射面１７８の垂線に対して第２部分の平面形状と線対称である部分をいう。従って、図示の例では、第１部分と、第１傾斜部１８１とは、同じであるが、これらは異なっていても良い。このことは、第２部分についても同様である。

第２クラッド層１１０は、活性層１０８上に形成されている。第２クラッド層１１０は、例えば第２導電型（例えばｐ型）の半導体からなる。第２クラッド層１１０としては、例えばｐ型ＡｌＧａＰ層などを用いることができる。

例えば、ｐ型の第２クラッド層１１０、不純物がドーピングされていない活性層１０８、及びｎ型の第１クラッド層１０６により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラッド層１０６及び第２クラッド層１１０の各々は、活性層１０８よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１０８は、光を増幅する機能を有する。第１クラッド層１０６及び第２クラッド層１１０は、活性層１０８を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能を有する。

発光装置１００では、第１電極１２０と第２電極１２２との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層１０８の利得領域１８０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域１８０内で光の強度が増幅される。例えば、図１に示すように、第２傾斜部１８２に生じる光の一部は、第２反射面１７９、第１反射面１７８の順に反射して、第１端面１７０から第１出射光Ｌ１として出射されるが、その間に光強度が増幅される。同様に、例えば、第１傾斜部１８１に生じる光の一部は、第１反射面１７８、第２反射面１７９の順に反射して、第２端面１７２から第２出射光Ｌ２として出射されるが、その間に光強度が増幅される。なお、第１傾斜部１８１に生じる光には、直接、第１端面１７０から第１出射光Ｌ１として出射されるものもある。同様に、第２傾斜部１８２に生じる光には、直接、第２端面１７２から第２出射光Ｌ２として出射されるものもある。また、連続部１８４に生じる光の一部は、例えば、第１反射面１７８において反射して第１出射光Ｌ１として出射される。また、連続部１８４に生じる光の一部は、例えば、第２反射面１７９において反射して第２出射光Ｌ２として出射される。

利得領域１８０に生じる光は、例えば第１端面１７０で全反射しない。これにより、第１出射光Ｌ１は、例えば、利得領域１８０よりも屈折率の小さい媒質（例えば空気等）中に出射されることができる。この場合には、光の屈折により、第１端面１７０の垂線に対する第１傾斜部１８１の傾きよりも、さらに傾いた方向に第１出射光Ｌ１は出射されることができる。第１端面１７０の垂線に対する第１傾斜部１８１の傾き角をθ_Ａ、第１出射光Ｌ１の傾き角をθ_１、利得領域１８０の屈折率をｎとすると、例えば下記式（Ｉ）及び式（II）が成り立つ。
ｎｓｉｎθ_Ａ＝ｓｉｎθ_１ ・・・（Ｉ）
ｎｓｉｎθ_Ａ＜１ ・・・（II）

なお、上記式（Ｉ）は、利得領域１８０から空気中に第１出射光Ｌ１が出射される場合におけるスネルの法則を用いて導出され、式（II）は、利得領域１８０と空気の界面（第１端面１７０）で全反射を起こさないための条件である。同様に、第２端面１７２の垂線に対する第２傾斜部１８２の傾き角をθ_Ｂ、第２出射光Ｌ２の傾き角をθ_２、利得領域１８０の屈折率をｎとすると、例えば下記式（III）及び式（IV）が成り立つ。
ｎｓｉｎθ_Ｂ＝ｓｉｎθ_２ ・・・（III）
ｎｓｉｎθ_Ｂ＜１ ・・・（IV）

第１出射光Ｌ１及び第２出射光Ｌ２は、例えば図１に示すように、集束する方向に進むことができる。この場合には、第１出射光Ｌ１の傾き角θ_１と第２出射光Ｌ２の傾き角θ_２の和は、９０度よりも大きい。また、第１出射光Ｌ１及び第２出射光Ｌ２は、例えば、単一の方向、即ち、同じ方向に進むこともできる。この場合には、第１出射光Ｌ１の傾き角θ_１と第２出射光Ｌ２の傾き角θ_２の和は、９０度である。

コンタクト層１１２は、図２に示すように、第２クラッド層１１０上に形成されている。コンタクト層１１２としては、第２電極１２２とオーミックコンタクトする層を用いることができる。コンタクト層１１２は、例えば第２導電型の半導体からなる。コンタクト層１１２としては、例えばｐ型ＧａＡｓ層などを用いることができる。

第１電極１２０は、図２に示すように、基板１０２の下の全面に形成されている。第１電極１２０は、該第１電極１２０とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）と接していることができる。第１電極１２０は、基板１０２及びバッファ層１０４を介して、第１クラッド層１０６と電気的に接続されている。第１電極１２０は、発光装置１００を駆動するための一方の電極である。第１電極１２０としては、例えば、基板１０２側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。なお、第１クラッド層１０６とバッファ層１０４との間に、第２コンタクト層（図示せず）を設け、ドライエッチングなどにより該第２コンタクト層を露出させ、第１電極１２０を第２コンタクト層上に設けることもできる。これにより、片面電極構造を得ることができる。この形態は、基板１０２が絶縁性である場合に特に有効である。絶縁性の基板１０２としては、例えば、半絶縁性ＧａＡｓ基板などが挙げられる。第２コンタクト層としては、例えばｎ型ＧａＡｓ層などを用いることができる。また、図示しないが、例えば、エピタキシャルリフトオフ（ＥＬＯ）法、レーザリフトオフ法などを用いて、基板１０２とその上に設けられた部材とを切り離すことができる。即ち、発光装置１００は、基板１０２を有しないこともできる。この場合には、例えばバッファ層１０４の直接下に第１電極１２０を形成することができる。この形態も、基板１０２が絶縁性である場合に特に有効である。

第２電極１２２は、コンタクト層１１２上に形成されている。第２電極１２２は、コンタクト層１１２を介して、第２クラッド層１１０と電気的に接続されている。第２電極１２２は、発光装置１００を駆動するための他方の電極である。第２電極１２２としては、例えば、コンタクト層１１２側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。第２電極１２２の下面は、図２に示すように、利得領域１８０と同様の平面形状を有している。図示の例では、第２電極１２２とコンタクト層１１２との接触面の平面形状によって、電極１２０，１２２間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１８０の平面形状が決定されることができる。なお、図示しないが、例えば、第１電極１２０と基板１０２との接触面が、利得領域１８０と同じ平面形状を有していても良い。

本実施形態に係る発光装置１００は、例えば、プロジェクタ、ディスプレイ、照明装置、計測装置などの光源に適用されることができる。このことは、後述する実施形態についても同様である。

１．２． 次に、第１の実施形態に係る発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明するが、以下の例に限定されるわけではない。

図３は、発光装置１００の製造工程を概略的に示す断面図であり、図２に示す断面図に対応している。

（１）まず、図３に示すように、基板１０２上に、バッファ層１０４、第１クラッド層１０６、活性層１０８、第２クラッド層１１０、及びコンタクト層１１２を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などを用いることができる。

（２）次に、図１及び図２に示すように、第３側面１１４側の全面および第４側面１１６側の全面に第１ミラー１３０を形成する。第１ミラー１３０は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法、イオンアシスト蒸着(Ion Assisted Deposition)法などにより形成される。

（３）次に、図１及び図２に示すように、コンタクト層１１２上に第２電極１２２を形成する。第２電極１２２は、例えば、真空蒸着法により全面に導電層を形成した後、該導電層をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより形成される。また、第２電極１２２は、例えば、真空蒸着法およびリフトオフ法の組み合わせ等により、所望の形状に形成されることもできる。

次に、基板１０２の下面下に第１電極１２０を形成する。第１電極１２０の製法は、例えば、上述した第２電極１２２の製法の例示と同じである。なお、第１電極１２０及び第２電極１２２の形成順序は、特に限定されない。

（４）以上の工程により、図１及び図２に示すように、本実施形態の発光装置１００が得られる。

（５）次に、必要に応じて、例えば、発光装置１００を裏返して、即ち、発光装置１００のうちの活性層１０８側を図示しない支持部材側に向けて（ジャンクションダウン）、支持部材に発光装置１００をフリップチップ実装することができる。支持部材には、必要に応じて、発光装置１００の他に種々の光学部材を実装することができる。次に、例えば、発光装置１００の第１電極１２０と、図示しない端子等とを接続するワイヤーボンディングを行うことができる。

（６）以上の工程により、本実施形態の発光モジュールを得ることができる。

１．３． 本実施形態に係る発光装置１００では、上述したように、利得領域１８０に生じる光のレーザ発振を抑制または防止することができる。従って、スペックルノイズを低減させることができる。さらに、本実施形態に係る発光装置１００では、利得領域１８０に生じる光は、利得領域１８０内において利得を受けながら進行して、外部に出射されることができる。従って、従来の一般的なＬＥＤよりも高い出力を得ることができる。以上のように、本実施形態によれば、スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供することができる。

また、本実施形態に係る発光装置１００では、第１端面１７０及び第２端面１７２から出射される第１出射光Ｌ１及び第２出射光Ｌ２は、単一の方向または集束する方向に進むことができる。これにより、例えば、２つの出射光が発散する方向に進むような場合に比べ、図示しない後段の光学系（第１，第２出射光Ｌ１，Ｌ２が入射する光学系）を小型化することができる。

また、本実施形態に係る発光装置１００では、例えば、第１傾斜部１８１に生じる光の一部は、第１反射面１７８及び第２反射面１７９において反射して、連続部１８４内および第２傾斜部１８２内においても、利得を受けながら進行することができる。また、第２傾斜部１８２に生じる光の一部に関しても同様である。従って、本実施形態の発光装置１００によれば、例えば、第１反射面１７８及び第２反射面１７９において積極的に反射させないような場合に比べ、光強度の増幅距離が長くなるため、高い光出力を得ることができる。

また、本実施形態に係る発光装置１００では、第１部分の平面形状と、第２部分の平面形状とは、第１反射面１７８の垂線に対して線対称であることができる。これにより、第１部分及び第２部分において、例えば、第１部分の傾く方向（第１方向）Ａに進んでくる光を第１反射面１７８で反射させて、第２部分の傾く方向（第５方向）Ｅに進ませることができる。その逆も同様である。従って、第１部分及び第２部分において、光強度を効率良く増幅させることができる。

１．４． 次に、本実施形態に係る発光装置の変形例について説明する。なお、上述した図１及び図２に示す発光装置１００の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。

（１）まず、第１の変形例について説明する。

図４は、本変形例に係る発光装置２００を概略的に示す平面図である。

発光装置１００の例では、図１に示すように、利得領域１８０に生じる光は、第１端面１７０及び第２端面１７２で全反射しない場合について説明した。これに対し、本変形例では、例えば、利得領域１８０に生じる光を第１端面１７０又は第２端面１７２で全反射させることができる。また、本変形例では、例えば、第１端面１７０又は第２端面１７２の側方に第２ミラー１３１を形成することができる。例えば図４に示すように、利得領域１８０に生じる光を第２端面１７２で全反射させ、第２端面１７２の側方に第２ミラー１３１を形成することができる。第２ミラー１３１の材料および製法は、例えば、上述した第１ミラー１３０の材料および製法の例示と同じである。

本変形例に係る発光装置２００では、例えば図４に示すように、第１出射光Ｌ１のみを第１端面１７０から出射させることができる。即ち、第１出射光Ｌ１は、単一の方向に進むことができる。これにより、例えば、２つの出射光が発散する方向に進むような場合に比べ、図示しない後段の光学系を小型化することができる。

また、本変形例に係る発光装置２００によれば、図４に示すように、例えば図１に示す発光装置１００の例に比べ、上述した第１端面１７０から第２端面１７２までの光路長Ｌが同じである場合には、平面的な面積を小さくすることができる。即ち、平面的な面積の利用効率を高くすることができる。

（２）次に、第２の変形例について説明する。

図５及び図６の各々は、本変形例に係る発光装置２５０，４００を概略的に示す平面図である。

発光装置１００の例では、図１に示すように、活性層１０８の平面形状が四角形である場合について説明した。これに対し、本変形例では、活性層１０８の平面形状は、四角形ではないことができる。即ち、活性層１０８の平面形状は、Ｎ角形（Ｎは４以外かつ３以上の自然数）であることができる。本変形例では、例えば、基板１０２からコンタクト層１１２までのすべての層の平面形状がＮ角形であることができる。例えば、図５に示すように、Ｎ角形は八角形であることができる。

本変形例では、例えば、発光装置１００の例と同様に、基板１０２上に活性層１０８などをエピタキシャル成長させ、その後、活性層１０８が所望の角度のへき開面を有するように全体をへき開することができる。これにより、活性層１０８の側面をへき開面とすることができる。その結果、利得領域１８０に生じる光を、例えば図５に示すように、第２端面１７２から良好に出射させることができ、かつ、各反射面１７８，１７９，１７７で良好に反射させることができる。へき開面としては、例えば、図５に示すように、各側面の平面的に見た角度が０度、４５度、９０度であるへき開面などを用いることができる。なお、Ｎ角形の活性層１０８の平面形状は、例えば、エッチングなどによって得られることもできる。

また、発光装置１００の例では、図１に示すように、連続部１８４が１つ設けられている場合について説明したが、本変形例では、連続部１８４は複数設けられていることができる。例えば図５に示す例では、連続部１８４は４つ設けられている。

また、例えば、図６に示すように、Ｎ角形は六角形であることができる。また、例えば、図６に示すように、連続部１８４は設けられないことができる。

第２の変形例においても、第１端面１７０及び第２端面１７２のうちの少なくとも一方から出射される出射光は、単一の方向または集束する方向に進むことができる。なお、図５及び図６に示す例では、単一の方向に進む場合について図示してある。

（３）次に、第３の変形例について説明する。

図７は、本変形例に係る発光装置３００を概略的に示す平面図である。

発光装置１００の例では、図１に示すように、第１傾斜部１８１が１つ設けられ、第２傾斜部１８２が１つ設けられている場合について説明した。これに対し、本変形例では、第１傾斜部１８１及び第２傾斜部１８２のうちの少なくとも一方は、複数配列されていることができる。例えば図示の例では、第１傾斜部１８１は２つ配列され、第２傾斜部１８２は３つ配列されている。複数の第１傾斜部１８１の各々の傾く方向（第１方向）Ａは、第１傾斜部１８１ごとに同じ方向であっても良いし、異なる方向（図示の例）であっても良い。同様に、複数の第２傾斜部１８２の各々の傾く方向（第２方向）Ｂは、第２傾斜部１８２ごとに同じ方向であっても良いし、異なる方向（図示の例）であっても良い。本変形例では、複数の第１傾斜部１８１は、傾いている側（図示の例では第３側面１１４側）のものほど傾き角が大きいことができる。図示の例では、θ_Ａ１＞θ_Ａ２である。同様に、複数の第２傾斜部１８２は、傾いている側（図示の例では第４側面１１６側）のものほど傾き角が大きいことができる。図示の例では、θ_Ｂ１＞θ_Ｂ２＞θ_Ｂ３である。これらにより、第１端面１７０及び第２端面１７２から出射される出射光Ｌ１，Ｌ２を集束する方向に進ませることができる。

また、本変形例では、図７に示すように、利得領域１８０は、複数の第１傾斜部１８１を接続する第１接続部１８６を有することができる。第１接続部１８６は、平面的に見て、例えば第２傾斜部１８２のいずれかと平行であることができる。同様に、本変形例では、利得領域１８０は、複数の第２傾斜部１８２を接続する第２接続部１８８を有することができる。第２接続部１８８は、平面的に見て、例えば第１傾斜部１８１のいずれかと平行であることができる。

本変形例に係る発光装置３００によれば、図７に示すように、例えば図１に示す発光装置１００の例に比べ、利得領域１８０を配置する際の平面的な面積の利用効率を高くすることができる。

（４）次に、第４の変形例について説明する。

図８は、本変形例に係る発光装置３５０を概略的に示す平面図である。

発光装置１００の例では、利得領域１８０の平面形状は、図１に示すように、直線状である場合について説明したが、本変形例では、例えば図８に示すように、利得領域１８０の平面形状は、曲線状であることができる。本変形例においても、利得領域１８０のうちの第１端面１７０側は、平面的に見て、第１端面１７０の垂線に対して傾いている。同様に、利得領域１８０のうちの第２端面１７２側は、平面的に見て、第２端面１７２の垂線に対して傾いている。なお、利得領域１８０の第１端面１７０側の傾き角θ_Ａは、例えば、平面的に見て、利得領域１８０の曲線状の２つの端面１９１，１９２と第１端面１７０とが交わる点における当該２つの端面１９１，１９２の接線の傾き角の平均値とすることができる。２つの端面１９１，１９２の接線の傾き角は、第１端面１７０の垂線に対するものである。また、２つの端面１９１，１９２は、利得領域１８０の第１端面１７０及び第２端面１７２以外の端面であり、内側（出射光Ｌ１，Ｌ２の進む側）の端面１９１と、外側（出射光Ｌ１，Ｌ２の進む側とは反対側）の端面１９２である。以上のことは、利得領域１８０の第２端面１７２側の傾き角θ_Ｂについても同様である。

また、本変形例では、図８に示すように、利得領域１８０が第１，第２反射面１７８，１７９を有することができるが、利得領域１８０は、例えば、第１反射面１７８及び第２反射面１７９のうちの少なくとも一方を有しないこともできる。また、本変形例では、利得領域１８０は、例えば、第３側面１１４及び第４側面１１６のうちの少なくとも一方に接しないことができる。また、本変形例では、例えば、利得領域１８０の平面形状は、直線状と曲線状の組み合わせなどであっても良い。また、本変形例では、例えば、複数の利得領域１８０を設け、平面的に見て、外側から内側へ配列することもできる。

（５）次に、第５の変形例について説明する。

図９は、本変形例に係る発光装置４５０を概略的に示す断面図である。なお、図９に示す断面図は、発光装置１００の例における図２に示す断面図に対応している。

発光装置１００の例では、第２電極１２２の上から下まで、利得領域１８０と同じ平面形状を有する場合について説明した。これに対し、図９に示す例では、第２電極１２２の上部は、利得領域１８０と異なる平面形状を有することができる。本変形例では、コンタクト層１１２上に、開口部を有する絶縁層２０２を形成し、該開口部を埋め込む第２電極１２２を形成することができる。第２電極１２２は、開口部内および絶縁層（開口部含む）２０２上に形成されている。本変形例では、第２電極１２２の下部は、利得領域１８０と同じ平面形状を有し、第２電極１２２の上部は、絶縁層２０２と同じ平面形状を有している。絶縁層２０２としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ_２層、ポリイミド層などを用いることができる。絶縁層２０２は、例えば、ＣＶＤ法、塗布法などにより成膜される。

本変形例によれば、発光装置１００の例に比べ、第２電極１２２の上部の体積を増やすことができるため、放熱性に優れた発光装置４５０を提供することができる。

（６）次に、第６の変形例について説明する。

発光装置１００の例では、ＩｎＧａＡｌＰ系の場合について説明したが、本変形例では、発光利得領域が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＧａＩｎＮＡｓ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。また、本変形例では、例えば有機材料などを用いることもできる。

（７）なお、変形例は、上述した例に限定されるわけではない。例えば、各変形例を適宜組み合わせることも可能である。また、必要に応じて、後述する実施形態にもこれらの変形例を適用できる。

２． 第２の実施形態
２．１． 次に、第２の実施形態に係る発光装置６００について説明するが、以下の例に限定されるわけではない。

図１０は、発光装置６００を概略的に示す断面図である。なお、図１０に示す断面図は、第１の実施形態に係る発光装置１００における図２に示す断面図に対応している。また、第２の実施形態に係る発光装置６００において、上述した第１の実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

発光装置６００は、図１０に示すように、第１クラッド層１０６と、活性層１０８と、第２クラッド層１１０と、絶縁部６０２と、を含む。発光装置６００は、さらに、例えば、第１電極１２０と、第２電極１２２と、基板１０２と、バッファ層１０４と、コンタクト層１１２と、第１ミラー１３０と、を含むことができる。

コンタクト層１１２は、例えば、利得領域１８０と同じ平面形状を有している。例えば、少なくともコンタクト層１１２のうちの第２電極１２２との接触面側の部分（コンタクト層１１２の上部）が、柱状の半導体堆積体（以下「柱状部」という）６１０を構成することができる。例えば、第１クラッド層１０６、活性層１０８、第２クラッド層１１０、及びコンタクト層１１２が、柱状部６１０を構成することもできる。また、図１０に示すように、第２クラッド層１１０、及びコンタクト層１１２が、柱状部６１０を構成することもできる。

絶縁部６０２は、図１０に示すように、柱状部６１０の側方に設けられている。絶縁部６０２は、例えば、柱状部６１０の第２電極１２２側とは反対側に接する層（図示の例では第２クラッド層１１０）の上に形成されている。絶縁部６０２は、図１０に示すように、柱状部６１０の側面に接している。電極１２０，１２２間の電流は、絶縁部６０２を避けて、該絶縁部６０２に挟まれた柱状部６１０を流れることができる。例えば、柱状部６１０の平面形状によって、電極１２０，１２２間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１８０の平面形状が決定される。なお、図示しないが、柱状部６１０及び絶縁部６０２は、基板１０２側に形成されることもできる。絶縁部６０２としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ_２層、ポリイミド層などを用いることができる。

絶縁部６０２は、例えば、少なくとも活性層１０８の側面（但し、利得領域１８０の第１端面１７０及び第２端面１７２以外の面）を覆うこともできる。例えば、柱状部６１０の側面のうち、第１端面１７０側および第２端面１７２側以外の側面は、絶縁部６０２により覆われていることができる。絶縁部６０２は、活性層１０８の屈折率よりも低い屈折率を有することができる。これにより、活性層１０８内に効率良く光を閉じ込めることができる。

第２電極１２２は、例えば図１０に示すように、柱状部６１０及び絶縁部６０２の上の全面に形成されている。これにより、上述した図１及び図２に示す発光装置１００の例に比べ、第２電極１２２の体積が増えるため、放熱性に優れた発光装置６００を提供することができる。

２．２． 次に、第２の実施形態に係る発光装置６００の製造方法の例について、図面を参照しながら説明するが、以下の例に限定されるわけではない。なお、上述した第１の実施形態に係る発光装置１００の製造方法と異なる点について説明し、同様の点については詳細な説明を省略する。

図１１は、発光装置６００の製造工程を概略的に示す断面図であり、図１０に示す断面図に対応している。

（１）まず、基板１０２上に、バッファ層１０４、第１クラッド層１０６、活性層１０８、第２クラッド層１１０、及びコンタクト層１１２を形成する。

（２）次に、図１１に示すように、第２クラッド層１１０、及びコンタクト層１１２をパターニングする。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを用いて行われる。本工程により、柱状部６１０を形成することができる。

（３）次に、図１０に示すように、柱状部６１０の側面を覆うように絶縁部６０２を形成する。具体的には、まず、例えば、ＣＶＤ法、塗布法などにより、第２クラッド層１１０の上方（コンタクト層１１２上を含む）の全面に絶縁層（図示せず）を成膜する。次に、例えば、エッチング技術などを用いて、コンタクト層１１２の上面を露出させる。以上の工程により、絶縁部６０２を得ることができる。

次に、第１ミラー１３０、第１電極１２０、及び第２電極１２２を形成する。第２電極１２２は、図１０に示すように、平坦な面上の全面に成膜されれば良いため、第２電極１２２の断線リスクを低減することができる。また、第２電極１２２のパターニング工程は不要であるため、製造工程を簡素化することができる。

（４）以上の工程により、図１０に示すように、本実施形態の発光装置６００が得られる。

２．３． 本実施形態によれば、上述した第１の実施形態と同様に、スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供することができる。

２．４． 次に、本実施形態に係る発光装置の変形例について説明する。なお、上述した図１０に示す発光装置６００の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。

図１２は、本変形例に係る発光装置の製造工程を概略的に示す断面図である。なお、図１２に示す断面図は、発光装置６００の例における図１０に示す断面図に対応している。

発光装置６００の例では、図１１に示すように柱状部６１０を形成した後、絶縁層（図示せず）を成膜し、その後、コンタクト層１１２を露出させることにより、絶縁部６０２を形成する場合について説明した。これに対し、本変形例では、まず、図１２に示すように、コンタクト層１１２上であって、利得領域１８０の上方の領域を、フォトレジスト等のマスク層７０４で覆う。次に、例えばプロトン等のイオン７０６を、マスク層７０４をマスクとして、例えばバッファ層１０４の上面に達する深さまで注入する。以上の工程により、本変形例に係る絶縁部６０２を形成することができる。

なお、変形例は、上述した例に限定されるわけではない。また、必要に応じて、上述した実施形態にもこの変形例や発光装置６００の例を適用できる。

３． 上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。

第１実施形態の発光装置を概略的に示す平面図。 第１実施形態の発光装置を概略的に示す断面図。 第１実施形態の発光装置の製造工程を概略的に示す断面図。 第１実施形態の発光装置の第１変形例を概略的に示す平面図。 第１実施形態の発光装置の第２変形例を概略的に示す平面図。 第１実施形態の発光装置の第２変形例を概略的に示す平面図。 第１実施形態の発光装置の第３変形例を概略的に示す平面図。 第１実施形態の発光装置の第４変形例を概略的に示す平面図。 第１実施形態の発光装置の第５変形例を概略的に示す断面図。 第２実施形態の発光装置を概略的に示す断面図。 第２実施形態の発光装置の製造工程を概略的に示す断面図。 第２実施形態の発光装置の変形例の製造工程を概略的に示す断面図。

符号の説明

１００ 発光装置、１０２ 基板、１０４ バッファ層、１０５ 外側側面、１０６ 第１クラッド層、１０７ 第１側面、１０８ 活性層、１０９ 第２側面、１１０ 第２クラッド層、１１２ コンタクト層、１１４ 第３側面、１１６ 第４側面、１２０ 第１電極、１２２ 第２電極、１３０ 第１ミラー、１３１ 第２ミラー、１７０ 第１端面、１７２ 第２端面、１７４ 第３端面、１７６ 第４端面、１７８ 第１反射面、１７９ 第２反射面、１８０ 利得領域、１８１ 第１傾斜部、１８２ 第２傾斜部、１８４ 連続部、１８６ 第１接続部、１８８ 第２接続部、１９１，１９２ 端面、２００ 発光装置、２０２ 絶縁層、３００，３５０，４００，４５０，６００ 発光装置、６０２ 絶縁部、６１０ 柱状部、７０４ マスク層，７０６ イオン

Claims (11)

1. 第１クラッド層と、
   前記第１クラッド層の上方に形成された活性層と、
   前記活性層の上方に形成された第２クラッド層と、
   を含み、
   前記活性層のうちの少なくとも一部は、利得領域を構成し、
   前記利得領域に生じる光の波長帯において、
   前記活性層の第３側面及び第４側面の反射率は、前記第３側面と対向する前記活性層の第２側面及び前記第４側面と対向する前記活性層の第１側面の反射率よりも高く、
   前記利得領域は、前記第４側面から前記第３側面に向かって設けられた第１部分と、
   前記第３側面から前記第１側面に向かって設けられた第２部分と、
   前記第４側面から前記第２側面に向かって設けられた第３部分と、を有し、
   前記第２部分は、平面的に見て前記第１側面の垂線に対して傾いており、
   前記第３部分は、平面的に見て前記第２側面の垂線に対して傾いており、
   前記第３部分の前記第４側面側の端面の少なくとも一部と、前記第１部分の前記第４側面側の端面の少なくとも一部とは、重なっており、
   前記第３部分の前記第２側面側の端面から出射される光と、前記第２部分の前記第１側面側の端面から出射される光とは、単一の方向または集光する方向に進む、発光装置。
2. 請求項１において、
   前記第３側面又は前記第４側面の少なくとも一方の面にミラーを有する、発光装置。
3. 請求項１において、
   前記第３側面又は前記第４側面の少なくとも一方の面で前記利得領域に生じる光を全反射する、発光装置。
4. 請求項１において、
   前記第１部分の平面形状と、前記第２部分の平面形状とは、前記第３側面の垂線に対して線対称である、発光装置。
5. 請求項１において、
   前記利得領域は、前記第１側面から前記第２側面までの間に、該利得領域に生じる光を反射させる少なくとも１つの反射面を有し、
   フレネルの式により得られる前記第１側面の反射率ｒ_１、前記第２側面の反射率ｒ_２、および前記反射面の反射率Ｒ_１，Ｒ_２，Ｒ_３，・・・，Ｒ_ｎは、下記式（１）を満たす、発光装置。
   ｒ_１ｒ_２（Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３・・・Ｒ_ｎ）^２ｅｘｐ｛２（ｇ−α）Ｌ｝＜１ ・・・（１）
   但し、ｇは、利得定数であり、αは、内部損失であり、Ｌは、前記利得領域に生じる光の前記第１側面から前記第２側面までの光路長である。
6. 請求項１乃至５のいずれかにおいて、
   前記活性層の平面形状は、四角形ではない、発光装置。
7. 請求項１乃至６のいずれかにおいて、
   前記クラッド層に電気的に接続された電極と、
   前記他のクラッド層に電気的に接続された他の電極と、
   を含む、発光装置。
8. 請求項１乃至７のいずれかにおいて、
   前記利得領域は、前記第１側面から光を出射する１つ以上の第１傾斜部と、
   前記１つ以上の第１傾斜部と前記第２部分を接続する第１接続部と、を有し、
   前記１つ以上の第１傾斜部は、平面的にみて前記第１側面の垂線に対して傾いた方向に向かって設けられている、発光装置。
9. 請求項８において、
   平面的にみて前記第１側面の垂線に対する前記１つ以上の第１傾斜部の傾き角の大きさは、前記第２部分から離れるほど小さい、発光装置。
10. 請求項１乃至９のいずれかにおいて、
    前記利得領域は、前記第２側面から光を出射する１つ以上の第２傾斜部と、
    前記１つ以上の第２傾斜部と前記第３部分を接続する第２接続部と、を有し、
    前記１つ以上の第２傾斜部は、平面的にみて前記第２側面の垂線に対して傾いた方向に向かって設けられている、発光装置。
11. 請求項１０において、
    平面的にみて前記第２側面の垂線に対する前記１つ以上の第２傾斜部の傾き角の大きさは、前記第３部分から離れるほど小さい、発光装置。

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