JPH08307001A - 半導体レ−ザダイオ−ドおよびその製造方法 - Google Patents

半導体レ−ザダイオ−ドおよびその製造方法

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JPH08307001A
JPH08307001A JP7105763A JP10576395A JPH08307001A JP H08307001 A JPH08307001 A JP H08307001A JP 7105763 A JP7105763 A JP 7105763A JP 10576395 A JP10576395 A JP 10576395A JP H08307001 A JPH08307001 A JP H08307001A
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Akio Hayafuji
紀生 早藤
Yoshihei Kawatsu
善平 川津
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 紫外から緑にわたる短波長光を放出する高性
能な半導体レーザダイオードを得ること、およびその製
造方法を提供することを目的とする。 【構成】 サファイア基板１にｎ型ＧａＮコンタクト層
５を形成し、このｎ型ＧａＮコンタクト層５上にｎ型Ａ
ｌＧａＮクラッド層７、アンドープＧａＮ活性層８、ｐ
型ＡｌＧａＮクラッド層９、ｐ型ＧａＮコンタクト層１
０、ｐ型半導体反射鏡１１を積層したエピタキシャル層
を形成する。ここでサファイア基板１の裏面とｎ型コン
タクト層５の面をほぼ同一平面で連続して構成され、こ
の同一平面上にｎ型コンタクト層５と接続する電極１７
を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、化合物半導体により
構成され、紫外から緑にわたる短波長光の半導体レーザ
ダイオード、およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在のところ、サファイア基板上に対す
るIII―V族窒化物のエピタキシャル成長技術の進歩によ
りIII―V族化合物半導体材料を用いた青色発光の発光ダ
イオードが商品化されるところまで来ている。例えば、
「日経サイエンス誌」１９９４年１０月号の第４４頁〜
第５５頁において、有機金属化学気相法（ＭＯＣＶＤ
法）を用い、サファイア基板上へのＧａＩｎＮ／ＡｌＧ
ａＮ系のダブルヘテロ構造による発光ダイオードが掲載
されている。このＧａＮ系の青色発光材料を通常のレー
ザダイオードの構造に適用することにより、短波長光の
半導体レーザダイオードを得ることができる。
【０００３】例えば、図１９は従来から知られているＧ
ａＡｓ系の面発光型レーザダイオードの構成断面図であ
る。図１９のレーザダイオードは、ｎＧａＡｓ基板２１
より順にｎＧａＡｓバッファ層２２、ｎＡｌＧａＡｓク
ラッド層２３、アンドープＧａＡｓ活性層２４、ｐＡｌ
ＧａＡｓクラッド層２５、ｎＧａＡｓブロック層２６、
ｐＧａＡｓコンタクト層２７が積層された構造を示す。
また、レーザ光を発振させる領域は、ｎＡｌＧａＡｓク
ラッド層２３、アンドープＧａＡｓ活性層２４、ｐＡｌ
ＧａＡｓクラッド層２５およびｐＧａＡｓコンタクト層
２６の積層構造をとり、ｎＡｌＧａＡｓクラッド層２３
側を前面反射膜２８で、ｐＧａＡｓコンタクト層２７側
を後面反射膜２９でそれぞれ挟んで共振器を形成する。
またｎＧａＡｓ基板２１の表面にｎ電極、ｐＧａＡｓコ
ンタクト層２６の表面にｐ電極が形成され、前面反射膜
２８をｎＧａＡｓ基板２１側に露出させる開口部２９よ
りレーザ光を放出する。
【０００４】また、図２０は、従来から知られている端
面発光型のレーザダイオードの構成断面図である。ｎＧ
ａＡｓ基板２１、ｎＧａＡｓバッファ層２２、ｎＡｌＧ
ａＡｓクラッド層２３、アンドープＧａＡｓ活性層２
４、ｐＡｌＧａＡｓクラッド層２５、ｐＧａＡｓコンタ
クト層２６の順に積層された構造を示す。この積層構造
において劈開した面に前面反射膜２８、後面反射膜２９
をそれぞれ対向させて形成し、ｎＧａＡｓ基板２１の表
面にｎ電極、ｐＧａＡｓコンタクト層２６の表面にｐ電
極をそれぞれ形成する。この活性層２４における反射膜
２８、２９間で光が共振して増幅され、前面反射膜２８
側よりレーザ光が放出される。
【０００５】図１９、図２０のレーザダイオード構造の
両方において、基板としてサファイアを用い、ＧａＡｓ
材料の代わりにＧａＮ材料を用いる。活性層がクラッド
層で挟むダブルヘテロ構造は、アンドープＧａＩｎＮを
それぞれｎ型、ｐ型のＡｌＧａＮで挟んだ構成とするこ
とにより、紫外から緑にわたる短波長光の半導体レーザ
ダイオードが得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＧａＮ材料による半導
体レーザダイオードにおいて、サファイア基板に対する
ＧａＮ系半導体の結晶成長技術の進歩により材料品質の
飛躍的進歩があった。しかしながら図１９、２０のデバ
イス構造において、上述の材料に単に置き換えるのみで
は短波長光の半導体レーザダイオードの実現は困難であ
った。
【０００７】図１９のような構成に上述の青色発光材料
を適用した場合、基板としてサファイアを用いるが、サ
ファイアは絶縁性物質であるため、単にサファイア基板
上にｎ電極を設けたのみでは、レーザ光の発振を動作さ
せるダブルヘテロ構造部分に通電させることができず、
レーザ発振が不可能であるという問題点があった。ま
た、プロセス工程に課題があり、基板２１上に各層２２
〜２６を積層した後にｎＡｌＧａＡｓクラッド層２３ま
で開口する開口部分を形成するが、基板であるサファイ
アにおいてエッチング等の加工が非常に困難であり、例
えば活性層２４やクラッド層２５等、必要以上の箇所に
まで開口してしまう場合が生じ、歩留りが悪くなるとい
う問題点があった。
【０００８】さらに図２０のような構成に上述の青色発
光材料を適用した場合、サファイアおよびＧａＮ系材料
は劈開しにくく、レーザ光を共振させるに十分な劈開面
を得ることができないので、この端面発光型半導体レー
ザダイオードの実現は不可能である。
【０００９】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたもので、緑から紫外にわたる短波長光の発振を
実現する高性能な面発光型の半導体レーザダイオード、
およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザダイオードは、絶縁性の基板の主面側に露出面を有
するように基板に埋設された第１導電型半導体からなる
第１のコンタクト層、第１導電型半導体からなる第１の
クラッド層と、活性層と、第２導電型半導体からなる第
２のクラッド層と、第２導電型半導体からなる第２のコ
ンタクト層との順に積層して構成され、第１のクラッド
層が第１のコンタクト層と接合されるように形成された
半導体層、第１のクラッド層が基板の主面側に露出され
るように第１のコンタクト層の露出面に設けられた孔、
この孔内において第１のクラッド層の表面上に形成され
た第１の反射鏡、この第１の反射鏡と対向するように、
半導体層における第２のコンタクト層上に形成された第
２の反射鏡、第１のコンタクト層の露出面と接続するよ
うに基板の主面上に形成された電極を備えたものであ
る。
【００１１】第１のコンタクト層における露出面は、基
板の主面の端辺と連続したほぼ同一な平面をなすように
構成されたものである。
【００１２】また、この半導体レーザダイオードにおい
て、第１のコンタクト層における露出面は、基板の主面
の端辺より第１のクラッド層に連続する一平面で構成さ
れたものである。
【００１３】また、この半導体レーザダイオードにおい
て、半導体層は、その側面が基板で覆われているように
構成されたものである。
【００１４】また、この発明に係る半導体レーザダイオ
ードは、主面に孔を有する絶縁性の基板、この基板上に
形成された第１導電型半導体からなる第１のコンタクト
層、第１導電型半導体からなる第１のクラッド層と、活
性層と、第２導電型半導体からなる第２のクラッド層
と、第２導電型半導体からなる第２のコンタクト層との
順に積層して構成され、第１のクラッド層が基板におけ
る孔の底面をなして第１のコンタクト層と接合されるよ
うに形成された半導体層、孔の底面における第１のクラ
ッド層上に形成された第１の反射鏡、この第１の反射鏡
と対向するように、半導体層における第２のコンタクト
層上に形成された第２の反射鏡、基板の主面に形成され
た電極を備え、基板の主面は、第１のコンタクト層の一
部を露出させる孔を有し、電極はこの孔より露出した第
１のコンタクト層に接続するように構成されたものであ
る。
【００１５】また、第１の反射鏡の形成された孔と、第
１のコンタクト層が露出された孔とは、基板の主面にお
いて異なる箇所に設けられたものである。
【００１６】これらの半導体レーザダイオードにおい
て、第１と第２のコンタクト層、第１と第２のクラッド
層および活性層は、窒化ガリウムを含んだ半導体からな
るものである。また基板はサファイアで構成されてい
る。
【００１７】この発明に係る半導体レーザダイオードの
製造方法は、絶縁性の基板主面に形成された孔に第１導
電型からなる第１の半導体層を埋め込むように形成する
第１の工程、第１の半導体層上に、クラッド層となる第
１導電型からなる第２の半導体層、活性層となる第３の
半導体層、クラッド層となる第２導電型からなる第４の
半導体層の順に積層する第２の工程、第１の半導体層が
露出するまで上記基板の裏面を研磨する第３の工程、基
板裏面より露出した第１の半導体層の一面内に第２の半
導体層を露出させる孔を形成する第４の工程を含んだも
のである。
【００１８】第２の工程は、基板上および第１の半導体
層上にエピタキシャル層を成長させた工程を含んたもの
である。
【００１９】また、この半導体レーザダイオードの製造
方法において、この第２の工程は、第２、第３および第
４の半導体層が、第１の半導体層が埋め込まれた孔内に
形成されるようにしたものである。
【００２０】さらに、この半導体レーザダイオードの製
造方法において、第１、第２、第３および第４の半導体
層は、窒素ガリウムを含んだ半導体からなる。
【００２１】
【作用】この発明の半導体レーザダイオードは、基板主
面側に露出面を有するように基板に埋設された第１のコ
ンタクト層を備えたことにより、基板主面に形成された
電極が第１のコンタクト層と電気的に接続され、第１と
第２のクラッド層および活性層が通電されるようにな
る。
【００２２】また、第１のコンタクト層における露出面
が基板主面と連続したほぼ同一な平面を構成するので、
基板上の電極はその端辺より連続して第１のコンタクト
層に接続される。従ってこの接続は容易に、かつ確実に
なされる。
【００２３】第１のコンタクト層における露出面は、基
板の主面端辺より第１のクラッド層に連続する一平面で
構成されたので、基板上の電極はその端辺より連続して
第１のコンタクト層に接続される。従ってこの接続は容
易にかつ確実になされ、特に電極と第１のコンタクト層
との接続面積が大きくとることができ、接触抵抗を小さ
くなる。
【００２４】半導体層は、その積層方向に対する側面が
基板で覆われるので、半導体層を覆う基板の部分が電流
の狭窄を行なうようになる。
【００２５】また、この発明の半導体レーザダイオード
は、上記基板の主面は、上記第１のコンタクト層の一部
を露出させる孔を有し、上記電極は、この孔より露出し
た第１のコンタクト層に接続するように構成されたの
で、基板主面に形成された電極が第１のコンタクト層と
電気的に接続され、第１と第２のクラッド層および活性
層が通電されるようになる。
【００２６】この発明の半導体レーザダイオードの製造
方法は、基板の一主面に形成された孔に第１導電型から
なる第１の半導体層を埋め込むように形成し、上記第１
の半導体層が露出するまで上記基板の裏面を研磨するよ
うにしたので、基板上に形成される電極が第１のコンタ
クト層と容易にかつ確実に接続される。
【００２７】また、第２の工程において基板上および第
１の半導体層上にエピタキシャル層を成長させた工程を
含むので、第１の半導体層上に形成されたダブルヘテロ
構造層となる第２、第３および第４の半導体層が基板上
に形成されたエピタキシャル層で覆うように構成され
る。このエピタキシャル層が電流の挟窄を行う。
【００２８】また、第２の工程において第２、第３およ
び第４の半導体層が、第１の半導体層が埋め込まれた孔
内に形成されるようにしたので、第１の半導体層上に形
成されたダブルヘテロ構造層となる第２、第３および第
４の半導体層が基板で覆うように構成される。この基板
部分が電流の挟窄を行う。
【００２９】
【実施例】
実施例１．以下、この発明の一実施例を示す。図１はこ
の実施例による半導体レーザダイオードの構成を示す断
面図である。図において、１はサファイア基板、５はサ
ファイア基板１内の一部にほぼ同一の厚さとなるように
形成されたｎ型ＧａＮコンタクト層（以下、ｎ型コンタ
クト層）、７はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層（ｎ型クラッ
ド層）、８はアンドープＧａＩｎＮ活性層（以下、活性
層）、９はｐ型ＡｌＧａＮクラッド層（以下、ｐ型クラ
ッド層）、１０はｐ型ＧａＮコンタクト層（ｐ型コンタ
クト層）、１１はＡｌＮとＡｌＧａＮとの積層構造から
なるｐ型半導体反射鏡で、ｎ型コンタクト層５の上面よ
り、ｎ型クラッド層７、活性層８、ｐ型クラッド層９、
ｐ型コンタクト層１０、ｐ型半導体反射鏡１１の順に積
層されたエピタキシャル層で、円筒状に形成されてい
る。また活性層８をそれぞれｎ型クラッド層７、ｐ型ク
ラッド層９に挟んだＡｌＧａＮ／ＧａＩｎＮのダブルヘ
テロ構造が形成される。
【００３０】１３はサファイア基板１上に、ｎ型クラッ
ド層７から反射鏡１１までのエピタキシャル層の側面全
体が被覆されるように形成された絶縁膜で、通常のレー
ザダイオードにおける電流を狭窄する機能を有する。１
４は絶縁層１３の上面全体に反射鏡１１を介してｐ型コ
ンタクト層１０とオーミックコンタクトするように形成
されたｐ型オーミック電極（以下、ｐ電極）、１５はｎ
型ＡｌＧａＮクラッド層７まで挿通した開口部、１６は
開口部１５内のｎ型クラッド層７の面全体に形成された
反射鏡で、ＺｒＯとＳｉＯ2との積層構造による誘電膜
からなる。１７はｎ型コンタクト層５とオーミックコン
タクトするようにサファイア基板１の面全体に形成され
たｎ型オーミック電極（以下、ｎ電極）である。
【００３１】ｐ電極１４、ｎ電極１７に電圧が供給さ
れ、ｎ型コンタクト層５とｐ型コンタクト層１０との間
に生じる電流が発振のしきい値を越えると、反射鏡１
１、１６により共振された光がレーザ光として開口部１
５より矢印方向に放出される。本実施例のように発光材
料としてＧａＮ系のIII―V族半導体を用いることにより
紫外から緑にわたる短波長光が発生する。
【００３２】このＧａＮ系材料に対する基板には、サフ
ァイアのような絶縁材料が用いるため、基板上にコンタ
クト層、ダブルヘテロ構造層と積層された従来のレーザ
ダイオードでは基板側に設ける電極をコンタクト層に接
続することは困難である。しかし本実施例のようにコン
タクト層５がサファイア基板１主面側に露出され、この
露出面と電極とを容易にかつ確実に接続することがで
き、図１においてｎ電極１７とｎ型コンタクト層５との
間に良好なオーミックコンタクトが得られる。
【００３３】次に、図１の半導体レーザダイオードの製
造方法を説明する。図２ないし図１３は、この半導体レ
ーザダイオードの製造工程を示す工程断面図である。
【００３４】（工程１）：まず、図２のようにサファイ
ア基板１の表面全体に保護膜２を形成する。このとき、
サファイア基板１は直径２インチないし３インチまでの
大きさ、厚みは６００μｍであり、保護膜２はＳｉＯ2
を用い、厚み１０００Åに形成する。
【００３５】（工程２）：図３のようにレーザ領域とな
る部分（符号３）の保護膜２を選択除去する。例えば直
径２０μｍの円形に除去する。
【００３６】（工程３）：露呈したサファイア基板１部
分を選択エッチングする。図４のようにおよそ深さ１０
μｍの開口部４を形成する。なお、このときのエッチャ
ントには硫酸を加えたリン酸を２００℃以上に加熱した
ものを用いる。
【００３７】（工程４）：図４の開口部４の形成された
面上にそのままｎ形窒化ガリウム（ＧａＮ）を成長させ
る。このＧａＮの結晶成長には有機金属気相成長（ＭＯ
ＣＶＤ法）による２段階成長法を採用し、まず５００〜
６００℃の基板温度で多結晶のＧａＮで成長させ、さら
にその上に約１０００℃でＧａＮを成長させる。この方
法によると、図５のように開口部４内のサファイア基板
上には高品質な単結晶のｎ型ＧａＮ５が、それ以外の保
護膜２上には多結晶のＧａＮ６が成長する。この多結晶
ＧａＮ６は高抵抗の絶縁層である。
【００３８】（工程５）：図５において、サファイア基
板１面を機械的に研磨し、同基板上に形成された多結晶
ＧａＮ層６、保護膜２を取り除く。図６のように単結晶
のｎ型ＧａＮ層５上にわずかに開口部のくぼみが残るよ
うにする。
【００３９】（工程６）：次に、サファイア基板１にお
いてｎ型ＧａＮ層５の形成された面全体に８００〜１０
００℃の基板温度によるエピタキシャル成長で、基板面
からｎ型ＡｌＧａＮ層７、アンドープＧａＩｎＮ層８、
ｐ型ＡｌＧａＮ層９、ｐ型ＧａＮ層１０の順に積層し、
さらにｐ型ＧａＮ層１０上に同じエピタキシャル成長工
程によりＡｌＮとＡｌＧａＮとの積層構造１１を形成し
たエピタキシャル層を形成する。このようにするとｎ型
ＧａＮ５の直上には単結晶の良質なエピタキシャル層１
２が、工程５の研磨により露出したサファイア上には多
結晶の高抵抗絶縁層１３がそれぞれ形成される（図
７）。ｎ型ＧａＮ層５上にはＡｌＧａＮ／ＧａＩｎＮの
ダブルヘテロ構造、さらにその上方に積層構造１１によ
る分布反射鏡（Distributed Bragg Reflector、(DBR)）
が形成される。
【００４０】（工程７）：エピタキシャル層１２の表面
にｐ型ＡｌＧａＮ層９の深さまで熱アニールもしくは電
子線照射する（図８）。このことにより、この最表面に
良好なｐ型オーミックコンタクト層が形成されるように
なる。
【００４１】（工程８）：エピタキシャル層１２および
絶縁層１３の表面全体にｐ型電極１４を形成する（図
９）。
【００４２】（工程９）：図９において、サファイア基
板１の裏面を機械的に研磨し、さらに化学エッチングを
施し、ｎ型ＧａＮ層５が露出した時点で止める（図１
０）。サファイア基板を孔開け加工することなくｎ型Ｇ
ａＮ層５を露出させることができる。
【００４３】（工程１０）：露呈したｎ型ＧａＮ層５の
サファイア基板と接合する周辺部を残してｎ型ＡｌＧａ
Ｎ層７が露出するまでｎ型ＧａＮ層５を除去する。図１
１のように、この除去により形成された開口部１５はレ
ーザ光が放出される窓となる。レーザ領域であるｎ型ク
ラッド層７から反射鏡１１までのエピタキシャル層が円
筒状の場合は、ｎ型ＧａＮ層５はドーナッツ状に残され
たｎ型のオーミックコンタクト層とする。加工が困難な
サファイア基板を開口する工程がなく、孔開け加工が容
易なｎ型ＧａＮ層５の半導体層が開口されるので、レ−
ザ光の放出窓が容易に形成される。
【００４４】（工程１１）：図１１で開口部１５に露出
したｎ型ＡｌＧａＮ層７全面にＺｒＯとＳｉＯ2の積層
等からなる誘電膜１６を蒸着等により形成する（図１
２）。この誘電膜１６は、反射鏡１１と対をなして共振
器を構成する反射鏡となる。
【００４５】（工程１２）：誘電膜１６部分を除いて、
ｎ型ＧａＮ層５とオーミックコンタクトするようにサフ
ァイア基板１の主面全体にｎ型電極１７を形成する（図
１３）。ｎ型ＧａＮ層５と基板１とはほぼ同一平面をな
し、ｎ電極１７はｎ型ＧａＮ層５にこの平面上で容易に
かつ確実に接続される。この図１３における各領域１８
は短波長のレーザ光が発振する図１のデバイス構造を形
成する。
【００４６】このような製造工程により、紫外線から緑
にわたる短波長光の半導体レーザダイオードを容易に再
現性よく得られるものである。この短波長光レーザダイ
オードは、動画、防衛、情報通信と広い分野で用いられ
ることが期待される。
【００４７】また、図２ないし図１３の製造工程におい
て、単体のデバイス素子が複数個が同一工程で形成され
る。図１４のように、図１のレーザダイオードの素子領
域１８が２次元的に配置された集積型レーザダイオード
が形成される。この上面と下面に形成される電極を所定
の配線構成とすることにより、このような複数個のレー
ザ構造を各々独立に、または２つ以上のグレープ毎に作
動させることができ、モノリシック集積化が容易に実現
する。なお、この集積型レーザダイオードはワンチップ
で構成され、他のシステムに搭載される。基板としてサ
ファイアを用いているため機械的強度があり、ハンドリ
ング時に破損を少なくなる。さらに放熱性も良いので、
レーザ動作時に生じる熱が容易に放散される。従って熱
発生によりレーザ発振の動作異常を防ぐことができる。
【００４８】図１の半導体レーザダイオードにおいて、
レーザ領域は円筒状に形成されたが、これに限らず、四
角柱状でもよくｎ型コンタクト層５の上方に積層された
構造であればよい。
【００４９】また、基板の材料としてサファイアを用い
たが、その他にＭｇＯ、またはＭｇＡｌ2Ｏ4（スピネ
ル）の絶縁物質を用いてもよい。
【００５０】また、工程５（図６）において、ｎ型Ｇａ
Ｎ層５とサファイア基板１とが同一平面を形成するまで
サファイア基板を研磨してもよい。図１においてｎ型ク
ラッド層７は、その下面がサファイア基板１の面とほぼ
同一面に位置するよう形成される。
【００５１】実施例２．図１５は、図１の半導体レーザ
ダイオードの変形例を示す構成断面図である。ｎ型Ｇａ
Ｎ層５におけるレーザ光が放出される開口部１５内の側
面が、サファイア基板の端辺１８よりｎ型ＡｌＧａＮク
ラッド層７まで傾斜して形成されている。開口部１５の
端辺１８が円形である場合、この面は椀状に形成され、
その底部であるｎ型ＡｌＧａＮクラッド層７上全体に反
射鏡１６が設けられている。さらにｎ電極はサファイア
基板１から端辺１８を介して開口部１５の側面全体でｎ
型ＧａＮ層５にコンタクトする。その他は図１の半導体
レーザダイオードと同一の材料を用いて同一に構成され
ている。なお、この半導体レーザダイオードの製造工程
は、実施例１における工程１から工程１０までは同一で
あり、図１１の開口部１５の側面を研磨して、ｎ型Ｇａ
Ｎ層５が基板１からｎ型ＡｌＧａＮ層７へテーパ状に連
続した面を有するようにする。その後に、ｎ型ＡｌＧａ
Ｎ層７の開口部１５に露出した面に誘電膜反射鏡１６、
サファイア基板１とｎ型ＧａＮ層５表面にｎ電極を形成
する。
【００５２】図１５のように、ｎ型ＧａＮコンタクト層
５が形成されるので、ｎ電極１７とｎ型ＧａＮ層５との
接触面積が大きくなり、その接触抵抗を低下させること
ができる。よって良好なレーザ発振が可能となる。ま
た、その接続プロセスもサファイア基板１の面とｎ型Ｇ
ａＮ層５の面とが端辺１８を介して連続するように構成
されているので、電極の形成に困難な段差もなく、ｎ電
極１７はｎ型ＧａＮ層５に容易にかつ確実に接続するこ
とができる。
【００５３】さらに別の変形例として、図示しないが、
図１のレーザダイオード構造において、ｎ型ＧａＮ層５
が、その端辺を境界としてサファイア基板１の面と連続
した面を有するようにｎ型ＧａＮ層５の面がサファイア
基板１の面より凸設、もしくは凹設されていてもよい。
【００５４】実施例３．図１６は本実施例による半導体
レーザダイオードの構成を示す断面図である。図におい
て、ｎ型ＧａＮ層５上にｎ型ＡｌＧａＮクラッド層７、
アンドープＧａＮ層８、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９、
ｐ型ＧａＮコンタクト層１０およびｐ型半導体反射鏡１
１が積層され、このｎ型ＧａＮ層５から半導体反射鏡１
１までの積層構造の側面すべてがサファイア基板１で覆
われるように構成される。なお、ｎ型ＧａＮコンタクト
層５は、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層７からｐ型ＡｌＧａ
Ｎクラッド層９の任意の高さまでその側面を覆う。その
他は、図１の半導体レーザダイオードと同一の材料を用
いて同一の構成をなすものである。
【００５５】次に、この半導体レーザダイオードの製造
方法について説明する。なお、図１７はその製造方法を
説明するための断面図である。なお実施例１における工
程１（図２）から工程５（図６）までは同一である。た
だし、開口部４を図４の場合より深く形成しておき、保
護膜２を研磨する。図１７(Ａ)のように、ｎ型ＧａＮ層
５が取り除かれるようにサファイア基板１の開口部４上
部よりその側面を再研磨する。開口部４の側面のｎ型Ｇ
ａＮ層５はすべて削除するようにしてもよいがｎ型Ｇａ
Ｎ層５は開口部４の底部より所定の高さまで残しておい
てもよい。
【００５６】図１７(Ｂ)で、このくぼみ部分に埋め込ま
れるように、その底部から順にｎ型ＡｌＧａＮ層７、ア
ンドープＧａＩｎＮ層８、ｐ型ＡｌＧａＮ層９、ｐ型Ｇ
ａＮ層１０およびＡｌＮとＡｌＧａＮとが積層してなる
反射鏡１１のエピタキシャル層１２を成長させる。この
とき分子線エピタキシャル成長法（Molecular Beam Epi
taxial、(ＭＢＥ)）を用いることにより、ｎ型ＧａＮ層
５上のみにエピタキシャル層が形成され、サファイア基
板１上にはエピタキシャル層が形成されず多結晶半導体
層１９が堆積する。なお、開口部４側面に残存したｎ型
ＧａＮ層５は、ｐ型ＧａＮ層１０に接続しない高さまで
残しておけばよく、例えば図のようにｐ型ＡｌＧａＮ層
８がｎ型ＧａＮ層５を覆う高さにしておく。
【００５７】さらに図１７(Ｃ)で、サファイア基板１の
表面を機械的に研磨し、反射鏡１１がサファイア基板１
表面と同一平面となるようにする。多結晶半導体層１９
はすべて除去される。
【００５８】その後、図１７(Ｄ)のように、エピタキシ
ャル層１２およびサファイア基板１の表面全体にｐ型電
極１４を形成する。この(Ｄ)の工程は実施例１の（工程
８）に相当し、これ以降、基板裏面側においてｎ電極を
形成するまでの製造工程は実施例１（工程９）以下と全
く同一に行なわれ、図１６による半導体レーザダイオー
ドのデバイス構造が得られる。
【００５９】図１６のレーザダイオードは、ｎ型ＧａＮ
層５からｐ型半導体反射鏡１１にわたる積層構造の側面
はサファイア基板１ですべて覆われた構成となり、その
絶縁性は図１の多結晶半導体からなる絶縁層１３に比べ
著しく大きい。従ってレーザ発振の動作時にエピタキシ
ャル層１２以外の領域に電流が生じることを防ぐ狭窄の
機能が非常に優れるので、効率のよい高性能なレーザ発
振を得ることができる。また、放熱性に関しても、サフ
ァイアは多結晶半導体の絶縁層に比べ優れているので、
レーザ発振動作時に発生する熱が容易に放散でき、熱発
生によるレーザ発振の動作異常を防ぐことができる。
【００６０】なお、サファイアの他にＭｇＯ、またはＭ
ｇＡｌ2Ｏ4（スピネル）の絶縁物質を用いても同様の効
果が得られる。また、ｎ型ＧａＮコンタクト層５の形状
を図１５のレーザダイオードのように構成してもよい。
【００６１】実施例４．図１８は、本実施例に示す別の
半導体レーザダイオードの構成断面図である。図におい
て、サファイア基板３１、ｎ型ＧａＮバッファ層３２、
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３３、アンドープＧａＩｎＮ
活性層３４、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３５、ｎ型Ｇ
ａＮブロック層３６、ｐ型ＧａＮコンタクト層３７の順
に積層された構造を示す。また、レーザ光の発振する領
域は、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３３、アンドープＧａ
ＩｎＮ活性層３４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３５およ
びｐ型ＧａＮコンタクト層３６の積層構造をとり、ｎ型
ＡｌＧａＮクラッド層３３表面に誘電膜反射鏡２８を、
ｐ型ＧａＮコンタクト層３７表面にｐ型半導体反射鏡２
９をそれぞれ対向して設け、共振器を形成する。さらに
誘電膜反射鏡２８をサファイア基板３１側に露出させた
ほぼ円筒状の開口部２９、またサファイア基板１主面に
ｎ電極、ｐ型ＧａＮコンタクト層３６主面にｐ電極を設
ける。
【００６２】特に、サファイア基板３１主面よりｎ型Ｇ
ａＮバッファ層３２に通じるコンタクトホール３８を形
成する。コンタクトホール３８にｎ電極を挿通させ、ｎ
電極とｎ型ＧａＮバッファ層３２とを接続する。従って
ｎ電極とｐ電極とに電圧が印加され、レーザ発振領域で
あるｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３３、アンドープＧａＩ
ｎＮ活性層３４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３５、ｐ型
ＧａＮコンタクト層３６が通電されるので、レーザ発振
が可能となる。そして開口部２９より短波長のレーザ光
が放出される。
【００６３】また、図１８のコンタクトホ−ル３８を設
けた場合と同時の図面に示すが、ｎ型ＧａＮバッファ層
３２は開口部２９に露出される面を有し、ｎ電極は開口
部２９の側壁を介してｎ型ＧａＮバッファ層３２の露出
面に接続するように構成してもよい。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る半
導体レーザダイオードは、絶縁性の基板主面側に露出面
を有するように、基板に埋設された第１導電型からなる
第１のコンタクト層を備えたので、この露出面に電極が
電気的に接続することができる。従ってレーザ発振が可
能となり、短波長光を放出する半導体レーザダイオード
が得られるという効果を奏する。
【００６５】また、第１のコンタクト層における露出面
が基板主面と連続したほぼ同一な平面を構成するので、
基板上の電極はその端辺より連続して第１のコンタクト
層に容易にかつ確実に接続される。短波長光を放出する
高性能な半導体レーザダイオードが得られるという効果
を奏する。
【００６６】また、第１のコンタクト層における露出面
は、基板の主面端辺より第１のクラッド層に連続する一
平面で構成されたので、基板上の電極はその端辺より連
続して第１のコンタクト層に接続される。従ってこの接
続は容易に、かつ確実になされ、短波長光を放出する高
性能な半導体レーザダイオードが得られるという効果を
奏する。特に電極と第１のコンタクト層との接続面積が
大きくとることができ、接触抵抗を小さくなる。
【００６７】また、この半導体レーザダイオードにおい
て、半導体層は、その積層方向に対する側面が基板で覆
われているように構成されたので、この半導体層の領域
以外の電流狭窄が可能であり、高性能な半導体レーザダ
イオードが得られるという効果を奏する。
【００６８】またこの発明に係る半導体レーザダイオー
ドは、上記基板の主面は上記第１のコンタクト層の一部
を露出させる孔を有し、上記電極は、この孔より露出し
た第１のコンタクト層に接続するように構成されたの
で、基板主面に形成された電極が第１のコンタクト層と
電気的に接続される。従ってレーザ発振が可能となり、
短波長光を放出する半導体レーザダイオードが得られる
という効果を奏する。
【００６９】この発明に係る半導体レーザダイオードの
製造方法は、絶縁性の基板主面に形成された孔に第１導
電型からなる第１の半導体層を埋め込むように形成する
工程、第１の半導体層が露出するまで基板の裏面を研磨
する工程により、第１の半導体層と接続する電極が基板
裏面に形成することができるようになり、さらに第１の
半導体層上に、クラッド層となる第１導電型からなる第
２の半導体層、活性層となる第３の半導体層、クラッド
層となる第２導電型からなる第４の半導体層の順に積層
する工程により、電極と第１のクラッド層との接続がさ
れ。短波長光を放出する高性能な半導体レーザダイオー
ドが得られるという効果を奏する。
【００７０】また、この半導体レーザダイオードの製造
方法において、第２の工程は、基板上および第１の半導
体層上にエピタキシャル層を成長させた工程を含むの
で、第２、第３および第４の半導体層の第１の半導体層
への形成と同時に、ダブルヘテロ構造となる第２、第３
および第４の半導体層を覆う電流挟窄する層が形成する
ことができるという効果を奏する。
【００７１】また、この半導体レーザダイオードの製造
方法において、この第２の工程は、第２、第３および第
４の半導体層が、第１の半導体層が埋め込まれた孔内に
形成されるようにしたので、他の工程を要することなく
電流狭窄する領域を得ることができるという効果を奏す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施例１に示す半導体レーザダイ
オードの構成断面図である。
【図２】 図１の半導体レーザダイオードの作製におけ
る工程１を示す断面図である。
【図３】 図１の半導体レーザダイオードの作製におけ
る工程２を示す断面図である。
【図４】 図１の半導体レーザダイオードの作製におけ
る工程３を示す断面図である。
【図５】 図１の半導体レーザダイオードの作製におけ
る工程４を示す断面図である。
【図６】 図１の半導体レーザダイオードの作製におけ
る工程５を示す断面図である。
【図７】 図１の半導体レーザダイオードの作製におけ
る工程６を示す断面図である。
【図８】 図１の半導体レーザダイオードの作製におけ
る工程７を示す断面図である。
【図９】 図１の半導体レーザダイオードの作製におけ
る工程８を示す断面図である。
【図１０】 図１の半導体レーザダイオードの作製にお
ける工程９を示す断面図である。
【図１１】 図１の半導体レーザダイオードの作製にお
ける工程１０を示す断面図である。
【図１２】 図１の半導体レーザダイオードの作製にお
ける工程１１を示す断面図である。
【図１３】 図１の半導体レーザダイオードの作製にお
ける工程１２を示す断面図である。
【図１４】 図１の半導体レーザダイオードを用いた集
積型レーザダイオードの斜視図である。
【図１５】 この発明の実施例２に示す半導体レーザダ
イオードの構成断面図である。
【図１６】 この発明の実施例３に示す半導体レーザダ
イオードの構成断面図である。
【図１７】 図１６の半導体レーザダイオードの作製工
程を示す断面図である。
【図１８】 この発明の実施例４に示す半導体レーザダ
イオードの構成断面図である。
【図１９】 従来技術による面発光型半導体レーザダイ
オードの一例を示す構成断面図である。
【図２０】 従来技術による端面発光型半導体レーザダ
イオードの一例を示す構成断面図である。
【符号の説明】
１、３１…サファイア基板、５…ｎ型ＧａＮコンタクト
層、７、３３…ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、８、３４…
アンドープＧａＩｎＮ活性層、９、３５…ｐ型ＡｌＧａ
Ｎクラッド層、１０、３６…ｐ型ＧａＮコンタクト層、
１１、２９…ｐ型半導体反射鏡、１３…絶縁層、１４…
ｐ電極、１５、２９…開口部、１６、２８…誘電膜反射
鏡、１７…ｎ電極、３８…コンタクトホール

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁性の基板、 この基板の主面側に露出面を有するように上記基板に埋
    設された第１導電型半導体からなる第１のコンタクト
    層、 第１導電型半導体からなる第１のクラッド層と、活性層
    と、第２導電型半導体からなる第２のクラッド層と、第
    ２導電型半導体からなる第２のコンタクト層との順に積
    層して構成され、上記第１のクラッド層が上記第１のコ
    ンタクト層と接合されるように形成された半導体層、 上記第１のクラッド層が上記基板の主面側に露出される
    ように、上記第１のコンタクト層の露出面に設けられた
    孔、 この孔内において第１のクラッド層の表面上に形成され
    た第１の反射鏡、 この第１の反射鏡と対向するように、上記半導体層にお
    ける第２のコンタクト層上に形成された第２の反射鏡、 上記第１のコンタクト層の露出面と接続するように上記
    基板の主面上に形成された電極を備えたことを特徴とす
    る半導体レーザダイオード。
  2. 【請求項２】 第１のコンタクト層における露出面は、
    基板の主面の端辺と連続したほぼ同一な平面をなすよう
    に構成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体
    レーザダイオード。
  3. 【請求項３】 第１のコンタクト層における露出面は、
    基板の主面の端辺より第１のクラッド層に連続した平面
    からなる面で構成されたことを特徴とする請求項１に記
    載の半導体レーザダイオード。
  4. 【請求項４】 半導体層は、その側面が基板で覆われて
    いるように構成されたことを特徴とする請求項１ないし
    請求項３のいずれか一項に記載の半導体レーザダイオー
    ド。
  5. 【請求項５】 主面に孔を有する絶縁性の基板、 上記基板上に形成された第１導電型半導体からなる第１
    のコンタクト層、 第１導電型半導体からなる第１のクラッド層と、活性層
    と、第２導電型半導体からなる第２のクラッド層と、第
    ２導電型半導体からなる第２のコンタクト層との順に積
    層して構成され、上記第１のクラッド層が上記基板にお
    ける孔の底面をなして上記第１のコンタクト層と接合さ
    れるように形成された半導体層、 上記孔の底面における第１のクラッド層上に形成された
    第１の反射鏡、 この第１の反射鏡と対向するように、上記半導体層にお
    ける第２のコンタクト層上に形成された第２の反射鏡、 上記基板の主面に形成された電極を備え、 上記基板の主面は、上記第１のコンタクト層の一部を露
    出させる孔を有し、上記電極は、この孔より露出した第
    １のコンタクト層に接続するように構成されたことを特
    徴とする半導体レーザダイオード。
  6. 【請求項６】 第１の反射鏡の形成された孔と、第１の
    コンタクト層が露出された孔とは、基板の主面において
    異なる箇所に設けられたことを特徴とする請求項５に記
    載の半導体レーザダイオード。
  7. 【請求項７】 第１と第２のコンタクト層、第１と第２
    のクラッド層および活性層は、窒化ガリウムを含んだ半
    導体からなることを特徴とした請求項１ないし請求項６
    のいずれか一項に記載の半導体レーザダイオード。
  8. 【請求項８】 基板は、サファイアで構成されたことを
    特徴とする請求項７に記載の半導体レーザダイオード。
  9. 【請求項９】 絶縁性の基板主面に形成された孔に第１
    導電型からなる第１の半導体層を埋め込むように形成す
    る第１の工程、 上記第１の半導体層上に、クラッド層となる第１導電型
    からなる第２の半導体層、活性層となる第３の半導体
    層、クラッド層となる第２導電型からなる第４の半導体
    層の順に積層する第２の工程、 上記第１の半導体層が露出するまで上記基板の裏面を研
    磨する第３の工程、 上記基板裏面より露出した第１の半導体層の一面内に、
    上記第２の半導体層を露出させる孔を形成する第４の工
    程を含んだことを特徴とする半導体レーザダイオードの
    製造方法。
  10. 【請求項１０】 第２の工程は、基板上および第１の半
    導体層上にエピタキシャル層を成長させた工程を含むこ
    とを特徴とする請求項９に記載の半導体レーザオードの
    製造方法。
  11. 【請求項１１】 第２の工程は、第２、第３および第４
    の半導体層が、第１の半導体層が埋め込まれた孔内に形
    成されるようにしたことを特徴とする請求項９に記載の
    半導体レーザダイオードの製造方法。
  12. 【請求項１２】 第１、第２、第３および第４の半導体
    層は、窒素ガリウムを含んだ半導体からなることを特徴
    とする請求項９ないし請求項１１のいずれか一項に記載
    の半導体レーザダイオード。
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EP96102542A EP0740376B1 (en) 1995-04-28 1996-02-20 Semiconductor laser diode and manufacturing method for the same
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US08/623,378 US5701321A (en) 1995-04-28 1996-03-28 Semiconductor laser producing short wavelength light

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TW (1) TW344145B (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1145892A (ja) * 1997-05-28 1999-02-16 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
KR100374796B1 (ko) * 2001-02-02 2003-03-03 삼성전기주식회사 Ｐ형 전극과 활성층 사이에 효과적인 정공 확산을 위한 스페이서를 구비하는 ＧａＮ 면 발광 레이저 다이오드 및그 제조 방법
JP2003532298A (ja) * 2000-04-26 2003-10-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光半導体素子
JP2007073986A (ja) * 2000-10-17 2007-03-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh ＧａＮベースの半導体デバイスを製造する方法
JP2008171941A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Ngk Insulators Ltd 発光素子
KR101476249B1 (ko) * 2013-09-10 2014-12-24 링센 프리시젼 인더스트리 리미티드 칩 패키지 구조체, 이를 사용하는 칩 패키지 모듈 및 칩 패키지 구조체의 제조 방법
JP2015035542A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 ソニー株式会社 発光素子及びその製造方法

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5850410A (en) * 1995-03-16 1998-12-15 Fujitsu Limited Semiconductor laser and method for fabricating the same
US5805624A (en) * 1996-07-30 1998-09-08 Hewlett-Packard Company Long-wavelength infra-red vertical cavity surface-emitting laser on a gallium arsenide substrate
JPH10200204A (ja) * 1997-01-06 1998-07-31 Fuji Xerox Co Ltd 面発光型半導体レーザ、その製造方法およびこれを用いた面発光型半導体レーザアレイ
US6233267B1 (en) * 1998-01-21 2001-05-15 Brown University Research Foundation Blue/ultraviolet/green vertical cavity surface emitting laser employing lateral edge overgrowth (LEO) technique
US6086673A (en) * 1998-04-02 2000-07-11 Massachusetts Institute Of Technology Process for producing high-quality III-V nitride substrates
US6160833A (en) * 1998-05-06 2000-12-12 Xerox Corporation Blue vertical cavity surface emitting laser
JP4267122B2 (ja) * 1999-02-19 2009-05-27 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド フォトリソグラフィ方法及びフォトリソグラフィを行うための装置構成
US6696223B2 (en) 1999-02-19 2004-02-24 Agilent Technologies, Inc. Method for performing photolithography
US6803603B1 (en) * 1999-06-23 2004-10-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting element
JP2001144331A (ja) * 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
WO2001084640A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LUMINESZENZDIODENCHIP AUF DER BASIS VON GaN UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LUMINESZENZDIODENBAUELEMENTS
FR2809534B1 (fr) * 2000-05-26 2005-01-14 Commissariat Energie Atomique Dispositif semiconducteur a injection electronique verticale et son procede de fabrication
TWI292227B (en) 2000-05-26 2008-01-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-dioed-chip with a light-emitting-epitaxy-layer-series based on gan
US6693935B2 (en) * 2000-06-20 2004-02-17 Sony Corporation Semiconductor laser
DE10040448A1 (de) * 2000-08-18 2002-03-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4724924B2 (ja) * 2001-02-08 2011-07-13 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
US6611002B2 (en) * 2001-02-23 2003-08-26 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices and methods including backside vias
US7233028B2 (en) 2001-02-23 2007-06-19 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices and methods of forming the same
JP3767496B2 (ja) 2002-03-01 2006-04-19 セイコーエプソン株式会社 面発光型発光素子およびその製造方法、光モジュール、光伝達装置
JP4074498B2 (ja) * 2002-09-25 2008-04-09 セイコーエプソン株式会社 面発光型発光素子、光モジュールおよび光伝達装置
US6936486B2 (en) * 2002-11-19 2005-08-30 Jdsu Uniphase Corporation Low voltage multi-junction vertical cavity surface emitting laser
EP1480302B1 (en) * 2003-05-23 2007-07-11 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. External cavity semiconductor laser comprising an etalon and method for fabrication thereof
CN100386890C (zh) * 2004-04-05 2008-05-07 清华大学 一种GaN基发光二极管的制作方法
KR100541110B1 (ko) * 2004-06-25 2006-01-11 삼성전기주식회사 다파장 반도체 레이저 제조방법
KR100541111B1 (ko) * 2004-06-25 2006-01-11 삼성전기주식회사 다파장 반도체 레이저 제조방법
US7786491B2 (en) * 2006-02-02 2010-08-31 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device comprising a plurality of semiconductor layers
JP5225549B2 (ja) * 2006-03-15 2013-07-03 日本碍子株式会社 半導体素子
CN104078837B (zh) * 2013-03-29 2017-12-15 山东华光光电子股份有限公司 一种GaN基蓝绿光激光二极管器件及制作方法
US10439360B1 (en) * 2014-12-04 2019-10-08 Ii-Vi Delaware, Inc. VCSEL with emission on substrate side
US9960127B2 (en) 2016-05-18 2018-05-01 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. High-power amplifier package
US10134658B2 (en) 2016-08-10 2018-11-20 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. High power transistors
CN111430404B (zh) * 2020-04-26 2024-05-14 厦门未来显示技术研究院有限公司 可用于微转移的微元件及其制作和转移方法、显示装置
TWI769899B (zh) * 2021-07-28 2022-07-01 宏捷科技股份有限公司 背面出光之面射型雷射裝置的製作方法與結構

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5833888A (ja) * 1981-08-25 1983-02-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体レ−ザ
JP2537824B2 (ja) * 1986-12-05 1996-09-25 松下電器産業株式会社 半導体集積回路
JPH0724318B2 (ja) * 1988-12-21 1995-03-15 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
JPH02271682A (ja) * 1989-04-13 1990-11-06 Nec Corp 面発光ダイオードアレイ
US5073892A (en) * 1989-06-12 1991-12-17 Hitachi, Ltd. Semiconductor laser device
JPH0828554B2 (ja) * 1989-10-20 1996-03-21 三菱電機株式会社 半導体レーザ及びその製造方法
US5038356A (en) * 1989-12-04 1991-08-06 Trw Inc. Vertical-cavity surface-emitting diode laser
JPH04199589A (ja) * 1990-11-28 1992-07-20 Mitsubishi Electric Corp 可視光面発光レーザ装置
EP0495301A1 (en) * 1990-12-14 1992-07-22 AT&T Corp. Method for making a semiconductor laser
US5146465A (en) * 1991-02-01 1992-09-08 Apa Optics, Inc. Aluminum gallium nitride laser
JPH06244506A (ja) * 1993-02-19 1994-09-02 Sony Corp 半導体表示装置及びその製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1145892A (ja) * 1997-05-28 1999-02-16 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2003532298A (ja) * 2000-04-26 2003-10-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光半導体素子
JP2007073986A (ja) * 2000-10-17 2007-03-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh ＧａＮベースの半導体デバイスを製造する方法
KR100374796B1 (ko) * 2001-02-02 2003-03-03 삼성전기주식회사 Ｐ형 전극과 활성층 사이에 효과적인 정공 확산을 위한 스페이서를 구비하는 ＧａＮ 면 발광 레이저 다이오드 및그 제조 방법
JP2008171941A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Ngk Insulators Ltd 発光素子
JP2015035542A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 ソニー株式会社 発光素子及びその製造方法
KR101476249B1 (ko) * 2013-09-10 2014-12-24 링센 프리시젼 인더스트리 리미티드 칩 패키지 구조체, 이를 사용하는 칩 패키지 모듈 및 칩 패키지 구조체의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE69601477D1 (de) 1999-03-18
CN1136720A (zh) 1996-11-27
US5701321A (en) 1997-12-23
EP0740376B1 (en) 1999-02-03
KR960039454A (ko) 1996-11-25
EP0740376A1 (en) 1996-10-30
TW344145B (en) 1998-11-01

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