KR930022619A - 반도체 발광소자 - Google Patents

반도체 발광소자

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KR930022619A
KR930022619A KR1019930006264A KR930006264A KR930022619A KR 930022619 A KR930022619 A KR 930022619A KR 1019930006264 A KR1019930006264 A KR 1019930006264A KR 930006264 A KR930006264 A KR 930006264A KR 930022619 A KR930022619 A KR 930022619A
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KR
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야스오 이데이
토시오 시미즈
Original Assignee
사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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    • H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission

Abstract

본 발명은 반응성 이온에칭기술을 이용함으로써, 발광영역(활성층근처)단으로부터의 광누설을 저감시키고, 발광소자간격이 좁으며, 예컨대 오토포커스용의 광원으로서 사용하는 경우에도 높은 거리측정성능을 실현할 수 있는 반도체 발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이를 위해 본 발명은 GaAs기판상에 pn접합면을 형성하여 이루어진 발광영역을 갖춘 복수개의 전류협착형 발광다이오드를 구비하고 있고, 상기 복수개의 발광다이오드는 상기 pn접합면에 거의 수직한 홈에 의해 전기적으로 분리되어 있으며, 상기 홈부분의 발광영역부의 단면은 상기 발광다이오드표면의 단면보다도 상기 pn접합면의 법선방향의 내측에 존재한다.
또한, 상기 홈은 적어도 3염화붕소 가스, 염소가스 및 아르곤가스의 혼합가스를 이용한 반응성 이온에칭법에 의해 형성되고, 상기 발광영역을 형성하는 재료는 GaAlAs 또는 InGaAlP이다.

Description

반도체 발광소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 반도체 발광소자(더불헤테로구조의 모놀리딕형 GaAlAs LED)의 단면도.
제2도(a) 내지 제2도(d)는 본 발명의 1실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조공정을 설명하는 도면.
제3도는 아이소레이션부의 확대평면도로서, 제3도(a)은 실시예, 제3도(b)는 종래예.

Claims (3)

  1. GaAs 기판(6)상에 pn접합면을 형성하여 이루어진 발광영역을 갖춘 복수개의 전류협착형 발광다이오드(A,B,C)를 갖추고 있고, 상기 복수개의 발광다이오드(A,B,C,)는 상기 pn접합면에 거의 수직한 홈에 의해 전기적으로 분리되어 있으며, 상기 홈부분의 발광영역부의 단면이 상기 발광다이오드표면의 단면보다도 상기 pn접합면의 법선방향의 내측에 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 홈은 적어도 3염화붕소가스, 염소가스 및 아르곤가스의 혼합가스를 이용한 반응성 이온에칭법에 의해 형성되도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 발광영역을 형성하는 재료는 GaAlAs 또는 InGaAIP인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930006264A 1992-04-16 1993-04-15 반도체 발광소자 KR970004852B1 (ko)

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