KR970004852B1 - 반도체 발광소자 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 반도체 발광소자(더블헤테로구조의 모놀리딕형GaAlAsLED)의 단면도,
제2도(1) 내지 제2도(4)는 본 발명의 1실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조공정을 설명하는 도면,
제3도는 아이소레이션부의 확대평면도로서,
제3도(1)은 실시예,
제3도(2)는 종래예,
제4도는 통전영역부와 발광소자단의 간격과, 발광소자단의 통전영역부상의 발광강도에 대한 상대강도의 관계를 설명하는 도면으로서,
제4도(1)은 실시예.
제4도(2)는 종래예,
제5도는 종래의 반도체 발광소자의 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,101 : n측 저항성 전극
2,102 : n형 Ga0.7Al0.3As 클래드층(n형 Ga1-yAlyAs 클래드층)
3,103 : p형 Ga0.97Al0.03As 활성층(p형 Ga1-xAlxAs 활성층)
4,104 : p형 Ga0.7Al0.3As 클래드층(p형 Ga1-wAlwAs 클래드층)
5,105 : n형 Ga1-xAlxAs 전류협착층 x,y,z,w : Al혼정비
6,106 : p형 GaAs반도체기판 7,107 : p측 저항성 전극
8.108 : 통전영역부 9 : SiO2스퍼터막
A,B,C,Al,Bl,Cl : 발광소자 H,h : (전극)개구부로부터의 발광
H' : 반응성 이온에칭부로부터의 발광 h' : 하프다이싱부로부터의 발광
D,d : 통전영역부로부터 발광소자단까지의 간격
D1,d1 : 인접하는 발광소자표면의 간격
D2,d2 : 인접하는 발광소자의 발광영역(활성층근처)의 간격
[산업상의 이용분야]
본 발명은 GaAs기판상에 pn접합면을 GaAlAs계의 재료를 이용하여 형성한 발광영역을 갖춘 모놀리딕(monolithic)형 LED 등과 같은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 예컨데 카메라에 내장되는 오토포커스(auto-focus) 기능의 적외광원(赤外光原) 등에 사용되어 발광영역단으로부터의 광누설이 적고, 발광소자의 간격이 좁으며, 또한 높은 거리측정성능을 실현하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
[종래의 기술 및 그 문제점]
제5도는 종래의 반도체 발광소자의 단면도를 나타낸 것으로, 본 종래예는 모놀리딕형 GaAlAs 적외 LED로서 3점발광소자를 구비한 구성으로 되어 있다.
동도면에 있어서, 본 종래예의 반도체 발광소자 p형 GaAs기판(106)상에 통전영역부(108)를 갖춘 전류협착구조(電流狹窄構造)의 더블헤테로(double hetero)접합형 GaAlAs층[n형 Ga1-yAlyAs 클래드층(102), p형 Ga1-xAlxAs 활성층, p형 Ga1-wAswAs 클래드층(104), n형 Ga1-xAlxAs 전류협착층(105)]을 순차적으로 성장시키고, 통전영역부(108)상으로부터 광이 외부로 방출되도록 개구시킨 저항성(ohmic) 전극(101)을 형성한 후, 인접한 발광소자간을 하프다이싱(half dicing)에 의해 pn접합부를 절단해서 전기적인 아이소레이션(isolation)을 실시하여, 각 발광소자를 독립적으로 동작시키는 구조로 되어 있다.
이와 같은 구조의 반도체 발광소자를, 예컨데 카메라에 내장되는 오토포커스기능의 적외광원으로서 사용하는 경우, 반도체 발광소자로부터 발광된 광은 시준 렌즈(collimate lens)를 통해 거의 평행한 광으로 되어 피사체(被寫體)에 투광되게 된다. 한편, 피사체에 의해 반사된 광의 위치가 수광소자(受光素子) 에 의해 관측되어, 피사체까지의 거리가 삼각측량방식에 의해 측정되게 된다.
상술한 바와 같이, 본 종래예에서는 전기적인 아이소레이션 방법으로서 하프다이싱 기술을 이용하고 있다. 따라서, 예컨데 발광소자(Al)가 도통되면, 통전영역부(108)상의 발광(h)와 더불어 p형 Ga1-xAlxAs 활성층(103)으로 인도된 광(h')이 다이싱된 부분으로부터 당해 발광소자 외부로 방출되게 된다. 이때, 반도체 발광소자 상부로부터 광의 강도분포(near field pattern)를 살펴보면, p형 Ga1-xAlxAs 활성층(103)으로부터의 광(h')은, 통전영역부(108)상의 광(h)의 발광강도에 대해 어느 정도의 레벨의 강도를 갖고 있다.
예컨대, 오토포커스용의 광원으로서 사용하는 경우, 당이싱영역으로부터 방출되는 광(h'), 즉 p형 Ga1-xAlxAs 활성층(103)으로부터 횡방향으로 누설된 광(h')도 수광부에서 검출되기 때문에, 오(誤)거리측정의 원인으로 되어 초점이 어긋나는 등의 문제가 생기게 된다. 이 문제를 피하기 위해, 통상 통전영역부(108)와 발광소자단의 간격(d)을 일정량 설치하여 광을 감쇠시킴으로써 횡방향의 광량을 억제하고 있다. 제4도(2)는 이 통전영역부(108)와 발광소자단의 간격(d)과 발광소자단의 통전영역부(108)상의 발광강도에 대한 상대강도의 관계를 나타낸 것이다. 예컨대, 상대강도를 3% 이하로 억제하기 위해서는 간격(d)을 80㎛ 이상으로 설치할 필요가 있다. 이 때문에, 인접하는 발광소자간의 간격(d)을 축소하는 데에 한계가 있으므로, 발광소자간격이 좁고, 또 거리측정 성능을 향상시킨 반도체 발광소자의 실현이 곤란하였다.
또한, 상기 광누설의 원인으로서는, 하프다이싱기술을 이용하고 있기 때문에, 제3도(2)(제5도의 점선으로 둘러싸인 부분의 확대도)에 나타낸 바와 같이 다이싱의 형상이 순메사(mesa)형상, 즉 발광소자표면의 개구부간격(d1)이 p형 Ga1-xAlxAs활성층(103)근처의 발광영역의 간격(d2)보다 넓어지게 된다는 점에 있다. 예컨대, 하프다이싱의 깊이를 60㎛로 행한 경우, 인접하는 소자간의 표면개구부간격(d1)은 35㎛이고, 발광영역간격(d2)는 32㎛이다. 이 때문에, 발광소자단으로 방출된 광의 일부가 반도체 발광소자의 상부로부터도 검출되게 된다.
이상과 같이 종래의 반도체 발광소자에서는, 하프다이싱기술을 이용하고 있고, 아이소레이션부의 형상이 순메사형상으로 되어 있기 때문에, 아이소레이션부로부터 횡방향으로 광이 누설되게 된다. 이 문제를 피하기 위해서, 통전 영역부와 발광소자단의 간격을 일정량 설치하여 광을 감쇄시킴으로써 횡방향의 광량을 억제하는 방법을 취할 수 있지만, 이것은 고집적화의 제한으로 되어, 예컨대 오토포커스용의 광원으로서 사용하는 경우에 발광소자간격이 좁고, 또 거리측정성능을 향상시킨 반도체 발광소자의 실현이 어렵다는 결점이 있었다.
[발명의 목적]
이에 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 드라이 에칭공정(dry etching process)의 일종인 RIE(반응성 이온에칭 ; Reactive Ion Etching)기술을 이용함으로써, 발광용역(활성층근처)단으로부터의 광누설을 저감시키고, 발광소자의 간격이 좁으며, 예컨대 오토포커스용의 광원으로서 사용하는 경우에도 높은 거리측정성능을 실현할 수 있는 반도체 발광소자를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
[발명의 구성]
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명의 반도체 발광소자의 제1특징은, 제1도에 나타낸 바와 같이 GaAs기판상에 pn접합면을 형성하여 이루어진 발광영역을 갖춘 복수개의 전류협착형(電流狹窄型) 발광다이오드를 구비하고 있고, 상기 복수개의 발광다이오드는 상기 pn접합면에 거의 수직한 홈에 의해 전기적으로 분리되어 있으며, 상기 홈부분의 발광영역부의 단면이 상기 발광다이오드표면의 단면보다도 상기 pn접합면의 법선방향의 내측에 존재한다는 것이다.
또한, 본 발명의 제2특징은, 상기 홈이 적어도 3염화붕소가스, 염소가스 및 아르고가스의 혼합가스를 이용한 반응성 이온에칭법에 의해 형성된다는 것이다.
더욱이, 본 발명의 제3특징은, 상기 발광영역을 형성하는 재료가 GaAlAs 또는 InGaAIP라는 것이다.
[작용]
본 발명의 제1, 제2 및 제3특징의 반도체 발광소자에서는, 제1도에 나타낸 바와 같이 반응성 이온에칭기술을 이용함으로써, 복수개의 발광 다이오드를 전기적으로 분리시키는 홈을 형성하고 있다. 이 홈은 pn접합면에 거의 수직하고, 보다 상세하게는 발광영역부의 단면이 발광다이오드표면의 단면보다도 pn접합면의 법성방향의 내측에 존재하는 형상으로 되어 있다.
예컨태, 3염화붕소(BCl3)가스, 염소(Cl2)가스 및 아르곤(Ar)가스의 혼합가스를 이용하여 GaAlAs계의 재료를 에칭한다. 이 경우, 아르곤가스의 도입에 의해 스퍼터(sputter) 작용을 갖춤으로써 발광소자간의 단면 형상을 상술한 바와 같이[제3도(1) 참조] 개선할 수 있게 되어 발광다이오드단으로부터의 광누설을 저감시킬 수 있게 된다. 즉, 인접한 발광소자간(아이소레이션영역)의 발광영역(활성층근처)의 간격(D2)을 발광다이오드표면의 개구부간격(D1)과 동등하거나 보다 넓게 함으로써, 발광다이오드단의 발광영역으로부터의 광이 발광다이오드의 상부방향으로 방출되더라도 GaAlAs결정에 의해 반사되어 표면으로 방출되는 광량을 억제할 수 있게 된다.
따라서, 예컨대 오토포커스용의 광원으로서 사용하는 경우에도 발광소자간격이 좁고, 또 거리측정성능을 향상시킨 반도체 발광소자의 실현이 가능하게 된다.
(실시예)
이하, 본 발명에 따른 실시예를 도면을 참조하여 상세히 발명한다.
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도를 나타낸 것으로, 본 실시예의 반도체 발광소자는 더블헤테로(DH) 구조의 모놀리딕형 GaAlAs LED로서 3점발광소자를 갖춘 구성으로 되어 있다.
또한, 제2도는 본 실시예의 반도체 발광소자의 제조공정을 설명하는 도면이다.
먼저, p형 GaAs기판(6)상에 임의의 간격(Y1,Y2)으로 복수개의 통전영역부(8)를 갖춘 n형 GaAs전류협착층(5 ; 불순물농도 5×1017cm-3, 층의 두께 5㎛)을 형성한다[제2도(1)참조].
다음에는 그 표면에 p형 Ga0.7Al0.3As 클래드층(4 ; 불순물농도 1×1018cm-3, 층의 두께 5㎛), p형 Ga0.97Al0.03As 활성층(3 ; 불순물농도 5×1017cm-3, 층의두께 1μm) 및 n형 Ga0.7Al0.3As 클래식층(2 ; 물순물농도 1×1018cm-3, 층의 두께 10μm을 순차적으로 성장시킨 더블헤테로 구조형의 GaAlAs층을 형성한다. 또한, 통전영역부(8)로부터 광이 발광소자의 상부로 방출되도록 개구시킨 저항성 전극(1)을 형성한다. 이때, 인접하는 발광소자간에서, 후술하는 반응성 이온에칭법에 의해 GaAlAs층을 에칭하는 영역의 전극도 마찬가지로 포토레지스트 패터닝(photo resist patterning)법을 이용하여 제거해 둔다[제2도(2) 참조].
이어서, 반응성 이온에칭법에 의해 에칭되는 영역에만 개구되도록 SiO2스퍼터막(9) 등과 같은 반응성 이온에칭용 보호마스크를 GaAlAs 웨이퍼의 표면에 형성한다[제2도(3) 참조].
그리고나서, 상기 웨이퍼를 드라이 에칭 용기에 세트시키고, 3염화붕소(BCl3) 및 염소(Cl2)의 에칭용 반응가스를 용기내로 도입하여 방전 등의 수단에 의해 여기(勵起)시켜 플라즈마상태로 하고, 할로겐 래디컬(halogen radical)이나 이온 등의 활성종(活性種)을 만들어 GaAlAs재료와의 반응이나 스퍼터작용에 의해 에칭을 행한다. 이때, 이방성 에칭상태에서, 활성층(3) 근처의 발광영역의 간격(D2)[제3도(1) 참조]을 발광소자표면의 간격(D1)과 동등하거나 보다 넓게 에칭할 수 있도록 아르곤(Ar)가스를 도입해서 그 스퍼터작용을 이용하고 있다.[제2도(4) 참조].
구체적으로, 3염화붕소가스유량=40sccm, 염소가스유량=15sccm, 아르곤가스유량=30sccm, 용기내 압력=0.05Torr이고, 또 이때의 애칭속도는 약 2㎛/분이다. 반응성 이온에칭후의 형상은, 전기적 아이소레이션을 확실히 하기 위해 에칭깊이는 20㎛, 인접하는 발광소자표면의 간격(D1)은 30㎛, 또 발광영역으로 되는 p형 Ga0.97Al0.03As 활성층(3)의 간격(D2)은 32μm이다.
이에따라, p형 Ga0.97Al0.03As 활성층(3)으로부터의 광이 발광소자의 상부방향으로 방출되더라도, GaAlAs 결정에 의해 반사되어 표면으로 방출되는 광량을 적게 억제할 수 있게 된다.
한편, 제1도, 제2도(4) 및 제3도(1)에 도시된 바와 같이 본 실시예에 있어서 아이소레이션부의 홈의 저면은 전류협착층(5)내에 존재하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 홈을 더 깊게 함으로써 홈의 저면이 기판(6)에 도달되도록 해도 좋고, 또 얕게 함으로써 홈의 저면이 p형 클래드층(4) 내에 존재하도록 해도 좋다. 이 경우는, 홈의 저면과 전류협착층(5)간의 p형 클래드층(4)의 전기저항에 의해 인접하는 발광소자간의 아이소레이션을 수행하게 된다.
제4도(1)은 본 실시예의 반도체 발광소자의 통전영역부(8)와 발광소자단의 간격(D㎛)과, 발광소자단의 통전영역부(8)상의 발광강도에 대한 상대강도의 관계를 나타낸 것으로, 종래의 하프다이싱기술에 의한 것[제4도(2) 참조]과 비교하여 동일한 상대강도에 대해 약 반분의 간격(D)으로 좋다는 것을 알 수 있다.
오토포커스용 광원으로서 사용하는 경우, 발광소자단으로부터의 광누설에 의한 오거리 측정을 억제하기 위해서 상대강도비를 3%이하로 할 필요가 있다. 이 경우, 종래예에서는 약 80㎛의 간격(d)이 필요했지만, 본 실시예에서는 약 40㎛의 간격(D)을 취하면 되므로, 반감시키는 것이 가능하게 된다.
한편, 도시하지는 않았지만 발광소자표면의 간격(D1)과 활성층(3)근처의 발광영역의 간격(D2)이 거의 동일한 경우에 대해서도, 제4도(1)과 동일한 상대 강도비의 그래프가 얻어지고 있다.
이상, 본 실시예에서는 더블헤테로(DH)구조의 모놀리딕형 GaAlAs LED에 대해서 설명했지만, 단일헤테로(SH) 구조의 GaAlAs LED에 대해서도 적용가능하다.
또한, n형 Ga1-yAlyAs 클래드층(2), p형 Ga1-xAlxAs 활성층(3), p형 Ga1-wAlwAs 클래드층(4), n형 Ga1-xAlxAs 전류협착층(5)의 Al혼정비(混晶比 ; x, y, z, w)는 더블헤테로구조의 경우, 다음의 관계를 만족시키는 것이면 좋다.
0≤x≤0.4
zy, w
0≤z≤0.4
예컨대, 본 실시예에서는 p형 Ga1-xAlxAs 활성층(3)의 Al혼정비(z)를 0.03으로 하여 적외 LED에 대해 설명했지만, 활성층(3)의 Al혼정비(z)가 직접천이형으로 되는 0~0.4의 범위(적외로부터 적색영역)에 대해서도 적용가능하다.
또한, 광누설은 모놀리딕형 LED소자의 주변부의 발광영역[활성층(3) 근차]으로부터 발생하여 오거리측정의 원인으로 된다. 이 때문에, 인접하는 발광소자간의 단면과 동등한 형상으로 하면, 즉 발광영역부의 단면이 발광소자표면의 단면보다도 pn접합면의 법선방향의 내측에 있으면, 더욱더 오거리측정의 발생을 감소시키는 것이 가능하게 된다.
더욱이, 본 실시예에서는 3점발광소자에 대해서 설명했지만, 2점 또는 4점 이상의 발광소자를 갖춘 구성에 대해서도 적용가능하고, 또 발광점이 2차원적으로 임의의 배치를 취하는 것도 가능하다.
또, 적~녹색발광이 가능한 InGaAIP를 이용한 발광소자에 대해서도 GaAlAs와 마찬가지로 적용가능하다.
한편, 본원 청구범위의 각 구성요건에 병기한 도면의 참조부호는 본원 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것으로, 본원 발명의 기술적 범위를 도면 도시한 실시예에 한정할 의도로 병기한 것은 아니다.
[발명의 효과]
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 반응성 이온에칭기술을 이용함으로써, 복수개의 발광다이오드를 전기적으로 분리하는 홈을 pn접합면에 거의 수직하고, 보다 상세하게는 발광영역부의 단면이 발광다이오드 표면의 단면보다도 pn접합면의 법선방향의 내측에 존재하는 형상으로 되도록 형성했으므로, 다시 말하자면 인접한 발광소자간(아이소레이션영역)의 발광영역(활성층근처)의 간격을 발광다이오드표면의 개구부간격과 동등하거나 보다 넓게 했으므로, 발광다이오드단의 발광영역으로부터의 광이 발광다이오드 상부방향으로 방출되더라도 GaAlAs결정에 의해 반사되어 표면으로 방출되는 광량을 적게 억제할 수 있게 되어, 발광다이오드단으로부터의 광누설을 저감시킬 수 있는 반도체 발광소자를 제공할 수 있게 된다.
예컨대, 오토포커스용의 광원으로서 사용하는 경우에도 발광소자의 간격을 좁게 할 수가 있고, 또 오거리 측정의 발생비율을 종래의 5%로부터 1% 이하로 감소시킬 수가 있는 바, 그 결과로서 칩면적을 축소시킬수 있고, 제품의 간격을 저감시킬 수 있으며, 또 거리측정성능을 향상시킨 반도체 발광소자를 제공할 수 있게 된다.
Claims (3)
- GaAs기판(6)상에 pn접합면을 형성하여 이루어진 발광영역을 갖춘 복수개의 전류협착형 발광다이오드(A,B,C)를 갖추고 있고, 상기 복수개의 발광다이오드(A,B,C)는 상기 pn접합면에 거의 수직한 홈에 의해 전기적으로 분리되어 있으며, 상기 홈부분의 발광영역부의 단면이 상기 발광다이오드표면의 단면보다도 상기 pn접합면의 법선방향의 내측에 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 홈은 적어도 3염화붕소가스, 염소가스 및 아르곤가스의 혼합가스를 이용한 반응성 이온에칭법에 의해 형성되도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 발광영역을 형성하는 재료는 GaAlAs 또는 InGaAIP인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101018936B1 (ko) * | 2005-01-28 | 2011-03-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 대면적 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 |
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