CN114628552A - 倒装led芯片及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种倒装LED芯片及其制造方法。该制造方法包括：在生长衬底上进行第一次外延生长，形成第一外延结构，第一外延结构包括位于生长衬底上依次堆叠的第二限制层、发光层、第一限制层及第一半导体层；经由键合层将第一半导体层与透明衬底键合；去除生长衬底，并在第二限制层上进行第二次外延生长，形成第二半导体层，第一半导体层、发光层、发光层两侧的第一限制层和第二限制层以及第二半导体层组成外延层；刻蚀外延层以暴露出部分第一半导体层；形成与第一半导体层电连接的第一电极和与第二半导体层电连接的第二电极。通过两次外延生长使第一半导体层和第二半导体层可选用光电性能更优异的GaP，从而大大提升倒装LED芯片的光效。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种倒装LED芯片及其制造方法。
背景技术
半导体发光二极管(LED)已在越来越多的高效固态照明领域中得到应用。为了提高LED芯片的发光效率，发展了倒装LED芯片工艺，以减少电极对出光面的遮挡；现有技术中，倒装LED芯片为保证发光层的晶体质量，在外延生长过程中，位于发光层与生长衬底之间的半导体层需要选用与生长衬底的晶格匹配的特定的外延材料，在发光层远离生长衬底一侧的半导体层可以选用与生长衬底的晶格失配但光电特性更加优异的外延材料。但是选用与生长衬底的晶格失配的外延材料后，在其上再生长对晶体质量要求较高的其他功能层的外延材料时会产生工艺难度较大、生长工艺复杂等问题。
期望进一步改善倒装LED芯片及其制造方法，以改善上述问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种倒装LED芯片及其制造方法，采用两次外延生长制作外延层，使得外延层中的第一半导体层和第二半导体层无需选用与生长衬底的晶格相匹配的特定材料，第一半导体层和第二半导体层可选用电学特性和光学特性更优异的材料，从而降低倒装LED芯片的电压，大大提升倒装LED芯片的光效。
根据本发明的一方面，提供一种倒装LED芯片的制造方法，包括：在生长衬底上进行第一次外延生长，形成第一外延结构，所述第一外延结构包括位于生长衬底上依次堆叠的第二限制层、发光层、第一限制层及第一半导体层；经由键合层将所述第一半导体层与透明衬底键合；去除所述生长衬底，并在所述第二限制层上进行第二次外延生长，形成第二半导体层，所述第一半导体层、所述发光层、所述发光层两侧的第一限制层和第二限制层以及所述第二半导体层组成外延层；刻蚀所述外延层以暴露出部分所述第一半导体层；形成与第一半导体层电连接的第一电极和与第二半导体层电连接的第二电极。
优选地，所述第一限制层与所述生长衬底的晶格匹配，所述第二限制层与所述生长衬底的晶格匹配。
优选地，所述第一限制层和所述第二限制层的材料包括AlGaInP、 AlInP或AlGaAs，所述第一限制层和所述第二限制层的掺杂类型不同。
优选地，所述第一半导体层与所述生长衬底的晶格失配，所述第二半导体层与所述生长衬底的晶格失配。
优选地，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料包括磷化镓。
优选地，还包括：在所述第一半导体层上形成第一欧姆接触层，以及在所述第二半导体层上形成第二欧姆接触层。
优选地，还包括：在所述外延层上形成反射层，所述反射层覆盖所述第一欧姆接触层、所述第二欧姆接触层以及所述外延层的表面和侧壁。
优选地，所述反射层包括分布式布拉格反射镜，所述反射层的材料包括二氧化硅和二氧化钛。
优选地，所述键合层由透明材料制成，所述键合层的材料包括二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝中的至少一种。
优选地，在所述反射层上形成所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别通过贯穿所述反射层的第一通孔和第二通孔与所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层电连接。
优选地，所述发光层为包括(AlxGa1-x)yIn1-yP/(AlxGa1-x)yIn1-yP的非故意掺杂的超晶格结构，其中，x的范围为0～1，y的范围为0.4～0.6。
优选地，所述外延层的侧壁与所述透明衬底所在的平面之间具有预设的夹角，所述夹角为45°至90°。
优选地，所述第一外延结构还包括位于所述生长衬底和所述第二限制层之间的缓冲层和截止层，所述缓冲层与所述生长衬底相邻，所述截止层位于所述缓冲层和所述第二限制层之间，去除所述生长衬底时还包括去除所述缓冲层和所述截止层。
根据本发明的另一方面，提供一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：透明衬底；键合层，位于所述透明衬底上；外延层，位于所述键合层上，所述外延层包括从下到上依次堆叠的第一半导体层、第一限制层、发光层、第二限制层及第二半导体层，所述外延层中具有台阶结构以暴露出部分所述第一半导体层；第一电极，与所述第一半导体层电连接；第二电极，与所述第二半导体层电连接。
优选地，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料包括磷化镓。
优选地，所述第一限制层和所述第二限制层的材料包括AlGaInP、 AlInP或AlGaAs，所述第一限制层和所述第二限制层的掺杂类型不同。
优选地，还包括：位于所述第一半导体层上的第一欧姆接触层，以及位于所述第二半导体层上的第二欧姆接触层。
优选地，还包括：位于所述外延层上的反射层，所述反射层覆盖第一欧姆接触层、所述第二欧姆接触层以及所述外延层的表面及侧壁。
优选地，所述第一电极和所述第二电极位于所述反射层上，所述第一电极和所述第二电极分别通过贯穿所述反射层的第一通孔和第二通孔与所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层电连接。
优选地，所述发光层为包括(AlxGa1-x)yIn1-yP/(AlxGa1-x)yIn1-yP的非故意掺杂的超晶格结构，其中，x的范围为0～1，y的范围为0.4～0.6。
优选地，所述键合层的材料包括二氧化硅、二氧化钛和三氧化二铝中的至少一种。
优选地，所述外延层的侧壁与所述透明衬底所在的平面之间具有预设的夹角，所述夹角为45°至90°。
优选地，所述反射层包括分布式布拉格反射镜，所述反射层的材料包括二氧化硅和二氧化钛。
本发明提供的倒装LED芯片及其制造方法，该倒装LED芯片中的外延层是通过两次外延生长形成的，通过上述设计使得由第一次外延生长形成的第一半导体层和由第二次外延生长形成的第二半导体层的材料选择不受生长衬底的晶格匹配的限制，可选用比传统的AlGaInP或 AlGaAs材料在电学特性和光学特性上更加优异的磷化镓材料，进而提高了倒装LED芯片的电学特性和光学特性，从而大大提升倒装LED芯片的光效。
进一步地，采用GaP材料能有效降低倒装LED芯片的电压，相比于传统的倒装LED芯片，本发明实施例提供的倒装LED芯片的电压降低了0.15V左右，亮度提升了10％左右。
进一步地，本发明实施例的制造方法工艺简单可靠，易于实现，且该方法可用于进行大批量规模化生产。
附图说明
通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。
图1示出了本发明实施例的倒装LED芯片的制造方法的流程图；
图2至图9分别示出了本发明实施例的倒装LED芯片的制造方法的部分步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
以下将参照附图更详细地描述本发明。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的半导体结构。
应当理解，在描述器件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将器件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
如果为了描述直接位于另一层、另一个区域上面的情形，本文将采用“直接在……上面”或“在……上面并与之邻接”的表述方式。
在下文中描述了本发明的许多特定的细节，例如LED芯片的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本发明。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本发明。
在对本发明的实施方式进行说明之前，事先对下述内容进行说明。当下文描述为磷化铝镓铟“AlGaInP”时，表示Al、Ga、In的总和与P 的化学组成比为1：1，其中，Al、Ga与In为比率不固定的任意的化合物。另外，当下文描述为磷化铟铝“AlInP”时，表示Al、In的总和与P 的化学组成比为1：1，其中，Al与In为比率不固定的任意的化合物。
本发明可以各种形式呈现，以下将描述其中一些示例。
图1示出了本发明实施例的倒装LED芯片的制造方法的流程图，图 2至图9分别示出了本发明实施例的倒装LED芯片的制造方法的部分步骤对应的结构示意图。两者相结合可以更好的展示该倒装LED芯片的制造流程，如图1所示，该倒装LED芯片的制造方法包括以下步骤：
在步骤S1中，在生长衬底上进行第一次外延生长，形成第一外延结构；该生长衬底100的材质例如可选用Al2O3、SiC、Si、GaAs等，在本实施例中，生长衬底100例如选用GaAs衬底。参照图2所示，在生长衬底100上进行第一次外延生长，形成第一外延结构，第一外延结构包括自下而上依次堆叠的缓冲层101、截止层102、第二限制层103、发光层203、第一限制层105和第一半导体层202。
其中，第一限制层105和第二限制层103分别位于发光层203的两侧，第一限制层105和第二限制层103用于提供发光层203所需的载流子，第二限制层103和第一限制层105例如为与生长衬底100的晶格匹配的AlGaInP层、AlInP层或AlGaAs层；发光层203例如采用(AlxGa1-x)yIn1-yP/(AlxGa1-x)yIn1-yP的非故意掺杂的超晶格结构，其中，x 的范围为0～1，y的范围为0.4～0.6。
由于后续不需要在第一半导体层202上继续生长功能层，故第一半导体层202可不受与生长衬底100的晶格匹配的限制，第一半导体层202 与生长衬底100的晶格失配不会影响发光层203的晶体质量，因此第一半导体层202的材料可选用光电特性比AlGaInP或AlGaAs更加优异的 GaP材料。第一半导体层202的厚度例如为2000nm～10000nm，在本实施例中，该第一半导体层202的厚度例如为8000nm。
在步骤S2中，将第一外延结构与透明衬底键合；参照图3，通过键合层201将透明衬底200与第一半导体层202键合。
由于需要保证发光层203发出的光能透过键合层203，故该键合层 203选用SiO2、TiO2、Al2O3等透明材料中的至少一种制成。类似地，该透明衬底200也需要保证发光层203发出的光可透过，该透明衬底200 的材料例如包括SiO2、GaP、Al2O3等透明材料。
在步骤S3中，翻转并去除生长衬底；通过湿法刻蚀去除生长衬底 100、缓冲层101和截止层102，保留发光层203、发光层203两侧的第一限制层105和第二限制层103以及第一半导体层202，形成如图4所示的结构，实现衬底转移。
在步骤S4中，进行第二次外延生长，形成第二半导体层；参照图5 所示，在发光层203上的第二限制层103上进行第二次外延生长，形成第二半导体层204，发光层203、第一半导体层202和第二半导体层204 共同组成外延层。由于在步骤S4之前进行了衬底转移，实现了第一外延结构的上下翻转，该第二半导体层204位于发光层203的上方，故该第二半导体层204同样可不受生长衬底100的晶格匹配的限制，可选用与第一半导体层202相同的、光电特性更加优异的GaP材料。该第二半导体层204的厚度例如500nm～3000nm，在本实施例中，该第二半导体层204的厚度例如为2000nm。
在步骤S5中，刻蚀第二半导体层、第二限制层、发光层和第一限制层，使第一半导体层暴露；参照图6所示，采用光刻和刻蚀工艺刻蚀第二半导体层204、第二限制层103、发光层203和第一限制层105，使第一半导体层202的部分上表面暴露。具体地，在第二半导体层204的表面形成图形化的光刻胶，而后对光刻胶裸露处进行刻蚀，直至第一半导体层202暴露，最终去除光刻胶，在外延层中形成台阶结构。其中，第二半导体层204的表面为上台阶面，第一半导体层202的表面为下台阶面。
在步骤S6中，形成划分单颗倒装LED芯片的凹槽；参照图6所示对外延层进行图形化刻蚀，形成相邻的倒装LED芯片之间的凹槽213，凹槽213例如具有一定的宽度，凹槽213延伸至键合层201的表面，后续可沿凹槽213进行切割以获取若干单颗的倒装LED芯片。具体地，在外延层的表面形成图形化的光刻胶，而后对光刻胶裸露处进行刻蚀直至裸露出键合层201，最终将光刻胶去除，形成用于划分单颗倒装LED芯片的凹槽213(切割道区域)。进一步地，凹槽213的侧壁为倾斜面，即第一半导体层202、第一限制层105、发光层203、第二限制层103和第二半导体层204的侧壁均为倾斜面。凹槽213的侧壁与键合层201所在的平面之间具有一定的夹角θ，夹角θ范围例如为45°至90°，在图 6的实施例中，夹角θ为60°。
在步骤S7中，形成第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；如图7所示，在第一半导体层202上形成第一欧姆接触层205，在第二半导体层 204上形成第二欧姆接触层206，其中，第一欧姆接触层205和第二欧姆接触层206例如均为导电材料，可选用金属或合金，第一欧姆接触层205 和第二欧姆接触层206的厚度例如均为20nm～5000nm，在图7的实施例中，第一欧姆接触层205的厚度为4000nm，第二欧姆接触层206的厚度为2500nm。
在步骤S8中，形成反射层；如图8所示，在外延层、第一欧姆接触层205和第二欧姆接触层206的表面形成反射层209，其中，反射层 209例如为分布式布拉格反射镜(DBR，distributed Bragg reflection)，例如可以采用SiO2层和TiO2层交替组成。反射层209覆盖第一欧姆接触层205、第二欧姆接触层206、第一半导体层202和第二半导体层204 的表面，还覆盖第一半导体层202、第一限制层105、发光层203、第二限制层103和第二半导体层204的侧壁以及键合层201的表面，即反射层209还对沟道213进行了填充，使反射层209覆盖了图8中整个半导体结构的表面。
在步骤S9中，形成第一电极和第二电极；如图9所示，在反射层 209上形成第一电极210和第二电极211，第一电极210通过第一通孔 207及第一欧姆接触层205与第一半导体层202电连接，第二电极211 通过第二通孔208及第二欧姆接触层206与第二半导体层204电连接。具体地，对第一欧姆接触层205和第二欧姆接触层206所对应的位置的反射层209进行光刻和刻蚀，形成使第一欧姆接触层205和第二欧姆接触层206裸露的第一通孔207和第二通孔208，再在反射层209上形成金属材料并刻蚀形成第一电极210和第二电极211，其中，金属材料还填充第一通孔207和第二通孔208。第一电极210和第二电极211可采用金属或合金材料制成，第一电极210和第二电极211的厚度例如均为 20nm-5000nm，在图9所示的实施例中，第一电极210和第二电极211 的厚度均为3000nm。
在步骤S10中，在凹槽中切割以获取若干倒装LED芯片。
图9所示的倒装LED芯片即为在凹槽213中切割后所获取的单颗的倒装LED芯片。该倒装LED芯片从下至上依次包括：透明衬底200、键合层201、第一半导体层202、第一限制层105、发光层203、第二限制层103、第二半导体层204、反射层209以及位于反射层209上的第一电极210和第二电极211。其中，第一半导体层202、第一限制层105、发光层203、第二限制层103和第二半导体层204共同组成外延层，第一半导体层202、第一限制层105、发光层203和第二限制层103通过第一次外延生长形成，第二半导体层204通过第二次外延生长形成。
外延层中设置有台阶结构，第二半导体层204的表面为上台阶面，第一半导体层202的表面为下台阶面。
进一步地，外延层的侧壁为倾斜面，外延层的侧壁与键合层201所在的平面之间的夹角为60°，使外延层的截面为如图9中所示的梯形，当然地，外延层的侧壁与键合层201所在的平面之间的夹角也可为45°至90°中的其他角度。
透明衬底200的材料例如包括SiO2、GaP、Al2O3等透明材料。键合层203选用SiO2、TiO2、Al2O3等透明材料中的至少一种制成。第二限制层103和第一限制层105例如为AlGaInP层、AlInP层或AlGaAs层。发光层203例如采用(AlxGa1-x)yIn1-yP/(AlxGa1-x)yIn1-yP的非故意掺杂的超晶格结构，其中，x的范围为0～1，y的范围为0.4～0.6。第一半导体层 202和第二半导体层204的材料可选用光电特性比AlGaInP或AlGaAs 更加优异的GaP材料。第一半导体层202的厚度例如为 2000nm～10000nm，第二半导体层204的厚度例如500nm～3000nm。
在第一半导体层202上设置有第一欧姆接触层205，在第二半导体层204上设置有第二欧姆接触层206。反射层209覆盖第一欧姆接触层 205、第二欧姆接触层206和外延层。反射层209上设置有第一电极210 和第二电极211，第一电极210通过贯穿反射层209的第一通孔207与第一欧姆接触层205相连，第二电极211通过贯穿反射层209的第二通孔208与第二欧姆接触层206相连。
第一欧姆接触层205和第二欧姆接触层206例如均为导电材料，可选用金属或合金，第一欧姆接触层205和第二欧姆接触层206的厚度例如均为20nm～5000nm。反射层209例如为分布式布拉格反射镜(DBR， distributed Bragg reflection)，例如可以采用SiO2层和TiO2层交替组成。第一电极210和第二电极211可采用金属或合金材料制成，第一电极210和第二电极211的厚度例如均为20nm-5000nm。
本发明提供的倒装LED芯片及其制造方法，该倒装LED芯片中的外延层是通过两次外延生长形成的，通过上述设计使得由第一次外延生长形成的第一半导体层和由第二次外延生长形成的第二半导体层的材料选择不受生长衬底的晶格匹配的限制，可选用比传统的AlGaInP或 AlGaAs材料在电学特性和光学特性上更加优异的磷化镓材料，进而提高了倒装LED芯片的电学特性和光学特性，从而大大提升倒装LED芯片的光效。
进一步地，采用GaP材料能有效降低倒装LED芯片的电压，相比于传统的倒装LED芯片，本发明实施例提供的倒装LED芯片的电压降低了0.15V左右，亮度提升了10％左右。
进一步地，本发明实施例的制造方法工艺简单可靠，易于实现，且该方法可用于进行大批量规模化生产。
在以上的描述中，对于各层的构图、蚀刻等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。
此外，可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
而且还应该理解的是，本发明并不限于此处描述的特定的方法、化合物、材质、制造技术、用法和应用，它们可以变化。还应该理解的是，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本发明的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”、“一种”以及“该”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。因此，例如，对“一个步骤”引述意味着对一个或多个步骤的引述，并且可能包括次级步骤。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。因此，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。此处描述的结构将被理解为还引述该结构的功能等效物。可被解释为近似的语言应该被那样理解，除非上下文明确表示相反意思。
Claims (23)
1.一种倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，包括：
在生长衬底上进行第一次外延生长，形成第一外延结构，所述第一外延结构包括位于生长衬底上依次堆叠的第二限制层、发光层、第一限制层及第一半导体层；
经由键合层将所述第一半导体层与透明衬底键合；
去除所述生长衬底，并在所述第二限制层上进行第二次外延生长，形成第二半导体层，所述第一半导体层、所述发光层、所述发光层两侧的第一限制层和第二限制层以及所述第二半导体层组成外延层；
刻蚀所述外延层以暴露出部分所述第一半导体层；
形成与第一半导体层电连接的第一电极和与第二半导体层电连接的第二电极。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一限制层与所述生长衬底的晶格匹配，所述第二限制层与所述生长衬底的晶格匹配。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述第一限制层和所述第二限制层的材料包括AlGaInP、AlInP或AlGaAs，所述第一限制层和所述第二限制层的掺杂类型不同。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一半导体层与所述生长衬底的晶格失配，所述第二半导体层与所述生长衬底的晶格失配。
5.根据权利要求1或4所述的制造方法，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料包括磷化镓。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：在所述第一半导体层上形成第一欧姆接触层，以及在所述第二半导体层上形成第二欧姆接触层。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，还包括：在所述外延层上形成反射层，所述反射层覆盖所述第一欧姆接触层、所述第二欧姆接触层以及所述外延层的表面和侧壁。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述反射层包括分布式布拉格反射镜，所述反射层的材料包括二氧化硅和二氧化钛。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述键合层由透明材料制成，所述键合层的材料包括二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝中的至少一种。
10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述反射层上形成所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别通过贯穿所述反射层的第一通孔和第二通孔与所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层电连接。
11.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述发光层为包括(AlxGa1-x)yIn1-yP/(AlxGa1-x)yIn1-yP的非故意掺杂的超晶格结构，其中，x的范围为0～1，y的范围为0.4～0.6。
12.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述外延层的侧壁与所述透明衬底所在的平面之间具有预设的夹角，所述夹角为45°至90°。
13.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一外延结构还包括位于所述生长衬底和所述第二限制层之间的缓冲层和截止层，所述缓冲层与所述生长衬底相邻，所述截止层位于所述缓冲层和所述第二限制层之间，去除所述生长衬底时还包括去除所述缓冲层和所述截止层。
14.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：
透明衬底；
键合层，位于所述透明衬底上；
外延层，位于所述键合层上，所述外延层包括从下到上依次堆叠的第一半导体层、第一限制层、发光层、第二限制层及第二半导体层，所述外延层中具有台阶结构以暴露出部分所述第一半导体层；
第一电极，与所述第一半导体层电连接；
第二电极，与所述第二半导体层电连接。
15.根据权利要求14所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料包括磷化镓。
16.根据权利要求14所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一限制层和所述第二限制层的材料包括AlGaInP、AlInP或AlGaAs，所述第一限制层和所述第二限制层的掺杂类型不同。
17.根据权利要求14所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括：位于所述第一半导体层上的第一欧姆接触层，以及位于所述第二半导体层上的第二欧姆接触层。
18.根据权利要求17所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括：位于所述外延层上的反射层，所述反射层覆盖第一欧姆接触层、所述第二欧姆接触层以及所述外延层的表面及侧壁。
19.根据权利要求18所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极位于所述反射层上，所述第一电极和所述第二电极分别通过贯穿所述反射层的第一通孔和第二通孔与所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层电连接。
20.根据权利要求14所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述发光层为包括(AlxGa1-x)yIn1-yP/(AlxGa1-x)yIn1-yP的非故意掺杂的超晶格结构，其中，x的范围为0～1，y的范围为0.4～0.6。
21.根据权利要求14所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述键合层的材料包括二氧化硅、二氧化钛和三氧化二铝中的至少一种。
22.根据权利要求14所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述外延层的侧壁与所述透明衬底所在的平面之间具有预设的夹角，所述夹角为45°至90°。
23.根据权利要求18所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射层包括分布式布拉格反射镜，所述反射层的材料包括二氧化硅和二氧化钛。
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| CN202210178972.4A CN114628552A (zh) | 2022-02-25 | 2022-02-25 | 倒装led芯片及其制造方法 |
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