KR100756842B1 - 광추출용 컬럼들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법 - Google Patents

광추출용 컬럼들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법 Download PDF

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Abstract

광추출용 컬럼들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 발광 다이오드는 제1 도전형 (Al,In,Ga)N 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층의 일 영역 상에 위치하는 제2 도전형 (Al,In,Ga)N 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함한다. 이에 더하여, 상기 제1 도전형 반도체층의 다른 영역 상에 광추출용 컬럼들이 위치한다. 상기 광추출용 컬럼들은 내부 반사에 의한 광 손실을 감소시키어 광 추출 효율을 향상시킨다.
발광 다이오드, 광 추출 효율(light extraction efficiency), 컬럼(column)

Description

광추출용 컬럼들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법{LIGHT EMITTING DIODE HAVING COLUMNS FOR LIGHT EXTRACTION AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광추출용 컬럼들을 갖는 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 도 1의 절취선 A-A'를 따라 취해진 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 광추출용 컬럼들을 갖는 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
본 발명은 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광추출용 컬럼들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법에 관한 것이다.
질화갈륨(GaN) 계열의 발광 다이오드(LED)가 10년 이상 적용되어 왔으며, LED 기술을 상당히 변화시켰다. GaN 계열의 LED는 현재 천연색 LED 표시소자, LED 교통 신호기, 백색 LED 등 다양한 응용에 사용되고 있다.
최근, 고효율 백색 LED는 형광 램프를 대체할 것으로 기대되고 있으며, 특히 백색 LED의 효율(efficiency)은 통상의 형광램프의 효율에 유사한 수준에 도달하고 있다. 그러나, LED효율은 더욱 개선될 여지가 있으며, 따라서 지속적인 효율 개선이 더욱 요구되고 있다.
LED 효율을 개선하기 위해 두 가지의 주요한 접근이 시도되고 있다. 첫째는 결정질(crystal quality) 및 에피층 구조에 의해 결정되는 내부 양자 효율(interna quantum efficiency)을 증가시키는 것이고, 둘째는 광 추출 효율(light extraction efficiency)을 증가시키는 것이다.
내부 양자 효율은 현재 70~80%에 이르고 있어 개선의 여지가 많지 않으나, 광추출 효율은 개선의 여지가 많다. 광 추출 효율 개선은, 열 방출 구조, 거칠어진 표면 및 패터닝된 사파이어 기판 등을 채택하여 내부 광손실을 제거하는 것이 주요한 과제가 되고 있다.
거칠어진 표면은 GaN 계열의 LED와 그 주변, 예컨대 기판 및 대기의 굴절률 차이에 따른 전반사를 방지하기 위해 채택된다. GaN 계열의 반도체 물질은 약 2.4의 높은 굴절률을 가지므로, 임계각이 상대적으로 크다. 임계각 이하의 각으로 표면에 입사된 광은 전반사되어 다시 LED 내부로 되돌아 가며, 이러한 광은 다시 반사되어 외부로 방출되기도 하나, 일부는 LED 내부 또는 전극들에서 흡수되어 열로 손실된다. 상기 거칠어진 표면은 표면에 입사된 광이 전반사에 의해 LED 내부로 돌아가는 것을 방지하여 광을 외부로 방출시킨다.
한편, 광추출 효율을 개선시키기 위해 패터닝된 사파이어 기판을 채택하는 기술이 "InGaN-Based Near-Ultravilolet and Blue-Light-Emitting Diodes with High External Quantum Efficiency Using a Patterned Sapphire Substrate and a Mesh Electrode"라는 제목으로 어플라이드 피직스 일본 저널(Japanese Journal of Applied Physics, Vol.41, 2002, pp.L1431-L143)에 2002년 12월 15일자로 공개된 바 있다.
상기 논문에 따르면, 사파이어 기판을 식각하여 볼록한 육각기둥(hexagon)들을 형성함으로써, LED와 기판 사이에서 광이 전반사되어 손실되는 것을 감소시키어 광추출 효율을 개선할 수 있다.
그러나, 아직 발광 다이오드의 광추출 효율은 만족할만한 수준에 이르지 못하고 있으며, 광추출 효율 개선에 대한 지속적인 노력이 요구된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 기존 공정을 사용하여 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명의 일 태양은 광추출용 컬럼들을 갖는 발광 다이오드를 제공한다. 이 발광 다이오드는 제1 도전형 (Al,In,Ga)N 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층의 일 영역 상에 위치하는 제2 도전형 (Al,In,Ga)N 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도 체층 사이에 개재된 활성층을 포함한다. 이에 더하여, 광추출용 컬럼들이 상기 제1 도전형 반도체층의 다른 영역 상에 위치한다. 이에 따라, 상기 제1 도전형 반도체층 내에서 전반사되는 광이 상기 광추출용 컬럼들을 통해 밖으로 방출될 수 있어, 광추출 효율이 증가된다. 상기 광추출 컬럼들은 상기 제2 도전형 반도체층의 상면을 거칠게 형성하는 기술 및/또는 패터닝된 기판을 채택하는 기술과 조합하여 사용될 수 있으며, 따라서 종래기술에 비해 광추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층의 일 영역은 상기 다른 영역에 의해 둘러싸일 수 있으며, 상기 광추출용 컬럼들은 상기 제2 도전형 반도체층 둘레를 따라 배열될 수 있다. 이에 따라, 상기 활성층에서 방출되어 상기 제1 도전형 반도체층 내에서 내부반사되는 광을 상기 컬럼들을 통해 밖으로 방출할 수 있어 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 광추출용 컬럼들의 상부는 볼록한 형상을 가질 수 있다. 이러한 형상은 렌즈 역할을 수행하여 상기 컬럼들을 통해 외부로 방출되는 광을 상기 컬럼들에 평행한 방향으로 방출시킨다.
한편, 상기 광추출용 컬럼들의 상단부는 상기 제2 도전형 반도체층과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 컬럼들은 상기 제2 도전형 반도체층을 형성하는 동안 함께 형성될 수 있어 발광 다이오드 제조공정을 단순화할 수 있다.
상기 발광 다이오드는 기판 및 상기 기판과 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 개재된 버퍼층을 더 포함할 수 있다. 상기 기판은 패터닝된 기판, 예컨대 패터닝된 사파이어 기판일 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 태양은 광추출용 컬럼들을 갖는 발광 다이오드 제조방법을 제공한다. 이 방법은 기판 상에 버퍼층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 버퍼층이 형성된 기판 상에 제1 도전형 (Al,In,Ga)N 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 (Al,In,Ga)N 반도체층이 형성된다. 그 후, 상기 제2 도전형 반도체층 상부에 발광 영역 및 컬럼 영역들을 정의하는 마스크 패턴이 형성된다. 상기 마스크 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 식각하여 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된다. 그 결과, 상기 발광 영역에 이웃하는 광추출용 컬럼들이 형성된다.
본 실시예에 따르면, 컬럼 영역들을 한정하는 마스크 패턴을 사용하여 광추출용 컬럼들을 형성하므로, 공정을 복잡하게 하지 않으면서, 기존 공정을 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 컬럼 영역들은 상기 발광 영역 둘레를 따라 배열되도록 정의될 수 있다. 따라서, 상기 광추출용 컬럼들은 상기 발광 영역 둘레에 형성된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광추출용 컬럼들(30)을 갖는 발광 다이 오드를 설명하기 위한 평면도이고, 도 2는 도 1의 절취선 A-A'를 따라 취해진 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(21) 상에 제1 도전형 (Al,In,Ga)N 반도체층(25)이 위치한다. 상기 제1 도전형 반도체층(25)과 상기 기판(21) 사이에 버퍼층(23)이 개재될 수 있다. 한편, 제1 도전형 반도체층(25)의 일 영역 상에 제2 도전형 (Al,In,Ga)N 반도체층(29)이 위치하며, 활성층(27)이 상기 제1 도전형 반도체층(25)과 상기 제2 도전형 반도체층(29) 사이에 개재된다.
상기 기판(21)은 사파이어, SiC, 스피넬 등의 기판일 수 있으며, 또한 패터닝된 기판, 예컨대 패터닝된 사파이어 기판일 수 있다.
상기 버퍼층(23)은 제1 도전형 반도체층(25)과 기판(21) 사이에서 격자부정합을 완화하기 위해 채택된다. 한편, 상기 버퍼층(23) 상에 언도프트 반도체층(도시하지 않음)이 더 개재될 수 있다.
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(25, 29)은 각각 N형 및 P형, 또는 P형 및 N형일 수 있다. 여기서, (Al, In, Ga)N 반도체는 2원계 내지 4원계 III족 질화물을 나타내며, N형 반도체층은 Si를, P형 반도체층은 Mg을 도핑하여 형성될 수 있다. 활성층(27) 또한 (Al, In, Ga)N 화합물 반도체로 형성될 수 있으며, 단일 또는 다중 양자웰 구조로 형성된다. 이에 더하여, 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 상부면은 거칠어진 표면을 가질 수 있다.
한편, 상기 제1 도전형 반도체층(25)의 다른 영역 상에 광추출용 컬럼들(30)이 위치한다. 상기 컬럼(30)은 직경에 비해 길이가 상대적으로 큰 막대(rod) 형상 을 가지며, 그것의 상부는 볼록한 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(25)의 일 영역은, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 다른 영역에 의해 둘러싸일 수 있다. 한편, 상기 컬럼들(30)은 제2 도전형 반도체층(29)의 일측에 위치할 수 있으나, 도시한 바와 같이, 제2 도전형 반도체층(29)의 둘레를 따라 배열될 수 있다.
한편, 상기 제2 도전형 반도체층(29) 상에 전극(31)이 위치한다. 상기 전극(31)은 투명전극, 예컨대 Ni/Au 또는 인디움틴 산화막(ITO)일 수 있다. 전극(31)과 제2 도전형 반도체층(29)은 오믹특성을 나타내며, 필요에 따라 부가적인 수단이 채택될 수 있다. 예컨대, 전극(31)을 인디움틴 산화막으로 형성한 경우, 제2 도전형 반도체층(29)과 전극(31) 사이에 고농도 N형 터널링층(도시하지 않음)이 개재될 수 있다.
한편, 상기 전극 상에 P형 전극 패드(33)가 위치한다. 상기 P형 전극 패드(33)는 전극(31)을 관통하여 제2 도전형 반도체층(29)에 접촉될 수도 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(25)의 다른 영역 상에 N형 전극 패드(35)가 위치한다. 상기 N형 전극 패드(35)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 컬럼들(30)이 바깥쪽에 위치하도록 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 컬럼들(30)이 제2 도전형 반도체층(29)에 가깝게 위치하도록 상기 N형 전극 패드(35)가 컬럼들(30) 바깥쪽에 형성될 수도 있다. 또한, N형 전극 패드(35)에서 발광 다이오드의 가장자리로 이어지는 제1 도전형 반도체층(25)의 영역 상에는 컬럼들(30)이 형성되지 않을 수도 있다. 한편, 상기 P형 전극 패드(33)와 N형 전극 패드(35)는 전류분산을 위해 서로 대향하 도록 배치되는 것이 바람직하다.
종래기술에 따르면, 활성층(27)으로부터 기판(21) 쪽으로 방출된 광은 제1 도전형 반도체층(25)과 기판(21)의 굴절률 차이에 기인하여 이들 사이의 계면에서 내부 반사되거나, 기판(21)과 대기 사이의 굴절률 차이에 기인하여 기판(21)과 대기 사이의 계면에서 내부 반사된다. 내부 반사된 광은 제2 도전형 반도체층(29) 쪽으로 반사되어 거칠어진 표면을 통해 외부로 방출되거나, 또는 임계각 이상의 각으로 발광 다이오드의 측면으로 반사된 광은 측면을 통해 방출될 수 있다. 그러나, 제2 도전형 반도체층(29) 쪽으로 반사되지 못하거나, 측면을 통해 방출되지 못하는 광은 내부 반사를 반복하다가 열로 손실된다. 또한, 패터닝된 사파이어 기판을 채택하여, 사파이어 기판의 패턴들에서 광을 산란시키어 광의 진행 방향을 무질서하게 변경할 수 있으나, 모든 광이 외부로 방출되도록 할 수는 없다. 그러나, 본 실시예에 따르면, 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 주변에 광추출용 컬럼들(30)을 제공함으로써, 내부 반사를 반복하는 광을 상기 광추출용 컬럼들(30)을 통해 외부로 방출시킨다. 상기 컬럼들(30)은 내부 반사 회수를 감소시키며, 내부 반사에 의한 광 손실을 방지하여 광추출 효율을 향상시킨다.
또한, 상기 컬럼들(30)의 상부를 볼록한 형상으로 형성함으로써, 컬럼들(30)을 통해 방출되는 광이 대체로 상기 컬럼들(30)에 평행한 방향으로 방출되도록 할 수 있다.
한편, 상기 컬럼들(30)의 상단부는 제2 도전형 (Al,In,Ga)N 반도체층(29)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 이에 더하여, 상기 컬럼들(30)의 하단부는 제1 도 전형 반도체층(25)과 동일 물질로 형성되고, 상기 상단부와 하단부 사이에 활성층(27)과 동일한 물질이 개재될 수 있다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 광추출용 컬럼들(30)을 갖는 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 기판(21) 상에 제1 도전형 (Al,In,Ga)N 반도체층(25), 활성층(27) 및 제2 도전형 (Al,In,Ga)N 반도체층(29)을 형성한다. 상기 제1 도전형 반도체층(25) 형성 전, 버퍼층(23)을 형성할 수 있으며, 또한 상기 버퍼층(23) 상에 언도프트 (Al,In,Ga)N 반도체층(도시하지 않음)을 형성할 수 있다.
상기 반도체층들은 각각 금속유기화학기상증착(metalorganic chemical vapor deposition; MOCVD), 수소화물 기상성장(hydride vapor phase epitaxy; HVPE), 분자선 성장(molecular beam epitaxy; MBE) 기술 등을 사용하여 형성될 수 있다.
이에 더하여, 상기 제2 도전형 반도체층(29)을 광전화학(PEC) 식각 기술을 사용하여 식각함으로써 거칠어진 표면이 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(29) 상에 발광 영역(39a) 및 컬럼 영역들(39b)을 정의하는 마스크 패턴이 형성된다. 상기 발광 영역(39a)은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 대체로 직사각형 형상으로 정의될 수 있으며, 상기 컬럼 영역들(39b)은 상기 발광 영역(39a) 둘레를 따라 배열되도록 정의될 수 있다. 상기 발광 영역(39a)은 또한, 도 1에 도시한 바와 같이, N형 전극 패드(35)를 형성하기 위한 패드 영역을 제외하고 형성될 수 있다.
상기 마스크 패턴은 포토레지스트 또는 산화막 등을 사용하여 형성될 수 있 다. 포토레지스트를 이용하여 상기 마스크 패턴을 형성하는 경우, 리플로우(reflow) 공정을 사용하여 마스크 패턴의 바닥면이 상부면보다 넓게 형성할 수 있다.
한편, 상기 발광 영역(39a) 및 컬럼 영역들(39b)을 제외한 나머지 영역들은 노출된다.
도 5를 참조하면, 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 제2 도전형 반도체층(29) 및 활성층(27)을 식각하여 상기 제1 도전형 반도체층(25)을 노출시킨다. 이때, 상기 제1 도전형 반도체층(25)을 과식각(overetch)할 수 있다.
상기 발광 영역(39a) 및 컬럼 영역들(39b) 내의 제2 도전형 반도체층(29)은 식각되지 않고 남아 있으며, 그 외 영역들 내의 제2 도전형 반도체층(29)은 식각되어 제1 도전형 반도체층(25)이 노출된다. 따라서, 상기 컬럼 영역들(39b)에 광추출용 컬럼들(30)이 형성된다.
한편, 리플로우 공정을 사용하여 마스크 패턴을 형성한 경우, 컬럼들(30)의 상부는 도시한 바와 같이 볼록한 형상을 갖도록 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(29) 상에 전극(31)이 형성된다. 상기 전극(31)은 리프트 오프 기술을 사용하여 형성될 수 있으며, 예컨대 Ni/Au 또는 ITO 등으로 형성될 수 있다.
상기 전극(31)은 제1 도전형 반도체층(25)을 노출시킨 후에 형성될 수 있으나, 상기 제1 도전형 반도체층(25)을 노출시키기 전, 전자빔 증착(e-beam evaporation) 기술을 사용하여 제2 도전형 반도체층(29) 상에 전극층을 형성한 후, 이를 사진 및 식각 공정을 사용하여 패터닝함으로써 형성될 수도 있다.
이어서, 상기 전극(31) 상에 P형 전극패드(33)를 형성하고, 상기 제1 도전형 반도체층(25) 상에 N형 전극패드(35)를 형성한다. 상기 전극패드들(33, 35)은 리프트 오프 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 도 2의 발광 다이오드가 완성된다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 거칠어진 표면을 채택하거나, 패터닝된 사파이어 기판을 채택하는 종래의 발광 다이오드에 비해 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공할 수 있으며, 기존 공정을 사용하여 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 제조방법을 제공할 수 있다.

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 기판 상에 버퍼층을 형성하고,
    상기 버퍼층 상에 제1 도전형 (Al,In,Ga)N 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 (Al,In,Ga)N 반도체층을 형성하고,
    상기 제2 도전형 반도체층 상부에 발광 영역 및 컬럼 영역들을 정의하는 포토레지스트 마스크 패턴을 형성하되, 상기 포토레지스트 마스크 패턴은 리플로우 공정에 의해 바닥면이 상부면에 비해 더 넓게 형성되고,
    상기 마스크 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 식각함으로써 상기 컬럼 영역들 내에 상부가 볼록한 형상을 갖는 광추출용 컬럼들을 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 컬럼 영역들은 상기 발광 영역 둘레를 따라 배열되도록 정의되는 발광 다이오드 제조방법.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4311000B2 (ja) * 2002-11-28 2009-08-12 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子とその製造方法
US7102175B2 (en) * 2003-04-15 2006-09-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
JP4311173B2 (ja) * 2003-11-20 2009-08-12 パナソニック電工株式会社 半導体発光素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050003671A (ko) * 2003-07-03 2005-01-12 에피밸리 주식회사 질화갈륨계 반도체 발광소자

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