KR101138978B1 - 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 - Google Patents
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Abstract
고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 발광 다이오드는, 지지기판; 지지기판 상에 위치하고, p형 화합물 반도체층, 활성층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체; 지지기판과 반도체 적층 구조체 사이에 위치하여 반도체 적층 구조체에 오믹 콘택하고, 반도체 적층 구조체를 노출시키는 홈을 갖는 반사 금속층; 반사 금속층과 지지기판 사이에 위치하고 반사 금속층의 홈을 채움과 아울러 반사 금속층을 덮되, 반사 금속층을 노출시키는 개구부들을 갖는 중간 절연층; 지지기판과 중간 절연층 사이에 위치하고 중간 절연층의 개구부들에 노출된 반사 금속층을 덮는 장벽 금속층; 반도체 적층 구조체 상에 위치하는 제1 전극 패드; 상기 제1 전극 패드에서 연장하는 전극 연장부; 및 상기 제1 전극 패드와 상기 반도체 적층 구조체 사이에 개재된 상부 절연층을 포함한다.
Description
본 발명은 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 분리 공정을 적용하여 성장기판을 제거한 질화갈륨 계열의 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접 천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 가지므로, 최근 가시광선 및 자외선 영역의 발광소자용 물질로 많은 각광을 받고 있다. 특히, 질화인듐갈륨(InGaN)을 이용한 청색 및 녹색 발광 소자는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 신호등, 실내 조명, 고밀도광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.
이러한 III족 원소의 질화물 반도체층은 그것을 성장시킬 수 있는 동종의 기판을 제작하는 것이 어려워, 유사한 결정 구조를 갖는 이종 기판에서 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정을 통해 성장된다. 이종기판으로는 육방 정계의 구조를 갖는 사파이어(Sapphire) 기판이 주로 사용된다. 그러나, 사파이어는 전기적으로 부도체이므로, 발광 다이오드 구조를 제한한다. 이에 따라, 최근에는 사파이어와 같은 이종기판 상에 질화물 반도체층과 같은 에피층들을 성장시키고, 상기 에피층들에 지지기판을 본딩한 후, 레이저 리프트 오프 기술 등을 이용하여 이종기판을 분리하여 수직형 구조의 고효율 발광 다이오드를 제조하는 기술이 개발되고 있다.
일반적으로, 수직형 구조의 발광 다이오드는 종래의 수평형 발광 다이오드와 비교하여 p측이 아래에 위치하는 구조에 의해 전류분산 성능이 우수하고, 또한 사파이어에 비해 열전도율이 높은 지지기판을 채택함으로써 열 방출 성능이 우수하다. 나아가, PEC 에칭 등에 의해 N-면을 이방성 식각하여 거칠어진 표면을 형성함으로써 상향 광 추출 효율을 크게 향상시킬 수 있다.
그러나, 예컨대 350㎛×350㎛, 또는 1㎟의 발광 면적에 비해 에피층의 전체 두께(약 4㎛)가 매우 얇기 때문에, 전류 분산에 많은 어려움이 있다. 이를 해결하기 위해, n형 전극 패드에서 연장하는 전극 연장부를 채택하여 n형 층 내에서의 전류 분산을 도모하거나, n형 전극 패드에 대응하는 위치의 p형 전극 위치에 절연물질을 배치하여 n형 전극패드로부터 p형 전극으로 직접 전류가 흐르는 것을 방지하는 기술이 채택되고 있다. 그렇지만, n형 전극 패드로부터 그 아래로 전류 흐름이 집중되는 것을 방지하는 데는 한계가 있으며, 더욱이, 넓은 발광 영역에 걸쳐 전체적으로 전류를 고르게 분산시키는 데는 한계가 있다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 전류 분산 성능을 개선한 고효율 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 광 추출 효율이 개선된 고효율 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명은 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 일 태양에 따른 발광 다이오드는, 지지기판; 상기 지지기판 상에 위치하고, p형 화합물 반도체층, 활성층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체; 상기 지지기판과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 위치하여 상기 반도체 적층 구조체에 오믹 콘택하고, 상기 반도체 적층 구조체를 노출시키는 홈을 갖는 반사 금속층; 상기 반사 금속층과 상기 지지기판 사이에 위치하고 상기 홈을 채움과 아울러 상기 반사 금속층을 덮되, 상기 반사 금속층을 노출시키는 개구부들을 갖는 중간 절연층; 상기 지지기판과 상기 중간 절연층 사이에 위치하고 상기 중간 절연층의 개구부들에 노출된 상기 반사 금속층을 덮는 장벽 금속층; 상기 반도체 적층 구조체 상에 위치하는 제1 전극 패드; 상기 제1 전극 패드에서 연장하는 전극 연장부; 및 상기 제1 전극 패드와 상기 반도체 적층 구조체 사이에 개재된 상부 절연층을 포함한다.
상부 절연층을 제1 전극 패드와 반도체 적층 구조체 사이에 배치함으로써, 제1 전극 패드로부터 직접 반도체 적층 구조체로 전류가 집중되어 흐르는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 제1 전극 패드 및 상기 전극 연장부는 상기 홈 영역 상부에 위치할 수 있다. 따라서, 상기 제1 전극 패드 및 상기 전극 연장부로부터 전류가 수직 방향으로 집중되어 흐르는 것을 더욱 방지할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 반사 금속층은 복수개의 판(plate)으로 이루어질 수 있다. 상기 중간 절연층은 상기 복수개의 판들의 측면 및 가장자리를 덮으며, 상기 중간 절연층의 개구부들에 의해 상기 복수개의 판들이 각각 노출된다.
한편, 상기 발광 다이오드는 복수개의 제1 전극 패드; 및 상기 복수개의 제1 전극 패드에서 각각 연장하는 복수개의 전극 연장부들을 포함할 수 있다. 상기 복수개의 제1 전극 패드 및 전극 연장부들은 상기 복수개의 판들 사이의 영역 상부에 위치할 수 있다.
한편, 상기 반도체 적층 구조체는 거칠어진 표면을 가질 수 있으며, 상기 상부 절연층은 상기 거칠어진 표면을 덮을 수 있다. 이때, 상기 상부 절연층은 상기 거칠어진 표면을 따라 요철면을 형성할 수 있다. 상부 절연층이 요철면을 형성함에 따라, 상기 상부 절연층의 상부면에서 발생되는 내부 전반사를 감소시킬 수 있으며, 따라서 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 반도체 적층 구조체는 평평한 표면을 갖고, 상기 제1 전극 패드 및 상기 전극 연장부는 상기 평평한 표면 상에 위치할 수 있다. 나아가, 상기 전극 연장부는 상기 반도체 적층 구조체의 평평한 표면에 접촉할 수 있다. 또한, 상기 거칠어진 표면은 상기 전극 연장부보다 아래에 위치할 수 있다.
상기 지지기판은 도전성 기판일 수 있다. 상기 지지기판은 예컨대, 금속 기판 또는 반도체 기판일 수 있다.
상기 지지기판은 도금 등에 의해 형성될 수도 있으며, 본딩 메탈을 이용하여 본딩될 수도 있다.
본 발명의 다른 태양에 따른 발광 다이오드 제조 방법은, 성장 기판 상에 반도체 적층 구조체를 형성하고; 상기 반도체 적층 구조체 상에 반사 금속층을 형성하되, 상기 반사 금속층은 상기 반도체 적층 구조체를 노출시키는 홈을 갖고; 상기 반사금속층을 덮는 중간 절연층을 형성하되, 상기 중간 절연층은 상기 반사 금속층의 측면 및 가장자리를 덮으며, 또한 상기 반사 금속층을 노출시키는 개구부를 갖고; 상기 중간 절연층의 개구부를 통해 상기 반사 금속층에 접속하는 장벽 금속층을 형성하고; 상기 장벽 금속층 상에 지지기판을 부착하고; 상기 성장 기판을 제거하여 상기 반도체 적층 구조체를 노출시키고; 상기 노출된 반도체 적층 구조체 상에 마스크 패턴을 형성하고; 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 반도체 적층 구조체의 표면을 이방성 식각함으로써 평평한 표면과 함께 거칠어진 표면을 형성하고; 상기 반도체 적층 구조체의 표면을 덮는 상부 절연층을 형성하되, 상기 상부 절연층은 상기 평평한 표면의 일부 영역을 노출시키는 개구부를 갖고; 상기 상부 절연층 상에 제1 전극 패드를 형성함과 아울러, 상기 제1 전극 패드로부터 연장하는 전극 연장부를 형성하는 것을 포함하되, 상기 전극 연장부는 상기 상부 절연층의 개구부 내에 형성된다.
또한, 상기 제1 전극 패드 및 상기 전극 연장부는 상기 반사 금속층의 홈 영역 상부에 형성될 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 반사 금속층은 복수개의 판(plate)으로 형성되고, 상기 중간 절연층은 상기 복수개의 판들의 측면 및 가장자리를 덮으며, 상기 중간 절연층의 개구부들에 의해 상기 복수개의 판들이 각각 노출될 수 있다.
나아가, 복수개의 제1 전극 패드 및 복수개의 전극 연장부들이 각각 상기 복수개의 판들 사이의 영역 상부에 형성될 수 있다.
한편, 상기 상부 절연층은 상기 거칠어진 표면을 따라 형성되어 요철면을 가질수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 전극 패드와 반도체 적층 구조체 사이에 상부 절연층이 개재되어 전류 분산 성능이 개선된 발광 다이오드가 제공된다. 나아가, 상부 절연층이 반도체 적층 구조체의 거칠어진 표면을 따라 요철면을 갖도록 형성됨으로써 발광 다이오드의 광 추출 효율이 개선된다. 또한, 중간 절연층이 반사 금속층의 측면 및 가장자리를 덮기 때문에 수분 등에 의해 반사 금속층이 열화되는 것을 방지할 수 있다. 더욱이, 전극 연장부가 반사 금속층의 홈 영역 상부에 위치하므로, 전극 연장부 아래로 전류가 집중되어 흐르는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 레이아웃도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위해 도 1의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위해 도 1의 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위해 도 1의 절취선 C-C를 따라 취해진 단면도이다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들로서, 각각 도 1의 절취선 A-A에 대응하는 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위해 도 1의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위해 도 1의 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위해 도 1의 절취선 C-C를 따라 취해진 단면도이다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들로서, 각각 도 1의 절취선 A-A에 대응하는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타내며, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다.
도 1은 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 레이아웃도이고, 도 2 내지 4는 각각 도 1의 절취선 A-A, B-B 및 C-C를 따라 취해진 단면도이다. 도 1에서 반도체 적층 구조체(30) 아래에 위치하는 반사 금속층(31) 및 중간 절연층(33)을 점선으로 표시한다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 상기 발광 다이오드는 지지기판(41), 반도체 적층 구조체(30), 반사 금속층(31), 중간 절연층(33), 장벽 금속층(35), 상부 절연층(47), n-전극 패드(51) 및 전극 연장부(51a)를 포함한다. 또한, 상기 발광 다이오드는 본딩 메탈(43)을 포함할 수 있다.
지지기판(41)은 화합물 반도체층들을 성장시키기 위한 성장기판과 구분되며, 이미 성장된 화합물 반도체층들에 부착된 2차 기판이다. 상기 지지기판(41)은 도전성 기판, 예컨대 금속 기판 또는 반도체 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 사파이어와 같은 절연 기판일 수도 있다.
반도체 적층 구조체(30)는 지지기판(41) 상에 위치하며, p형 화합물 반도체층(29), 활성층(27) 및 n형 화합물 반도체층(25)을 포함한다. 여기서, 상기 반도체 적층 구조체(30)는 일반적인 수직형 발광 다이오드와 유사하게 p형 화합물 반도체층(29)이 n형 화합물 반도체층(25)에 비해 지지기판(41) 측에 가깝게 위치한다. 상기 반도체 적층 구조체(30)는 지지기판(41)의 일부 영역 상에 위치할 수 있다. 즉, 지지기판(41)이 반도체 적층 구조체(30)에 비해 상대적으로 넓은 면적을 가지며, 반도체 적층 구조체(30)는 상기 지지기판(41)의 가장자리로 둘러싸인 영역 내에 위치한다.
n형 화합물 반도체층(25), 활성층(27) 및 p형 화합물 반도체층(29)은 III-N 계열의 화합물 반도체, 예컨대 (Al, Ga, In)N 반도체로 형성될 수 있다. n형 화합물 반도체층(25) 및 p형 화합물 반도체층(29)은 각각 단일층 또는 다중층일 수 있다. 예를 들어, n형 화합물 반도체층(25) 및/또는 p형 화합물 반도체층(29)은 콘택층과 클래드층을 포함할 수 있으며, 또한 초격자층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 활성층(27)은 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조일 수 있다. 저항이 상대적으로 작은 n형 화합물 반도체층(25)이 지지기판(41)의 반대쪽에 위치함으로써 n형 화합물 반도체층(25)의 상부면에 거칠어진 표면(R)을 형성하는 것이 용이하며, 거칠어진 표면(R)은 활성층(27)에서 생성된 광의 추출 효율을 향상시킨다.
p-전극(31, 35)은 p형 화합물 반도체층(29)과 지지기판(41) 사이에 위치하며, 반사 금속층(31) 및 장벽 금속층(35)을 포함할 수 있다. 반사 금속층(31)은 반도체 적층 구조체(30)와 지지기판(41) 사이에서 p형 화합물 반도체층(29)에 오믹 콘택한다. 상기 반사 금속층(31)은 예컨대 Ag와 같은 반사층을 포함할 수 있다. 상기 반사 금속층(31)은 반도체 적층 구조체(30) 영역 아래에 한정되어 위치한다. 상기 반사 금속층(31)은 도 1에 도시된 바와 같이, 복수개의 판(plate)으로 형성될 수 있으며, 복수개의 판들 사이에 홈이 형성된다. 상기 홈을 통해 반도체 적층 구조체(30)가 노출된다.
중간 절연층(33)이 반사 금속층(31)과 지지 기판(41) 사이에서 상기 반사 금속층(31)을 덮는다. 중간 절연층(33)은 반사 금속층(31),예컨대 복수개의 판들의 측면 및 가장자리를 덮으며, 반사 금속층(31)을 노출시키는 개구부들을 갖는다. 중간 절연층(33)은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있으며, 또한 굴절률이 서로 다른 절연층들, 예컨대 SiO2/TiO2 또는 SiO2/Nb2O5를 반복 적층한 분포 브래그 반사기일 수 있다. 상기 중간 절연층(33)에 의해 반사 금속층(31)의 측면이 외부에 노출되는 것을 방지할 수 있다. 상기 중간 절연층(33)은 또한, 상기 반도체 적층 구조체(30)의 측면 아래에 위치할 수 있으며, 따라서, 반도체 적층 구조체(30)의 측면을 통한 누설 전류를 방지할 수 있다.
장벽 금속층(35)은 중간 절연층(33) 아래에서 중간 절연층(33)을 덮으며, 중간 절연층(33)의 개구부를 통해 반사 금속층(31)에 접속된다. 장벽 금속층(35)은 반사 금속층(31)의 금속 물질, 예컨대 Ag의 확산을 방지하여 반사 금속층(31)을 보호한다. 장벽 금속층(35)은 예컨대, Ni층을 포함할 수 있다. 상기 장벽 금속층(35)은 지지기판(41)의 전면 상에 위치할 수 있다.
한편, 지지기판(41)은 상기 장벽 금속층(35) 상에 본딩 메탈(43)을 통해 본딩될 수 있다. 본딩 메탈(43)은 예컨대 Au-Sn으로 공융 본딩을 이용하여 형성될 수 있다. 이와 달리, 지지기판(41)은 예컨대 도금 기술을 사용하여 장벽 금속층(35) 상에 형성될 수도 있다. 상기 지지기판(41)이 도전성 기판인 경우, p-전극 패드의 기능을 수행할 수 있다. 이와 달리, 상기 지지기판(41)이 절연기판인 경우, 상기 지지기판(41) 상에 위치하는 장벽 금속층(35) 상에 p-전극 패드가 형성될 수 있다.
한편, 반도체 적층 구조체(30)의 상면, 즉 n형 화합물 반도체층(25)의 표면은 거칠어진 표면(R)과 평평한 표면을 가질 수 있다. 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, n-전극 패드(51) 및 전극 연장부(51a)는 평평한 표면 상에 위치한다. 도시된 바와 같이, 상기 n-전극 패드(51) 및 전극 연장부(51a)는 평평한 표면 상에 한정되어 위치하며, 평평한 표면의 폭에 비해 좁은 폭을 가질 수 있다. 따라서, 반도체 적층 구조체(30)에 언더컷 등의 발생에 의해 전극 패드나 전극 연장부가 박리되는 것을 방지할 수 있어 신뢰성을 높일 수 있다. 한편, 상기 거칠어진 표면(R)은 평평한 표면보다 아래에 위치할 수 있다. 즉, 거칠어진 표면(R) 전극 패드(51) 및 전극 연장부(51a) 아래에 위치한다.
한편, n-전극 패드(51)는 반도체 적층 구조체(30) 상에 위치하며, n-전극 패드(51)로부터 전극 연장부(51a)가 연장한다. 반도체 적층 구조체(30) 상에 복수개의 n-전극 패드들(51)이 위치할 수 있으며, 상기 n-전극 패드들(51)로부터 각각 전극 연장부들(51a)이 연장할 수 있다. 상기 전극 연장부들(51a)이 반도체 적층 구조체(30)에 전기적으로 접속되며, n형 화합물 반도체층(25)에 직접 접촉할 수 있다.
상기 n-전극 패드(51)는 또한, 반사 금속층(31)의 홈 영역 상부에 위치할 수 있다. 즉, 상기 n-전극 패드(51)의 아래에는 p형 화합물 반도체층(29)에 오믹 콘택하는 반사 금속층(31)이 없고, 대신에 중간 절연층(33)이 위치한다. 나아가, 상기 전극 연장부(51a) 또한 반사 금속층(31)의 홈 영역 상부에 위치한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 복수개의 판으로 이루어진 반사 금속층(31)에서 상기 판들 사이의 영역 상부에 전극 연장부(51a)가 위치할 수 있다. 바람직하게, 상기 반사 금속층(31)의 홈 영역, 예컨대 상기 복수개의 판들 사이의 영역의 폭은 전극 연장부(51a)의 폭보다 더 넓다. 이에 따라, 상기 전극 연장부(51a)에서 바로 아래로 전류가 집중적으로 흐르는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상부 절연층(47)이 상기 n-전극 패드(51)와 반도체 적층 구조체(30) 사이에 개재된다. 상기 상부 절연층(47)에 의해 n-전극 패드(51)로부터 직접 반도체 적층 구조체(30)로 전류가 흐르는 것이 방지되며, 특히 n-전극 패드(51) 바로 아래에서 전류가 집중되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 상부 절연층(47)은 거칠어진 표면(R)을 덮는다. 이때, 상기 상부 절연층(47)은 상기 거칠어진 표면(R)을 따라 형성된 요철면을 가질 수 있다. 상부 절연층(47)의 요철면은 볼록한 형상을 가질 수 있다. 상기 상부 절연층(47)의 요철면에 의해 상기 상부 절연층(47)의 상부면에서 발생되는 내부 전반사를 감소시킬 수 있다.
상기 상부 절연층(47)은 또한 반도체 적층 구조체(30)의 측면을 덮어 반도체 적층 구조체(30)를 외부 환경으로부터 보호할 수 있다. 나아가, 상기 상부 절연층(47)은 반도체 적층 구조체(30)를 노출시키는 개구부를 가질 수 있으며, 상기 전극 연장부(51a)는 상기 개구부 내에 위치하여 반도체 적층 구조체(30)에 접촉할 수 있다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 여기서, 상기 단면도들은 도 1의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도에 대응한다.
도 5를 참조하면, 성장 기판(21) 상에 n형 반도체층(25), 활성층(27) 및 p형 반도체층(29)을 포함하는 반도체 적층 구조체(30)가 형성된다. 성장 기판(21)은 사파이어 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 이종기판, 예컨대 실리콘 기판일 수 있다. 상기 n형 및 p형 반도체층들(25, 29)은 각각 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 활성층(27)은 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조로 형성될 수 있다.
상기 화합물 반도체층들은 III-N 계열의 화합물 반도체로 형성될 수 있으며, 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정에 의해 성장 기판(21) 상에 성장될 수 있다.
한편, 화합물 반도체층들을 형성하기 전, 버퍼층(미도시됨)이 형성될 수 있다. 버퍼층은 성장 기판(21)과 화합물 반도체층들의 격자 부정합을 완화하기 위해 채택되며, 질화갈륨 또는 질화알루미늄 등의 질화갈륨 계열의 물질층일 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 반도체 적층 구조체(30) 상에 반사 금속층(31)이 형성된다. 반사 금속층(31)은 반도체 적층 구조체(30)를 노출시키는 홈을 갖는다. 예컨대, 상기 반사 금속층(31)은 복수개의 판으로 이루어질 수 있으며, 복수개의 판들 사이에 홈이 형성될 수 있다(도 1 참조).
이어서, 상기 반사 금속층(31)을 덮는 중간 절연층(33)이 형성된다. 중간 절연층(33)은 상기 반사 금속층 내의 홈을 채우고, 상기 반사 금속층의 측면 및 가장자리를 덮는다. 또한, 상기 중간 절연층(33)은 반사 금속층(31)을 노출시키는 개구부들을 갖는다. 중간 절연층(33)은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 형성될 수 있으며, 굴절률이 서로 다른 절연층들을 반복 적층함으로써 분포 브래그 반사기로 형성될 수도 있다.
상기 중간 절연층(33) 상에 장벽금속층(35)이 형성된다. 장벽 금속층(35)은 중간 절연층(33)에 형성된 개구부를 채워 반사 금속층(31)에 접속될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 장벽 금속층(35) 상에 지지기판(41)이 부착된다. 지지기판(41)은 반도체 적층 구조체(30)와 별도로 제작된 후, 본딩 메탈(43)을 통해 장벽 금속층(35) 상에 본딩될 수 있다. 이와 달리, 상기 지지기판(41)은 장벽 금속층(35) 상에서 도금되어 형성될 수 있다.
그 후, 상기 성장 기판(21)이 제거되어 반도체 적층 구조체(30)의 n형 반도체층(25) 표면이 노출된다. 성장 기판(21)은 레이저 리프트 오프(laser lift-off; LLO) 기술을 이용하여 제거될 수 있다.
도 8을 참조하면, 노출된 n형 반도체층(25) 상에 마스크 패턴(45)이 형성된다. 상기 마스크 패턴(45)은 상기 반사 금속층(31)의 홈에 대응하는 n형 반도체층(25) 영역을 덮고, 그 외 영역을 노출시킨다. 특히, 상기 마스크 패턴(45)은 향후 n-전극 패드 및 전극 연장부가 형성될 영역을 덮는다. 상기 마스크 패턴(45)은 포토레지스트와 같은 폴리머로 형성될 수 있다.
이어서, 상기 마스크를 식각 마스크로 사용하여 n형 반도체층(25) 표면을 이방성 에칭함으로써 n형 반도체층(25)에 거칠어진 표면(R)을 형성한다. 그 후, 상기 마스크(45)가 제거된다. 상기 마스크(45)가 위치하는 n형 반도체층(25) 표면은 평평한 표면을 유지한다.
한편, 상기 반도체 적층 구조체(30)를 패터닝하여 칩 분리 영역이 형성되고, 상기 중간 절연층(33)이 노출된다. 칩 분할 영역은 거칠어진 표면(R)을 형성하기 전 또는 후에 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 거칠어진 표면(R)이 형성된 n형 반도체층(25) 상에 상부 절연층(47)을 형성한다. 상부 절연층(47)은 거칠어진 표면(R)을 따라 형성되어 거칠어진 표면(R)에 대응하는 요철면을 갖는다. 상기 상부 절연층(47)은 n-전극 패드(51)가 형성될 평평한 표면을 덮는다. 상기 상부 절연층(47)은 또한 칩 분할 영역에 노출된 반도체 적층 구조체(30)의 측면을 덮을 수 있다. 다만, 상기 상부 절연층(47)은 전극 연장부(51a)가 형성될 영역의 평평한 표면을 노출시키는 개구부(47a)를 갖는다.
이어서, 상기 상부 절연층(47) 상에 n-전극 패드(51)를 형성함과 아울러, 상기 개구부(47a) 내에 전극 연장부를 형성한다. 전극 연장부는 n-전극 패드(51)로부터 연장하며, 반도체 적층 구조체(30)에 전기적으로 접속한다.
그 후, 칩 분리 영역을 따라 개별 칩으로 분할함으로써 발광 다이오드가 완성된다(도 2 참조).
Claims (15)
- 지지기판;
상기 지지기판 상에 위치하고, p형 화합물 반도체층, 활성층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체;
상기 지지기판과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 위치하여 상기 반도체 적층 구조체에 오믹 콘택하고, 상기 반도체 적층 구조체를 노출시키는 홈을 갖는 반사 금속층;
상기 반사 금속층과 상기 지지기판 사이에 위치하고 상기 홈을 채움과 아울러 상기 반사 금속층을 덮되, 상기 반사 금속층을 노출시키는 개구부들을 갖는 중간 절연층;
상기 지지기판과 상기 중간 절연층 사이에 위치하고 상기 중간 절연층의 개구부들에 노출된 상기 반사 금속층을 덮는 장벽 금속층;
상기 반도체 적층 구조체 상에 위치하는 제1 전극 패드;
상기 제1 전극 패드에서 연장하는 전극 연장부; 및
상기 제1 전극 패드와 상기 반도체 적층 구조체 사이에 개재된 상부 절연층을 포함하고,
상기 제1 전극 패드 및 상기 전극 연장부는 상기 홈 영역 상부에 위치하는 발광 다이오드. - 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 반사 금속층은 복수개의 판(plate)으로 이루어지고, 상기 중간 절연층은 상기 복수개의 판들의 측면 및 가장자리를 덮으며, 상기 중간 절연층의 개구부들에 의해 상기 복수개의 판들이 각각 노출되는 발광 다이오드. - 청구항 3에 있어서,
복수개의 제1 전극 패드; 및
상기 복수개의 제1 전극 패드에서 각각 연장하는 복수개의 전극 연장부들을 포함하되,
상기 복수개의 제1 전극 패드 및 전극 연장부들은 상기 복수개의 판들 사이의 영역 상부에 위치하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 반도체 적층 구조체는 거칠어진 표면을 갖고,
상기 상부 절연층은 상기 거칠어진 표면을 덮되,
상기 상부 절연층은 상기 거칠어진 표면을 따라 요철면을 형성하는 발광 다이오드. - 청구항 5에 있어서,
상기 반도체 적층 구조체는 평평한 표면을 갖고, 상기 제1 전극 패드 및 상기 전극 연장부는 상기 평평한 표면 상에 위치하는 발광 다이오드. - 청구항 6에 있어서,
상기 전극 연장부는 상기 반도체 적층 구조체의 평평한 표면에 접촉하는 발광 다이오드. - 청구항 5에 있어서,
상기 거칠어진 표면은 상기 전극 연장부보다 아래에 위치하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 지지기판은 도전성 기판인 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 지지기판과 상기 장벽 금속층 사이에 개재된 본딩 메탈을 더 포함하는 발광 다이오드. - 성장 기판 상에 반도체 적층 구조체를 형성하고,
상기 반도체 적층 구조체 상에 반사 금속층을 형성하되, 상기 반사 금속층은 상기 반도체 적층 구조체를 노출시키는 홈을 갖고,
상기 반사금속층을 덮는 중간 절연층을 형성하되, 상기 중간 절연층은 상기 반사 금속층의 측면 및 가장자리를 덮으며, 또한 상기 반사 금속층을 노출시키는 개구부를 갖고,
상기 중간 절연층의 개구부를 통해 상기 반사 금속층에 접속하는 장벽 금속층을 형성하고,
상기 장벽 금속층 상에 지지기판을 부착하고,
상기 성장 기판을 제거하여 상기 반도체 적층 구조체를 노출시키고,
상기 노출된 반도체 적층 구조체 상에 마스크 패턴을 형성하고,
상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 반도체 적층 구조체의 표면을 이방성 식각함으로써 평평한 표면과 함께 거칠어진 표면을 형성하고,
상기 반도체 적층 구조체의 표면을 덮는 상부 절연층을 형성하되, 상기 상부 절연층은 상기 평평한 표면의 일부 영역을 노출시키는 개구부를 갖고,
상기 상부 절연층 상에 제1 전극 패드를 형성함과 아울러, 상기 제1 전극 패드로부터 연장하는 전극 연장부를 형성하되, 상기 전극 연장부는 상기 상부 절연층의 개구부 내에 형성되는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 11에 있어서,
상기 제1 전극 패드 및 상기 전극 연장부는 상기 반사 금속층의 홈 영역 상부에 형성되는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 12에 있어서,
상기 반사 금속층은 복수개의 판(plate)으로 형성되고, 상기 중간 절연층은 상기 복수개의 판들의 측면 및 가장자리를 덮으며, 상기 중간 절연층의 개구부들에 의해 상기 복수개의 판들이 각각 노출되는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 13에 있어서,
복수개의 제1 전극 패드 및 복수개의 전극 연장부들이 각각 상기 복수개의 판들 사이의 영역 상부에 형성되는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 11에 있어서,
상기 상부 절연층은 상기 거칠어진 표면을 따라 형성되어 요철면을 갖는 발광 다이오드 제조 방법.
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Legal Events
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
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Payment date: 20170308 Year of fee payment: 6 |
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| FPAY | Annual fee payment |
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