TWI493757B - 高效率發光二極體 - Google Patents

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Description

高效率發光二極體 【對相關申請案之對照參考】
本申請案主張2010年5月18日申請之韓國專利申請案第10-2010-0046532號、2010年9月27日申請之韓國專利申請案第10-2010-0092991號、2010年9月29日申請之韓國專利申請案第10-2010-0094298號以及2010年10月18日申請之韓國專利申請案第10-2010-0101227號的優先權以及權利，為了所有目的，所述申請案特此以引用的方式如同在本文中充分闡明般併入本文中。
本發明之例示性實施例是關於一種發光二極體(light emitting diode；LED)，且更明確而言，是關於一種使用基板分離製程移除了生長基板的基於GaN之高效率LED。
一般而言，由於第III族元素氮化物(諸如，氮化鎵(gallium nitride；GaN)以及氮化鋁(aluminum nitride；A1N))具有優異的熱穩定性以及直接過渡型能帶結構，因此其最近已作為用於在可見區域以及紫外線區域中的發光二極體(LED)之材料而倍受關注。特定言之，使用氮化銦鎵(indium gallium nitride；InGaN)之藍以及綠發光元件已用於諸如大型全彩色平板顯示器、交通燈、室內照明器、高密度光源、高解析度輸出系統以及光學通信之各種應用中。
由於可能難以形成第III族元素氮化物半導體層可在 其上生長之均質基板，因此第III族元素氮化物層可經由諸如金屬有機化學氣相沈積(metal organic chemical vapor deposition；MOCVD)或分子束磊晶(molecular beam epitaxy；MBE)之製程而生長於具有類似於氮化物半導體層之晶體結構的非均質基板上。具有六方晶系結構之藍寶石基板可用作非均質基板。然而，由於藍寶石為非導電體，因此使用藍寶石基板的LED之結構可能受限。因此，最近已開發出以下技術：將諸如氮化物半導體層之磊晶層生長於諸如藍寶石基板之非均質基板上，將支撐基板接合至磊晶層，且接著使用雷射剝離(lift-off)技術或類似者分離非均質基板，藉此製造高效率垂直LED(例如，見頒予Sano等人之美國專利第6,744,071號)。
通常，與習知水平LED相比，歸因於p型半導體層定位於垂直LED中之下部部分處的結構，垂直LED可具有優異的電流散佈效能，且可藉由使用具有比藍寶石基板之熱導率高的熱導率之支撐基板而具有優異的熱耗散效能。另外，可藉由將反射性金屬層配置於支撐基板與p型半導體層之間來反射朝向支撐基板發射之光，且可藉由經由光增強型化學(photo-enhanced chemical；PEC)蝕刻或類似者來各向異性蝕刻N面(N-face)而在n型半導體層上形成粗糙之表面，以顯著地改良向上光提取效率。
然而，由於與發光面積(例如，350μm×350μm或1mm2 )相比，磊晶層之整體厚度(約4μm)可能非常薄，因此電流散佈可能十分難以實施。為了解決此問題，用於 促進在n型層中之電流散佈的技術涉及使用自n型電極墊延伸之電極延伸部，或可藉由將絕緣材料配置於p型電極之對應於n型電極墊的位置來防止電流直接自n型電極墊流動至p型電極。然而，可能存在對防止電流自n型電極墊朝向n型電極墊正下方之部分集中的限制。此外，可能存在對整個寬的發光區域均勻地散佈電流之限制。
特定言之，電流集中可在LED之部分區域(亦即，電流集中之區域)中聚積疲勞，且因此，洩漏電流路徑可形成於所述區域中。為此，在電極墊正下方之區域中的電流集中可阻礙將具有垂直結構之LED應用於需要高可靠度的照明用LED。特定言之，在用於照明之高亮度LED之情況下，微小的電流集中可使LED之發光效率惡化，且可具有對其壽命之不良影響。
同時，用於製造垂直LED之製程(例如，在生長基板上生長磊晶層或將支撐基板接合至磊晶層之製程)是在相對高溫度下執行。生長基板、磊晶層以及支撐基板可具有相互不同的熱膨脹係數。因此，在於高溫度下完成了製程後，應力被施加至相對薄的磊晶層內，藉此誘發殘餘應力。雖然可經由雷射剝離製程分離生長基板，但因殘餘應力諸如裂縫之實體損壞可易於產生於磊晶層中。此外，歸因於在雷射剝離製程中的雷射束之發射，可將震波傳送至磊晶層，且因此，其可損壞磊晶層。
此外，磊晶層之表面可能不平坦，且歸因於在生長基板與磊晶層之間的熱膨脹係數之差異，可具有局部凹形或 凸形部分。因此，當將支撐基板接合至磊晶層時，微泡可形成於磊晶層與支撐基板之間。
本發明之例示性實施例提供一種具有改良之電流散佈效能之高效率發光二極體(LED)以及其製造方法。
本發明之例示性實施例亦提供一種具有改良之光提取效率之高效率LED以及其製造方法。
本發明之例示性實施例亦提供一種高效率LED以及能夠減少在製造過程期間的磊晶層之損壞之其製造方法。
本發明之額外特徵將在接著的描述中闡明，且部分將自描述顯而易見，或可藉由實踐本發明而獲知。
本發明之例示性實施例揭露一種發光二極體，包含：基板；半導體堆疊，配置於基板上，半導體堆疊包含p型半導體層、主動層以及n型半導體層；第一金屬層，插入於基板與半導體堆疊之間，第一金屬層與半導體堆疊歐姆接觸；第一電極墊，配置於半導體堆疊上；電極延伸部，自第一電極墊延伸，電極延伸部具有接觸n型半導體層之接觸區域；第一絕緣層，插入於基板與半導體堆疊之間，第一絕緣層覆蓋p型半導體層在電極延伸部之接觸區域下的第一區域；以及第二絕緣層，插入於第一電極墊與半導體堆疊之間。
應理解，前述大體描述以及接下來的詳細描述皆為例示性以及解釋性的，且意欲提供對如所主張的本發明之進一步解釋。
併入此說明書中且構成此說明書之部分的隨附圖式說明了本發明之實施例，以提供對本發明之進一步理解，且與描述一起用以解釋本發明之原理。
下文將參看隨附圖式詳細描述本發明之例示性實施例。以下實施例僅為了說明性目的而提供，以便熟習此項技術者可充分理解本發明之精神。因此，本發明不限於以下實施例，而可以其他形式實施。在圖式中，為了便於說明，可能誇示了元件之寬度、長度、厚度以及類似者。貫穿說明書以及圖式，同樣的參考數字指示同樣的元件。
圖1為根據本發明之例示性實施例的高效率發光二極體(LED)之剖面圖。
如圖1中所示，根據本例示性實施例之高效率LED包含支撐基板41、配置於支撐基板41上之半導體堆疊30以及配置於半導體堆疊30與支撐基板41之間的中間層。中間層可包含用於歐姆接觸、光反射以及接合基板41與半導體堆疊30之多層金屬層(例如，圖1中所示之31、35以及43)。
支撐基板41與用於生長化合物半導體層之生長基板(未圖示)不同，且為附著至在生長基板上生長之化合物半導體層的二級(secondary)基板。生長基板可為適合於第III族氮化物半導體之生長的藍寶石基板。在本例示性實施例中，若將另一藍寶石基板用作支撐基板41，則生長基板與支撐基板41具有同樣的熱膨脹係數，可防止晶圓在接合 支撐基板41以及移除生長基板時彎曲。
半導體堆疊30配置於支撐基板41上，且包含主動層27以及分別配置於主動層27之兩側的p型化合物半導體層29以及n型化合物半導體層25。在半導體堆疊30中，如與n型化合物半導體層25相比，p型化合物半導體層29定位於較靠近支撐基板41，此類似於習知垂直LED。在本例示性實施例中，半導體堆疊30定位於支撐基板41之部分區域上，且p型接合墊70可配置於支撐基板41之另一區域上(在此另一區域上不存在半導體堆疊30)。由於支撐基板41絕緣，因此導電中間層之一部分在半導體堆疊30之側向方向上延伸，以便中間層之延伸部分可連接至p型接合墊70。
p型化合物半導體層29、主動層27以及n型化合物半導體層25可由III-N基化合物半導體(例如，(Al、Ga、In)N半導體)形成。n型半導體層25以及p型半導體層29中之每一者可具有單層或多層結構。舉例而言，n型半導體層25及/或p型半導體層29可包含接觸層以及包覆層，且可更包含超晶格層。此外，主動層27可具有單一或多量子井結構。具有相對小的比電阻之n型化合物半導體層25定位於支撐基板41之相反側，以便可易於在n型化合物半導體層25之頂表面上形成粗糙或紋理化表面。粗糙或紋理化表面可改良在主動層27中產生的光之提取效率。若支撐基板41不由諸如藍寶石之絕緣基板而由金屬或傳導性半導體製成，則p型接合墊70可形成於支撐基板 41之底表面上。
同時，p歐姆電極31可定位於支撐基板41與半導體堆疊30之間，以便與p型化合物半導體層29歐姆接觸。n電極墊51定位於半導體堆疊30上，且電極延伸部51a自n電極墊51延伸。n電極墊51以及電極延伸部51a可與n型化合物半導體層25歐姆接觸。高效率LED更包含阻障金屬層35以及接合金屬43，其依序配置於p歐姆電極31與支撐基板41之間。阻障金屬層35與p歐姆電極31接觸，且接合金屬43分別在其上側以及下側與阻障金屬層35以及支撐基板41接觸。
在本例示性實施例中，接合金屬43用以將半導體堆疊30接合至支撐基板41。此時，可藉由將定位於半導體堆疊30上之接合金屬層接合至定位於支撐基板41上之另一接合金屬層來形成接合金屬43，且使用接合金屬層之共晶接合使支撐基板41與半導體堆疊30相互附著。接合金屬43可包含Au-Sn合金。
在本例示性實施例中，p歐姆電極31可為包含諸如Ag之反射性金屬之歐姆反射性金屬層，且留下與p歐姆電極31定位在相同高度的在p歐姆電極31內之部分區域作為凹槽區域312。為了便於理解，凹槽區域312在圖1中由虛線標明。以下將描述之凹槽區域312被靠近p型化合物半導體層29之角落定位，以便對應於在n型化合物半導體層25上的n電極墊51之位置。在本例示性實施例中，凹槽區域312填充有定位於其下方之阻障金屬層35。阻障 金屬層35由可能不與p型化合物半導體層29良好歐姆接觸的(例如)諸如Ni之金屬形成，且因此，電流流動可限制於凹槽區域312中。
接線W可連接至n電極墊51，且電極延伸部51a自n電極墊51延伸。
圖2為展示圖1中展示的元件之頂表面之平面圖。
參看圖2，n電極墊51與n型化合物半導體層25之中心區域間隔開且靠近n型化合物半導體層25之角落。因此，在n型化合物半導體層25上之發光區域可最小限度地由接線W覆蓋。電極延伸部51a自n電極墊51線性延伸。更特定言之，電極延伸部51a可包含自n電極墊51開始且返回至n電極墊51之閉合迴路型外部電極圖案512以及多個內部電極圖案514，每一內部電極圖案514具有分別連接至外部電極圖案512之兩個不同位置的兩端。
返回參看圖1，n電極墊51定位於不存在p歐姆電極31的與凹槽區域312相對之區域(亦即，在凹槽區域312正上方之區域，如上所述)中。電極延伸部51a自n電極墊51延伸至p歐姆電極31之區域之上部部分。因此，電流之路徑實質上在處於n型化合物半導體層25上之n電極墊51與處於定位於n電極墊51正下方的p型化合物半導體層29上之凹槽區域312之間受到阻擋。因此，穿過n型化合物半導體層25上之電極延伸部51a的電流可增加，且電極延伸部51a與p歐姆電極31之間的電流亦可增加。因此，可更有效地散佈電流。在本例示性實施例中，可藉 由適當控制電極延伸部51a之圖案來增加電流之散佈效率，只要n型化合物半導體層25之頂表面不過多地由電極延伸部51a覆蓋便可。電極延伸部51a過多地覆蓋n型化合物半導體層25可導致降低之光發射效率。
圖3(a)以及圖3(b)為電極延伸部51a對增加電流散佈的貢獻程度之差異(取決於凹槽區域312形成與否)的比較圖。圖3(a)以及圖3(b)展示：與不形成凹槽區域之情況(見圖3(b))相比，在形成凹槽區域312之情況(見圖3(a))下在電極延伸部51a與p歐姆電極31之間的電流散佈(展示於箭頭之方向上)增加。
圖4為根據本發明之例示性實施例的高效率LED之剖面圖。
參看圖4，根據本例示性實施例之高效率LED類似於參看圖1描述之LED，但包含經組態為分散式布拉格反射器之絕緣層22(下文被稱作「絕緣DBR」)，其填充凹槽區域312且與p型化合物半導體層29接觸。絕緣DBR 22與定位於半導體堆疊30之下部部分處的p型化合物半導體層29以及定位於絕緣DBR 22周圍之p歐姆電極31(亦即，歐姆反射金屬層)接觸。
可藉由交替堆疊選自Six Oy Nz 、Tix Oy 、Tax Oy 以及Nbx Oy 之至少兩個高以及低折射率層來形成絕緣DBR 22。可藉由調整交替堆疊的高以及低折射率層之光學厚度來使特定波長的光之反射比最大化。此時，絕緣DBR 22中之層可具有相同的光學厚度，以便增加特定波長中的光之反射 比，諸如，在主動層27中產生之光。或者，絕緣DBR 22可藉由堆疊反射波長相互不同之多個DBR來形成，以便增加在相對寬波長區域中的光之反射比。每一絕緣DBR 22之反射波長可由高以及低折射率層之光學厚度來控制。
鑒於特定波長的光之反射，絕緣DBR 22可包含藉由在垂直方向上重複堆疊一個高折射率層以及一個低折射率層形成之單一DBR。然而，若先前提到之LED為應用至發射白光的LED封裝之白光LED，則絕緣DBR 22可具有包含兩個或兩個以上絕緣DBR部分之結構，藉此改良光發射效率。下文，將描述可應用至先前提到之LED的絕緣DBR 22之其他實例，其中兩個或兩個以上絕緣DBR部分經組態而堆疊以適於反射兩個或兩個以上不同波長之光。
參看圖5，絕緣DBR 22包含第一絕緣DBR部分222以及第二絕緣DBR部分224。
藉由重複多對第一材料層222a以及第二材料層222b來形成第一絕緣DBR部分222，且藉由重複多對第三材料層224a以及第四材料層224b來形成第二絕緣DBR部分224。如與在藍色波長區域中之光相比，在第一絕緣DBR部分222中之成對的第一材料層222a以及第二材料層222b對在紅或綠色波長區域中的光(例如，550mm或630nm之光)具有相對高的反射比，且如與在紅或綠色波長區域中之光相比，在第二絕緣DBR部分224中之成對的第三材料層224a以及第四材料層224b對在藍色波長區域中的光(例如，460mm之光)具有相對高的反射比。雖然 在第一絕緣DBR部分222中的材料層222a以及222b之光學厚度比在第二絕緣DBR部分224中的材料層224a以及224b之光學厚度大，但本發明不限於此。亦即，在第二絕緣DBR部分中的材料層之光學厚度可比在第一絕緣DBR部分中的材料層之光學厚度大。
第一材料層222a可具有與第三材料層224a相同(亦即相同折射率)的材料，且第二材料層222b可具有與第四材料層224b相同(亦即相同折射率)的材料。舉例而言，第一材料層222a以及第三材料層224a可由TiO2 (折射率n：約2.5)形成，且第二材料層222b以及第四材料層224b可由SiO2 (折射率n：約1.5)形成。
同時，第一材料層222a之光學厚度實質上與第二材料層222b之光學厚度成整數倍關係，且其光學厚度較佳可為實質上彼此相同。第三材料層224a之光學厚度實質上與第四材料層224b之光學厚度成整數倍關係，且其光學厚度可實質上彼此相同。
第一材料層222a之光學厚度可比第三材料層224a之光學厚度大，且第二材料層222b之光學厚度可比第四材料層224b之光學厚度大。可藉由調整材料層中之每一者的折射率及/或實際厚度來控制第一材料層222a、第二材料層222b、第三材料層224a以及第四材料層224b之光學厚度。
根據本例示性實施例，提供絕緣DBR 22，其中對於長波長可見光具有相對較高反射比的第一絕緣DBR部分222以及對於短波長可見光具有相對較高反射比的第二絕 緣DBR部分224經組態以相互堆疊。藉由第一絕緣DBR部分222與第二絕緣DBR部分224之組合，絕緣DBR部分222可具有貫穿可見光區域中之寬波長帶的高反射比。
由於單一DBR對特定波長範圍中之光具有高反射比，但對其他波長範圍中之光具有低反射比，因此可存在對改良發射白光的LED封裝之光提取效率之限制。然而，由於絕緣DBR 22包含如圖5中展示之兩個或兩個以上DBR部分，故其不僅對在藍色波長區域中的光具有高反射比，且亦對在綠以及紅色波長區域中的光具有高反射比，因此LED封裝之光效率可得以改良。
此外，當第一絕緣DBR部分222比第二絕緣DBR部分224較靠近半導體堆疊30配置時，與第二絕緣DBR部分224比第一絕緣DBR部分222較靠近半導體堆疊30配置的情況相比，可減少在絕緣DBR 22中之光損失。
在本例示性實施例中，已描述了兩個反射器(亦即，第一絕緣DBR部分222以及第二絕緣DBR部分224)，但可使用較多數目個DBR。對相對長的波長之光具有相對高反射比之DBR可相對靠近半導體堆疊30定位。
在本例示性實施例中，在第一絕緣DBR部分222中的第一材料層222a之厚度可相互不同，且在第一絕緣DBR部分222中的第二材料層222b之厚度可相互不同。在第二絕緣DBR部分224中的第三材料層224a之厚度可相互不同，且在第二絕緣DBR部分224中的第四材料層224b之厚度可相互不同。
雖然已在本例示性實施例中描述材料層222a、222b、224a以及224b由SiO2 或TiO2 形成，但本發明不限於此。材料層可由其他材料層(例如，Si3 N4 、化合物半導體或類似者)形成。第一材料層222a與第二材料層222b之折射率之間的差可大於0.5，且第三材料層224a與第四材料層224b之折射率之間的差可大於0.5。
在第一絕緣DBR部分222中的成對之第一以及第二材料層之數目以及在第二絕緣DBR部分224中的成對之第三以及第四材料層之數目愈大，則反射比可增加得愈大。此等對之總數可為至少20。
圖6為繪示根據本發明之例示性實施例的絕緣DBR 22之剖面圖。在根據本例示性實施例之絕緣DBR 22中，可將多對第一材料層222a以及第二材料層222b與多對第三材料層224a以及第四材料層224b相互混合。亦即，至少一對第三材料層224a以及第四材料層224b定位於多對第一材料層222a以及第二材料層222b之間，且至少一對第一材料層222a以及第二材料層222b定位於多對第三材料層224a以及第四材料層224b之間。此處，第一至第四材料層222a、222b、224a以及224b之光學厚度經控制以對貫穿可見光區域中之寬波長帶的光具有高反射比。
圖7為根據本發明之例示性實施例的LED之佈局示意圖。圖8、圖9以及圖10為分別沿著圖7之線A-A'、B-B'以及C-C'截取之剖面圖。在圖7中，定位於半導體堆疊30下方之反射性金屬層31以及下部絕緣層33由虛線標 明。
參看圖7至圖10，LED包含支撐基板41、半導體堆疊30、反射性金屬層31、下部絕緣層33、阻障金屬層35、上部絕緣層47、n電極墊51以及電極延伸部51a。LED可更包含接合金屬43。
支撐基板41與用於生長化合物半導體層之生長基板(未圖示)不同，且為附著至先前生長之化合物半導體層的二級基板。雖然支撐基板41可為傳導性基板(例如，金屬基板)或半導體基板，但本發明不限於此。亦即，支撐基板41可為絕緣基板，諸如，藍寶石基板。
半導體堆疊30定位於支撐基板41上，且包含p型化合物半導體層29、主動層27以及n型化合物半導體層25。在半導體堆疊30中，類似於習知垂直LED，如與n型化合物半導體層25相比，p型化合物半導體層29較靠近支撐基板41定位。半導體堆疊30可定位於支撐基板41之部分區域上。亦即，支撐基板41具有比半導體堆疊30相對寬的面積，且半導體堆疊30定位於由支撐基板41之邊緣包圍的區域內。
由於n型化合物半導體25、主動層27以及p型化合物半導體層29與參看圖1描述之彼等層相同，因此將省略其詳細描述。
p電極定位於p型化合物半導體層29與支撐基板41之間，且可包含反射性金屬層31以及阻障金屬層35。反射性金屬層31與在半導體堆疊30與支撐基板41之間的p 型化合物半導體層29歐姆接觸。反射性金屬層31可包含(例如)Ag之反射層。可將反射性金屬層31定位於限於半導體堆疊30之區域下方。如在圖7中所示，反射性金屬層31可由多個板形成，其中凹槽形成於板之間。經由凹槽暴露半導體堆疊30。
下部絕緣層33覆蓋於反射性金屬層31與支撐基板41之間的反射性金屬層31。下部絕緣層33覆蓋反射性金屬層31(例如，多個板)之側表面以及邊緣，且具有開口，經由開口暴露反射性金屬層31。下部絕緣層33可經形成以具有由氧化矽或氮化矽組成之單層或多層結構，且可為藉由重複堆疊折射率相互不同之絕緣層(例如，SiO2 /TiO2 或SiO2 /Nb2 O5 )而獲得之DBR。下部絕緣層33可防止反射性金屬層31之側表面暴露在外。下部絕緣層33亦可定位於半導體堆疊30之側表面下方，以便可防止經由半導體堆疊30之側表面的洩漏電流。
阻障金屬層35自下部絕緣層33下方覆蓋下部絕緣層33，且經由下部絕緣層33之開口連接至反射性金屬層31。藉由防止金屬材料(例如，Ag)自反射性金屬層31之分散，阻障金屬層35保護反射性金屬層31。阻障金屬層35可包含(例如)Ni層。阻障金屬層35可定位於支撐基板41之整個表面之上。
支撐基板41可藉由接合金屬43接合至阻障金屬層35上。接合金屬43可使用共晶接合由(例如)Au-Sn形成。或者，支撐基板41可形成於阻障金屬層35上，例如，使 用電鍍技術。若支撐基板41為傳導性基板，則其可執行p電極墊之功能。或者，若支撐基板41為絕緣基板，則p電極墊可形成於定位於支撐基板41上之阻障金屬層35上。
同時，半導體堆疊30之頂表面(亦即，n型化合物半導體層25之表面)可具有粗糙之表面以及平坦表面兩者。如圖8至圖10中所示，n電極墊51以及電極延伸部51a定位於平坦表面上。如此等圖所示，將n電極墊51以及電極延伸部51a定位於限於平坦表面上，且可比平坦表面窄。因此，可防止n電極墊51或電極延伸部51a因在半導體堆疊30中產生底切或類似者而片狀剝落，藉此改良其可靠度。粗糙之表面可定位於平坦表面下。亦即，粗糙之表面可定位於n電極墊51以及電極延伸部51a下。
同時，n電極墊51定位於半導體堆疊30上，且電極延伸部51a自n電極墊51延伸。多個n電極墊51可定位於半導體堆疊30上，且電極延伸部51a可分別自n電極墊51延伸。電極延伸部51a電性連接至半導體堆疊30，且可與n型化合物半導體層25直接接觸。
n電極墊51亦可定位於反射性金屬層31中之凹槽區域上方。亦即，與p型化合物半導體層29歐姆接觸之反射性金屬層31可不定位於n電極墊51下，反之，下部絕緣層33定位於n電極墊51下。另外，電極延伸部51a亦可定位於反射性金屬層31中之凹槽區域上方。如圖7中所示，在由多個板構成之反射性金屬層31中，電極延伸部51a可定位於板之間的區域上方。反射性金屬層31中之凹 槽區域(例如，多個板之間的區域)的寬度可比電極延伸部51a寬。因此，可防止電流流動自電極延伸部51a朝向在電極延伸部51a正下方之部分集中。
同時，上部絕緣層47插入於n電極墊51與半導體堆疊30之間。上部絕緣層47可防止電流自n電極墊51直接流至半導體堆疊30內。特定言之，上部絕緣層47可防止電流集中於n型電極墊51正下方之部分上。上部絕緣層47覆蓋粗糙之表面。上部絕緣層47可具有沿著粗糙之表面形成的不平表面。上部絕緣層47之不平表面可具有凸形形狀。上部絕緣層47之不平表面可減少可在上部絕緣層47之上表面上產生的全內反射。
上部絕緣層47可覆蓋半導體堆疊30之側表面，以便保護半導體堆疊30免受外部環境影響。另外，上部絕緣層47可具有開口，經由開口暴露半導體堆疊30，且電極延伸部51a可定位於開口中以便與半導體堆疊30接觸。
圖11至圖15為繪示根據本發明之例示性實施例的製造LED之方法之剖面圖。此處，剖面圖中之每一者對應於沿著圖7之線A-A'截取之剖面圖。
參看圖11，包含n型半導體層25、主動層27以及p型半導體層29之半導體堆疊30形成於生長基板21上。雖然生長基板21可為藍寶石基板，但本發明不限於此。亦即，生長基板21可為另一非均質基板，例如，矽基板。n型半導體層25以及p型半導體層29中之每一者可經形成以具有單層或多層結構。主動層27可經形成以具有單一或 多量子井結構。
半導體層可由III-N基化合物半導體形成，且可經由諸如MOCVD或MBE之製程生長於生長基板21上。
同時，在形成化合物半導體層前，可形成緩衝層(未圖示)。緩衝層用以減少生長基板21與化合物半導體層之間的晶格不匹配，且可為(例如)GaN或AlN之基於氮化物的材料層。
參看圖12，反射性金屬層31形成於半導體堆疊30上。反射性金屬層31具有凹槽，經由凹槽暴露半導體堆疊30。舉例而言，反射性金屬層31可由多個板形成，且凹槽可形成於多個板(見圖7)之間。
隨後，形成下部絕緣層33以覆蓋反射性金屬層31。下部絕緣層33填充反射性金屬層31中之凹槽，且覆蓋反射性金屬層31之側表面以及邊緣。下部絕緣層33具有開口，經由開口暴露反射性金屬層31。下部絕緣層33可由氧化矽或氮化矽形成，且可形成為藉由交替堆疊折射率相互不同之絕緣層而獲得之DBR。
阻障金屬層35形成於下部絕緣層33上。藉由填充形成於下部絕緣層33中之開口，阻障金屬層35可與反射性金屬層31接觸。
參看圖13，支撐基板41附著至阻障金屬層35。支撐基板41可與半導體堆疊30分別形成，且接著藉由接合金屬43接合至阻障金屬層35上。或者，可經由電鍍技術使支撐基板41形成於阻障金屬層35上。
接著，藉由移除生長基板21暴露在半導體堆疊30中的n型半導體層25之表面。可使用雷射剝離(laser lift-off；LLO)技術移除生長基板21。
參看圖14，將罩幕圖案45形成於暴露之n型半導體層25上。罩幕圖案45僅覆蓋對應於反射性金屬層31之凹槽的n型半導體層25之區域，且暴露n型半導體層25之其他區域。特定言之，罩幕圖案45覆蓋n型半導體層25之稍後將形成n電極墊51以及電極延伸部51a的區域。罩幕圖案45可由諸如光阻之聚合物形成。
隨後，使用罩幕圖案45作為蝕刻罩幕來各向異性蝕刻n型半導體層25之表面，藉此在n型半導體層25上形成粗糙之表面R。接著，移除罩幕圖案45。將n型半導體層25之表面之一部分(罩幕圖案45定位於其上)維持為平坦表面。
同時，藉由將半導體堆疊30圖案化來形成晶片分離區域，且暴露下部絕緣層33。可在形成粗糙之表面R之前或之後形成晶片分離區域。
參看圖15，將上部絕緣層47形成於n型半導體層25上，n型半導體層25具有形成於其上之粗糙之表面R。上部絕緣層47沿著粗糙之表面R形成以具有對應於粗糙之表面R的不平表面。上部絕緣層47覆蓋其上將形成n電極墊51之平坦表面。上部絕緣層47可覆蓋暴露於晶片分離區域的半導體堆疊30之側表面。上部絕緣層47具有開口47a，其用於暴露將形成電極延伸部51a的區域之平坦 表面。
隨後，將n電極墊51形成於上部絕緣層47上，且將電極延伸部51a形成於開口47a中。電極延伸部51a自n電極墊51延伸，且電性連接至半導體堆疊30。
接著，沿著晶片分離區域將支撐基板分成個別晶片，藉此完成LED之製造(見圖8)。
圖16為根據本發明之例示性實施例的LED之佈局示意圖。圖17、圖18以及圖19分別為沿著圖16之線A-A'、B-B'以及C-C'截取之剖面圖。在圖16中，定位於半導體堆疊30下方之反射性金屬層31以及下部絕緣層33由虛線標明。
參看圖16至圖19，LED類似於參看圖7至圖10描述之LED，但不同之處在於，LED包含具有特定材料以及結構之支撐基板60。
在本例示性實施例中，支撐基板60為附著至先前生長之化合物半導體層的二級基板，且可為傳導性基板，例如，金屬基板。
支撐基板60包含定位於其中心處之第一金屬層64，以及在第一金屬層64之上部部分以及下部部分處相互對稱配置之第二金屬層62以及66。第一金屬層64可包含(例如)鎢(W)或鉬(Mo)中之至少一者。第二金屬層62以及66由具有比第一金屬層64之熱膨脹係數高的熱膨脹係數之材料製成，且可包含(例如)銅(Cu)。黏著層63以及65分別形成於第一金屬層64與第二金屬層62之間以 及第一金屬層64與第二金屬層66之間。此外，黏著層61形成於接合金屬43與第二金屬層62之間。此等黏著層61、63以及65可包含Ni、Ti、Cr以及Pt中之至少一者。可藉由黏著層67使下部接合金屬68形成於定位於第一金屬層64下的第二金屬層66之底表面上。下部接合金屬68具有與插入於支撐基板60與半導體堆疊結構30之間的接合金屬43對稱之結構。下部接合金屬68可由與接合金屬43相同之材料製成，且可(例如)由Au或Au-Sn(80/20重量%)製成。下部接合金屬68可用以將支撐基板60附著至電子電路或印刷電路板(printed circuit board；PCB)。
在本例示性實施例中，支撐基板60具有包含第一金屬層64以及經形成以在第一金屬層64之頂表面以及底表面上相互對稱之第二金屬層62以及66的結構。構成第一金屬層64之材料(例如，W或Mo)具有比構成第二金屬層62以及66之材料(例如，Cu)相對低的熱膨脹係數以及相對高的硬度。第一金屬層64之厚度經形成為比第二金屬層62以及66之厚度大。因此，與其相反結構(其中第一金屬層分別形成於第二金屬層之頂表面以及底表面上)相比，可形成第二金屬層62以及66分別形成於第一金屬層64之頂表面以及底表面上的結構。第一金屬層64之厚度以及第二金屬層62以及66之厚度可經適當控制，以便支撐基板60可具有類似於生長基板以及半導體堆疊基板30之熱膨脹係數的熱膨脹係數。
支撐基板60可與半導體堆疊結構30分別形成，且接 著經由接合金屬43接合至阻障金屬層35上。接合金屬43可使用共晶接合由(例如)Au或Au-Sn形成(80/20重量%)形成。或者，可經由電鍍或沈積技術使支撐基板60形成於阻障金屬層35上。舉例而言，可使用電解電鍍方法(利用整流器沈澱金屬)或使用無電鍍方法(利用還原劑沈澱金屬)來電鍍支撐基板60。或者，可藉由使用諸如熱沈積、電子束蒸鍍、濺鍍或化學氣相沈積(chemical vapor deposition；CVD)之方法來沈積支撐基板60。
圖20至圖22為繪示根據本發明之例示性實施例的製造LED之方法之剖面圖。此處，剖面圖中之每一者對應於沿著圖16之線A-A'截取之剖面圖。
參看圖20，首先將包含n型半導體層25、主動層27以及p型半導體層29之半導體堆疊30形成於生長基板21上，如參看圖10所描述。接著，將反射性金屬層31、下部絕緣層33以及阻障金屬層35形成於半導體堆疊30上，如參看圖12所描述。
隨後，將支撐基板60附著於阻障金屬層35上。支撐基板60可與半導體堆疊30分別形成，且接著藉由接合金屬43接合至阻障金屬層35上。
如參看圖16至圖19所描述，支撐基板60包含定位於其中心處之第一金屬層64，以及在第一金屬層64之上部部分以及下部部分處相互對稱配置之第二金屬層62以及66。第一金屬層64可包含(例如)鎢(W)或鉬(Mo)中之至少一者。第二金屬層62以及66由具有比第一金屬 層64之熱膨脹係數高的熱膨脹係數之材料製成，且可包含(例如)銅(Cu)。黏著層63以及65分別形成於第一金屬層64與第二金屬層62之間以及第一金屬層64與第二金屬層66之間。此外，黏著層61形成於接合金屬43與第二金屬層62之間。此等黏著層61、63以及65可包含Ni、Ti、Cr以及Pt中之至少一者。可藉由黏著層67使下部接合金屬68形成於第二金屬層66之底表面上。下部接合金屬68可用以將支撐基板60附著至電子電路或PCB。
在本例示性實施例中，支撐基板60具有包含第一金屬層64以及經形成以在第一金屬層64之頂表面以及底表面上相互對稱之第二金屬層62以及66的結構。構成第一金屬層64之材料(例如，W或Mo)具有比構成第二金屬層62以及66之材料(例如，Cu)相對低的熱膨脹係數以及相對高的硬度。第一金屬層64之厚度經形成為比第二金屬層62以及66之厚度大。第一金屬層64之厚度以及第二金屬層62以及66之厚度可經適當控制，使得支撐基板60可具有類似於生長基板以及半導體堆疊基板30之熱膨脹係數的熱膨脹係數。
經由支撐基板60之先前提到之結構，可能歸因於生長基板21、半導體堆疊30與支撐基板60間之熱膨脹係數之差異的應力可經由用於執行支撐基板60之接合之熱製程或其隨後製程而有效地減小，且可藉此防止化合物半導體層之損壞以及彎曲。
需要高溫氛圍來執行支撐基板60之接合，且可將壓 力施加至支撐基板60，以便可易於執行支撐基板60之接合。藉由配置於高溫腔室之上部部分的壓力施加板，可僅在接合製程期間施加壓力，且可在完成了接合後移除壓力。
或者，可由用於固持支撐基板60以及生長基板21兩側之固持器施加壓力。因此，在高溫氛圍下，壓力可不藉由腔室施加。因此，在接合了支撐基板60後，可甚至在常溫下維持壓力。
在支撐基板60之接合之後，可將研磨製程或LLO製程作為移除生長基板21的製程。在此情況下，為了減少可由熱膨脹係數之差造成之彎曲，生長基板21安裝於其上之固持器可被加熱至可減小彎曲之某一溫度。為了防止支撐基板60以及半導體堆疊30因分離生長基板21之製程中產生的氣體與LLO製程中的雷射束之發射造成之衝擊而受損壞，可在用於固持生長基板21以及支撐基板60之固持器維持於被安裝之狀態下執行LLO製程。
或者，支撐基板60可形成於阻障金屬層35上，例如，使用電鍍技術。
在形成了支撐基板60後，移除生長基板21，以便暴露在半導體堆疊30中的n型半導體層25之表面。可藉由輻射雷射通過生長基板21及經由LLO製程分離生長基板21來移除生長基板21。此時，雷射能量之選擇是比生長基板21之能帶隙小且比緩衝層(未圖示)之能帶隙大。
參看圖21，將罩幕圖案45形成於暴露之n型半導體層25上，且藉由使用罩幕圖案45作為蝕刻罩幕來各向異 性地蝕刻n型半導體層25之表面而使粗糙之表面R形成於n型半導體層25上，如參看圖14所描述。接著，移除罩幕圖案45。
同時，藉由圖案化半導體堆疊30來形成晶片分離區域，且暴露下部絕緣層33。可在形成粗糙之表面R之前或之後形成晶片分離區域。
參看圖22，將上部絕緣層47形成於n型半導體層25上，n型半導體層25具有形成於其上之粗糙之表面R，如參看圖15所描述。隨後，將n電極墊51形成於上部絕緣層47上，且將電極延伸部51a形成於開口47a中。電極延伸部51a自n電極墊51延伸，且電性連接至半導體堆疊30。接著，沿著晶片分離區域將支撐基板60分成個別晶片，藉此完成LED之製造(見圖17)。
圖23為展示反射性金屬層之邊緣部分的掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope；SEM)剖面相片，其用於說明可能在垂直LED中造成之問題。
參看圖23，反射性金屬層31形成於p型半導體層29上，且反射性金屬層31之邊緣由絕緣層33覆蓋。絕緣層33經圖案化以具有凹槽(未圖示)，經由凹槽暴露反射性金屬層31。阻障金屬層35形成於絕緣層33以及經由凹槽暴露之反射性金屬層31上。隨後，接合金屬43形成於阻障金屬層35上，且支撐基板(未圖示)附著於阻障金屬層35上，其中接合金屬43插入於其間。反射性金屬層31包含銀(Ag)，且絕緣層33由SiO2 形成。藉由重複堆疊Pt、 Ni、Ti、W或其合金形成阻障金屬層35。
如圖23中所示，裂縫產生在反射性金屬層31之邊緣附近的絕緣層33以及阻障金屬層35中。應瞭解，甚至當未使用絕緣層33時，亦即，甚至當阻障金屬層35直接形成於反射性金屬層31上時，就產生了此等裂縫。在反射性金屬層31之附近形成的裂縫相對較寬。裂縫與反射性金屬層31之間相隔愈開，則裂縫愈窄。裂縫幾乎貫穿阻障金屬層35之整個厚度。
因為反射性金屬層31之熱膨脹係數比絕緣層33以及阻障金屬層35之熱膨脹係數較大，所以可形成裂縫。亦即，由於執行加熱製程時，反射性金屬層31比絕緣層33以及阻障金屬層35膨脹得較多，因此應力集中於反射性金屬層31之邊緣上，且因此，在靠近反射性金屬層31的絕緣層33中產生裂縫，使得裂縫可轉移至阻障金屬層35。
隨著裂縫的產生，在反射性金屬層31之邊緣附近，反射性金屬層31之電性改變，且另外，在反射性金屬層31與p型半導體層29之間發生諸如界面片狀剝落之問題，因此使反射性金屬層31之歐姆性質惡化。由於裂縫產生於p型半導體層29之表面上，因此可使LED之可靠度惡化。
因此，以下將描述LED，所述LED可防止反射性金屬層暴露於其外部，且防止反射性金屬層之電性以及可靠度因在反射性金屬層之邊緣附近產生之裂縫而惡化。
圖24為根據本發明之例示性實施例的LED之佈局示 意圖。圖25、圖26以及圖27為分別沿著圖24之線A-A'、B-B'以及C-C'截取之剖面圖。在圖24中，保護層131中之凹槽131a以及定位於半導體堆疊30下方之反射性金屬層133由虛線標明。
參看圖24至圖27，LED類似於參看圖7至圖10描述之LED，但關於保護層131、反射性金屬層133以及阻障金屬層135有所不同。下文，將省略與圖7至圖10之組件相同的組件之描述以避免冗餘，而僅詳細描述差異。
保護層131定位於半導體堆疊30與支撐基板41之間，且具有凹槽131a，經由凹槽131a暴露半導體堆疊30(例如，p型化合物半導體層29)。保護層131可具有多個凹槽131a，經由凹槽131a暴露半導體堆疊30。如此等圖中所示，凹槽131a之側壁可傾斜。因此，凹槽131a之傾斜側壁可防止或減少裂縫於反射性金屬層133以及阻障金屬層135中產生。
保護層131延伸至半導體堆疊30之外部，且定位於半導體堆疊30之側表面下方，以便可防止反射性金屬層133之上表面朝向半導體堆疊30暴露。
保護層131可為由氧化矽或氮化矽製成之單層或多層結構，且可為藉由重複堆疊折射率相互不同之絕緣層(例如，SiO2 /TiO2 或SiO2 /Nb2 O5 )而獲得之DBR。或者，保護層131可為(例如)Ti之金屬層，其與半導體堆疊30(例如，p型化合物半導體層29)蕭特基(schottky)接觸。
反射性金屬層133定位於保護層131與支撐基板41 之間，且藉由填充保護層131之凹槽131a而與半導體堆疊30(例如，p型化合物半導體層29)歐姆接觸。反射性金屬層133可包含由(例如)Ag製造之反射層。反射性金屬層133之邊緣133a或側表面定位於保護層131下方。亦即，反射性金屬層133之邊緣定位於保護層131與支撐基板41之間。如圖24中所示，反射性金屬層133之邊緣133a可定位於半導體堆疊30之邊緣與支撐基板41之邊緣之間。亦即，將半導體堆疊30定位於限於在由反射性金屬層133之邊緣133a包圍的區域之上部區域中。
同時，阻障金屬層135定位於反射性金屬層133與支撐基板41之間，且覆蓋反射性金屬層133之邊緣133a，以便包圍反射性金屬層133。亦即，反射性金屬層133之側表面以及底表面由阻障金屬層135覆蓋。阻障金屬層135防止反射性金屬層133中之金屬材料(例如，Ag)移動，且防止反射性金屬層133之側表面暴露在外。阻障金屬層135可包含(例如)Pt、Ni、Ti、W或其合金。阻障金屬層135可定位於支撐基板41之整個表面上。
同時，n電極墊51定位於半導體堆疊30上，且電極延伸部51a自n電極墊51延伸。多個n電極墊51可定位於半導體堆疊30上，且電極延伸部51a可分別自多個n電極墊51延伸。電極延伸部51a電性連接至半導體堆疊30，且可與n型化合物半導體層25直接接觸。
n電極墊51亦可定位於保護層131之區域上方。亦即，在n電極墊51正下方之反射性金屬層133不與p型化 合物半導體層29歐姆接觸，但保護層131替代反射性金屬層133位於n電極墊51正下方。電極延伸部51a亦可定位於保護層131之區域上方。因此，可防止電流流動自電極延伸部51a朝向在電極延伸部51a正下方之部分集中。
圖28至圖31為繪示根據本發明之例示性實施例的製造LED之方法之剖面圖。此處，剖面圖中之每一者對應於沿著圖24之線A-A'截取之剖面圖。
參看圖28，首先將包含n型半導體層25、主動層27以及p型半導體層29之半導體堆疊30形成於生長基板21上，如參看圖11所描述。將保護層131形成於半導體堆疊30上。保護層131具有凹槽(見圖24之131a)，經由凹槽暴露半導體堆疊30。凹槽131a之側壁可形成為傾斜的。保護層131可由氧化矽層或氮化矽層形成，且可為藉由交替堆疊折射率相互不同之絕緣層而獲得之DBR。或者，保護層131可為金屬層，其與半導體堆疊30(例如，p型化合物半導體層29)蕭特基接觸。
將反射性金屬層133形成於保護層131上。反射性金屬層133覆蓋保護層131，且藉由填充保護層131之凹槽而與半導體堆疊30歐姆接觸。反射性金屬層133包含反射性金屬，例如，Ag。同時，反射性金屬層133之邊緣定位於保護層131上。反射性金屬層133可以連續板之形狀形成於個別LED之每個區域上。
隨後，將阻障金屬層135形成於反射性金屬層133上。阻障金屬層135覆蓋反射性金屬層133之頂表面以及 反射性金屬層133之邊緣133a以便包圍反射性金屬層133。
參看圖29，支撐基板41附著於阻障金屬層135上，如參看圖13所描述。接著，藉由移除生長基板21暴露n型半導體層25之表面。
參看圖30，將罩幕圖案45形成於暴露之n型半導體層25上。罩幕圖案45覆蓋在保護層131之區域上方的n型半導體層25之區域，且暴露n型半導體層25之其他區域。特定言之，罩幕圖案45覆蓋n型半導體層25之稍後將形成n電極墊以及電極延伸部的區域。罩幕圖案45可由諸如光阻之聚合物形成。
隨後，藉由使用罩幕圖案45作為蝕刻罩幕來各向異性地蝕刻n型半導體層25之表面而使粗糙之表面R形成於n型半導體層25上。接著，移除罩幕圖案45。將n型半導體層25之表面(罩幕圖案45定位於其上)維持為平坦表面。
同時，藉由圖案化半導體堆疊30來形成晶片分離區域，且暴露保護層131。可在形成粗糙之表面R之前或之後形成晶片分離區域。反射性金屬層133之邊緣定位於暴露至晶片分離區域的保護層131下方。因此，可藉由保護層131防止反射性金屬層133暴露在外。
參看圖31，將上部絕緣層47形成於n型半導體層25上，n型半導體層25具有形成於其上之粗糙之表面R，如參看圖15所描述。上部絕緣層47具有開口47a，其用於 暴露將形成電極延伸部51a的平坦表面之區域。
隨後，將n電極墊51形成於上部絕緣層47上，且將電極延伸部形成於開口47a中。電極延伸部自n電極墊51延伸，且電性連接至半導體堆疊30。
接著，沿著晶片分離區域將支撐基板41分成個別晶片，藉此完成LED之製造(見圖25)。此時，可將保護層131及阻障金屬層135與支撐基板41一起劃分，且因此，其側表面可相互平行。同時，反射性金屬層133定位於由分離之支撐基板之邊緣包圍的區域中，且因此，反射性金屬層133未暴露在外，而是埋於LED中。
根據本發明，有可能提供上部絕緣層插入於第一電極墊與半導體堆疊之間的LED，藉此改良電流散佈效能。另外，上部絕緣層經組態成具有沿著半導體堆疊之粗糙之表面形成的不平表面，藉此改良LED之光提取效率。此外，在電極延伸部下的p型化合物半導體層之表面由絕緣層覆蓋，以便可防止自電極延伸部的電流流動集中在垂直方向。
雖然已結合附圖以及例示性實施例說明以及描述了本發明，但本發明不限於此且由隨付之申請專利範圍界定。因此，熟習此項技術者應理解，在不脫離由隨付之申請專利範圍界定的本發明之精神以及範疇之情況下，可對其進行各種修改以及改變。
21‧‧‧生長基板
22‧‧‧絕緣DBR
25‧‧‧n型化合物半導體層/n型半導體層
27‧‧‧主動層
29‧‧‧p型化合物半導體層/p型半導體層
30‧‧‧半導體堆疊
31‧‧‧p歐姆電極/反射性金屬層
33‧‧‧下部絕緣層/絕緣層
35、135‧‧‧阻障金屬層
41、60‧‧‧支撐基板
43‧‧‧接合金屬
45‧‧‧罩幕圖案
47‧‧‧上部絕緣層
47a‧‧‧開口
51‧‧‧n電極墊
51a‧‧‧電極延伸部
61、63、65、67‧‧‧黏著層
62、66‧‧‧第二金屬層
64‧‧‧第一金屬層
68‧‧‧下部接合金屬
70‧‧‧p型接合墊
131‧‧‧保護層
131a‧‧‧凹槽
133‧‧‧反射性金屬層
133a‧‧‧邊緣
222‧‧‧第一絕緣DBR部分
222a‧‧‧：第一材料層
222b‧‧‧第二材料層
224‧‧‧第二絕緣DBR部分
224a‧‧‧第三材料層
224b‧‧‧第四材料層
312‧‧‧凹槽區域
512‧‧‧外部電極圖案
514‧‧‧內部電極圖案
R‧‧‧粗糙之表面
W‧‧‧接線
圖1為根據本發明之例示性實施例的高效率發光二極體(LED)之剖面圖。
圖2為展示圖1中展示的高效率LED之頂表面之平面圖。
圖3(a)以及圖3(b)為將根據本發明之例示性實施例的電流流動與根據比較實例之電流流動比較之視圖。
圖4為根據本發明之例示性實施例的高效率LED之剖面圖。
圖5以及圖6為展示根據本發明之例示性實施例的可應用為反射結構之分散式布拉格反射器(distributed Bragg reflector；DBR)之視圖。
圖7為根據本發明之例示性實施例的LED之佈局示意圖佈局示意圖。
圖8為沿著圖7之線A-A' 截取之剖面圖。
圖9為沿著圖7之線B-B' 截取之剖面圖。
圖10為沿著圖7之線C-C' 截取之剖面圖。
圖11、圖12、圖13、圖14以及圖15為繪示根據本發明之例示性實施例的製造LED之方法之剖面圖，其中之每一者對應於沿著圖7之線A-A'截取之剖面圖。
圖16為根據本發明之例示性實施例的LED之佈局示意圖佈局示意圖。
圖17為沿著圖16之線A-A' 截取之剖面圖。
圖18為沿著圖16之線B-B' 截取之剖面圖。
圖19為沿著圖16之線C-C' 截取之剖面圖。
圖20、圖21以及圖22為繪示根據本發明之例示性實施例的製造LED之方法之剖面圖，其中之每一者對應於沿 著圖16之線A-A' 截取之剖面圖。
圖23為展示反射性金屬層之邊緣部分的掃描電子顯微鏡(SEM)剖面相片，用於說明可能在垂直LED之製造過程中造成之問題。
圖24為根據本發明之例示性實施例的LED之佈局示意圖佈局示意圖。
圖25為沿著圖24之線A-A' 截取之剖面圖。
圖26為沿著圖24之線B-B' 截取之剖面圖。
圖27為沿著圖24之線C-C' 截取之剖面圖。
圖28、圖29、圖30以及圖31為繪示根據本發明之例示性實施例的製造LED之方法之剖面圖，其中之每一者對應於沿著圖24之線A-A'截取之剖面圖。
25‧‧‧n型化合物半導體層/n型半導體層
27‧‧‧主動層
29‧‧‧p型化合物半導體層/p型半導體層
30‧‧‧半導體堆疊
31‧‧‧p歐姆電極/反射性金屬層
35‧‧‧阻障金屬層
41‧‧‧支撐基板
43‧‧‧接合金屬
51‧‧‧n電極墊
51a‧‧‧電極延伸部
70‧‧‧p型接合墊
312‧‧‧凹槽區域
512‧‧‧外部電極圖案
514‧‧‧內部電極圖案
W‧‧‧接線

Claims (19)

  1. 一種發光二極體，包括：基板；半導體堆疊，配置於所述基板上，所述半導體堆疊包括：p型半導體層；主動層；以及n型半導體層；第一金屬層，插入於所述基板與所述半導體堆疊之間，所述第一金屬層與所述半導體堆疊歐姆接觸，且所述第一金屬層包括暴露所述半導體堆疊之凹槽；第一電極墊，配置於所述半導體堆疊上，所述第一電極墊配置於所述凹槽之區域上方；電極延伸部，自所述第一電極墊延伸，所述電極延伸部包括與所述n型半導體層接觸之接觸區域，且所述電極延伸部配置於所述凹槽之區域上方；第一絕緣層，插入於所述基板與所述半導體堆疊之間，所述第一絕緣層覆蓋所述p型半導體層之在所述電極延伸部之所述接觸區域下的第一區域，其中所述第一絕緣層覆蓋部分所述第一金屬層且填充所述凹槽，且包括暴露所述第一金屬層之開口；以及第二絕緣層，插入於所述第一電極墊與所述半導體堆疊之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，更包括 第二金屬層，其中第二金屬層插入於所述基板與所述第一絕緣層之間，且覆蓋經由所述第一絕緣層之所述開口暴露之所述第一金屬層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體，其中所述第一金屬層包括多個板，所述第一絕緣層覆蓋所述多個板之側表面以及邊緣，且所述多個板分別由所述第一絕緣層之所述開口暴露。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中所述第一絕緣層包括暴露所述半導體堆疊之至少一凹槽，其中所述第一金屬層插入於所述第一絕緣層與所述基板之間，且藉由填充所述至少一凹槽而與所述半導體堆疊歐姆接觸。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體，其中所述至少一凹槽之側壁為傾斜的。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體，更包括插入於所述基板與所述第一金屬層之間的第二金屬層，所述第二金屬層藉由覆蓋所述第一金屬層之邊緣而包圍所述第一金屬層。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體，其中所述第一金屬層之邊緣插入於所述第一絕緣層與所述基板之間，且定位於所述半導體堆疊之邊緣與所述基板之邊緣之間。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體，其中所 述第一絕緣層包括包含多個凹槽之第一區域，且其中所述第一電極墊以及所述電極延伸部定位於所述第一絕緣層之不包括所述凹槽之第二區域上方。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中所述基板包括：第二金屬層，包括W以及Mo中之至少一者；以及第三金屬層，分別配置於所述第二金屬層之第一表面以及第二表面上，所述第三金屬層包括比所述第二金屬層高的熱膨脹係數。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體，其中所述第三金屬層包括Cu。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體，更包括分別插入於所述第二金屬層與所述第三金屬層之間的黏著層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體，其中所述黏著層包括Ni、Ti、Cr以及Pt中之至少一者。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體，更包括：第一金屬，插入於所述基板與所述半導體堆疊之間；以及第二金屬，形成於所述基板之遠離所述半導體堆疊的一表面。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中所述半導體堆疊包括粗糙之表面，且其中所述第二絕緣層 覆蓋所述粗糙之表面且包括沿著所述粗糙之表面的不平表面。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體，其中所述半導體堆疊包括平坦表面，所述第一電極墊以及所述電極延伸部配置於所述平坦表面上。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之發光二極體，其中所述電極延伸部接觸所述平坦表面。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體，其中所述粗糙之表面配置於所述電極延伸部下。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，包括：多個第一電極墊；以及多個電極延伸部，分別自所述多個第一電極墊延伸。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中所述p型半導體層之所述第一區域配置於所述電極延伸部之所述接觸區域正下方。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10249797B2 (en) 2010-05-18 2019-04-02 Seoul Viosys Co., Ltd. High efficiency light emitting diode and method of fabricating the same

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012091311A2 (en) * 2010-12-28 2012-07-05 Seoul Opto Device Co., Ltd. High efficiency light emitting diode
JP5658604B2 (ja) * 2011-03-22 2015-01-28 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP6077201B2 (ja) * 2011-08-11 2017-02-08 昭和電工株式会社 発光ダイオードおよびその製造方法
KR20130059026A (ko) * 2011-11-28 2013-06-05 서울옵토디바이스주식회사 에피층을 성장 기판으로부터 분리하는 방법
JP5787739B2 (ja) * 2011-12-16 2015-09-30 株式会社東芝 半導体発光装置およびその製造方法
KR101916369B1 (ko) * 2011-12-23 2018-11-08 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드
CN104011886B (zh) 2011-12-23 2017-03-08 首尔伟傲世有限公司 发光二极管及其制造方法
JP5292456B2 (ja) * 2011-12-28 2013-09-18 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体素子およびその製造方法
JP2013179227A (ja) * 2012-02-29 2013-09-09 Toshiba Corp 半導体発光素子
US9076923B2 (en) * 2012-02-13 2015-07-07 Epistar Corporation Light-emitting device manufacturing method
WO2013125823A1 (en) * 2012-02-20 2013-08-29 Seoul Opto Device Co., Ltd. High efficiency light emitting diode and method of fabricating the same
KR102022659B1 (ko) * 2012-02-20 2019-11-04 서울바이오시스 주식회사 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
EP2648237B1 (en) * 2012-04-02 2019-05-15 Viavi Solutions Inc. Broadband dielectric reflectors for LED
US8546831B1 (en) * 2012-05-17 2013-10-01 High Power Opto Inc. Reflection convex mirror structure of a vertical light-emitting diode
US8816379B2 (en) 2012-05-17 2014-08-26 High Power Opto, Inc. Reflection curved mirror structure of a vertical light-emitting diode
US8748928B2 (en) 2012-05-17 2014-06-10 High Power Opto, Inc. Continuous reflection curved mirror structure of a vertical light-emitting diode
TWI544658B (zh) * 2012-08-01 2016-08-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體結構
CN103579447B (zh) * 2012-08-03 2016-12-21 同方光电科技有限公司 一种倒装结构发光二极管及其制备方法
US9196798B2 (en) 2012-09-12 2015-11-24 High Power Opto. Inc. Semiconductor light-emitting device and fabricating method thereof
CN102881797B (zh) * 2012-10-18 2015-02-25 安徽三安光电有限公司 具有电流扩展结构的氮化镓基发光二极管
JP6185786B2 (ja) * 2012-11-29 2017-08-23 スタンレー電気株式会社 発光素子
TWI499077B (zh) * 2012-12-04 2015-09-01 High Power Opto Inc 半導體發光元件
JP6198396B2 (ja) * 2013-01-15 2017-09-20 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
JP6190591B2 (ja) * 2013-01-15 2017-08-30 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
JP5818031B2 (ja) * 2013-03-21 2015-11-18 ウシオ電機株式会社 Ｌｅｄ素子
CN103560193B (zh) * 2013-08-29 2016-04-13 南昌黄绿照明有限公司 低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法
JP2015050293A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子
TWI591848B (zh) 2013-11-28 2017-07-11 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
JP6094819B2 (ja) * 2013-12-13 2017-03-15 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
EP3142157B1 (en) * 2014-05-08 2020-03-25 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device
US10797188B2 (en) * 2014-05-24 2020-10-06 Hiphoton Co., Ltd Optical semiconductor structure for emitting light through aperture
JP6595801B2 (ja) 2014-05-30 2019-10-23 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子
CN110010750B (zh) * 2014-06-18 2021-11-09 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器
CN104362224B (zh) * 2014-09-22 2017-01-18 南昌大学 一种led薄膜芯片基板的制备方法及其结构
KR20160037060A (ko) * 2014-09-26 2016-04-05 서울바이오시스 주식회사 발광소자 및 그 제조 방법
CN104347775B (zh) * 2014-09-28 2017-10-17 映瑞光电科技(上海)有限公司 具有图形化n电极的led芯片
JP2015029150A (ja) * 2014-10-29 2015-02-12 株式会社東芝 半導体発光素子
US10559731B1 (en) * 2015-03-04 2020-02-11 Bridgelux Inc. Highly reliable and reflective LED substrate
US11522107B2 (en) * 2015-03-05 2022-12-06 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light emitting diode and fabrication method thereof
JP6468459B2 (ja) * 2015-03-31 2019-02-13 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子
US10236413B2 (en) 2015-04-20 2019-03-19 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
KR101761835B1 (ko) * 2015-05-22 2017-07-26 서울바이오시스 주식회사 고효율 발광 다이오드
WO2016190569A1 (en) * 2015-05-22 2016-12-01 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode with high efficiency
CN104993031B (zh) * 2015-06-12 2018-03-06 映瑞光电科技(上海)有限公司 高压倒装led芯片及其制造方法
TWI614887B (zh) * 2016-02-26 2018-02-11 具有點陣式發光二極體光源的晶圓級微型顯示器及其製造方法
CN105742418A (zh) * 2016-03-18 2016-07-06 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管芯片及其制作方法
JP6668863B2 (ja) * 2016-03-22 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光素子
JP6730082B2 (ja) * 2016-05-02 2020-07-29 日機装株式会社 深紫外発光素子の製造方法
TWI628808B (zh) * 2016-05-31 2018-07-01 晶元光電股份有限公司 發光元件
JP6824501B2 (ja) * 2017-02-08 2021-02-03 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子
TWI640107B (zh) * 2017-03-28 2018-11-01 聯勝光電股份有限公司 High temperature resistant reflective layer structure of light emitting diode
US10892297B2 (en) * 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US20190164945A1 (en) * 2017-11-27 2019-05-30 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode for display and display apparatus having the same
US10784240B2 (en) * 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
WO2019140625A1 (zh) * 2018-01-19 2019-07-25 厦门市三安光电科技有限公司 发光二极管及其制作方法
CN110246945B (zh) * 2018-03-07 2021-08-17 成都辰显光电有限公司 Led芯片及其制造方法、显示面板以及电子设备
US10868217B2 (en) 2018-03-07 2020-12-15 Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. LED chips, method of manufacturing the same, and display panels
CN110504280A (zh) * 2018-05-16 2019-11-26 财团法人工业技术研究院 显示阵列
CN110504281A (zh) * 2018-05-16 2019-11-26 财团法人工业技术研究院 显示阵列的制造方法
US11837628B2 (en) 2018-05-16 2023-12-05 Industrial Technology Research Institute Display array
TWI690102B (zh) * 2019-01-04 2020-04-01 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
CN111416276A (zh) * 2019-01-08 2020-07-14 晶连股份有限公司 具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器
WO2020206596A1 (zh) * 2019-04-08 2020-10-15 厦门三安光电有限公司 一种复合绝缘反射层
JP7360822B2 (ja) * 2019-06-13 2023-10-13 ローム株式会社 半導体発光装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005033197A (ja) * 2003-06-20 2005-02-03 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子
JP2007180302A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法
JP2008543068A (ja) * 2005-06-02 2008-11-27 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング コンタクト構造を有する発光ダイオードチップ
JP2009010215A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Nichia Corp 半導体発光素子
WO2009084857A2 (en) * 2007-12-28 2009-07-09 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091638A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
CA2754097C (en) 2002-01-28 2013-12-10 Nichia Corporation Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method
US7300182B2 (en) * 2003-05-05 2007-11-27 Lamina Lighting, Inc. LED light sources for image projection systems
JP2005116794A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Mitsubishi Cable Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
EP2426743B1 (en) * 2004-10-22 2019-02-20 Seoul Viosys Co., Ltd GaN compound semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same
JP2007067198A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Harison Toshiba Lighting Corp 発光素子
JP3862737B1 (ja) * 2005-10-18 2006-12-27 栄樹 津島 クラッド材およびその製造方法、クラッド材の成型方法、クラッド材を用いた放熱基板
JP4946195B2 (ja) 2006-06-19 2012-06-06 サンケン電気株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100872276B1 (ko) * 2006-11-27 2008-12-05 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 반도체 발광 소자 및 제조방법
DE102007029370A1 (de) * 2007-05-04 2008-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
US8212273B2 (en) 2007-07-19 2012-07-03 Photonstar Led Limited Vertical LED with conductive vias
JP4985260B2 (ja) 2007-09-18 2012-07-25 日立電線株式会社 発光装置
KR101438818B1 (ko) * 2008-04-01 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 발광다이오드 소자
DE102009025015A1 (de) * 2008-07-08 2010-02-18 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
KR20100046532A (ko) 2008-10-27 2010-05-07 삼성전자주식회사 화상형성장치, 화상형성시스템 및 그 인쇄방법
KR100999548B1 (ko) * 2008-11-24 2010-12-08 고려대학교 산학협력단 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조용 지지기판, 이를 이용한 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법 및 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
JP2010171376A (ja) * 2008-12-26 2010-08-05 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
KR101060506B1 (ko) 2009-02-11 2011-08-30 에스엔유 프리시젼 주식회사 원자현미경용 리소그래피 시스템 및 방법과 그 시스템에서의 리소그래피용 입력신호 생성장치 및 방법
KR101108758B1 (ko) 2009-02-17 2012-02-16 엘지전자 주식회사 액체 분사 기능을 갖는 의류 처리장치
KR101013101B1 (ko) 2009-03-09 2011-02-14 (주)쉘라인 슬라이드 힌지장치
CN101626057A (zh) 2009-07-31 2010-01-13 晶能光电（江西）有限公司 发光半导体的互补电极结构及其制造方法
KR100986353B1 (ko) * 2009-12-09 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR100986374B1 (ko) * 2009-12-09 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101014155B1 (ko) 2010-03-10 2011-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
JP5725927B2 (ja) 2010-05-18 2015-05-27 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 高効率発光ダイオード及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005033197A (ja) * 2003-06-20 2005-02-03 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子
JP2008543068A (ja) * 2005-06-02 2008-11-27 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング コンタクト構造を有する発光ダイオードチップ
JP2007180302A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法
JP2009010215A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Nichia Corp 半導体発光素子
WO2009084857A2 (en) * 2007-12-28 2009-07-09 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10249797B2 (en) 2010-05-18 2019-04-02 Seoul Viosys Co., Ltd. High efficiency light emitting diode and method of fabricating the same

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CN102255022B (zh) 2016-06-01
EP2388836A3 (en) 2013-10-09
US9029888B2 (en) 2015-05-12
TWI546983B (zh) 2016-08-21
WO2011145850A3 (en) 2012-02-23

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