JP7360822B2 - 半導体発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体発光装置に関する。

特許文献１は、半導体発光装置の一例としての発光素子を開示している。この発光素子は、シリコン基板（導電基板）と、シリコン基板の上に形成されたＡｕ系金属層と、Ａｕ系金属層の上に形成され、光を生成する化合物半導体層（半導体発光層）とを含む。Ａｕ系金属層は、化合物半導体層で生成された光を反射させる光反射層として機能する。

特開２００５－５６９５６号公報

本発明の一実施形態は、輝度を向上できる半導体発光装置を提供する。

本発明の一実施形態は、主面を有する導電基板と、前記主面の上に形成されたＡｕ系金属層と、短波長領域の光反射率が前記Ａｕ系金属層の光反射率よりも高い光反射特性を有し、前記Ａｕ系金属層の上に形成された金属製の光反射層と、前記光反射層の上に形成された光透過層と、前記光透過層の上に形成された半導体発光層と、を含む、半導体発光装置を提供する。この構造によれば、輝度を向上できる半導体発光装置を提供できる。

図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。 図２は、図１に示すII－II線に沿う断面図である。 図３は、光反射率および光波長の関係をシミュレーションによって調べた結果を示すグラフである。 図４Ａは、図１に示す半導体発光装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。 図４Ｂは、図４Ａの次に説明される工程を示す断面図である。 図４Ｃは、図４Ｂの次に説明される工程を示す断面図である。 図４Ｄは、図４Ｃの次に説明される工程を示す断面図である。 図４Ｅは、図４Ｄの次に説明される工程を示す断面図である。 図４Ｆは、図４Ｅの次に説明される工程を示す断面図である。 図４Ｇは、図４Ｆの次に説明される工程を示す断面図である。 図４Ｈは、図４Ｇの次に説明される工程を示す断面図である。 図４Ｉは、図４Ｈの次に説明される工程を示す断面図である。 図４Ｊは、図４Ｉの次に説明される工程を示す断面図である。 図４Ｋは、図４Ｊの次に説明される工程を示す断面図である。 図４Ｌは、図４Ｋの次に説明される工程を示す断面図である。 図４Ｍは、図４Ｌの次に説明される工程を示す断面図である。 図４Ｎは、図４Ｍの次に説明される工程を示す断面図である。 図４Ｏは、図４Ｎの次に説明される工程を示す断面図である。 図５は、本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。 図６は、図５に示すVI－VI線に沿う断面図である。 図７Ａは、図５に示す半導体発光装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。 図７Ｂは、図７Ａの次に説明される工程を示す断面図である。 図７Ｃは、図７Ｂの次に説明される工程を示す断面図である。 図７Ｄは、図７Ｃの次に説明される工程を示す断面図である。 図７Ｅは、図７Ｄの次に説明される工程を示す断面図である。 図７Ｆは、図７Ｅの次に説明される工程を示す断面図である。 図７Ｇは、図７Ｆの次に説明される工程を示す断面図である。 図７Ｈは、図７Ｇの次に説明される工程を示す断面図である。 図７Ｉは、図７Ｈの次に説明される工程を示す断面図である。 図７Ｊは、図７Ｉの次に説明される工程を示す断面図である。 図７Ｋは、図７Ｊの次に説明される工程を示す断面図である。 図７Ｌは、図７Ｋの次に説明される工程を示す断面図である。 図７Ｍは、図７Ｌの次に説明される工程を示す断面図である。 図７Ｎは、図７Ｍの次に説明される工程を示す断面図である。 図７Ｏは、図７Ｎの次に説明される工程を示す断面図である。 図７Ｐは、図７Ｏの次に説明される工程を示す断面図である。 図７Ｑは、図７Ｐの次に説明される工程を示す断面図である。 図８は、本発明の第３実施形態に係る半導体発光装置の断面図である。

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態（以下、単に「この形態（this embodiment）」という。）に係る半導体発光装置１を示す平面図である。図２は、図１に示すII－II線に沿う断面図である。
図１および図２を参照して、半導体発光装置１は、直方体形状に形成された導電基板２を含む。導電基板２は、金属基板または半導体基板からなっていてもよい。導電基板２は、不純物によって導電性が付与された半導体基板からなることが好ましい。半導体基板は、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板、Ｇｅ基板、化合物半導体基板または窒化物半導体基板であってもよい。導電基板２は、この形態では、不純物によって導電性が付与されたＳｉ基板からなる。

導電基板２は、一方側の第１主面３、他方側の第２主面４、ならびに、第１主面３および第２主面４を接続する４つの側面５を含む。第１主面３および第２主面４は、それらの法線方向から見た平面視（以下、単に「平面視」という）において四角形状に形成されている。第２主面４は、研削面であってもよい。側面５は、第１主面３および第２主面４に対して垂直に形成されている。側面５は、研削面からなっていてもよい。

導電基板２の厚さは、１０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。導電基板２の厚さは、１０μｍ以上５０μｍ以下、５０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１５０μｍ以下、１５０μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上２５０μｍ以下、または、２５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。
半導体発光装置１は、第１主面３の上に形成されたＡｕ系金属層７を含む。Ａｕ系金属層７は、第１主面３の全域を被覆している。Ａｕ系金属層７の周縁は、導電基板２の側面５側から露出している。Ａｕ系金属層７の周縁は、導電基板２の側面５に連なるように形成されている。Ａｕ系金属層７の周縁は、より具体的には、導電基板２の側面５に対して面一に形成されている。Ａｕ系金属層７の周縁は、さらに具体的には、導電基板２の側面５との間で１つの研削面を形成している。

Ａｕ系金属層７は、Ａｕを主成分に含む。Ａｕ系金属層７は、この形態では、第１主面３側からこの順に積層された第１Ａｕ層１５および第２Ａｕ層１６を含む積層構造を有している。
第１Ａｕ層１５は、純Ａｕ層またはＡｕ合金層からなっていてもよい。純Ａｕ層は、非合金のＡｕを含む層である。純Ａｕ層は、純度が９９％以上のＡｕを含む層であってもよい。Ａｕ合金層は、他の材料と合金化したＡｕを含む層である。Ａｕと合金化した金属は、Ｇｅ，Ｎｉ、Ｂｅ、Ｓｉ等であってもよい。第１Ａｕ層１５は、この形態では、純Ａｕ層からなる。

第２Ａｕ層１６は、第１Ａｕ層１５に接着（より具体的には圧着）されている。つまり、Ａｕ系金属層７は、第１Ａｕ層１５および第２Ａｕ層１６を含む接着層である。図２では、第１Ａｕ層１５および第２Ａｕ層１６の間の境界が二点鎖線によって示されている。第２Ａｕ層１６は、第１Ａｕ層１５との間の境界が消失する態様で第１Ａｕ層１５に接着されることがある。したがって、第１Ａｕ層１５および第２Ａｕ層１６の間の境界は、必ずしも視認できるものではない。

第２Ａｕ層１６は、純Ａｕ層またはＡｕ合金層からなっていてもよい。純Ａｕ層は非合金のＡｕを含む層である。純Ａｕ層は、純度が９９％以上のＡｕを含む層であってもよい。Ａｕ合金層は、他の材料と合金化したＡｕを含む層である。Ａｕと合金化した金属は、Ｇｅ，Ｎｉ、Ｂｅ、Ｓｉ等であってもよい。第２Ａｕ層１６は、第１Ａｕ層１５と同一材料によって形成されていることが好ましい。第２Ａｕ層１６は、この形態では、純Ａｕ層からなる。

Ａｕ系金属層７の総厚さは、１１００Å以上１３０００Å以下であってもよい。Ａｕ系金属層７の総厚さは、１１００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上４０００Å以下、４０００Å以上６０００Å以下、６０００Å以上８０００Å以下、８０００Å以上１００００Å以下、または、１００００Å以上１３０００Å以下であってもよい。Ａｕ系金属層７の総厚さは、３５００Å以上８５００Å以下であることが好ましい。

第１Ａｕ層１５の厚さは、１００Å以上３０００Å以下であってもよい。第１Ａｕ層１５の厚さは、１００Å以上５００Å以下、５００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上１５００Å以下、１５００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上２５００Å以下、または、２５００Å以上３０００Å以下であってもよい。第１Ａｕ層１５の厚さは、５００Å以上１５００Å以下であることが好ましい。

第２Ａｕ層１６の厚さは、１０００Å以上１００００Å以下であってもよい。第２Ａｕ層１６の厚さは、１０００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上４０００Å以下、４０００Å以上６０００Å以下、６０００Å以上８０００Å以下、または、８０００Å以上１００００Å以下であってもよい。第２Ａｕ層１６の厚さは、第１Ａｕ層１５の厚さを超えていることが好ましい。第２Ａｕ層１６の厚さは、３０００Å以上７０００Å以下であることが好ましい。

半導体発光装置１は、Ａｕ系金属層７の上に形成された光反射層９を含む。光反射層９は、Ａｕ系金属層７の全域を被覆している。光反射層９の周縁は、導電基板２の側面５側から露出している。光反射層９の周縁は、導電基板２の側面５に連なるように形成されている。光反射層９の周縁は、より具体的には、導電基板２の側面５に対して面一に形成されている。光反射層９の周縁は、さらに具体的には、導電基板２の側面５との間で１つの研削面を形成している。

光反射層９は、Ａｕ系金属層７とは異なる金属材料を含む。これによって、光反射層９は、Ａｕ系金属層７の光反射特性とは異なる光反射特性を有している。光反射層９は、より具体的には、短波長領域（たとえば６１０ｎｍ以下の波長領域）の光反射率がＡｕ系金属層７の光反射率よりも高い光反射特性を有している。また、光反射層９は、長波長領域（たとえば６１０ｎｍを超える波長領域）の光反射率がＡｕ系金属層７の光反射率よりも低い光反射特性を有している。

光反射層９は、この形態では、Ａｌを主成分に含む。光反射層９は、純Ａｌ層またはＡｌ合金層からなっていてもよい。純Ａｌ層は非合金のＡｌを含む層である。純Ａｌ層は、純度が９９％以上のＡｌを含む層であってもよい。Ａｌ合金層は、他の材料と合金化したＡｌを含む層である。Ａｌと合金化した金属は、Ｃｕ、Ｓｉ等であってもよい。光反射層９は、この形態では、純Ａｌ層からなる。

光反射層９の厚さは、５００Å以上３０００Å以下であってもよい。光反射層９の厚さは、５００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上１５００Å以下、１５００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上２５００Å以下、または、２５００Å以上３０００Å以下であってもよい。光反射層９の厚さは、１０００Å以上２０００Å以下であることが好ましい。

半導体発光装置１は、光反射層９の上に形成された光透過層１１を含む。光透過層１１は、光反射層９の全域を被覆していることが好ましい。光透過層１１の周縁は、導電基板２の側面５側から露出している。光透過層１１の周縁は、導電基板２の側面５に連なるように形成されている。光透過層１１の周縁は、より具体的には、導電基板２の側面５に対して面一に形成されている。光透過層１１の周縁は、さらに具体的には、導電基板２の側面５との間で１つの研削面を形成している。

光透過層１１は、この形態では、光透過電極層１１Ａからなる単層構造を有している。光透過電極層１１Ａは、ＩＴＯ層、ＺｎＯ層およびＩＺＯ層のうちの少なくとも１種を含むことが好ましい。光透過電極層１１Ａは、この形態では、ＩＴＯ層からなる。
光透過電極層１１Ａの厚さは、５００Å以上４０００Å以下であってもよい。光透過電極層１１Ａの厚さは、５００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上１５００Å以下、１５００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上２５００Å以下、２５００Å以上３０００Å以下、３０００Å以上３５００Å以下、または、３５００Å以上４０００Å以下であってもよい。光透過電極層１１Ａの厚さは、１５００Å以上３０００Å以下であることが好ましい。

半導体発光装置１は、第１主面３およびＡｕ系金属層７の間に介在する下地バリア電極層６を含む。下地バリア電極層６は、第１主面３およびＡｕ系金属層７に接している。下地バリア電極層６は、第１主面３およびＡｕ系金属層７の全域に接していることが好ましい。
下地バリア電極層６の周縁は、導電基板２の側面５側から露出している。下地バリア電極層６の周縁は、導電基板２の側面５に連なるように形成されている。下地バリア電極層６の周縁は、より具体的には、導電基板２の側面５に対して面一に形成されている。下地バリア電極層６の周縁は、さらに具体的には、導電基板２の側面５との間で１つの研削面を形成している。

下地バリア電極層６は、導電基板２の材料（この形態ではＳｉ）がＡｕ系金属層７に拡散することを抑制する。これにより、第１主面３に対するＡｕ系金属層７の密着力を下地バリア層６によって高めることができるから、Ａｕ系金属層７を適切に形成できる。
下地バリア電極層６は、Ｔｉ層またはＴｉＮ層からなる単層構造を有していてもよい。下地バリア電極層６は、Ｔｉ層およびＴｉＮ層を含む積層構造を有していてもよい。下地バリア電極層６は、この形態では、Ｔｉ層からなる単層構造を有している。

下地バリア電極層６の厚さは、１０Å以上１０００Å以下であってもよい。下地バリア電極層６の厚さは、１０Å以上１００Å以下、１００Å以上２００Å以下、２００Å以上４００Å以下、４００Å以上６００Å以下、６００Å以上８００Å以下、または、８００Å以上１０００Å以下であってもよい。下地バリア電極層６の厚さは、２５０Å以上７５０Å以下であることが好ましい。

半導体発光装置１は、Ａｕ系金属層７および光反射層９の間に介在する第１バリア電極層８をさらに含む。第１バリア電極層８は、Ａｕ系金属層７および光反射層９に接している。第１バリア電極層８は、Ａｕ系金属層７の全域および光反射層９の全域に接していることが好ましい。
第１バリア電極層８の周縁は、導電基板２の側面５側から露出している。第１バリア電極層８の周縁は、導電基板２の側面５に連なるように形成されている。第１バリア電極層８の周縁は、より具体的には、導電基板２の側面５に対して面一に形成されている。第１バリア電極層８の周縁は、さらに具体的には、導電基板２の側面５との間で１つの研削面を形成している。

第１バリア電極層８は、Ａｕ系金属層７中のＡｕが光反射層９へ拡散することを抑制する。これにより、Ａｕ系金属層７に対する光反射層９の密着力を第１バリア層８によって高めることができる。よって、Ａｕ系金属層７および光反射層９を適切に形成できると同時に、光反射層９による光反射効果を適切に保持できる。
第１バリア電極層８は、Ｔｉ層またはＴｉＮ層からなる単層構造を有していてもよい。第１バリア電極層８は、Ｔｉ層およびＴｉＮ層を含む積層構造を有していてもよい。第１バリア電極層８は、この形態では、Ｔｉ層からなる単層構造を有している。

第１バリア電極層８の厚さは、１０００Å以上５０００Å以下であってもよい。第１バリア電極層８の厚さは、１０００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上３０００Å以下、３０００Å以上４０００Å以下、または、４０００Å以上５０００Å以下であってもよい。第１バリア電極層８の厚さは、１５００Å以上４５００Å以下であることが好ましい。

半導体発光装置１は、光反射層９および光透過層１１の間に介在する第２バリア電極層１０をさらに含む。第２バリア電極層１０は、光反射層９および光透過層１１に接している。第２バリア電極層１０は、光反射層９の全域および光透過層１１の全域に接していることが好ましい。
第２バリア電極層１０の周縁は、導電基板２の側面５側から露出している。第２バリア電極層１０の周縁は、導電基板２の側面５に連なるように形成されている。第２バリア電極層１０の周縁は、より具体的には、導電基板２の側面５に対して面一に形成されている。第２バリア電極層１０の周縁は、さらに具体的には、導電基板２の側面５との間で１つの研削面を形成している。

第２バリア電極層１０は、光反射層９中のＡｌが光透過層１１に拡散することを抑制する。これにより、光反射層９に対する光透過層１１の密着力を第２バリア電極層１０によって高めることができる。また、第２バリア電極層１０は、入射光（光反射層９によって反射された光を含む）を透過させる。よって、光反射層９および光透過層１１を適切に形成できると同時に、光反射層９による光反射効果および光透過層１１による光透過効果を適切に保持できる。

第２バリア電極層１０は、Ｔｉ層またはＴｉＮ層からなる単層構造を有していてもよい。第２バリア電極層１０は、Ｔｉ層およびＴｉＮ層を含む積層構造を有していてもよい。第２バリア電極層１０は、第１バリア電極層８とは異なる導電材料を含んでいてもよい。第２バリア電極層１０は、この形態では、ＴｉＮ層からなる単層構造を有している。
第２バリア電極層１０の厚さは、１Å以上１００Å以下であってもよい。第２バリア電極層１０の厚さは、１Å以上１０Å以下、１０Å以上２０Å以下、２０Å以上４０Å以下、４０Å以上６０Å以下、６０Å以上８０Å以下、または、８０Å以上１００Å以下であってもよい。第２バリア電極層１０の厚さは、１０Å以上５０Å以下であることが好ましい。

半導体発光装置１は、光透過層１１の上に形成された半導体発光層１２を含む。半導体発光層１２は、５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲に発光波長を有する光を生成してもよい。
半導体発光層１２は、この形態では、短波長領域の光を生成する。半導体発光層１２は、５００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲に発光波長を有する光（赤色光）を生成することが好ましい。半導体発光層１２は、５６０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲に発光波長を有する光（赤色光）を生成することが特に好ましい。

半導体発光層１２は、４元系の化合物半導体を含む。４元系の化合物半導体は、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎおよびＰのうちの少なくとも２種によって構成される。半導体発光層１２は、この形態では、平面視において導電基板２の側面５から内方に間隔を空けて形成されている。半導体発光層１２は、平面視において側面５との間で光透過層１１が露出した露出部２３を区画している。露出部２３は、平面視において半導体主面２２を取り囲む環状（この形態では四角環状）に形成されている。これにより、半導体発光層１２は、台地状に突出したメサ構造２０を有している。

メサ構造２０によれば、半導体発光層１２に供給される電流を狭窄できる。これにより、半導体発光層１２における発光効率を向上できる。また、光透過層１１を露出させる露出部２３を形成することによって、電流狭窄効果を適切に向上できる。
露出部２３は、光透過層１１の深さ方向途中部に区画されていることが好ましい。つまり、光透過層１１の主面において露出部２３を形成する部分は、光透過層１１の主面において半導体発光層１２によって被覆された部分よりも導電基板２側に位置していることが好ましい。

光透過層１１の露出部２３は、導電基板２の側面５側の領域においてＡｕ系金属層７、光反射層９、下地バリア電極層６、第１バリア電極層８および第２バリア電極層１０を被覆し、保護する保護層として形成されている。これにより、光反射層９が外部に露出することを抑制できるので、光反射層９の光反射効果を適切に保持できる。
半導体発光層１２は、錘台形状（この形態では四角錐台形状）に形成されている。半導体発光層１２の形状は、四角錐台形状に限定されない。半導体発光層１２は、三角錘台や六角錘台等の多角錘台形状や円錐台形状に形成されていてもよい。

半導体発光層１２は、半導体主面２２および４つの半導体側面２１を有している。半導体主面２２は、この形態では、平面視において四角形状に形成されている。半導体側面２１は、半導体主面２２の周縁から光透過層１１の周縁（導電基板２の側面５）に向けて下り傾斜している。むろん、半導体側面２１は、半導体主面２２に対して垂直に形成されていてもよい。

半導体発光層１２は、導電基板２側および導電基板２側とは反対側に向かう光を生成する。導電基板２とは反対側に向かう光は、半導体主面２２から取り出される。導電基板２に向かう光は、光反射層９によって反射され、半導体主面２２から取り出される。半導体主面２２の一部は、粗面化されていてもよい。粗面化された半導体主面２２によれば、半導体発光層１２において生成された光を拡散させることができる。これにより、半導体主面２２からの光取り出し効率を向上できる。

半導体発光層１２は、より具体的には、光透過層１１側からこの順に積層されたｐ型半導体層１７（第１半導体層）、発光層１８およびｎ型半導体層１９（第２半導体層）を含む積層構造を有している。ｐ型半導体層１７、発光層１８およびｎ型半導体層１９は、エピタキシャル層からそれぞれなる。ｎ型半導体層１９によって、半導体主面２２が形成されている。ｐ型半導体層１７、発光層１８およびｎ型半導体層１９によって、半導体側面２１が形成されている。

ｐ型半導体層１７、発光層１８およびｎ型半導体層１９は、ダブルヘテロ構造を形成している。ｐ型半導体層１７は、発光層１８に正孔を供給する。ｎ型半導体層１９は、発光層１８に電子を供給する。発光層１８は、正孔および電子を再結合させることによって光を生成する。
ｐ型半導体層１７は、この形態では、光透過層１１側からこの順に積層されたｐ型コンタクト層２４、ｐ型ウィンドウ層２５およびｐ型クラッド層２６を含む積層構造を有している。

ｐ型コンタクト層２４は、ＧａＰ層を含む。ｐ型コンタクト層２４は、ｐ型不純物の一例としてのＭｇおよびＣ（炭素）のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。ｐ型コンタクト層２４のｐ型不純物は、この形態では、Ｃ（炭素）を含む。ｐ型コンタクト層２４のｐ型不純物濃度は、１．０×１０^１８ｃｍ^－３以上１．０×１０^２０ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型コンタクト層２４は、光透過層１１に接している。ｐ型コンタクト層２４は、光透過層１１とオーミック接触を形成している。

ｐ型コンタクト層２４の厚さは、１００Å以上１００００Å以下であってもよい。ｐ型コンタクト層２４の厚さは、１００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上４０００Å以下、４０００Å以上６０００Å以下、６０００Å以上８０００Å以下、または、８０００Å以上１００００Å以下であってもよい。ｐ型コンタクト層２４の厚さは、３０００Å以上９０００Å以下であることが好ましい。

ｐ型ウィンドウ層２５は、ＧａＰ層を含む。ｐ型ウィンドウ層２５は、ｐ型不純物の一例としてのＭｇを含んでいてもよい。ｐ型ウィンドウ層２５のｐ型不純物濃度は、ｐ型コンタクト層２４のｐ型不純物濃度未満であってもよい。ｐ型ウィンドウ層２５のｐ型不純物濃度は、１．０×１０^１７ｃｍ^－３以上２．０×１０^１９ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型ウィンドウ層２５は、ｐ型コンタクト層２４に接している。ｐ型ウィンドウ層２５は、ｐ型コンタクト層２４の全域を被覆していることが好ましい。

ｐ型ウィンドウ層２５の厚さは、１００Å以上３００００Å以下であってもよい。ｐ型ウィンドウ層２５の厚さは、１００Å以上５０００Å以下、５０００Å以上１００００Å以下、１００００Å以上１５０００Å以下、１５０００Å以上２００００Å以下、２００００Å以上２５０００Å以下、または、２５０００Å以上３００００Å以下であってもよい。ｐ型ウィンドウ層２５の厚さは、５０００Å以上１５０００Å以下であることが好ましい。

ｐ型クラッド層２６は、ＩｎＡｌＰ層を含む。ｐ型クラッド層２６は、ｐ型不純物の一例としてのＭｇを含んでいてもよい。ｐ型クラッド層２６のｐ型不純物濃度は１．０×１０^１７ｃｍ^－３以上１．０×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型クラッド層２６は、ｐ型ウィンドウ層２５に接している。ｐ型クラッド層２６は、ｐ型ウィンドウ層２５の全域を被覆していることが好ましい。

ｐ型クラッド層２６の厚さは、１００Å以上１５０００Å以下であってもよい。ｐ型クラッド層２６の厚さは、１００Å以上５０００Å以下、５０００Å以上７０００Å以下、７０００Å以上９０００Å以下、９０００Å以上１１０００Å以下、１１０００Å以上１３０００Å以下、または、１３０００Å以上１５０００Å以下であってもよい。ｐ型クラッド層２６の厚さは、６０００Å以上１２０００Å以下であることが好ましい。

発光層１８は、ｐ型クラッド層２６に接している。発光層１８は、ｐ型クラッド層２６の全域を被覆していることが好ましい。発光層１８は、この形態では、第１ガイド層２８、第２ガイド層２９、ならびに、第１ガイド層２８および第２ガイド層２９の間に介在するＭＱＷ（Multiple Quantum Well）構造２７を含む。
第１ガイド層２８は、比較的大きいＡｌ組成比を有するＩｎＧａＡｌＰ層を含む。第１ガイド層２８のＡｌ組成比は、０．５以上１未満であることが好ましい。

第１ガイド層２８の厚さは、１００Å以上５０００Å以下であってもよい。第１ガイド層２８の厚さは、１００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上３０００Å以下、３０００Å以上４０００Å以下、または、４０００Å以上５０００Å以下であってもよい。第１ガイド層２８の厚さは、５００Å以上１５００Å以下であることが好ましい。

第２ガイド層２９は、比較的大きいＡｌ組成比を有するＩｎＧａＡｌＰ層を含む。第２ガイド層２９のＡｌ組成比は、０．５以上１未満であることが好ましい。
第２ガイド層２９の厚さは、１００Å以上５０００Å以下であってもよい。第２ガイド層２９の厚さは、１００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上３０００Å以下、３０００Å以上４０００Å以下、または、４０００Å以上５０００Å以下であってもよい。第２ガイド層２９の厚さは、５００Å以上１５００Å以下であることが好ましい。

ＭＱＷ構造２７は、任意の順で交互に積層された複数のウェル層３０および複数のバリア層３１を含む。複数のウェル層３０および複数のバリア層３１は、交互に２層～５０層ずつ積層されていてもよい。
ＭＱＷ構造２７の最下層は、バリア層３１またはウェル層３０によって形成されていてもよい。ＭＱＷ構造２７の最下層は、第１ガイド層２８の材料に応じて調整され、この形態では、ウェル層３０によって形成されている。ＭＱＷ構造２７の最上層は、バリア層３１またはウェル層３０によって形成されていてもよい。ＭＱＷ構造２７の最上層は、第２ガイド層２９の材料に応じて調整され、この形態では、ウェル層３０によって形成されている。

第１ガイド層２８は、ＭＱＷ構造２７の最下層を形成する比較的厚いバリア層３１によって形成されていると見なすこともできる。第２ガイド層２９は、ＭＱＷ構造２７の最上層を形成する比較的厚いバリア層３１によって形成されていると見なすこともできる。ＭＱＷ構造２７の最下層および最上層の両方をウェル層３０によって形成する場合、第１ガイド層２８および第２ガイド層２９は除かれてもよい。

各ウェル層３０は、比較的小さいＡｌ組成比を有するＩｎＧａＡｌＰ層を含む。各ウェル層３０のＡｌ組成比は、第１ガイド層２８のＡｌ組成比未満である。各ウェル層３０のＡｌ組成比は、第２ガイド層２９のＡｌ組成比未満である。各ウェル層３０のＡｌ組成比は、０以上０．５以下であることが好ましい。
各ウェル層３０の厚さは、１０Å以上１００Å以下であってもよい。各ウェル層３０の厚さは、１０Å以上２０Å以下、２０Å以上４０Å以下、４０Å以上６０Å以下、６０Å以上８０Å以下、または、８０Å以上１００Å以下であってもよい。各ウェル層３０の厚さは、１０Å以上５０Å以下であることが好ましい。各ウェル層３０の厚さは、各バリア層３１の厚さ未満であることが好ましい。

各バリア層３１は、比較的大きいＡｌ組成比を有するＩｎＧａＡｌＰ層を含む。各バリア層３１のＡｌ組成比は、各ウェル層３０のＡｌ組成比を超えている。各バリア層３１のＡｌ組成比は、０．５以上１未満であることが好ましい。各バリア層３１のＡｌ組成比は、第１ガイド層２８のＡｌ組成比と等しくしてもよい。各バリア層３１のＡｌ組成比は、第２ガイド層２９のＡｌ組成比と等しくしてもよい。

各バリア層３１の厚さは、１０Å以上１００Å以下であってもよい。各バリア層３１の厚さは、１０Å以上２０Å以下、２０Å以上４０Å以下、４０Å以上６０Å以下、６０Å以上８０Å以下、または、８０Å以上１００Å以下であってもよい。各バリア層３１の厚さは、３０Å以上８０Å以下であることが好ましい。
ｎ型半導体層１９は、この形態では、発光層１８側からこの順に積層されたｎ型クラッド層３２、ｎ型ウィンドウ層３３およびｎ型コンタクト層３４を含む積層構造を有している。

ｎ型クラッド層３２は、ＩｎＡｌＰ層を含む。ｎ型クラッド層３２は、ｎ型不純物の一例としてのＳｉを含んでいてもよい。ｎ型クラッド層３２のｎ型不純物濃度は、１．０×１０^１７ｃｍ^－３以上１．０×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ｎ型クラッド層３２は、第２ガイド層２９に接している。ｎ型クラッド層３２は、発光層１８の全域を被覆していることが好ましい。

ｎ型クラッド層３２の厚さは、１００Å以上１５０００Å以下であってもよい。ｎ型クラッド層３２の厚さは、１００Å以上５０００Å以下、５０００Å以上７０００Å以下、７０００Å以上９０００Å以下、９０００Å以上１１０００Å以下、１１０００Å以上１３０００Å以下、または、１３０００Å以上１５０００Å以下であってもよい。ｎ型クラッド層３２の厚さは、６０００Å以上１２０００Å以下であることが好ましい。

ｎ型ウィンドウ層３３は、ＩｎＧａＡｌＰ層を含む。ｎ型ウィンドウ層３３は、ｎ型不純物の一例としてのＳｉを含んでいてもよい。ｎ型ウィンドウ層３３のｎ型不純物濃度は、１．０×１０^１７ｃｍ^－３以上２．０×１０^１９ｃｍ^－３以下であってもよい。ｎ型ウィンドウ層３３は、ｎ型クラッド層３２に接している。ｎ型ウィンドウ層３３は、ｎ型クラッド層３２の全域を被覆していることが好ましい。

ｎ型ウィンドウ層３３の厚さは、１００００Å以上５００００Å以下であってもよい。ｎ型ウィンドウ層３３の厚さは、１００００Å以上２００００Å以下、２００００Å以上３００００Å以下、３００００Å以上４００００Å以下、または、４００００Å以上５００００Å以下であってもよい。ｎ型ウィンドウ層３３の厚さは、ｎ型クラッド層３２の厚さを超えていることが好ましい。ｎ型ウィンドウ層３３の厚さは、２００００Å以上２５０００Å以下であることが好ましい。

ｎ型コンタクト層３４は、ＧａＡｓ層を含む。ｎ型コンタクト層３４は、ｎ型不純物の一例としてのＳｉを含んでいてもよい。ｎ型コンタクト層３４のｎ型不純物濃度は、１．０×１０^１７ｃｍ^－３以上２．０×１０^１９ｃｍ^－３以下であってもよい。
ｎ型コンタクト層３４は、ｎ型ウィンドウ層３３に接している。ｎ型コンタクト層３４は、この形態では、平面視においてｎ型ウィンドウ層３３の周縁から内方に間隔を空けて形成されている。これにより、ｎ型コンタクト層３４は、ｎ型ウィンドウ層３３の周縁との間で、ｎ型ウィンドウ層３３が露出した露出部を区画している。

ｎ型コンタクト層３４は、より具体的には、本体部３４Ａおよび枝部３４Ｂを含む。本体部３４Ａは、平面視においてｎ型ウィンドウ層３３の周縁から内方に間隔を空けてｎ型ウィンドウ層３３の中央部に形成されている。本体部３４Ａは、この形態では、平面視において円形状に形成されている。本体部３４Ａの平面形状は任意である。本体部３４Ａは、平面視において、三角形状、四角形状、六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

枝部３４Ｂは、本体部３４Ａからｎ型ウィンドウ層３３の周縁に向けて枝状に引き出されている。この形態では、複数の枝部３４Ｂが、本体部３４Ａからｎ型ウィンドウ層３３の周縁に向けて放射状に引き出されている。複数の枝部３４Ｂは、平面視において本体部３４Ａから導電基板２の４つの側面５および導電基板２の四隅に向けて８方向に引き出されている。

複数の枝部３４Ｂの先端部は、ｎ型ウィンドウ層３３の周縁から内方に間隔を空けてｎ型ウィンドウ層３３の上に位置している。複数の枝部３４Ｂのうち導電基板２の四隅に向かう４つの枝部３４Ｂの長さは、複数の枝部３４Ｂのうち導電基板２の側面５に向かう４つの枝部３４Ｂの長さを超えている。複数の枝部３４Ｂの引き出し態様は、任意であり、特定の形態に制限されない。

前述の半導体主面２２は、ｎ型ウィンドウ層３３の露出部およびｎ型コンタクト層３４によって形成されている。半導体主面２２の一部が粗面化されている場合、ｎ型ウィンドウ層３３の露出部が粗面化されていることが好ましい。むろん、ｎ型コンタクト層３４が粗面化されていてもよい。ただし、この場合には、電気的特性（たとえば順方向特性）が変動する可能性があるため、ｎ型コンタクト層３４の一部（たとえば周縁部だけ）が粗面化されていることが好ましい。

半導体発光装置１は、導電基板２の第２主面４に接続された第１端子電極１３を含む。第１端子電極１３は、この形態では、第２主面４の全域を被覆している。第１端子電極１３は、第２主面４との間でオーミック接触を形成している。第１端子電極１３は、より具体的には、第２主面４側からこの順に積層されたＴｉ層４０およびＡｕ層４１を含む積層構造を有している。

Ｔｉ層４０は、第２主面４に接している。Ｔｉ層４０は、第２主面４の全域を被覆していることが好ましい。Ａｕ層４１は、Ｔｉ層４０に接している。Ａｕ層４１は、Ｔｉ層４０の全域を被覆していることが好ましい。
Ｔｉ層４０は、第２主面４に対するオーミック電極として形成されている。また、Ｔｉ層４０は、導電基板２の材料（この形態ではＳｉ）がＡｕ層４１へ拡散することを抑制するバリア電極として形成されている。

Ｔｉ層４０の厚さは、１０Å以上１０００Å以下であってもよい。Ｔｉ層４０の厚さは、１０Å以上１００Å以下、１００Å以上２００Å以下、２００Å以上４００Å以下、４００Å以上６００Å以下、６００Å以上８００Å以下、または、８００Å以上１０００Å以下であってもよい。Ｔｉ層４０の厚さは、２５０Å以上７５０Å以下であることが好ましい。

Ａｕ層４１の厚さは、５００Å以上３０００Å以下であってもよい。Ｔｉ層４０の厚さは、５００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上１５００Å以下、１５００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上２５００Å以下、または、２５００Å以上３０００Å以下であってもよい。Ａｕ層４１の厚さは、１０００Å以上２０００Å以下であることが好ましい。

半導体発光装置１は、半導体発光層１２に接続された第２端子電極１４を含む。第２端子電極１４は、より具体的には、ｎ型コンタクト層３４の上に形成されている。第２端子電極１４は、さらに具体的には、ｎ型ウィンドウ層３３の露出部を露出させるようにｎ型コンタクト層３４の上に形成されている。第２端子電極１４は、ｎ型コンタクト層３４との間でオーミック接触を形成している。

第２端子電極１４は、ｎ型コンタクト層３４に対応した平面形状を有している。つまり、第２端子電極１４は、電極本体部３７および電極枝部３８を含む。電極本体部３７は、ｎ型コンタクト層３４の本体部３４Ａの上に形成されている。電極本体部３７は、外部接続されるパッド電極として形成されている。
電極本体部３７は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。電極本体部３７の平面形状は、本体部３４Ａの平面形状に応じて調整される。電極本体部３７は、本体部３４Ａの平面形状に応じて、平面視において三角形状、四角形状、六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

電極枝部３８は、ｎ型コンタクト層３４の枝部３４Ｂの上に形成されている。この形態では、複数の電極枝部３８が、電極本体部３７から半導体発光層１２の周縁に向けて、ｎ型コンタクト層３４の対応する枝部３４Ｂの上に放射状に引き出されている。つまり、複数の電極枝部３８は、平面視において電極本体部３７から半導体発光層１２の４つの半導体側面２１および半導体発光層１２の四隅に向けて８方向に引き出されている。複数の電極枝部３８の引き出し態様は、任意であり、特定の形態には制限されない。

複数の電極枝部３８の先端部は、半導体発光層１２の半導体側面２１から内方に間隔を空けてｎ型コンタクト層３４の枝部３４Ｂの上に位置している。複数の電極枝部３８のうち半導体発光層１２の四隅に向かう４つの電極枝部３８の長さは、複数の電極枝部３８のうち半導体発光層１２の半導体側面２１に向かう４つの電極枝部３８の長さを超えている。

第２端子電極１４は、Ａｕを含むことが好ましい。第２端子電極１４は、この形態では、ｎ型コンタクト層３４側からこの順に積層された第１Ａｕ電極層３５および第２Ａｕ電極層３６を含む積層構造を有している。
第１Ａｕ電極層３５は、ｎ型コンタクト層３４に接している。第１Ａｕ電極層３５は、純Ａｕ層またはＡｕ合金層からなっていてもよい。純Ａｕ層は、非合金のＡｕを含む層である。純Ａｕ層は、純度が９９％以上のＡｕを含む層であってもよい。Ａｕ合金層は、他の材料と合金化したＡｕを含む層である。Ａｕと合金化した金属は、Ｇｅ，Ｎｉ、Ｂｅ、Ｓｉ等であってもよい。第１Ａｕ電極層３５は、この形態では、Ａｕ合金層の一例としてのＡｕＧｅＮｉ層からなる。

第１Ａｕ電極層３５の厚さは、１０００Å以上４０００Å以下であってもよい。第１Ａｕ電極層３５の厚さは、１０００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上３０００Å以下、または、３０００Å以上４０００Å以下であってもよい。第１Ａｕ電極層３５の厚さは、１５００Å以上２５００Å以下であることが好ましい。
第２Ａｕ電極層３６は、第１Ａｕ電極層３５に接している。第２Ａｕ電極層３６は、純Ａｕ層またはＡｕ合金層からなっていてもよい。純Ａｕ層は、非合金のＡｕを含む層である。純Ａｕ層は、純度が９９％以上のＡｕを含む層であってもよい。Ａｕ合金層は、他の材料と合金化したＡｕを含む層である。Ａｕと合金化した金属は、Ｇｅ，Ｎｉ、Ｂｅ、Ｓｉ等であってもよい。第２Ａｕ電極層３６は、この形態では、純Ａｕ層からなる。

第２Ａｕ電極層３６の厚さは、１５０００Å以上２００００Å以下であってもよい。第２Ａｕ電極層３６の厚さは、１５０００Å以上１６０００Å以下、１６０００Å以上１７０００Å以下、１７０００Å以上１８０００Å以下、１８０００Å以上１９０００Å以下、または、１９０００Å以上２００００Å以下であってもよい。第２Ａｕ電極層３６の厚さは、１６０００Å以上１８０００Å以下であることが好ましい。

半導体発光装置１は、半導体発光層１２の外面を被覆する絶縁層３９を含む。絶縁層３９は、ＳｉＮ層およびＳｉＯ_２層のうちの少なくとも１つを含む。絶縁層３９は、ＳｉＮ層およびＳｉＯ_２層を任意の順で積層させた積層構造を有していてもよい。絶縁層３９は、この形態では、ＳｉＮ層からなる単層構造を有している。
絶縁層３９は、光透過層１１および半導体発光層１２を被覆している。絶縁層３９は、光透過層１１および半導体発光層１２を保護すると同時に、光透過層１１および半導体発光層１２の間の不所望な短絡を抑制する。絶縁層３９は、より具体的には、第１被覆部３９Ａ、第２被覆部３９Ｂおよび第３被覆部３９Ｃを含む。

第１被覆部３９Ａは、光透過層１１の露出部２３を被覆している。第１被覆部３９Ａは、露出部２３に沿って延びる帯状に形成されている。第１被覆部３９Ａは、より具体的には、露出部２３に沿って延びる環状（この形態では四角環状）に形成されている。第１被覆部３９Ａは、露出部２３を介して、導電基板２、下地バリア電極層６、Ａｕ系金属層７、第１バリア電極層８、光反射層９および第２バリア電極層１０に対向している。

第１被覆部３９Ａの周縁は、導電基板２の側面５側から露出している。第１被覆部３９Ａの周縁は、導電基板２の側面５に連なるように形成されている。第１被覆部３９Ａの周縁は、より具体的には、導電基板２の側面５に対して面一に形成されている。第１被覆部３９Ａの周縁は、さらに具体的には、導電基板２の側面５との間で１つの研削面を形成している。これにより、第１被覆部３９Ａは、露出部２３の全域を被覆している。

第１被覆部３９Ａは、導電基板２、下地バリア電極層６、Ａｕ系金属層７、第１バリア電極層８、光反射層９および第２バリア電極層１０に対する保護層として形成されている。第１被覆部３９Ａは、光透過層１１および半導体発光層１２の間の不所望な短絡を抑制する。また、光反射層９の光反射効果を適切に保持できる。
第２被覆部３９Ｂは、第１被覆部３９Ａと一体をなし、半導体発光層１２の半導体側面２１を被覆している。第２被覆部３９Ｂは、半導体側面２１の全域を被覆していることが好ましい。第２被覆部３９Ｂは、ｐ型半導体層１７、発光層１８およびｎ型半導体層１９の間における不所望な短絡を抑制する。これにより、発光層１８において適切に光を生成させることができる。

第３被覆部３９Ｃは、第２被覆部３９Ｂと一体をなし、半導体発光層１２の半導体主面２２を被覆している。第３被覆部３９Ｃは、より具体的には、半導体側面２１から第２端子電極１４に向けて延び、ｎ型ウィンドウ層３３の露出部を被覆している。
第３被覆部３９Ｃは、ｎ型ウィンドウ層３３の露出部に形成された凹凸（unevenness）を埋めてｎ型ウィンドウ層３３を被覆している。第３被覆部３９Ｃは、さらに、第２端子電極１４の主面を露出させるように第２端子電極１４を部分的に被覆している。第３被覆部３９Ｃは、より具体的には、第２端子電極１４の主面を露出させるように第２端子電極１４の電極本体部３７および電極枝部３８を被覆している。つまり、第３被覆部３９Ｃは、ｎ型コンタクト層３４の本体部３４Ａおよび枝部３４Ｂも被覆している。

第３被覆部３９Ｃは、ｎ型ウィンドウ層３３および第２端子電極１４に対する保護層として形成されている。第３被覆部３９Ｃは、より具体的には、第２端子電極１４が外部接続される際に、第２端子電極１４を外側から補強すると同時に、接続対象物からｎ型ウィンドウ層３３を保護する。これにより、第２端子電極１４を適切に外部接続させることができる。

絶縁層３９の厚さは、５００Å以上５０００Å以下であってもよい。絶縁層３９の厚さは、５００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上３０００Å以下、３０００Å以上４０００Å以下、または、４０００Å以上５０００Å以下であってもよい。
第１端子電極１３および第２端子電極１４の間に所定の閾値電圧以上の順方向電圧が印加されると、半導体発光層１２（発光層１８）において光が生成される。半導体発光層１２において生成された光は、導電基板２および半導体主面２２に向けて照射される。

半導体主面２２に向かう光は、半導体主面２２から直接取り出されるか、または、第２端子電極１４によって導電基板２側に向けて反射される。導電基板２に向かう光（第２端子電極１４による反射光を含む）は、光透過層１１を通過し、光反射層９によって半導体主面２２側に向けて反射される。これにより、半導体発光層１２によって生成された光が、半導体主面２２から取り出される。

半導体主面２２が粗面化されている場合、半導体主面２２に入射する光を凹凸によって乱反射させることができる。これにより、半導体発光層１２から外部への光の取り出し効率を高めることができる。
図３は、光反射率および光波長の関係をシミュレーションによって調べた結果を示すグラフである。図３において縦軸は、光反射率［％］を示し、横軸は光波長［ｎｍ］を示している。図３には、第１曲線Ｌ１（破線参照）および第２曲線Ｌ２（実線参照）が示されている。第１曲線Ｌ１は、Ａｕ（ここでは純Ａｕ）の光反射特性を示している。第２曲線Ｌ２は、Ａｌ（ここでは純Ａｌ）の光反射特性を示している。

第１曲線Ｌ１を参照して、Ａｕは、光波長の増加に伴って対数関数的に増加する光反射率を有している。５００ｎｍ以上６１０ｎｍ以下の短波長領域におけるＡｕの光反射率は、４０％以上８５％以下である。６１０ｎｍを超えて８００ｎｍ以下の長波長領域におけるＡｕの光反射率は、８５％以上１００％未満である。Ａｕの光反射率は、長波長領域において９６％以上１００％未満の範囲で飽和する。

一方、第２曲線Ｌ２を参照して、Ａｌは、５００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の長短波長領域において安定した光反射率を有している。５００ｎｍ以上６１０ｎｍ以下の短波長領域におけるＡｌの光反射率は、８０％以上９０％以下である。６１０ｎｍを超えて８００ｎｍ以下の長波長領域におけるＡｌの光反射率は、８０％以上９０％以下である。
このように、Ａｌは、Ａｕの光反射特性とは異なる光反射特性を有している。Ａｌは、より具体的には、短波長領域（６１０ｎｍ以下の波長領域）の光反射率が、Ａｕの光反射率よりも高い光反射特性を有している。また、Ａｌは、長波長領域（６１０ｎｍを超える波長領域）の光反射率が、Ａｕの光反射率よりも低い光反射特性を有している。

光反射層９に代えてＡｕ系金属層７担体を光反射層として機能させることもできる。しかし、この場合には、短波長領域の光に対する反射率が不十分であり、輝度を適切に高めることはできない。
そこで、半導体発光装置１では、Ａｕ系金属層７が形成された構造において、Ａｌを含む光反射層９を、Ａｕ系金属層７と半導体発光層１２の間にさらに介在させている。これにより、超短波長領域における光を適切に反射させることができるから、半導体発光層１２で生成された光を適切に反射させることができる。よって、輝度を向上できる。

特に、短波長領域に発光波長を有する光を生成する半導体発光層１２が採用される場合には、光反射層９による反射効果の恩恵が大きい。半導体発光層１２は、５００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の短波長領域に発光波長を有する光（赤色光）を生成することが好ましい。
図４Ａ～図４Ｏは、図１に示す半導体発光装置１の製造方法の一例を説明するための断面図である。半導体発光装置１の製造方法では、複数の半導体発光装置１が同時に製造されるが、図４Ａ～図４Ｏでは、１つの半導体発光装置１が形成される領域およびその周辺の領域を示している。

図４Ａを参照して、導電基板２のベースになる第１ベース基板４２が用意される。第１ベース基板４２は、この形態では、シリコン製のウエハからなる。第１ベース基板４２は、一方側の第１主面４３および他方側の第２主面４４を有している。第１ベース基板４２の第１主面４３および第２主面４４は、導電基板２の第１主面３および第２主面４にそれぞれ対応している。

次に、図４Ｂを参照して、下地バリア電極層６および第１Ａｕ層１５が、第１ベース基板４２の第１主面４３の上にこの順に形成される。下地バリア電極層６は、この形態では、Ｔｉ層を含む。第１Ａｕ層１５は、この形態では、純Ａｕ層を含む。下地バリア電極層６および第１Ａｕ層１５は、蒸着法および／またはスパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。

一方、図４Ｃを参照して、第２ベース基板４７が用意される。第２ベース基板４７は、ベース主面４８を有している。第２ベース基板４７は、エピタキシャル成長法によってベース主面４８の上に半導体発光層１２を形成するための半導体基板である。
第２ベース基板４７は、化合物半導体基板からなることが好ましい。化合物半導体基板によれば、ベース主面４８の上に半導体発光層１２を適切に形成できる。第２ベース基板４７は、この形態では、ＧａＡｓ基板からなる。第２ベース基板４７は、エピタキシャル成長法によって半導体発光層１２を形成できる限り任意であり、特定の材質に限定されない。

次に、半導体発光層１２が、ベース主面４８上に形成される。この工程は、エピタキシャル成長法によって、ｎ型コンタクト層３４、ｎ型ウィンドウ層３３、ｎ型クラッド層３２、発光層１８、ｐ型クラッド層２６、ｐ型ウィンドウ層２５およびｐ型コンタクト層２４を、第２ベース基板４７のベース主面４８側からこの順に形成する工程を含む。
次に、光透過層１１が、半導体発光層１２（ｐ型コンタクト層２４）の上に形成される。光透過層１１は、この形態では、ＩＴＯ層を含む。光透過層１１は、蒸着法またはスパッタ法によって形成されてもよい。

次に、図４Ｄを参照して、第２バリア電極層１０、光反射層９、第１バリア電極層８および第２Ａｕ層１６が、光透過層１１の上にこの順に形成される。第２バリア電極層１０は、この形態では、ＴｉＮ層を含む。光反射層９は、この形態では、純Ａｌ層を含む。第１バリア電極層８は、この形態では、Ｔｉ層を含む。第２Ａｕ層１６は、この形態では、純Ａｕ層を含む。第２バリア電極層１０、光反射層９、第１バリア電極層８、第２Ａｕ層１６は、蒸着法および／またはスパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。

次に、図４Ｅを参照して、第２ベース基板４７が、第２Ａｕ層１６を第１Ａｕ層１５に対向させた姿勢で、第１ベース基板４２の上に配置される。
次に、図４Ｆを参照して、第１Ａｕ層１５および第２Ａｕ層１６が、圧着（より具体的には熱圧着）される。これにより、第１Ａｕ層１５および第２Ａｕ層１６が接合されて、Ａｕ系金属層７が形成される。

次に、図４Ｇを参照して、第２ベース基板４７が除去される。第２ベース基板４７は、より具体的には、ｎ型コンタクト層３４が露出するまで除去される。第２ベース基板４７は、たとえば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法またはエッチング法によって除去されてもよい。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。

次に、図４Ｈを参照して、所定パターンを有するマスク５１が、半導体発光層１２の主面（ｎ型コンタクト層３４の主面）に形成される。マスク５１は、半導体発光層１２の主面に第２端子電極１４を形成すべき領域を露出させる複数の開口５２を有している。
次に、第２端子電極１４が、半導体発光層１２の主面に形成される。第２端子電極１４は、この形態では、第１Ａｕ電極層３５および第２Ａｕ電極層３６を含む積層構造を有している。第１Ａｕ電極層３５および第２Ａｕ電極層３６は、この工程では、リフトオフ法によって形成される。

第１Ａｕ電極層３５および第２Ａｕ電極層３６は、蒸着法および／またはスパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。第１Ａｕ電極層３５および第２Ａｕ電極層３６は、半導体発光層１２およびマスク５１を被覆するように形成される。
次に、図４Ｉを参照して、第１Ａｕ電極層３５および第２Ａｕ電極層３６においてマスク５１を被覆する部分が、マスク５１と同時に除去される。これにより、半導体発光層１２の主面に第２端子電極１４が形成される。

次に、ｎ型コンタクト層３４の不要な部分が、除去される。ｎ型コンタクト層３４の不要な部分は、ｎ型ウィンドウ層３３が露出するまで除去される。ｎ型コンタクト層３４の不要な部分は、第２端子電極１４をマスクとするエッチング法によって除去されてもよい。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。これにより、ｎ型コンタクト層３４が、第２端子電極１４の平面形状に対応した平面形状に形成される。

次に、図４Ｊを参照して、半導体発光層１２の主面において第２端子電極１４から露出する部分（ｎ型ウィンドウ層３３の露出部）が粗面化される。半導体発光層１２の主面は、第２端子電極１４をマスクとする粗面化エッチング法によって粗面化されてもよい。
次に、図４Ｋを参照して、所定パターンを有するマスク４９が、半導体発光層１２の主面（ｎ型コンタクト層３４の主面）に形成される。マスク４９は、複数のメサ構造２０を形成すべき領域を被覆し、それら以外の領域を露出させる複数の開口５０を有している。

次に、半導体発光層１２の不要な部分が、マスク４９を介するエッチング法によって除去される。半導体発光層１２の不要な部分は、光透過層１１が露出するまで除去される。この工程では、光透過層１１の一部も半導体発光層１２と同時に除去される。
エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。エッチング法は、異方性のドライエッチング法（たとえばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法）であることが好ましい。

これにより、半導体発光装置１にそれぞれ対応した複数のデバイス領域４５、および、複数のデバイス領域４５を区画する切断予定溝４６が半導体発光層１２に区画される。複数のデバイス領域４５は、メサ構造２０をそれぞれ含む。複数のメサ構造２０は、平面視において格子状の切断予定溝４６によって行列状に区画されてもよい。切断予定溝４６の底壁は、光透過層１１の露出部２３によって形成されている。その後、マスク４９は除去される。

次に、図４Ｌを参照して、絶縁層３９が、半導体発光層１２（メサ構造２０）、切断予定溝４６および第２端子電極１４の上に形成される。絶縁層３９は、半導体発光層１２（メサ構造２０）、切断予定溝４６および第２端子電極１４を一括して被覆する。絶縁層３９は、この形態では、ＳｉＮ層からなる単層構造を有している。絶縁層３９は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。

次に、図４Ｍを参照して、所定パターンを有するマスク５３が、絶縁層３９の上に形成される。マスク５３は、第２端子電極１４に対応した平面形状を有する複数の開口５４を有している。
次に、絶縁層３９の不要な部分が、マスク５３を介するエッチング法によって除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。これにより、第２端子電極１４を露出させる絶縁層３９が形成される。その後、マスク５３は除去される。

次に、図４Ｎを参照して、第１端子電極１３が、第１ベース基板４２の第２主面４４に形成される。第１端子電極１３は、第２主面４４側からこの順に積層されたＴｉ層４０およびＡｕ層４１を含む。Ｔｉ層４０およびＡｕ層４１は、蒸着法および／またはスパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。
第１端子電極１３の形成工程に先立って、任意のタイミングで、第１ベース基板４２が薄化されてもよい。第１ベース基板４２の薄化工程は、第２主面４４を研削する工程を含んでいてもよい。第２主面４４は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法によって研削されてもよい。

次に、図４Ｏを参照して、第１ベース基板４２が、切断予定溝４６に沿って切断される。第１ベース基板４２は、ダイシングブレードまたはレーザーダイザーによって切断されてもよい。ダイシングブレードのブレード幅は、切断予定溝４６の幅未満である。これにより、複数の半導体発光装置１が切り出される。このとき、切断予定溝４６の底壁の一部が、光透過層１１の露出部２３となる。

切断工程では、切断予定溝４６に沿って第１ベース基板４２が切断されるため、半導体発光層１２（メサ構造２０）に物理的な外力が加えられない。これにより、クラックをはじめとする半導体発光層１２の形状不良を適切に抑制できる。よって、光を適切に生成できる半導体発光層１２を形成できる。
また、切断工程において、切断予定溝４６の全域は、絶縁層３９によって被覆されている。絶縁層３９は、切断工程において、第１ベース基板４２、下地バリア電極層６、Ａｕ系金属層７、第１バリア電極層８、光反射層９および第２バリア電極層１０に対する保護層となる。れにより、切断工程に起因して生じるパーティクルが、光透過層１１や半導体発光層１２に付着することを絶縁層３９によって抑制できる。

また、切断工程に起因するクラックが、第１ベース基板４２、下地バリア電極層６、Ａｕ系金属層７、第１バリア電極層８、光反射層９および第２バリア電極層１０に生じることを、絶縁層３９によって抑制できる。よって、第１ベース基板４２から複数の半導体発光装置１を適切に切り出すことができる。以上を含む工程を経て、半導体発光装置１が製造される。

図５は、本発明の第２実施形態（以下、単に「この形態（this embodiment）」という。）に係る半導体発光装置６１を示す平面図である。図６は、図５のVI－VI線に沿う断面図である。以下では、半導体発光装置１について述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図６を参照して、半導体発光装置６１に係る光透過層１１は、光透過電極層１１Ａに代えて、光反射層９の側からこの順に積層された光透過電極層６３および光透過絶縁層６４を含む積層構造を有している。

光透過電極層６３は、光反射層９の上に形成されている。光透過電極層６３は、光反射層９の全域を被覆していることが好ましい。光透過電極層６３は、ＩＴＯ層、ＺｎＯ層およびＩＺＯ層のうちの少なくとも１つを含む。光透過電極層６３は、この形態では、ＩＴＯ層からなる。
光透過電極層６３の厚さは、５００Å以上５０００Å以下であってもよい。光透過電極層６３の厚さは、５００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上３０００Å以下、３０００Å以上４０００Å以下、または、４０００Å以上５０００Å以下であってもよい。光透過電極層６３の厚さは、２０００Å以上３０００Å以下であることが好ましい。

光透過絶縁層６４は、光透過電極層６３に接している。光透過絶縁層６４は、光透過電極層６３の全域を被覆していることが好ましい。光透過絶縁層６４は、ＳｉＯ_２層およびＳｉＮ層のうちの少なくとも１つを含む。光透過絶縁層６４は、ＳｉＯ_２層およびＳｉＮ層を任意の順で積層させた積層構造を有していてもよい。光透過絶縁層６４は、この形態では、ＳｉＯ_２層からなる単層構造を有している。

光透過絶縁層６４の厚さは、１０００Å以上５０００Å以下であってもよい。光透過電極層６３の厚さは、１０００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上３０００Å以下、３０００Å以上４０００Å以下、または、４０００Å以上５０００Å以下であってもよい。光透過電極層６３の厚さは、２５００Å以上４０００Å以下であることが好ましい。光透過絶縁層６４の厚さは、光透過電極層６３の厚さを超えていてもよい。

光透過層１１の露出部２３は、この形態では、光透過絶縁層６４によって形成されている。つまり、絶縁層３９（第１被覆部３９Ａ）は、光透過絶縁層６４を被覆している。
第２バリア電極層１０は、この形態では、光反射層９および光透過電極層６３に接している。第２バリア電極層１０は、光反射層９および光透過電極層６３の全域に接していることが好ましい。

第２バリア電極層１０は、光反射層９中のＡｌが光透過電極層６３に拡散することを抑制する。これにより、光反射層９に対する光透過電極層６３の密着力を第２バリア電極層１０によって高めることができる。また、第２バリア電極層１０は、入射光（光反射層９によって反射された光を含む）を透過させる。よって、光反射層９および光透過電極層６３を適切に形成できると同時に、光反射層９による光反射効果および光透過電極層６３による光透過効果を適切に保持できる。

半導体発光装置６１は、光透過層１１内に形成されたコンタクト電極６６を含む。この形態では、複数のコンタクト電極６６が、光透過層１１内に形成されている。複数のコンタクト電極６６は、この形態では、平面視において第２端子電極１４と重ならない領域に形成されている。
各コンタクト電極６６は、光透過層１１を貫通し、光反射層９および半導体発光層１２を電気的に接続させている。各コンタクト電極６６は、より具体的には、光透過層１１に形成されたコンタクト孔６７に埋め込まれている。

コンタクト孔６７は、光透過電極層６３および光透過絶縁層６４を貫通し、第２バリア電極層１０および半導体発光層１２（ｐ型コンタクト層２４）を露出させている。ｐ型コンタクト層２４のｐ型不純物は、Ｍｇであってもよい。各コンタクト電極６６は、コンタクト孔６７内において第２バリア電極層１０および半導体発光層１２（ｐ型コンタクト層２４）に接続されている。

各コンタクト電極６６は、Ａｕを主成分に含む。各コンタクト電極６６は、第２バリア電極層１０側からこの順に積層された第１Ａｕ層６８および第２Ａｕ層６９を含む積層構造を有している。第１Ａｕ層６８は、第２バリア電極層１０に接続されている。第２Ａｕ層６９は、半導体発光層１２に接続されている。
第１Ａｕ層６８および第２Ａｕ層６９は、純Ａｕ層およびＡｕ合金層のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。純Ａｕ層は、非合金のＡｕを含む層である。純Ａｕ層は、純度が９９％以上のＡｕを含む層であってもよい。Ａｕ合金層は、他の材料と合金化したＡｕを含む層である。Ａｕと合金化した金属は、Ｇｅ，Ｎｉ、Ｂｅ、Ｓｉ等であってもよい。第１Ａｕ層６８は、この形態では、純Ａｕ層からなる。第２Ａｕ層６９は、この形態では、Ａｕ合金層の一例としてのＡｕＢｅＮｉ層からなる。

第１Ａｕ層６８の厚さは、１００Å以上３０００Å以下であってもよい。第１Ａｕ層６８の厚さは、１００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上２０００Å以下、または、２０００Å以上３０００Å以下であってもよい。第１Ａｕ層６８の厚さは、５００Å以上１５００Å以下であることが好ましい。
第２Ａｕ層６９の厚さは、５００Å以上４０００Å以下であってもよい。第２Ａｕ層６９の厚さは、５００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上３０００Å以下、または、３０００Å以上４０００Å以下であってもよい。第２Ａｕ層６９の厚さは、第１Ａｕ層６８の厚さを超えていることが好ましい。第２Ａｕ層６９の厚さは、１０００Å以上３０００Å以下であることが好ましい。

ｎ型コンタクト層３４の本体部３４Ａは、平面視においてｎ型ウィンドウ層３３の周縁から内方に間隔を空けてｎ型ウィンドウ層３３の中央部に形成されている。本体部３４Ａは、この形態では、平面視において円形状に形成されている。本体部３４Ａの平面形状は任意である。本体部３４Ａは、平面視において、三角形状、四角形状、六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

ｎ型コンタクト層３４の枝部３４Ｂは、平面視において本体部３４Ａから導電基板２の２つの側面５に引き出された第１部分、および、第１部分に交差（直交）して当該２つの側面５に沿って延びる第２部分を含む。複数の枝部３４Ｂの引き出し態様は、任意であり、特定の形態に制限されない。
第２端子電極１４の電極本体部３７は、ｎ型コンタクト層３４の本体部３４Ａの上に形成されている。電極本体部３７は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。電極本体部３７の平面形状は、本体部３４Ａの平面形状に応じて調整される。電極本体部３７は、本体部３４Ａの平面形状に応じて、平面視において三角形状、四角形状、六角形状等の多角形状、または、楕円形状に形成されていてもよい。

第２端子電極１４の電極枝部３８は、ｎ型コンタクト層３４の枝部３４Ｂの上に形成されている。電極枝部３８は、平面視において電極本体部３７から導電基板２の２つの側面５に引き出された第１部分、および、第１部分に交差（直交）して当該２つの側面５に沿って延びる第２部分を含む。電極枝部３８の引き出し態様は、任意であり、特定の形態に制限されない。

以上、半導体発光装置６１によっても、半導体発光装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
図７Ａ～図７Ｑは、図５に示す半導体発光装置６１の製造方法の一例を説明するための断面図である。半導体発光装置６１の製造方法では、複数の半導体発光装置６１が同時に製造されるが、図７Ａ～図７Ｑでは、１つの半導体発光装置６１が形成される領域およびその周辺の領域を示している。

以下では、図４Ａ～図４Ｏにおいて述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。また、以下では、図４Ａ～図４Ｏにおいて述べた工程に対応する工程については具体的な説明を省略する。
図７Ａを参照して、第１ベース基板４２が用意される。
次に、図７Ｂを参照して、下地バリア電極層６および第１Ａｕ層１５が、第１ベース基板４２の第１主面４３の上に形成される。

一方、図７Ｃを参照して、第２ベース基板４７が用意される。次に、ｎ型コンタクト層３４、ｎ型ウィンドウ層３３、ｎ型クラッド層３２、発光層１８、ｐ型クラッド層２６、ｐ型ウィンドウ層２５およびｐ型コンタクト層２４が、第２ベース基板４７のベース主面４８の上に形成される。
次に、光透過層１１が、半導体発光層１２の上に形成される。光透過層１１は、この形態では、ｐ型コンタクト層２４側からこの順に積層された光透過絶縁層６４および光透過電極層６３を含む。光透過絶縁層６４は、この形態では、ＳｉＯ_２層からなる。光透過電極層６３は、この形態では、ＩＴＯ層からなる。光透過絶縁層６４は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。光透過電極層６３は、蒸着法および／またはスパッタ法によって形成されてもよい。

次に、図７Ｄを参照して、所定パターンを有するマスク７２が、光透過電極層６３の上に形成される。マスク７２は、光透過層１１にコンタクト孔６７を形成すべき領域をそれぞれ露出させる複数の開口７３を有している。
次に、光透過層１１の不要な部分が除去される。光透過層１１の不要な部分は、マスク７２を介するエッチング法によって除去されてもよい。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。エッチング法は、異方性のドライエッチング法（たとえばＲＩＥ法）であることが好ましい。これにより、光透過層１１に複数のコンタクト孔６７が形成される。

次に、図７Ｅを参照して、コンタクト電極６６が、各コンタクト孔６７内に形成される。コンタクト電極６６は、この形態では、第２Ａｕ層６９および第１Ａｕ層６８を含む積層構造を有している。この工程では、各コンタクト孔６７を埋めてマスク７２を被覆する第２Ａｕ層６９および第１Ａｕ層６８がこの順に形成される。第２Ａｕ層６９および第１Ａｕ層６８は、蒸着法および／またはスパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。

次に、第２Ａｕ層６９および第１Ａｕ層６８においてマスク７２を被覆する部分が、マスク７２と同時に除去される。これにより、コンタクト電極６６が、コンタクト孔６７内に形成される。コンタクト電極６６の形成工程では、マスク７２を利用した。しかし、マスク７２とは異なるマスクを利用してコンタクト電極６６を形成してもよい。
次に、図７Ｆを参照して、第２バリア電極層１０、光反射層９、第１バリア電極層８および第２Ａｕ層１６が、光透過電極層６３の上にこの順に形成される。

次に、図７Ｇを参照して、第２ベース基板４７が、第２Ａｕ層１６を第１Ａｕ層１５に対向させた姿勢で第１ベース基板４２の上に配置される。
次に、図７Ｈを参照して、第１Ａｕ層１５および第２Ａｕ層１６が圧着（より具体的には熱圧着）される。
次に、図７Ｉを参照して、第２ベース基板４７が除去される。

次に、図７Ｊを参照して、マスク５１を利用したリフトオフ法によって、第２端子電極１４が形成される。
次に、図７Ｋを参照して、ｎ型コンタクト層３４の不要な部分が、第２端子電極１４をマスクとするエッチング法によって除去される。これにより、ｎ型コンタクト層３４が、第２端子電極１４の平面形状に対応した平面形状に形成される。

次に、図７Ｌを参照して、半導体発光層１２の主面において第２端子電極１４から露出する部分（ｎ型ウィンドウ層３３の露出部）が粗面化される。
次に、図７Ｍを参照して、半導体発光装置６１にそれぞれ対応した複数のデバイス領域４５（メサ構造２０）、および、複数のデバイス領域４５を区画する切断予定溝４６が、マスク４９を介するエッチング法によって形成される。

次に、図７Ｎを参照して、絶縁層３９が、半導体発光層１２（メサ構造２０）、切断予定溝４６および第２端子電極１４の上に形成される。
次に、図７Ｏを参照して、絶縁層３９の不要な部分が、マスク５３を介するエッチング法によって除去される。
次に、図７Ｐを参照して、第１端子電極１３が、第１ベース基板４２の第２主面４４に形成される。第１端子電極１３の形成工程に先立って、任意のタイミングで、第１ベース基板４２が薄化されてもよい。

次に、図７Ｑを参照して、第１ベース基板４２が、切断予定溝４６に沿って切断される。これにより、複数の半導体発光装置６１が切り出される。以上を含む工程を経て、半導体発光装置６１が製造される。
図８は、本発明の第３実施形態（以下、単に「この形態（this embodiment）」という。）に係る半導体発光装置８１を示す断面図である。以下では、半導体発光装置６１について述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。

図８を参照して、半導体発光装置８１に係る光透過層１１は、光透過絶縁層６４からなる単層構造を有している。半導体発光装置８１に係る光透過層１１は、光透過電極層６３を備えていない。
以上、半導体発光装置８１によっても、半導体発光装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。半導体発光装置８１は、図７Ｃの工程から光透過電極層６３の形成工程を省くことによって製造される。

本発明は、さらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、前述の各実施形態において、各半導体部分の導電型が反転された構造が採用されてもよい。つまりｐ型の部分がｎ型とされ、ｎ型の部分がｐ型とされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で、種々の設計変更を施すことが可能である。

１ 半導体発光装置
２ 導電基板
３ 第１主面（主面）
７ 貼り合わせ層
８ 第１バリア電極層
９ 光反射層
１０ 第２バリア電極層
１１ 光透過層
１１Ａ 光透過電極層
１２ 半導体発光層
１３ 第１端子電極
１４ 第２端子電極
１７ 第１半導体層
１８ 発光層
１９ 第２半導体層
６１ 半導体発光装置
６３ 光透過電極層
６４ 光透過絶縁層
６６ コンタクト電極
６８ Ａｕ層
８１ 半導体発光装置

Claims (19)

1. 主面を有する導電基板と、
   前記主面の上に形成されたＡｕ系金属層と、
   ６１０ｎｍ以下の波長領域である短波長領域の光反射率が前記Ａｕ系金属層の光反射率よりも高い光反射特性を有し、前記Ａｕ系金属層の上に形成されたＡｌを含む光反射層と、
   前記光反射層の上に形成された光透過層と、
   前記光透過層の上に形成された半導体発光層と、
   前記Ａｕ系金属層および前記光反射層の間に介在する第１バリア電極層と、
   前記光透過層および前記光反射層の間に介在する第２バリア電極層とを含み、
   前記半導体発光層は、前記光透過層の上に積層された第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層の上に積層された発光層、および、前記発光層の上に積層された第２導電型の第２半導体層を含み、
   前記第２半導体層は、前記発光層の側から順に積層された第２導電型のウィンドウ層および第２導電型のコンタクト層を含み、
   前記コンタクト層は、前記ウィンドウ層の周縁から内方に間隔を空けて形成され、前記ウィンドウ層の周縁との間で、粗面化により凹凸が形成された前記ウィンドウ層が露出した露出部を区画しており、
   前記第２半導体層の半導体主面は、前記ウィンドウ層の前記露出部および前記コンタクト層により形成されており、
   前記半導体発光層は、平面視において前記導電基板の側面から内方に間隔を空けて形成され、平面視において前記導電基板の前記側面との間で前記光透過層が露出した露出部を区画し、半導体主面および前記半導体主面の周縁から前記光透過層の前記露出部へ連なる半導体側面を有しており、
   前記導電基板の前記主面および前記Ａｕ系金属層の間に介在する下地バリア電極層と、
   前記光透過層の前記露出部を被覆し、前記導電基板、前記下地バリア電極層、前記Ａｕ系金属層、前記第１バリア電極層、前記光反射層および前記第２バリア電極層の保護層として形成された絶縁性の第１被覆部と、
   前記第１被覆部と一体をなし、前記半導体発光層の前記半導体側面を被覆する絶縁性の第２被覆部と、
   前記第２被覆部と一体をなし、前記半導体発光層の前記半導体主面を被覆する絶縁性の第３被覆部であって、前記半導体側面から前記コンタクト層に向けて延び、前記ウィンドウ層の前記露出部の凹凸を埋めて、前記ウィンドウ層を被覆している前記第３被覆部とを含み、
   前記コンタクト層は、その周縁部が選択的に粗面化され、前記コンタクト層の前記周縁部よりも内側の中心部が粗面化されていない、半導体発光装置。
2. 前記半導体発光層は、少なくとも前記短波長領域の光を生成する、請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記光反射層は、６１０ｎｍを超える波長領域である長波長領域の光反射率が、前記Ａｕ系金属層の光反射率よりも低い光反射特性を有している、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
4. 前記半導体発光層は、化合物半導体層を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
5. 前記半導体発光層は、５００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲に発光波長を有する赤色光を生成する、請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
6. 前記第２バリア電極層は、前記第１バリア電極層とは異なる導電材料を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
7. 前記第１バリア電極層は、Ｔｉ層を含み、
   前記第２バリア電極層は、ＴｉＮ層を含む、請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
8. 前記光透過層は、光透過電極層からなる単層構造を有している、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
9. 前記光透過電極層は、ＩＴＯ層を含む、請求項８に記載の半導体発光装置。
10. 前記光透過層は、前記光反射層側からこの順に積層された光透過電極層および光透過絶縁層を含む積層構造を有している、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
11. 前記光透過電極層は、ＩＴＯ層を含み、
    前記光透過絶縁層は、ＳｉＯ_２層およびＳｉＮ層のいずれか一方または双方を含む、請求項１０に記載の半導体発光装置。
12. 前記光透過層は、光透過絶縁層からなる単層構造を有している、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
13. 前記光透過絶縁層は、ＳｉＯ_２層およびＳｉＮ層のいずれか一方または双方を含む、請求項１２に記載の半導体発光装置。
14. 前記光透過層に埋設され、前記半導体発光層および前記光反射層に電気的に接続されたコンタクト電極をさらに含む、請求項１０～１３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
15. 前記コンタクト電極は、Ａｕ層を含む、請求項１４に記載の半導体発光装置。
16. 前記導電基板は、不純物によって導電性が付与されたＳｉ基板からなる、請求項１～１５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
17. 前記導電基板の前記主面の反対側の第２主面に接続された第１端子電極と、
    前記コンタクト層に接続された第２端子電極と、をさらに含み、
    前記第３被覆部は、さらに、前記第２端子電極の主面を露出させるように前記第２端子電極を部分的に被覆している、請求項１～１６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
18. 前記光反射層は、純Ａｌ層である、請求項１～１７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
19. 前記コンタクト層は、本体部と、平面視において前記本体部から前記ウィンドウ層の周縁に向けて枝状に引き出された枝部とを含む、請求項１～１８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。

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