JP2015050293A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体発光素子は、支持基板上に、n型半導体層と、p型半導体層と、n型半導体層及びp型半導体層の間に形成された発光層を有する構成であって、底面をn型半導体層の上面に接触して形成されたn側電極と、上面をp型半導体層の底面に接触し、n側電極の形成箇所の直下の位置を含む領域に形成された反射電極と、n側電極の形成箇所の直下の位置において、上面を反射電極の底面に接触して形成された第1絶縁層を備える。
【選択図】 図1A
Description
底面を前記n型半導体層の上面に接触して形成されたn側電極と、
上面を前記p型半導体層の底面に接触し、前記n側電極の形成箇所の直下の位置を含む領域に形成された反射電極と、
前記n側電極の形成箇所の直下の位置において、上面を前記反射電極の底面に接触して形成された第1絶縁層を備えたことを特徴とする。
前記n側電極の形成箇所の直下の位置において、前記反射電極と前記p型半導体層に挟まれる位置に形成された第2絶縁層を備え、
前記第2絶縁層が、当該第2絶縁層の直上に位置する前記n側電極よりも前記支持基板の基板面に平行な方向の幅が狭い構成とすることができる。
前記反射電極は、上面に前記第2絶縁層が形成されている領域を除いて、上面の全てが前記p型半導体層の底面と接触している構成とすることができる。
本発明の半導体発光素子の第1実施形態の構成について説明する。
図1Aは、第1実施形態の半導体発光素子の構成を模式的に示す断面図である。半導体発光素子1は、支持基板11、導電層20、絶縁層21、半導体層30及びn側電極(42,43)を含んで構成される。半導体層30は、p型半導体層(32,31)、発光層33、及びn型半導体層35が下からこの順に積層されて形成されている。なお、図1Bは、半導体発光素子1を上面から見たときの模式的な平面図であり、図1Aは、図1BにおけるA−A線断面図に対応している。
支持基板11は、例えばCuW、W、Moなどの導電性基板、又はSiなどの半導体基板で構成される。
支持基板11の上層には、多層構造からなる導電層20が形成されている。この導電層20は、本実施形態では、ハンダ層13、ハンダ層15、保護層17及び反射電極19を含む。
絶縁層21は、例えばSiO2、SiN、Zr2O3、AlN、Al2O3などで構成される。この絶縁層21は、「第1絶縁層」に対応する。
上述したように、半導体層30は、p型半導体層32、p型半導体層31、発光層33、及びn型半導体層35が下からこの順に積層されて形成される。
n側電極(42,43)はn型半導体層35の上層であって、図1Aに示す断面図においてn型半導体層35の端部近傍領域と中央近傍領域に形成され、例えばCr−Auで構成される。端部近傍領域に形成されたものがn側電極43、中央近傍領域に形成されたものがn側電極42に対応する。また、n側電極43には、例えば領域43a及び43bにおいて、Au、Cuなどで構成されるワイヤ45が連絡されており、このワイヤ45の他方は、半導体発光素子1が配置されている基板(支持基板11)の給電パターンなどに接続される(不図示)。つまり、n側電極43は、半導体発光素子1の給電端子として機能している。なお、図1A及び図1Bでは、n側電極42が中央近傍の1箇所に形成される構成としているが、このn側電極42を複数形成することで、格子状に配置するものとしても構わない。更に、n側電極42同士を交差させて網目状に配置しても構わない。
次に、半導体発光素子1の製造方法の一例につき、図2A〜図2Jに示す工程断面図を参照して説明する。なお、以下で説明する製造条件や膜厚などの寸法は、あくまで一例であって、これらの数値に限定されるものではない。
図2Aに示すように、サファイア基板61上にエピ層40を形成する。このステップS1は例えば以下の手順により行われる。
まず、c面サファイア基板61のクリーニングを行う。このクリーニングは、より具体的には、例えばMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属化学気相蒸着)装置の処理炉内にc面サファイア基板61を配置し、処理炉内に流量が10slmの水素ガスを流しながら、炉内温度を例えば1150℃に昇温することにより行われる。
次に、c面サファイア基板61の表面に、GaNよりなる低温バッファ層を形成し、更にその上層にGaNよりなる下地層を形成する。これらの低温バッファ層及び下地層がアンドープ層36に対応する。
次に、アンドープ層36の上層にAlnGa1−nN(0≦n≦1)の組成からなるn型半導体層35を形成する。
次に、n型半導体層35の上層にInGaNで構成される井戸層及びn型AlGaNで構成される障壁層が周期的に繰り返される多重量子井戸構造を有する発光層33を形成する。
次に、発光層33の上層に、AlmGa1−mN(0≦m≦1)で構成されるp型半導体層31を形成する。
更にその後、TMAの供給を停止すると共に、CP2Mgの流量を0.2μmol/minに変更して原料ガスを20秒間供給することにより、厚みが5nm程度で、p型不純物濃度が1×1020/cm3程度のp+GaNよりなるp型半導体層32を形成する。
次に、ステップS1で得られたウェハに対して活性化処理を行う。より具体的には、RTA(Rapid Thermal Anneal:急速加熱)装置を用いて、窒素雰囲気下中650℃で15分間の活性化処理を行う。
次に、図2Bに示すように、p型半導体層32の上面の所定箇所に反射電極19を形成する。ここでは、p型半導体層32の形成領域よりも内側において、p型半導体層32のほぼ全域に反射電極19を形成する場合を示している。より具体的には、後の工程で給電端子としてのn側電極42を形成する領域の直下に位置する箇所を含むように反射電極19を形成する。
次に、図2Cに示すように、反射電極19の上層の所定箇所に絶縁層21を形成する。特に、後の工程でn側電極(42,43)を形成する領域の下方に位置する箇所に絶縁層21を形成する。このとき、図2Cに示すように、絶縁層21の一部が反射電極19の側面を覆うように形成することができる。
図2Dに示すように、金属電極19及び絶縁層21の上面を覆うように保護層17及びハンダ層15を形成する。
次に、図2Fに示すように、サファイア基板61と支持基板11とを貼り合わせる。より具体的には、280℃の温度、0.2MPaの圧力下で、ハンダ層15と支持基板11の上層に形成されたハンダ層13とを貼り合わせる。
次に、図2Gに示すように、サファイア基板61を剥離する。より具体的には、サファイア基板61を上に、支持基板11を下に向けた状態で、サファイア基板61側からKrFエキシマレーザを照射して、サファイア基板61とエピ層40の界面を分解させることでサファイア基板61の剥離を行う。サファイア61はレーザが通過する一方、その下層のGaN(アンドープ層36)はレーザを吸収するため、この界面が高温化してGaNが分解される。これによってサファイア基板61が剥離される。
次に、図2Iに示すように、隣接する素子同士を分離する。具体的には、隣接素子との境界領域に対し、ICP装置を用いて絶縁層21の上面が露出するまで半導体層30をエッチングする。上述したように、このとき絶縁層21はエッチング時のストッパーとしても機能する。
次に、図2Jに示すように、n型半導体層35の上面のうち、絶縁層21が形成されている箇所の直上の位置にn側電極(42,43)を形成する。具体的には、膜厚100nmのCrと膜厚3μmのAuからなる電極を形成した後、窒素雰囲気中で250℃、1分間のシンタリングを行う。
本発明の半導体発光素子の第2実施形態の構成について説明する。なお、第1実施形態と同一の構成については同一の符号を付してその説明を省略する。
図3は、第2実施形態の半導体発光素子の構成を模式的に示す断面図である。半導体発光素子1aは、第1実施形態の半導体発光素子1と比較して、絶縁層22(「第2絶縁層」に対応)を更に備えている。この絶縁層22は、絶縁層21と同様にSiO2、SiN、Zr2O3、AlN、Al2O3などで構成される。
以下、本実施形態の半導体発光素子1aの製造方法につき、第1実施形態と異なる箇所のみを説明する。
次に、図4Aに示すように、p型半導体層32の上層の所定箇所に絶縁層22を形成する。特に、後の工程でn側電極(42,43)を形成する領域の下方に位置する箇所において、n側電極(42,43)よりも水平方向の幅を薄くして絶縁層22を形成する。
次に、図4Bに示すように、p型半導体層32の上面の所定箇所に反射電極19を形成する。このとき、絶縁層22の上層を覆うように反射電極19を形成する。
上述した方法によって製造された第1実施形態の半導体発光素子1を実施例1、第2実施形態の半導体発光素子1aを実施例2とし、図5に示す半導体発光素子50を比較例として、電流電圧特性と発光特性を対比した。
上述の実施形態では、半導体発光素子(1,1a)として、窒化物半導体からなる発光素子を採り上げて説明した。しかし、本発明の構成は、他の半導体からなる発光素子にも適用が可能である。
1a : 第2実施形態の半導体発光素子
1b : 別実施形態の半導体発光素子
11 : 支持基板
13 : ハンダ層
14 : 接合層
15 : ハンダ層
17 : 保護層
19 : 反射電極
20 : 導電層
21 : 絶縁層(第1絶縁層)
22 : 絶縁層(第2絶縁層)
23 : 絶縁層
30 : 半導体層
31 : p型半導体層
32 : p型半導体層
33 : 発光層
35 : n型半導体層
36 : アンドープ層
40 : エピ層
42 : n側電極
43 : n側電極(給電端子)
43a,43b : n側電極上のワイヤ連絡領域
45 : ワイヤ
61 : 拡散層
62 : 中間層
63 : p−クラッド層
64 : 緩和層
65 : n−クラッド層
90 : 従来の半導体発光素子
91 : 支持基板
92 : 導電層
93 : 反射膜
94 : 絶縁層
95 : 反射電極
96 : p型半導体層
97 : 発光層
98 : n型半導体層
99 : 半導体層
100 : n側電極
Claims (5)
- 支持基板上に、n型半導体層と、p型半導体層と、前記n型半導体層及び前記p型半導体層の間に形成された発光層とを有する半導体発光素子であって、
底面を前記n型半導体層の上面に接触して形成されたn側電極と、
上面を前記p型半導体層の底面に接触し、前記n側電極の形成箇所の直下の位置を含む領域に形成された反射電極と、
前記n側電極の形成箇所の直下の位置において、上面を前記反射電極の底面に接触して形成された第1絶縁層を備えたことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記反射電極は、上面の全てが前記p型半導体層の底面と接触していることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記n側電極の形成箇所の直下の位置において、前記反射電極と前記p型半導体層に挟まれる位置に形成された第2絶縁層を備え、
前記第2絶縁層が、当該第2絶縁層の直上に位置する前記n側電極よりも前記支持基板の基板面に平行な方向の幅が狭いことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記反射電極は、上面に前記第2絶縁層が形成されている領域を除いて、上面の全てが前記p型半導体層の底面と接触していることを特徴とする請求項3に記載の半導体発光素子。
- 前記n型半導体層、前記p型半導体層、及び前記発光層の全てが窒化物半導体層で形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018006535A (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-11 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009010215A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
JP2010027643A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2011243956A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 高効率発光ダイオード及びその製造方法 |
WO2012091008A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2012175040A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び発光装置 |
JP2013125929A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04207781A (ja) | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 監視装置 |
JP2976951B2 (ja) | 1994-12-02 | 1999-11-10 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光ダイオードを備えた表示装置 |
CN101459209B (zh) * | 2007-12-14 | 2012-04-18 | 台达电子工业股份有限公司 | 发光二极管装置及其制造方法 |
JP5057398B2 (ja) * | 2008-08-05 | 2012-10-24 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
-
2013
- 2013-08-30 JP JP2013180451A patent/JP2015050293A/ja active Pending
-
2014
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009010215A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
JP2010027643A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2011243956A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 高効率発光ダイオード及びその製造方法 |
WO2012091008A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2012175040A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び発光装置 |
JP2013125929A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018006535A (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-11 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2021129121A (ja) * | 2016-06-30 | 2021-09-02 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
JP7228120B2 (ja) | 2016-06-30 | 2023-02-24 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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