JPS61168283A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS61168283A JPS61168283A JP60007607A JP760785A JPS61168283A JP S61168283 A JPS61168283 A JP S61168283A JP 60007607 A JP60007607 A JP 60007607A JP 760785 A JP760785 A JP 760785A JP S61168283 A JPS61168283 A JP S61168283A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- semiconductor light
- emitting device
- separated
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、複数の発光部を有する半導体発光素子および
、これを支持するとともにその発熱を吸収する支持部材
からなる半導体装置に関する。
、これを支持するとともにその発熱を吸収する支持部材
からなる半導体装置に関する。
第4図は、この種の半導体装置の従来例の斜視図である
。
。
この半導体装置では、3個の発光部5a、 5b、5c
を有するレーザダイオード(以下、L[lという)lに
、発光部5a、 5b、 5cを独立に駆動するための
電極2a、 2b、 2cがそれぞれ設けられ、LDI
を電極8にマウントした後に、このLDIを支持する支
持部材3が接合部材4によりLDIに電気的熱的に接合
されており、電極2a、 2b、 2cに電気信号を印
加することにより、各発光部5a、 5b、 5cから
それぞれの電気信号に対応した光が発生される。
を有するレーザダイオード(以下、L[lという)lに
、発光部5a、 5b、 5cを独立に駆動するための
電極2a、 2b、 2cがそれぞれ設けられ、LDI
を電極8にマウントした後に、このLDIを支持する支
持部材3が接合部材4によりLDIに電気的熱的に接合
されており、電極2a、 2b、 2cに電気信号を印
加することにより、各発光部5a、 5b、 5cから
それぞれの電気信号に対応した光が発生される。
しかし、この半導体装置においては、発光部5a、 5
b、 5cのピッチを小さくしていくと、(1)熱的な
相互作用(クロストーク)により発光部5a。
b、 5cのピッチを小さくしていくと、(1)熱的な
相互作用(クロストーク)により発光部5a。
5b、 5cを有する隣接するLDの特性が変化する、
(2)各々のLDは独立駆動形態ではあるが、隣のLD
に電流が流れ込み、本来発光すべきでない所が光り出す
、(3)発光部5a、 5b、 5cの一つのストライ
ブ内への光を閉じ込めが十分でない場合、光が洩れて隣
接するストライプが発光するなどの問題がある。第5図
は半導体装置の別の従来例の斜視図で、LD6の結晶内
にクサビ状の溝を設け、支持部材7上の電極8を最初か
ら独立駆動用として構成した例である。この半導体装置
は熱的には第4図の半導体装置と同様にクロストークが
見られ、またLD6と支持部材7の接合部分において接
合部材18が電極8の間へ流れ込むことによるショート
も考えられ、構造的には十分ではない。
(2)各々のLDは独立駆動形態ではあるが、隣のLD
に電流が流れ込み、本来発光すべきでない所が光り出す
、(3)発光部5a、 5b、 5cの一つのストライ
ブ内への光を閉じ込めが十分でない場合、光が洩れて隣
接するストライプが発光するなどの問題がある。第5図
は半導体装置の別の従来例の斜視図で、LD6の結晶内
にクサビ状の溝を設け、支持部材7上の電極8を最初か
ら独立駆動用として構成した例である。この半導体装置
は熱的には第4図の半導体装置と同様にクロストークが
見られ、またLD6と支持部材7の接合部分において接
合部材18が電極8の間へ流れ込むことによるショート
も考えられ、構造的には十分ではない。
なお、第6図のように、ハイブリット構造にすでに分離
されて構成されたLD9a、 9b、 !3cをそれぞ
れの電極10a、 10b、 10cに熱的、電気的に
接合し、LD8a、 9b、 9cと電極10a、10
b、10cを一組宛独立に駆動する方法も考えられるが
、記録媒体への書込み、例えばレーザビームプリンタで
使われるような光学走査系を想定すると、一般のLDの
光束を平行化するレンズの焦点深度は通常5〜10%程
度であるノテ、LD9a、 9b、 9cの接合の位置
精度が10u以下ときわめてきびしい状況となる。すな
わち、量産性を考えるとこの方法は現実的には無理とい
うことになる。
されて構成されたLD9a、 9b、 !3cをそれぞ
れの電極10a、 10b、 10cに熱的、電気的に
接合し、LD8a、 9b、 9cと電極10a、10
b、10cを一組宛独立に駆動する方法も考えられるが
、記録媒体への書込み、例えばレーザビームプリンタで
使われるような光学走査系を想定すると、一般のLDの
光束を平行化するレンズの焦点深度は通常5〜10%程
度であるノテ、LD9a、 9b、 9cの接合の位置
精度が10u以下ときわめてきびしい状況となる。すな
わち、量産性を考えるとこの方法は現実的には無理とい
うことになる。
本発明の目的は、クロストークのない独立駆動可能な複
数の発光部を有する半導体発光装置を提供することであ
る。
数の発光部を有する半導体発光装置を提供することであ
る。
本発明は、半導体発光素子と電極材料が一対として複数
の互に分離された部分で構成されていることを特徴とす
る。
の互に分離された部分で構成されていることを特徴とす
る。
図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明による半導体発光装置の一実施例の断
面図である。
面図である。
ダブルへテロウェーハ11は、n形ガリウム砒素(以下
、GaAsという)基板にGaAsおよびアルミニウム
・ガリウム砒素(以下AfGaAsという)を成長させ
たダブルへテロ(以下、DHという)ウェーハである。
、GaAsという)基板にGaAsおよびアルミニウム
・ガリウム砒素(以下AfGaAsという)を成長させ
たダブルへテロ(以下、DHという)ウェーハである。
電極12および13は、それぞれDHウェーハのn側お
よびp側の電極であり、電極14はLDマウント16上
の金電極であり、電極13と金−亜鉛のようなロウ材1
5により接合されている。また、この半導体発光装置は
LDマウント16の一部を除いて半導体発光素子と電極
材料が一対として互に分離された複数の部分からなって
いる。
よびp側の電極であり、電極14はLDマウント16上
の金電極であり、電極13と金−亜鉛のようなロウ材1
5により接合されている。また、この半導体発光装置は
LDマウント16の一部を除いて半導体発光素子と電極
材料が一対として互に分離された複数の部分からなって
いる。
第2図は本実施例の半導体発光素子の分離前の断面図を
示す。この状態から電極12およびLDマウント1B上
に、たとえばAZ1350のレジストが一様に塗布され
、これにLDおよび電極12のパターンが形成されてい
るマスクをセットして光学的手段により露光を行なう。
示す。この状態から電極12およびLDマウント1B上
に、たとえばAZ1350のレジストが一様に塗布され
、これにLDおよび電極12のパターンが形成されてい
るマスクをセットして光学的手段により露光を行なう。
つぎに、ウェットエツチングにより、たとえばヨウ化カ
リウム−ヨウ素溶液その他のエツチング液でまづ電極部
12を抜き、つぎにGaAs層およびjLfGaAs層
よりなる08層11を、たとえばプロメタノールのよう
な専用のエツチング液で抜く。これは約4牌/分の速度
でエツチングできるので、合計 100騨の厚さの08
層11でも25分程度で抜くことがてきる。さらに、電
極材料13゜14、接合材料15、および支持部材1B
の一部を抜く。このようにして、各LDが絶縁支持部材
上で分離されて、これらを独立駆動することが可能とな
る。
リウム−ヨウ素溶液その他のエツチング液でまづ電極部
12を抜き、つぎにGaAs層およびjLfGaAs層
よりなる08層11を、たとえばプロメタノールのよう
な専用のエツチング液で抜く。これは約4牌/分の速度
でエツチングできるので、合計 100騨の厚さの08
層11でも25分程度で抜くことがてきる。さらに、電
極材料13゜14、接合材料15、および支持部材1B
の一部を抜く。このようにして、各LDが絶縁支持部材
上で分離されて、これらを独立駆動することが可能とな
る。
第3図は、本実施例の半導体発光装置11a、llb。
11cとこれを外部に接続する配線1?a、17b、1
7cを含む斜視図である。
7cを含む斜視図である。
本実施例においては、化学的なウェットエツチングによ
り、LD並びに駆動回路の同時分離により所望の半導体
発光装置を得たが、反応性イオンビームエツチング法、
ガスレーザ、あるいはダイヤモンド切断砥石による分離
によっても得ることができる。
り、LD並びに駆動回路の同時分離により所望の半導体
発光装置を得たが、反応性イオンビームエツチング法、
ガスレーザ、あるいはダイヤモンド切断砥石による分離
によっても得ることができる。
本発明の半導体発光装置は、LDの支持部材上に接合さ
れた半導体発光素子とそれぞれの駆動回路を一対として
分離されたLDにより、電気的、光学的、熱的なりロス
トークのない独立駆動を容易とする効果がある。
れた半導体発光素子とそれぞれの駆動回路を一対として
分離されたLDにより、電気的、光学的、熱的なりロス
トークのない独立駆動を容易とする効果がある。
第1図は本発明の半導体発光装置の一実施例断面図、第
2図は第1図の実施例のLD分離前の断面図、第3図は
この実施例の斜視図、第4図は従来例の斜視図、第5図
は他の従来例の斜視図、第6図はさらに別の従来例の斜
視図である。 11−−−レーザダイオード、 12、13.14−m−電極材料、 15−m−接合部材、 16一−−支持部材。 第 1 図 第2図 第 3 図 ♀ 」 /lc7 区 区 tn <D録
昧
2図は第1図の実施例のLD分離前の断面図、第3図は
この実施例の斜視図、第4図は従来例の斜視図、第5図
は他の従来例の斜視図、第6図はさらに別の従来例の斜
視図である。 11−−−レーザダイオード、 12、13.14−m−電極材料、 15−m−接合部材、 16一−−支持部材。 第 1 図 第2図 第 3 図 ♀ 」 /lc7 区 区 tn <D録
昧
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数の発光部を有する半導体発光素子および電極材料を
んで該半導体発光素子と接合されてこれを支持するとと
もに、その発熱を吸収する支持部材からなる半導体発光
装置において、 前記半導体発光素子と前記電極材料が一対として複数の
互いに分離された部分で構成されていることを特徴とす
る半導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60007607A JPS61168283A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60007607A JPS61168283A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61168283A true JPS61168283A (ja) | 1986-07-29 |
Family
ID=11670490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60007607A Pending JPS61168283A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61168283A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5386139A (en) * | 1992-04-16 | 1995-01-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element with improved structure of groove therein |
WO2000049691A1 (en) * | 1999-02-19 | 2000-08-24 | Presstek, Inc. | Emitter array with individually addressable laser diodes |
NL1029688C2 (nl) * | 2005-08-05 | 2007-02-06 | Lemnis Lighting Ip Gmbh | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrische schakeling voorzien van een veelvoud van LED's. |
GB2615782A (en) * | 2022-02-17 | 2023-08-23 | Exalos Ag | Monolithic edge-emitting semicon-ductor diode arrays |
-
1985
- 1985-01-21 JP JP60007607A patent/JPS61168283A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5386139A (en) * | 1992-04-16 | 1995-01-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element with improved structure of groove therein |
WO2000049691A1 (en) * | 1999-02-19 | 2000-08-24 | Presstek, Inc. | Emitter array with individually addressable laser diodes |
US6348358B1 (en) | 1999-02-19 | 2002-02-19 | Presstek, Inc. | Emitter array with individually addressable laser diodes |
NL1029688C2 (nl) * | 2005-08-05 | 2007-02-06 | Lemnis Lighting Ip Gmbh | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrische schakeling voorzien van een veelvoud van LED's. |
WO2007052241A2 (en) * | 2005-08-05 | 2007-05-10 | Lemnis Lighting Ip Gmbh | Method for preparing an electric comprising multiple leds |
WO2007052241A3 (en) * | 2005-08-05 | 2007-08-16 | Lemnis Lighting Ip Gmbh | Method for preparing an electric comprising multiple leds |
GB2615782A (en) * | 2022-02-17 | 2023-08-23 | Exalos Ag | Monolithic edge-emitting semicon-ductor diode arrays |
EP4231469A1 (en) * | 2022-02-17 | 2023-08-23 | Exalos AG | Monolithic edge-emitting semiconductor diode arrays |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1534841B (zh) | 半导体激光器元件及其制造方法 | |
US6919641B2 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
JP3685306B2 (ja) | 2波長半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
US5521931A (en) | Nonmonolithic arrays of accurately positioned diode lasers | |
US20040037333A1 (en) | Semiconductor laser device and method for fabricating the same | |
TWI296455B (en) | Semiconductor laser apparatus | |
KR101679852B1 (ko) | 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
US5852624A (en) | Semiconductor laser element, method of manufacturing semiconductor laser element, and laser diode module | |
JP2002344061A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
US7374959B2 (en) | Two-wavelength semiconductor laser device and method of manufacturing the same | |
JPS61168283A (ja) | 半導体発光装置 | |
JPH01281786A (ja) | アレイレーザ | |
JP4614715B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP3093646B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP4755199B2 (ja) | 多波長集積半導体レーザ装置の製造方法 | |
GB2293687A (en) | Semiconductor laser device and method of fabrication semiconductor laser device | |
JPH09232677A (ja) | 半導体レーザ | |
JP2737625B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH09205248A (ja) | 半導体レーザ | |
JPH04192483A (ja) | 半導体アレイレーザ装置 | |
JP2002232063A (ja) | 半導体レーザ装置及び光ピックアップ装置 | |
JP3200916B2 (ja) | 半導体レーザ及び半導体レーザ素子 | |
JPH0297082A (ja) | 多点発光型半導体レーザ | |
JP2006024665A (ja) | アレイ型半導体レーザ装置 | |
JP2005142224A (ja) | 半導体レーザ素子の実装方法 |