JP3200916B2 - 半導体レーザ及び半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ及び半導体レーザ素子Info
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- JP3200916B2 JP3200916B2 JP02824592A JP2824592A JP3200916B2 JP 3200916 B2 JP3200916 B2 JP 3200916B2 JP 02824592 A JP02824592 A JP 02824592A JP 2824592 A JP2824592 A JP 2824592A JP 3200916 B2 JP3200916 B2 JP 3200916B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マルチビームの量子井
戸構造の半導体レーザ、特に好ましくはサブプレートに
実装可能な半導体レーザ及び半導体レーザ素子に関す
る。
戸構造の半導体レーザ、特に好ましくはサブプレートに
実装可能な半導体レーザ及び半導体レーザ素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、マルチビームの量子井戸構造の半
導体レーザでは、各光ビームを導く光導波路の間隔に関
して明確な限定がなかった。
導体レーザでは、各光ビームを導く光導波路の間隔に関
して明確な限定がなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体レーザ
をジャンクションダウンで実装する場合、各光ビームを
導く光導波路の間隔が狭すぎると、１つの光導波路の融
着用金属と、隣接する光導波路の融着用金属がダイボン
ディングする際に接触してしまうため、各々の光ビーム
を独立に駆動することができなくなってしまった。
をジャンクションダウンで実装する場合、各光ビームを
導く光導波路の間隔が狭すぎると、１つの光導波路の融
着用金属と、隣接する光導波路の融着用金属がダイボン
ディングする際に接触してしまうため、各々の光ビーム
を独立に駆動することができなくなってしまった。
【０００４】そこで本発明はこのような問題点を解決す
るもので、その目的は、複数の光ビームを独立に駆動で
きる、信頼性の高い半導体レーザを提供するところにあ
る。
るもので、その目的は、複数の光ビームを独立に駆動で
きる、信頼性の高い半導体レーザを提供するところにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明における請求項１
に記載の半導体レーザは、同一基板上に２つ以上の光導
波路を有する半導体レーザであって、前記光導波路それ
ぞれの中央の間隔が２００μｍ以上で構成され、前記半
導体レーザをサブプレートに実装可能な２つ以上の融着
用部材を備え、前記融着用部材は、前記基板面に平行
で、かつ、前記光導波路からのレーザ光の出射方向と垂
直方向における長さが１５０μｍ以上であり、かつ、隣
合う融着用部材との間隔が５０μｍ以上であるととも
に、前記半導体レーザを前記サブプレートに実装する際
に該サブプレート上に形成された配線用電極とそれぞれ
一致するよう配列されていることを特徴とする。また、
請求項２に記載の半導体レーザは、前記融着用部材が複
数の金属層により構成されることを特徴とする。更に、
請求項３記載の半導体レーザ素子は、請求項１又は２記
載の半導体レーザとサブプレートを有し、該半導体レー
ザが該サブプレートにジャンクションダウンで実装され
たことを特徴とする。
に記載の半導体レーザは、同一基板上に２つ以上の光導
波路を有する半導体レーザであって、前記光導波路それ
ぞれの中央の間隔が２００μｍ以上で構成され、前記半
導体レーザをサブプレートに実装可能な２つ以上の融着
用部材を備え、前記融着用部材は、前記基板面に平行
で、かつ、前記光導波路からのレーザ光の出射方向と垂
直方向における長さが１５０μｍ以上であり、かつ、隣
合う融着用部材との間隔が５０μｍ以上であるととも
に、前記半導体レーザを前記サブプレートに実装する際
に該サブプレート上に形成された配線用電極とそれぞれ
一致するよう配列されていることを特徴とする。また、
請求項２に記載の半導体レーザは、前記融着用部材が複
数の金属層により構成されることを特徴とする。更に、
請求項３記載の半導体レーザ素子は、請求項１又は２記
載の半導体レーザとサブプレートを有し、該半導体レー
ザが該サブプレートにジャンクションダウンで実装され
たことを特徴とする。
【０００６】
【実施例】実施例に、３ビームの高出力パルス駆動半導
体レーザ素子の場合を述べる。
体レーザ素子の場合を述べる。
【０００７】本発明の実施例における半導体レーザの斜
視図を図１に示す。以下に製造順序に従い説明する。ｎ
型ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１
０２を０．５μｍ、ｎ型Ａｌ0.31Ｇａ0.69Ａｓクラッド
層１０３を１．０μｍ、ｎ型Ａｌ0.21Ｇａ0.79Ａｓ光閉
じ込め層１０４を０．１μｍ、ＧａＡｓとＡｌ0.21Ｇａ
0.79Ａｓから成る多重量子井戸活性層１０５、ｐ型Ａｌ
0.21Ｇａ0.79光閉じ込め層１０６を０．５μｍ、ｐ型Ａ
ｌ0.31Ｇａ0.69Ａｓクラッド層１０７を１．０μｍ、ｐ
型ＧａＡｓコンタクト層１０８を０．６μｍを順次有機
金属化学気相成長法で成長する。
視図を図１に示す。以下に製造順序に従い説明する。ｎ
型ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１
０２を０．５μｍ、ｎ型Ａｌ0.31Ｇａ0.69Ａｓクラッド
層１０３を１．０μｍ、ｎ型Ａｌ0.21Ｇａ0.79Ａｓ光閉
じ込め層１０４を０．１μｍ、ＧａＡｓとＡｌ0.21Ｇａ
0.79Ａｓから成る多重量子井戸活性層１０５、ｐ型Ａｌ
0.21Ｇａ0.79光閉じ込め層１０６を０．５μｍ、ｐ型Ａ
ｌ0.31Ｇａ0.69Ａｓクラッド層１０７を１．０μｍ、ｐ
型ＧａＡｓコンタクト層１０８を０．６μｍを順次有機
金属化学気相成長法で成長する。
【０００８】図２に、図１における多重量子井戸活性層
１０５の詳細を示す断面図を示す。ＧａＡｓ量子井戸層
２０１が３層、Ａｌ0.21Ｇａ0.79Ａｓ障壁層２０２が２
層、交互に形成されている。ここで量子井戸層の厚さ１
０ｎｍ、障壁層の厚さ７ｎｍである。
１０５の詳細を示す断面図を示す。ＧａＡｓ量子井戸層
２０１が３層、Ａｌ0.21Ｇａ0.79Ａｓ障壁層２０２が２
層、交互に形成されている。ここで量子井戸層の厚さ１
０ｎｍ、障壁層の厚さ７ｎｍである。
【０００９】次に熱ＣＶＤ法によりＳｉＯ2 層１０９を
堆積させ、通常のフォト工程とエッチング工程により、
ストライプ状にｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８を露出
させた部分を３本形成する。露出部の幅は３００μｍ
で、その間隔は７００μｍである。
堆積させ、通常のフォト工程とエッチング工程により、
ストライプ状にｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８を露出
させた部分を３本形成する。露出部の幅は３００μｍ
で、その間隔は７００μｍである。
【００１０】ｐ型オーミック電極１１０Ａ、１１０Ｂ、
１１０Ｃを、レジストパターニング、蒸着及びリフトオ
フ工程で形成した後、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面を
研磨し、ｎ型オーミック電極１１１を形成する。
１１０Ｃを、レジストパターニング、蒸着及びリフトオ
フ工程で形成した後、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面を
研磨し、ｎ型オーミック電極１１１を形成する。
【００１１】最後に、ｐ型オーミック電極１１０Ａ、１
１０Ｂ、１１０Ｃの上部に融着用金属層１１２Ａ、１１
２Ｂ、１１２Ｃを形成する。この後ウェハを共振器方向
に垂直な面でへき開し、へき開面に誘電体膜をコーティ
ングした後、個々にチップをへき開して半導体レーザを
完成する。
１０Ｂ、１１０Ｃの上部に融着用金属層１１２Ａ、１１
２Ｂ、１１２Ｃを形成する。この後ウェハを共振器方向
に垂直な面でへき開し、へき開面に誘電体膜をコーティ
ングした後、個々にチップをへき開して半導体レーザを
完成する。
【００１２】図３に本実施例の半導体レーザの上視図を
示す。半導体レーザのｘ方向の長さは４５０μｍ、ｙ方
向の長さは３ｍｍで、露出した３本のｐ型ＧａＡｓコン
タクト層１０８の各中心間の間隔は１ｍｍである。融着
用金属層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃはｘ方向の長さ
３００μｍ、ｙ方向の長さ５００μｍで、その中心はｐ
型ＧａＡｓコンタクト層１０８の各中央に一致してい
る。また隣合う融着用金属層どうしの間隔は５００μｍ
である。融着用金属層はｐ型オーミック電極側から順
に、Ｃｒ層、Ａｕ層、ＡｕＳｎ層、Ｓｎ層で構成され、
その主体であるＡｕＳｎ層の厚さは１μｍである。
示す。半導体レーザのｘ方向の長さは４５０μｍ、ｙ方
向の長さは３ｍｍで、露出した３本のｐ型ＧａＡｓコン
タクト層１０８の各中心間の間隔は１ｍｍである。融着
用金属層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃはｘ方向の長さ
３００μｍ、ｙ方向の長さ５００μｍで、その中心はｐ
型ＧａＡｓコンタクト層１０８の各中央に一致してい
る。また隣合う融着用金属層どうしの間隔は５００μｍ
である。融着用金属層はｐ型オーミック電極側から順
に、Ｃｒ層、Ａｕ層、ＡｕＳｎ層、Ｓｎ層で構成され、
その主体であるＡｕＳｎ層の厚さは１μｍである。
【００１３】この半導体レーザをサブプレートにダイボ
ンディングした斜視図を図４に示す。半導体レーザはｎ
型オーミック電極１１１が上に、エピタキシャル成長層
４０１を下にしてジャンクションダウンでサブプレート
４０２にダイボンディングされる。この際、融着用金属
層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃは、配線用電極４０３
Ａ、４０３Ｂ、４０３Ｃとそれぞれ一致するようにダイ
ボンディングされる。ダイボンディング後の融着用金属
層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃは、ダイボンディング
時の熱と加重により、図３の点線で示した範囲へ広がる
が、各々は接触しない。したがって、レーザ光はｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層１０８を露出させた部分の直下の多
重量子井戸活性層１０５から図３及び図４のｘ方向へ出
射されるが、この時、通電する３つの配線用電極を選べ
ば３本の光ビームを独立に制御できる。
ンディングした斜視図を図４に示す。半導体レーザはｎ
型オーミック電極１１１が上に、エピタキシャル成長層
４０１を下にしてジャンクションダウンでサブプレート
４０２にダイボンディングされる。この際、融着用金属
層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃは、配線用電極４０３
Ａ、４０３Ｂ、４０３Ｃとそれぞれ一致するようにダイ
ボンディングされる。ダイボンディング後の融着用金属
層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃは、ダイボンディング
時の熱と加重により、図３の点線で示した範囲へ広がる
が、各々は接触しない。したがって、レーザ光はｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層１０８を露出させた部分の直下の多
重量子井戸活性層１０５から図３及び図４のｘ方向へ出
射されるが、この時、通電する３つの配線用電極を選べ
ば３本の光ビームを独立に制御できる。
【００１４】この半導体レーザのそれぞれの光ビーム
を、パルス幅５０ｎ秒、７ｋＨｚでパルス駆動すると、
光出力の先頭値で５０Ｗの最大光出力が得られる。
を、パルス幅５０ｎ秒、７ｋＨｚでパルス駆動すると、
光出力の先頭値で５０Ｗの最大光出力が得られる。
【００１５】表１に、露出した３本のｐ型ＧａＡｓコン
タクト層１０８の各中心間の間隔（Ａ）、各融着用金属
層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃのｙ方向の長さ
（Ｂ）、隣合う融着用金属層どうしの間隔（Ｃ＝Ａ−
Ｂ）と、各光ビーム電極間の短絡の有無、及びボンディ
ング強度の良否の関係を示す。ここでは露出したｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層１０８の幅を５０μｍとしている。
タクト層１０８の各中心間の間隔（Ａ）、各融着用金属
層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃのｙ方向の長さ
（Ｂ）、隣合う融着用金属層どうしの間隔（Ｃ＝Ａ−
Ｂ）と、各光ビーム電極間の短絡の有無、及びボンディ
ング強度の良否の関係を示す。ここでは露出したｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層１０８の幅を５０μｍとしている。
【００１６】表１に示すように、融着金属層のｙ方向の
長さは、１５０μｍ以上ないとボンディング強度が低下
し、振動などにより取れる可能性がでてくる。また隣合
う融着金属層との間隔は５０μｍ以上ないと短絡してし
まう。したがって、光導波路の間隔（ここでは、露出し
たｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８の各中心間の間隔に
等しい。）が２００μｍ以上なければならないことがわ
かる。表１の結果は、融着金属層の種類、膜厚、ダイボ
ンディング条件によって、若干違いがでるが、いずれも
２００μｍ以上は必要である。また半導体レーザは、融
着金属層を介して、放熱を行なうため、融着金属層は短
絡を起こさない範囲で、なるべく広い範囲になることが
望ましく、光導波路の間隔を２００μｍ以上にして融着
金属層の範囲を拡大すれば、同時に半導体レーザの温度
特性を改善することになる。
長さは、１５０μｍ以上ないとボンディング強度が低下
し、振動などにより取れる可能性がでてくる。また隣合
う融着金属層との間隔は５０μｍ以上ないと短絡してし
まう。したがって、光導波路の間隔（ここでは、露出し
たｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８の各中心間の間隔に
等しい。）が２００μｍ以上なければならないことがわ
かる。表１の結果は、融着金属層の種類、膜厚、ダイボ
ンディング条件によって、若干違いがでるが、いずれも
２００μｍ以上は必要である。また半導体レーザは、融
着金属層を介して、放熱を行なうため、融着金属層は短
絡を起こさない範囲で、なるべく広い範囲になることが
望ましく、光導波路の間隔を２００μｍ以上にして融着
金属層の範囲を拡大すれば、同時に半導体レーザの温度
特性を改善することになる。
【００１７】このように光導波路の間隔を２００μｍ以
上にすることによって、各光ビームを独立に駆動するこ
とができ、かつ、十分なダイボンディング強度の得られ
る実装が可能な、温度特性の良い半導体レーザができ
る。
上にすることによって、各光ビームを独立に駆動するこ
とができ、かつ、十分なダイボンディング強度の得られ
る実装が可能な、温度特性の良い半導体レーザができ
る。
【００１８】
【表１】
【００１９】本実施例では、ＳｉＯ2 で電流狭窄された
３ビームの半導体レーザの場合を述べたが、埋め込み構
造や、リッジ構造など他の構造、あるいは他の材料であ
っても、もちろん本発明は有効である。
３ビームの半導体レーザの場合を述べたが、埋め込み構
造や、リッジ構造など他の構造、あるいは他の材料であ
っても、もちろん本発明は有効である。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば以下
のような効果を有する。
のような効果を有する。
【００２１】半導体レーザをサブプレートに実装可能な
融着用部材の、基板面に平行で、かつ、光導波路からの
レーザ光の出射方向と垂直方向における長さを１５０μ
ｍ以上とすることにより、十分なボンディング強度を保
つことができ、また、隣合う融着用部材の間隔を５０μ
ｍ以上とすることにより、融着用部材のしみだしによる
短絡のないダイボンディングが可能なマルチビームの半
導体レーザが得られる。また、光導波路の中央の間隔に
おける限定を、２００μｍ以上と明確にすることができ
る。更に、融着する範囲が広くとれるので、放熱性が良
くなり、温度特性の優れたマルチビームの量子井戸構造
半導体レーザができる。その結果、特に量子井戸構造の
特色を活かした、広い温度範囲での高出力発振が、独立
した複数の光ビームで可能となる。
融着用部材の、基板面に平行で、かつ、光導波路からの
レーザ光の出射方向と垂直方向における長さを１５０μ
ｍ以上とすることにより、十分なボンディング強度を保
つことができ、また、隣合う融着用部材の間隔を５０μ
ｍ以上とすることにより、融着用部材のしみだしによる
短絡のないダイボンディングが可能なマルチビームの半
導体レーザが得られる。また、光導波路の中央の間隔に
おける限定を、２００μｍ以上と明確にすることができ
る。更に、融着する範囲が広くとれるので、放熱性が良
くなり、温度特性の優れたマルチビームの量子井戸構造
半導体レーザができる。その結果、特に量子井戸構造の
特色を活かした、広い温度範囲での高出力発振が、独立
した複数の光ビームで可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に於ける半導体レーザの斜視
図。
図。
【図２】本発明の実施例に於ける半導体レーザの多重量
子井戸層の詳細を示す断面図。
子井戸層の詳細を示す断面図。
【図３】本発明の実施例に於ける半導体レーザの上視
図。
図。
【図４】本発明の実施例に於ける半導体レーザをサブプ
レートにダイボンディングした斜視図。
レートにダイボンディングした斜視図。
１０１ ｎ型ＧａＡｓ基板 １０２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 １０３ ｎ型Ａｌ0.31Ｇａ0.69Ａｓクラッド層 １０４ ｎ型Ａｌ0.21Ｇａ0.79Ａｓ光閉じ込め層 １０５ 多重量子井戸活性層 １０６ ｐ型Ａｌ0.21Ｇａ0.79光閉じ込め層 １０７ ｐ型Ａｌ0.31Ｇａ0.69Ａｓクラッド層 １０８ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 １０９ ＳｉＯ2層 １１０Ａ、１１０Ｂ、１１０Ｃ ｐ型オーミック電極 １１１ ｎ型オーミック電極 １１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ 融着用金属層 ２０１ ＧａＡｓ量子井戸層 ２０２ Ａｌ0.21Ｇａ0.79Ａｓ障壁層 ４０１ エピタキシャル成長層 ４０２ サブプレート ４０３Ａ、４０３Ｂ、４０３Ｃ 配線用電極
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (3)
- 【請求項１】 同一基板上に２つ以上の光導波路を有す
る半導体レーザにおいて、 前記光導波路それぞれの中央の間隔が２００μｍ以上で
構成され、 前記半導体レーザをサブプレートに実装可能な２つ以上
の融着用部材を備え、 前記融着用部材は、 前記基板面に平行で、かつ、前記光導波路からのレーザ
光の出射方向と垂直方向における長さが１５０μｍ以上
であり、 かつ、隣合う融着用部材との間隔が５０μｍ以上である
とともに、 前記半導体レーザを前記サブプレートに実装する際に該
サブプレート上に形成された配線用電極とそれぞれ一致
するよう配列されていることを特徴とする半導体レー
ザ。 - 【請求項２】 前記融着用部材が複数の金属層により構
成されることを特徴とする請求項１記載の半導体レー
ザ。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体レーザとサ
ブプレートを有し、該半導体レーザが該サブプレートに
ジャンクションダウンで実装されたことを特徴とする半
導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02824592A JP3200916B2 (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 半導体レーザ及び半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02824592A JP3200916B2 (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 半導体レーザ及び半導体レーザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226771A JPH05226771A (ja) | 1993-09-03 |
| JP3200916B2 true JP3200916B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=12243202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02824592A Expired - Lifetime JP3200916B2 (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 半導体レーザ及び半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3200916B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100764393B1 (ko) | 2006-02-22 | 2007-10-05 | 삼성전기주식회사 | 고출력 어레이형 반도체 레이저 장치 제조방법 |
| JP5323008B2 (ja) * | 2010-06-25 | 2013-10-23 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
-
1992
- 1992-02-14 JP JP02824592A patent/JP3200916B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05226771A (ja) | 1993-09-03 |
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