JP2003282939A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体発光装置及びその製造方法

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JP2003282939A JP2002085530A JP2002085530A JP2003282939A JP 2003282939 A JP2003282939 A JP 2003282939A JP 2002085530 A JP2002085530 A JP 2002085530A JP 2002085530 A JP2002085530 A JP 2002085530A JP 2003282939 A JP2003282939 A JP 2003282939A
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Hiroyuki Fujiwara
博之 藤原
Susumu Ozawa
進 小澤
Masaharu Nobori
正治 登
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の発光部の拡散開口部の面積を小さく、
かつ、複数の発光部を高密度に形成することができる半
導体発光装置及びその製造方法を提供することにある。 【解決手段】 形成すべき複数の発光部１１の並び方向
に、所望の拡散開口部１１ａより広い範囲に渡る拡散開
口部１１ｂを有する拡散領域１２ｂを形成した後、複数
の分離溝１７を形成することにより、所望の拡散開口部
１１ａを有する複数の拡散領域１２（発光部１１）を形
成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、第１導電型の半
導体に第２導電型の不純物を拡散して形成される複数の
発光部を有する半導体発光装置及びその製造方法に関
し、特に、複数の発光部を高密度に形成することができ
る半導体発光装置及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体発光装置として、複数の発
光部をアレイ状に配置した発光素子アレイが知られてい
る。発光部としてＬＥＤ（light emitting diode；発光
ダイオード）を採用したものは、ＬＥＤアレイと呼ばれ
る。ＬＥＤアレイは、例えば、電子写真プリンタの露光
装置の光源に使用されている。
【０００３】従来のＬＥＤアレイは、例えば、「ＬＥＤ
プリンタの設計」トリケップス社の第６０頁に開示され
ている（図２８）。図２８は、従来のＬＥＤアレイの一
例を示す図であり、図２８（ａ）は、ＬＥＤアレイの断
面構造を示す図、図２８（ｂ）は、ＬＥＤアレイのチッ
プパターンを示す図である。
【０００４】図２８に示されるように、このＬＥＤアレ
イは、複数の発光部３を備える。これらの発光部３は、
第１導電型（ｎ型）のＧａＡｓ基板１上に第１導電型の
エピキャシタル層（ｎ型のＧａＡｓ０．６Ｐ０．４層）
２を形成した後、Ｚｎ等の第２導電型（ｐ型）の不純物
を選択拡散することにより形成される。各発光部３のそ
れぞれの個別電極（Ａｌ電極）４は、それぞれの発光部
３に電気的に接続されるように絶縁層６をはさんでエピ
キャシタル層２上に形成される。各個別電極４は、それ
ぞれの電極パッド７に電気的に接続されている。共通電
極（Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ電極）５は、ｎ型のＧａＡｓ基板
１に電気的に接続されるように、その下方に形成されて
いる。
【０００５】近年、ますます電子写真プリンタの印刷画
像の鮮明さが要求され、その解像度の向上が望まれてい
る。このため、露光装置の光源となるＬＥＤアレイの解
像度の向上が要求され、ＬＥＤアレイを構成する各発光
部をいっそう高密度に形成することが望まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図２９は、発光部のサ
イズと密度との関係を示す図である。図３０は、拡散領
域の幅と拡散深さとの関係を示す図である。図２９に示
されるように、例えば、発光部３の幅（並び方向の長
さ）と隣合う２つの発光部３間の間隔とが１：１となる
ように複数の発光部３を形成するものとする。この場
合、発光部３の幅を変えない限り、２倍以上の配置密度
で複数の発光部３を形成することはできない。複数の発
光部３をより高密度に形成するには、発光部３のサイズ
（拡散開口部の面積）を小さくする必要がある。
【０００７】図２９中、発光部３ａ、発光部３ｂに示さ
れるように、発光部３のサイズを小さくすると、複数の
発光部３をより高密度に形成することができるものの、
図３０に示されるように、拡散深さが浅くなるため、十
分な深さの拡散領域を形成することができず、所望の発
光出力を有する発光部３を形成することが困難となる。
【０００８】この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたものであり、その目的は、形成すべき複数の
発光部の並び方向に、所望の拡散開口部を有する発光部
３より広い範囲に渡り拡散を行い、十分な拡散深さを有
する拡散領域を形成した後、所望の拡散開口部を有する
複数の発光部を形成するように、隣合う２つの発光部間
を分離して形成するための複数の分離溝を設けること
で、複数の発光部の拡散開口部の面積を小さく、かつ、
複数の発光部を高密度に形成することができる半導体発
光装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る半導体発
光装置は、第１導電型の半導体に第２導電型の不純物を
拡散して形成される複数の発光部を有する半導体発光装
置において、所望の発光出力を得るのに十分な拡散深さ
を有する第２導電型の不純物が拡散された１以上の拡散
領域を分離し、複数の発光部を形成するための複数の分
離溝を備えることを特徴とするものである。
【００１０】請求項２に係る半導体発光装置は、請求項
１に係る半導体発光装置において、複数の分離溝を形成
する前にあらかじめ形成される拡散領域は、１つの拡散
領域からなることを特徴とするものである。
【００１１】請求項３に係る半導体発光装置は、請求項
２に係る半導体発光装置において、複数の分離溝の深さ
は、拡散領域より深いことを特徴とするものである。
【００１２】請求項４に係る半導体発光装置は、請求項
１に係る半導体発光装置において、複数の分離溝を形成
する前にあらかじめ形成される拡散領域は、形成すべき
複数の発光部のそれぞれに分離し形成されることを特徴
とするものである。
【００１３】請求項５に係る半導体発光装置は、請求項
４に係る半導体発光装置において、複数の分離溝の深さ
は、拡散領域より深いことを特徴とするものである。
【００１４】請求項６に係る半導体発光装置は、請求項
４に係る半導体発光装置において、複数の分離溝の深さ
は、拡散領域より浅いことを特徴とするものである。
【００１５】請求項７に係る半導体発光装置の製造方法
は、第１導電型の半導体に第２導電型の不純物を拡散し
形成される複数の発光部を有する半導体発光装置の製造
方法において、所望の発光出力を得るのに十分な拡散深
さを有する１つ以上の拡散領域を形成する拡散領域形成
工程と、拡散領域形成工程で形成された１つ以上の拡散
領域を、形成すべき複数の発光部に対応して分離するた
めの複数の分離溝を形成する分離溝形成工程とを含むこ
とを特徴とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る半導体発光
装置の好ましい実施の形態を図面を参照して説明する。
各実施の形態は、半導体発光装置としてＬＥＤアレイを
例に説明するが、半導体発光装置の発光素子は、ＬＥＤ
に限るものではない。
【００１７】実施の形態１．図１は、この発明に係る実
施の形態１のＬＥＤアレイの構成を示す図であり、図１
（ａ）はその上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ
´断面図である。図１に示されるように、このＬＥＤア
レイは、第１導電型（ｎ型）の半導体基板１０に第２導
電型（ｐ型）の不純物を拡散することにより形成された
複数の発光部（ＬＥＤ）１１を備える。これらの発光部
１１は、それぞれ所望の深さの拡散開口部１１ａを有す
る拡散領域１２を有する。隣合う２つの発光部１１の間
には、それぞれ２つの発光部１１を分離し形成するため
の分離溝１７が設けられている。
【００１８】複数の発光部１１および分離溝１７を除く
半導体基板１０の上には、絶縁層１３が形成されてい
る。絶縁層１３の上には、複数の発光部１１のそれぞれ
に電気的に接続される複数のｐ側配線１４およびｐ側電
極パッド１５が形成されている。半導体基板１０の下方
には、ｎ側電極１６が形成されている。各発光部１１
は、それぞれのｐ側電極パッド１５とｎ側電極１６との
間に電圧が印加されたとき、そのｐｎ接合面で発光す
る。
【００１９】この発明に係る半導体発光装置（ＬＥＤア
レイ）は、複数の分離溝１７を設けることにより複数の
発光部１１を形成する点に特徴がある。複数の発光部１
１のそれぞれの拡散領域１２は、形成すべき複数の発光
部１１の並び方向に、拡散領域１２より広い範囲に渡る
拡散領域１２ｂ（図５）が形成された後、複数の分離溝
１７が形成されることにより、不要な部分が除去されて
形成されている。これにより、所望の発光出力を得るの
に十分な拡散深さの拡散領域１２を形成することができ
る。分離溝１７の深さは、拡散領域１２の深さより深
い。発光部１１の並び方向における分離溝１７の長さ
は、所望の発光特性が得られるように形成することがで
きる。
【００２０】図２〜図９は、図１に示されるＬＥＤアレ
イの製造方法を示す図である。まず、図２に示されるよ
うに、半導体基板１０の上に、複数の拡散開口部１１ｂ
を有する拡散マスク４１（絶縁層１３）が形成される。
複数の拡散開口部１１ｂは、形成すべき複数の発光部１
１のそれぞれに対応し設けられている。
【００２１】形成すべき複数の発光部１１の並び方向に
おける複数の拡散開口部１１ｂの長さは、形成すべき拡
散開口部１１ａより長く、可能な限り広い範囲において
ｎ型の半導体基板１０にｐ型の不純物を拡散することが
できるようになっている。拡散マスク４１は、例えば膜
厚５００Å〜３０００ÅのＳｉＮからなる。成膜は、例
えばＣＶＤ法により、拡散開口部１１ｂの形成は、例え
ばフォトリソグラフィおよびエッチングにより行うこと
ができる。
【００２２】次に、図３に示されるように、複数の拡散
開口部１１ｂおよび拡散マスク４１の上に拡散源４２が
形成される。拡散源４２は、Ｚｎをドープした絶縁層か
らなり、例えば膜厚５００Å〜３０００ÅのＺｎＯ−Ｓ
ｉＯ２からなる。成膜は、例えばスパッタ法により行う
ことができる。
【００２３】次に、図４に示されるように、拡散源４２
の上にアニールキャップ４３が形成される。アニールキ
ャップ４３は、例えば膜厚５００Å〜３０００ÅのＡｌ
Ｎからなる。成膜は、例えばスパッタ法により行うこと
ができる。
【００２４】次に、図５に示されるように、複数の拡散
開口部１１ｂを通して、ｎ型の半導体基板１０にｐ型の
不純物が拡散され、その下部がアーチ状に広がる複数の
拡散領域１２ｂが形成される。拡散アニールは、例えば
窒素大気圧下で約１時間行われる。この場合、拡散領域
１２ｂのｐｎ接合面の深さは約１．０μｍとなる。
【００２５】次に、図６に示されるように、拡散源４２
およびアニールキャップ４３の剥離が行われ、拡散マス
ク４１が再び表面に露出されるとともに、複数の拡散領
域１２ｂのそれぞれの拡散開口部１１ｂが表面に露出さ
れる。剥離は、例えば選択エッチングにより行うことが
できる。
【００２６】次に、図７に示されるように、複数の分離
溝１７が形成される。これにより、所望の拡散開口部１
１ａを有する複数の発光部１１が分離されて形成され
る。複数の分離溝１７の形成は、例えばフォトリソグラ
フィおよびエッチングにより行うことができる。
【００２７】次に、図８に示されるように、発光部１１
のそれぞれに電気的に接続されるｐ側電極が形成され、
ｐ側配線１４およびｐ側電極パッド１５が形成される。
これらは、例えばＡｌからなる。ｐ側配線１４およびｐ
側電極パッド１５は、例えば電極を蒸着し、フォトリソ
グラフィおよびエッチングにより形成することができ
る。電極は、その後シンターされる。
【００２８】次に、図９に示されるように、半導体１０
の下方にｎ側電極１６が形成される。ｎ側電極１６は、
例えばＡｕ合金からなる。ｎ側電極１６は、電極を蒸着
することにより形成することができる。
【００２９】以上のように、実施の形態１によれば、形
成すべき複数の発光部１１の並び方向に、所望の拡散開
口部１１ａより広い範囲に渡る拡散開口部１１ｂを有す
る拡散領域１２ｂを形成した後、複数の分離溝１７を形
成することにより、所望の深さの拡散開口部１１ａを有
する複数の拡散領域１２（発光部１１）を形成する。こ
のため、十分な深さの拡散領域１２を形成することがで
きるので、良好な発光出力を有する複数の発光部１１を
形成することができる。したがって、複数の発光部１１
の拡散開口部１１ａの面積を小さくし、かつ、複数の発
光部１１をより高密度に形成することができる。
【００３０】また、実施の形態１によれば、複数の分離
溝１７の深さを、複数の発光部１１のそれぞれの拡散領
域１２の深さより深くしている。このため、複数の発光
部１１を確実に分離することができる。
【００３１】また、実施の形態１によれば、複数の分離
溝１７は、それぞれ隣合う２つの発光部１１の、その並
び方向と直交する方向の２辺の外形を形成している。こ
れに対し、例えば、さらに発光部１１の並び方向の２辺
を加え、発光部１１の４辺を囲む分離溝を形成すること
も可能である。しかしながら、実施の形態１の発光部１
１の２辺を形成する分離溝１７は、発光部１１の４辺を
囲む分離溝に比べ、優れた効果がある。以下に、発光部
１１の２辺を形成する分離溝１７と発光部１１の４辺を
形成する分離溝とを比較する。
【００３２】２辺を形成する分離溝１７の場合には、発
光部１１の並び方向における２辺の拡散領域１２は、ｐ
ｎ接合面を形成している。このため、拡散領域１２のｐ
ｎ接合面の面積を大きくすることができるので、発光部
１１の発光出力を大きくすることができる。これに対
し、４辺を形成する分離溝の場合には、拡散領域１２の
ｐｎ接合面の面積が小さくなるので、発光部１１の発光
出力も小さくなってしまう。
【００３３】また、２辺を形成する分離溝１７の場合に
は、発光部１１の拡散開口部１１ａと半導体基板１０上
の絶縁層１３との間をほぼ平らに形成することができ
る。ｐ側電極（ｐ側配線）を形成する際には、ほとんど
段差がないので、ｐ側配線の断線を防止することができ
る。これに対し、４辺を形成する分離溝の場合には、発
光部１１の拡散開口部１１ａと分離溝との間および半導
体基板１０上の絶縁層１３と分離溝との間にそれぞれ段
差が生ずるため、ｐ側電極（ｐ側配線）を形成する際に
断線が発生する確率が大きくなってしまう。
【００３４】また、２辺を形成する分離溝１７の場合に
は、拡散アニールにおける発光部１１の並び方向と直交
する横方向の拡散は、１μｍ程度にとどめることができ
る。したがって、チップシュリンクが容易である。これ
に対し、４辺を形成する分離溝の場合には、横方向の１
μｍ程度の拡散を考慮し、発光部１１の並び方向の分離
溝の幅は２μｍ以上必要になる。したがって、チップシ
ュリンクが行い難くなる。
【００３５】実施の形態２．図１０は、この発明に係る
実施の形態２のＬＥＤアレイの構成を示す図であり、図
１０（ａ）はその上面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）
のＡ−Ａ´断面図である。図１０に示される実施の形態
２のＬＥＤアレイは、図１に示される実施の形態１のＬ
ＥＤアレイと同様の構成であるが、その製造方法が異な
る。実施の形態２のＬＥＤアレイは、形成すべき複数の
発光部２１を含む長方形状の１つの拡散領域２２ｂ（図
１５）を形成した後、複数の分離溝２７を形成すること
により、所望の拡散開口部２１ａを有する複数の発光部
２１を形成する。複数の分離溝２７の深さは、複数の発
光部２１のそれぞれの拡散領域２２の深さより深くする
ことが必須になる。
【００３６】図１１〜図１８は、図１０に示されるＬＥ
Ｄアレイの製造方法を示す図である。まず、図１１に示
されるように、拡散開口部２１ｂを有する拡散マスク
（絶縁層）４１ｂが形成される。拡散開口部２１ｂは、
形成すべき複数の発光部２１のそれぞれの拡散開口部２
１ａを含むように、その並び方向に延びる１つの長方形
状に形成される。拡散マスク（絶縁層）４１ｂは、例え
ば膜厚５００Å〜３０００ÅのＳｉＮからなる。成膜
は、例えばＣＶＤ法により、拡散開口部２１ｂの形成
は、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより
行うことができる。
【００３７】次に、図１２に示されるように、拡散開口
部２１ｂおよび拡散マスク４１ｂの上に拡散源４２が形
成される。拡散マスク４２は、Ｚｎをドープした絶縁層
からなり、例えば膜厚５００Å〜３０００ÅのＺｎＯ−
ＳｉＯ２からなる。成膜は、例えばスパッタ法により行
うことができる。
【００３８】次に、図１３に示されるように、拡散源４
２の上にアニールキャップ４３が形成される。アニール
キャップ４３は、例えば膜厚５００Å〜３０００ÅのＡ
ｌＮからなる。成膜は、例えばスパッタ法により行うこ
とができる。
【００３９】次に、図１４に示されるように、拡散開口
部２１ｂを通して、ｎ型の半導体基板１０にｐ型の不純
物が拡散され、これにより、その底面が平らな拡散領域
２２ｂが形成される。拡散アニールは、例えば窒素大気
圧下で約１時間行われる。この場合、拡散領域２２ｂの
ｐｎ接合面の深さは約１．０μｍとなる。
【００４０】次に、図１５に示されるように、拡散源４
２およびアニールキャップ４３の剥離が行われ、拡散マ
スク４１ｂが再び表面に露出されるとともに、拡散領域
２２ｂの拡散開口部２１ｂが表面に露出される。剥離
は、例えば選択エッチングにより行うことができる。
【００４１】次に、図１６に示されるように、複数の分
離溝２７が形成される。これにより、所望の拡散開口部
２１ａを有する複数の発光部２１が分離されて形成され
る。複数の分離溝２７の形成は、例えばフォトリソグラ
フィおよびエッチングにより行うことができる。以下、
図１７および図１８は、それぞれ実施の形態１の図８お
よび図９と同様であるので、その説明を省略する。
【００４２】以上のように、実施の形態２によれば、形
成すべき複数の発光部２１を含む１つの拡散領域２２ｂ
を形成した後、複数の分離溝２７を形成することにより
複数の発光部２１を形成する。このため、拡散アニール
における拡散開口部２１ｂの面積を大きくすることがで
きる。
【００４３】したがって、形成すべき発光部２１の拡散
開口部２１ａの面積をより小さくしても、所望の発光出
力を得るのに十分な拡散深さの拡散領域２２を有する複
数の発光部２１を形成することができる。また、平らで
均一な深さの複数の拡散領域２２を形成することができ
るので、特性のばらつきの小さい複数の発光部２１を形
成することができる。
【００４４】実施の形態３．図１９は、この発明に係る
実施の形態３のＬＥＤアレイの構成を示す図であり、図
１９（ａ）はその上面図、図１９（ｂ）は図１９（ａ）
のＡ−Ａ´断面図である。図１９に示される実施の形態
３のＬＥＤアレイは、形成すべき複数の発光部３１のそ
れぞれに所望の拡散領域３２より広い範囲に渡る拡散領
域３２ｂ（図２３）を形成した後、複数の分離溝３７を
形成する点で実施の形態１と共通する。しかし、複数の
分離溝３７の深さを拡散領域３２の深さより浅くする点
で実施の形態１と異なる。
【００４５】図２０〜図２７は、図１９に示されるＬＥ
Ｄアレイの製造方法を示す図である。まず、図２０に示
されるように、半導体基板１０の上に、複数の拡散開口
部３１ｂを有する拡散マスク４１（絶縁層１３）が形成
される。複数の拡散開口部３１ｂは、形成すべき複数の
発光部３１のそれぞれに対応し設けられている。形成す
べき複数の発光部３１の並び方向における複数の拡散開
口部３１ｂの長さは、形成すべき拡散開口部３１ａより
長く、可能な限り広い範囲においてｎ型の半導体基板１
０にｐ型の不純物を拡散することができるようになって
いる。拡散マスク４１は、例えば膜厚５００Å〜３００
０ÅのＳｉＮからなる。成膜は、例えばＣＶＤ法によ
り、拡散開口部１１ｂの形成は、例えばフォトリソグラ
フィおよびエッチングにより行うことができる。
【００４６】次に、図２１に示されるように、複数の拡
散開口部３１ｂおよび拡散マスク４１の上に拡散源４２
が形成される。拡散源４２は、Ｚｎをドープした絶縁層
からなり、例えば膜厚５００Å〜３０００ÅのＺｎＯ−
ＳｉＯ２からなる。成膜は、例えばスパッタ法により行
うことができる。
【００４７】次に、図２２に示されるように、拡散源４
２の上にアニールキャップ４３が形成される。アニール
キャップ４３は、例えば膜厚５００Å〜３０００ÅのＡ
ｌＮからなる。成膜は、例えばスパッタ法により行うこ
とができる。
【００４８】次に、図２３に示されるように、複数の拡
散開口部３１ｂを通して、ｎ型の半導体基板１０にｐ型
の不純物が拡散され、その下部がアーチ状に広がる複数
の拡散領域３２ｂが形成される。拡散アニールは、例え
ば窒素大気圧下で約１時間行われる。この場合、拡散領
域３２ｂのｐｎ接合面の深さは約１．０μｍとなる。
【００４９】次に、図２４に示されるように、拡散源４
２およびアニールキャップ４３の剥離が行われ、拡散マ
スク４１が再び表面に露出されるとともに、複数の拡散
領域３２ｂのそれぞれの拡散開口部３１ｂが表面に露出
される。剥離は、例えば選択エッチングにより行うこと
ができる。
【００５０】次に、図２５に示されるように、複数の分
離溝３７が形成される。これにより、所望の拡散開口部
３１ａを有する複数の発光部３１が分離されて形成され
る。分離溝３７の深さは、発光部３１の拡散領域３２の
より浅い。このため、拡散領域３２の上部は分離溝３７
の底面に対し突出する。拡散領域３２の下部は、半導体
基板１０内にアーチ状に広がり埋め込まれる。複数の分
離溝３７の形成は、例えばフォトリソグラフィおよびエ
ッチングにより行うことができる。以下、図２６および
図２７は、それぞれ実施の形態１の図８および図９と同
様であるので、その説明を省略する。
【００５１】以上のように、実施の形態３によれば、形
成すべき複数の発光部３１の並び方向に、所望の拡散開
口部３１ａより広い範囲に渡る拡散開口部３１ｂを有す
る拡散領域３２ｂを形成した後、拡散領域３２ｂの深さ
より浅い複数の分離溝３７を形成することにより、所望
の拡散開口部３１ａを有する複数の拡散領域３２（発光
部３１）を形成する。したがって、複数の分離溝３７を
形成するためのエッチングを浅くすることができるの
で、エッチング制御が容易になり、複数の発光部３１を
いっそう高密度に形成することができる。
【００５２】
【発明の効果】この発明によれば、形成すべき複数の発
光部の並び方向に、それぞれの拡散開口部より広い範囲
に渡り第２導電型の不純物を拡散し、所望の発光出力を
得るのに十分な拡散深さを有する１つ以上の拡散領域を
形成した後、隣合う２つの発光部間を分離するための複
数の分離溝を形成し、所望の拡散開口部を有する複数の
発光部を形成する。したがって、所望の発光出力を得る
のに十分な深さの拡散領域を形成することができるの
で、複数の発光部の拡散開口部の面積を小さく、かつ、
複数の発光部を高密度に形成することができる半導体発
光装置の製造方法を提供することができる。
【００５３】また、この発明によれば、所望の発光出力
を得るのに十分な拡散深さを有するように、あらかじめ
形成すべき複数の発光部の並び方向に、それぞれの拡散
開口部より広い範囲に渡り第２導電型の不純物が拡散さ
れた１以上の拡散領域を、形成すべき複数の発光部の並
び方向と直交する方向に分離し、所望の拡散開口部を有
する複数の発光部を形成するための複数の分離溝を設け
る。したがって、所望の発光出力を得るのに十分な深さ
の拡散領域を形成することができるので、複数の発光部
の拡散開口部の面積を小さく、かつ、複数の発光部を高
密度に形成することができる半導体発光装置を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明に係る実施の形態１のＬＥＤアレイ
の構成を示す図であり、図１（ａ）はその上面図、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図２】 拡散開口部の形成を示す図であり、図２
（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図２（ｂ）は図２
（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図３】 拡散源の形成を示す図であり、図３（ａ）は
ＬＥＤアレイの上面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−
Ａ´断面図である。
【図４】 アニールキャップの形成を示す図であり、図
４（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図４（ｂ）は図４
（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図５】 拡散領域の形成を示す図であり、図５（ａ）
はＬＥＤアレイの上面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ
−Ａ´断面図である。
【図６】 拡散源・アニールキャップの剥離を示す図で
あり、図６（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図６（ｂ）
は図６（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図７】 分離溝の形成を示す図であり、図７（ａ）は
ＬＥＤアレイの上面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−
Ａ´断面図である。
【図８】 ｐ側電極の形成を示す図であり、図８（ａ）
はＬＥＤアレイの上面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ
−Ａ´断面図である。
【図９】 ｎ側電極の形成を示す図であり、図９（ａ）
はＬＥＤアレイの上面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ
−Ａ´断面図である。
【図１０】 この発明に係る実施の形態２のＬＥＤアレ
イの構成を示す図であり、図１０（ａ）はその上面図、
図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図１１】 拡散開口部の形成を示す図であり、図１１
（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図１１（ｂ）は図１１
（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図１２】 拡散源の形成を示す図であり、図１２
（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図１２（ｂ）は図１２
（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図１３】 アニールキャップの形成を示す図であり、
図１３（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図１３（ｂ）は
図１３（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図１４】 拡散領域の形成を示す図であり、図１４
（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図１４（ｂ）は図１４
（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図１５】 拡散源・アニールキャップの剥離を示す図
であり、図１５（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図１５
（ｂ）は図１５（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図１６】 分離溝の形成を示す図であり、図１６
（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図１６（ｂ）は図１６
（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図１７】 ｐ側電極の形成を示す図であり、図１７
（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図１７（ｂ）は図１７
（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図１８】 ｎ側電極の形成を示す図であり、図１８
（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図１８（ｂ）は図１８
（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図１９】 この発明に係る実施の形態３のＬＥＤアレ
イの構成を示す図であり、図１９（ａ）はその上面図、
図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図２０】 拡散開口部の形成を示す図であり、図２０
（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図２０（ｂ）は図２０
（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図２１】 拡散源の形成を示す図であり、図２１
（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図２１（ｂ）は図２１
（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図２２】 アニールキャップの形成を示す図であり、
図２２（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図２２（ｂ）は
図２２（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図２３】 拡散領域の形成を示す図であり、図２３
（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図２３（ｂ）は図２３
（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図２４】 拡散源・アニールキャップの剥離を示す図
であり、図２４（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図２４
（ｂ）は図２４（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図２５】 分離溝の形成を示す図であり、図２５
（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図２５（ｂ）は図２５
（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図２６】 ｐ側電極の形成を示す図であり、図２６
（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図２６（ｂ）は図２６
（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図２７】 ｎ側電極の形成を示す図であり、図２７
（ａ）はＬＥＤアレイの上面図、図２７（ｂ）は図２７
（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図２８】 従来のＬＥＤアレイの一例を示す図であ
り、図２８（ａ）はＬＥＤアレイの断面構造を示す図、
図２８（ｂ）は、ＬＥＤアレイのチップパターンを示す
図である。
【図２９】 発光部のサイズと密度との関係を示す図で
ある。
【図３０】 拡散領域の幅と拡散深さとの関係を示す図
である。
【符号の説明】
１０ 基板 １１ 発光部 １２ 拡散領域 １３ 絶縁層 １４ ｐ側配線 １５ ｐ側電極パッド １６ ｎ側電極 １７ 分離溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤原 博之 東京都八王子市東浅川町550番地の１ 株 式会社沖デジタルイメージング内 (72)発明者 小澤 進 東京都八王子市東浅川町550番地の１ 株 式会社沖デジタルイメージング内 (72)発明者 登 正治 東京都八王子市東浅川町550番地の１ 株 式会社沖デジタルイメージング内 Ｆターム(参考） 5F032 AA35 AC02 CA15 DA22 5F041 CA02 CA35 CA53 CA72 CA74 CA75 CB25 DB07 FF13

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１導電型の半導体に第２導電型の不純
    物を拡散して形成される複数の発光部を有する半導体発
    光装置において、 所望の発光出力を得るのに十分な拡散深さを有する第２
    導電型の不純物が拡散された１以上の拡散領域を分離
    し、複数の発光部を形成するための複数の分離溝を備え
    ることを特徴とする半導体発光装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体発光装置におい
    て、 複数の分離溝を形成する前にあらかじめ形成される拡散
    領域は、１つの拡散領域からなることを特徴とする半導
    体発光装置。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の半導体発光装置におい
    て、 複数の分離溝の深さは、拡散領域より深いことを特徴と
    する半導体発光装置。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の半導体発光装置におい
    て、 複数の分離溝を形成する前にあらかじめ形成される拡散
    領域は、形成すべき複数の発光部のそれぞれに分離し形
    成されることを特徴とする半導体発光装置。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の半導体発光装置におい
    て、 複数の分離溝の深さは、拡散領域より深いことを特徴と
    する半導体発光装置。
  6. 【請求項６】 請求項４に記載の半導体発光装置におい
    て、 複数の分離溝の深さは、拡散領域より浅いことを特徴と
    する半導体発光装置。
  7. 【請求項７】 第１導電型の半導体に第２導電型の不純
    物を拡散し形成される複数の発光部を有する半導体発光
    装置の製造方法において、 所望の発光出力を得るのに十分な拡散深さを有する１つ
    以上の拡散領域を形成する拡散領域形成工程と、 拡散領域形成工程で形成された１つ以上の拡散領域を、
    形成すべき複数の発光部に対応して分離するための複数
    の分離溝を形成する分離溝形成工程とを含むことを特徴
    とする半導体発光装置の製造方法。
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