JP3268731B2 - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
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- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光電変換素子に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光電変換素子として、例えば文献Ｉ（光
プリンタの設計、トリケップスＷＳ６、昭和６０年、
ｐ．１２１〜１２６）に開示されているような発光ダイ
オード（ＬＥＤ）がある。図６を参照して、従来のＬＥ
Ｄの構造及び製造方法につき簡単に説明する。
プリンタの設計、トリケップスＷＳ６、昭和６０年、
ｐ．１２１〜１２６）に開示されているような発光ダイ
オード（ＬＥＤ）がある。図６を参照して、従来のＬＥ
Ｄの構造及び製造方法につき簡単に説明する。
【０００３】従来のＬＥＤ５０は、ｎ型ＧａＡｓ基板５
１上にｎ型ＧａＡｓＰ層５２、開口部を有する拡散マス
ク５４を順次設けてある。また、このＬＥＤ５０は、開
口部に露出しているｎ型ＧａＡｓＰ層５２の表面にｐ型
拡散領域５６を設けている。また、拡散マスク５４の表
面及びｐ型拡散領域５６の面にはｐ型電極５８を延存さ
せて配設してある。一方、基板５１の裏面にはｎ型電極
６０を設けている。
１上にｎ型ＧａＡｓＰ層５２、開口部を有する拡散マス
ク５４を順次設けてある。また、このＬＥＤ５０は、開
口部に露出しているｎ型ＧａＡｓＰ層５２の表面にｐ型
拡散領域５６を設けている。また、拡散マスク５４の表
面及びｐ型拡散領域５６の面にはｐ型電極５８を延存さ
せて配設してある。一方、基板５１の裏面にはｎ型電極
６０を設けている。
【０００４】ＬＥＤ５０のｐ型拡散領域５６を製造する
場合、一般的には気相拡散法によりｎ型ＧａＡｓＰ層５
２中に拡散領域５６を形成する。
場合、一般的には気相拡散法によりｎ型ＧａＡｓＰ層５
２中に拡散領域５６を形成する。
【０００５】従来のＬＥＤ５０は、基板としてＧａＡｓ
基板５１を用いているため、この基板５１上に比較的膜
厚の厚いｎ型ＧａＡｓＰ層５２を形成している。このた
め、気相拡散により拡散領域５６をｎ型ＧａＡｓＰ層５
２に深く形成することができる。
基板５１を用いているため、この基板５１上に比較的膜
厚の厚いｎ型ＧａＡｓＰ層５２を形成している。このた
め、気相拡散により拡散領域５６をｎ型ＧａＡｓＰ層５
２に深く形成することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＬＥＤは、基板に注目して見ると以下に述べる問題があ
る。
ＬＥＤは、基板に注目して見ると以下に述べる問題があ
る。
【０００７】基板５１として、ＧａＡｓ基板を用いてい
るため、 ダイシングの際に基板が割れ易い。
るため、 ダイシングの際に基板が割れ易い。
【０００８】チップカット時に基板が欠け易く、ダイ
シングに時間がかかる。
シングに時間がかかる。
【０００９】基板（ウエーハ）寸法は、現状では３イ
ンチ（約７．６２ｃｍ）が限界であり、３インチ以上の
大口径ウエーハ（例えば８インチ（約２０．３２ｃ
ｍ））が実現できない。
ンチ（約７．６２ｃｍ）が限界であり、３インチ以上の
大口径ウエーハ（例えば８インチ（約２０．３２ｃ
ｍ））が実現できない。
【００１０】基板の価格がシリコン基板等に比べて高
い。
い。
【００１１】上述のような〜の問題を解決するため
に、Ｓｉ基板上に化合物半導体層を形成する方法も試み
られてきたが、その場合、以下のような新たな問題が生
じる。
に、Ｓｉ基板上に化合物半導体層を形成する方法も試み
られてきたが、その場合、以下のような新たな問題が生
じる。
【００１２】シリコン基板（図示せず）上に化合物半導
体層を厚く形成すると、基板と化合物半導体層との材質
の熱膨張係数が異なるため、化合物半導体層中にクラッ
クが発生してしまい素子として使用できなくなる。通常
は、化合物半導体層の厚さを３．５μｍ以上にすると、
化合物半導体層中にクラックを発生することが本願に係
る発明者等により実験的に確認されている。このため、
Ｓｉ基板上に形成する化合物半導体層の膜厚を厚くする
ことができないという制約があった。
体層を厚く形成すると、基板と化合物半導体層との材質
の熱膨張係数が異なるため、化合物半導体層中にクラッ
クが発生してしまい素子として使用できなくなる。通常
は、化合物半導体層の厚さを３．５μｍ以上にすると、
化合物半導体層中にクラックを発生することが本願に係
る発明者等により実験的に確認されている。このため、
Ｓｉ基板上に形成する化合物半導体層の膜厚を厚くする
ことができないという制約があった。
【００１３】しかし、基板上の化合物半導体層の厚さを
薄くすると、気相拡散法により化合物半導体層中に拡散
領域を形成した場合、拡散領域の深さが化合物半導体層
の厚さ以上に深く形成されてしまうため、ｐｎ接合を形
成することができなくなる。このような理由から、従来
は大口径のＳｉ基板を下地に用いてＬＥＤ（又はＬＥＤ
アレイ）を作製することは非常に難かしかった。
薄くすると、気相拡散法により化合物半導体層中に拡散
領域を形成した場合、拡散領域の深さが化合物半導体層
の厚さ以上に深く形成されてしまうため、ｐｎ接合を形
成することができなくなる。このような理由から、従来
は大口径のＳｉ基板を下地に用いてＬＥＤ（又はＬＥＤ
アレイ）を作製することは非常に難かしかった。
【００１４】そこで、大口径ウエーハ上に化合物半導体
層を形成しとき、ダイシング時の欠損がなく、かつ優れ
た発光強度特性を有する光電変換素子及びその製造方法
の出現が望まれていた。
層を形成しとき、ダイシング時の欠損がなく、かつ優れ
た発光強度特性を有する光電変換素子及びその製造方法
の出現が望まれていた。
【００１５】
【課題を解決するための手段】このためこの発明の光電
変換素子によれば、下地上にｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層
と、このｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層中に発光層として設け
られた、ｐ型の不純物拡散領域とを具える光電変換素子
において、下地若しくは下地の表面層にシリコン（Ｓ
ｉ）層を用い、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層の層厚が最大で
も３．５μｍより薄く、且つ、不純物拡散領域の深さ
は、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層の厚さの２０〜６０％の深
さである。
変換素子によれば、下地上にｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層
と、このｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層中に発光層として設け
られた、ｐ型の不純物拡散領域とを具える光電変換素子
において、下地若しくは下地の表面層にシリコン（Ｓ
ｉ）層を用い、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層の層厚が最大で
も３．５μｍより薄く、且つ、不純物拡散領域の深さ
は、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層の厚さの２０〜６０％の深
さである。
【００１６】
【００１７】
【００１８】この発明によれば、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ
層の層厚を最大でも３．５μｍとすることにより、上述
したような化合物半導体中におけるクラックの発生を防
止するとともに、拡散領域の深さを、ｎ型ＡｌxＧａ1-x
Ａｓ層の表面から、この層の厚さに対し２０〜６０％の
範囲の深さにすることにより、例えばＬＥＤ素子の場
合、発光強度をプリンタの印字可能な強度に維持するこ
とができる。すなわち、この程度の表面からの深さに抑
えても、シート抵抗の増大を抑え、発光光量の減少を抑
えることができると共に、この深さがｎ型ＡｌxＧａ1-x
Ａｓ層の厚さに近づかないようにしてｐｎ接合面でのキ
ャリアの移動もしくはキャリアの発光再結合が不可能と
なるのを防止し、よって光電変換素子の発光の停止が生
じないようにすることができる。
層の層厚を最大でも３．５μｍとすることにより、上述
したような化合物半導体中におけるクラックの発生を防
止するとともに、拡散領域の深さを、ｎ型ＡｌxＧａ1-x
Ａｓ層の表面から、この層の厚さに対し２０〜６０％の
範囲の深さにすることにより、例えばＬＥＤ素子の場
合、発光強度をプリンタの印字可能な強度に維持するこ
とができる。すなわち、この程度の表面からの深さに抑
えても、シート抵抗の増大を抑え、発光光量の減少を抑
えることができると共に、この深さがｎ型ＡｌxＧａ1-x
Ａｓ層の厚さに近づかないようにしてｐｎ接合面でのキ
ャリアの移動もしくはキャリアの発光再結合が不可能と
なるのを防止し、よって光電変換素子の発光の停止が生
じないようにすることができる。
【００１９】またこの発明の光電変換素子において、不
純物拡散領域は、不純物としてＺｎ（亜鉛）を用い、こ
の不純物拡散領域の単位面積当たりのＺｎ拡散濃度の範
囲を５×１０15〜１×１０16原子／ｃｍ2 とするのが良
い。
純物拡散領域は、不純物としてＺｎ（亜鉛）を用い、こ
の不純物拡散領域の単位面積当たりのＺｎ拡散濃度の範
囲を５×１０15〜１×１０16原子／ｃｍ2 とするのが良
い。
【００２０】すなわち、Ｚｎ拡散濃度を５×１０15〜１
×１０16原子／ｃｍ2とすることによって、拡散領域の
深さが浅くても、例えばＬＥＤ素子の場合、プリンタ光
源として使用可能な高い発光強度を得ることができる。
×１０16原子／ｃｍ2とすることによって、拡散領域の
深さが浅くても、例えばＬＥＤ素子の場合、プリンタ光
源として使用可能な高い発光強度を得ることができる。
【００２１】また、この発明では、好ましくは下地の表
面層をｎ型の他の化合物半導体層とするのが良い。
面層をｎ型の他の化合物半導体層とするのが良い。
【００２２】このような、下地の表面層に他の化合物半
導体層を用いることにより、例えば表面層の下部層をシ
リコン基板とした場合に、ｎ型の化合物半導体層の厚さ
を従来よりも多少厚くしても、他の化合物半導体層は、
シリコン基板とシリコン基板上の化合物半導体層との熱
膨張係数の違いによって生じる応力を緩和する働きをす
るため、化合物半導体層中に生じるクラックの発生や欠
陥密度を低減する。
導体層を用いることにより、例えば表面層の下部層をシ
リコン基板とした場合に、ｎ型の化合物半導体層の厚さ
を従来よりも多少厚くしても、他の化合物半導体層は、
シリコン基板とシリコン基板上の化合物半導体層との熱
膨張係数の違いによって生じる応力を緩和する働きをす
るため、化合物半導体層中に生じるクラックの発生や欠
陥密度を低減する。
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
光電変換素子及びその製造方法、特に発光ダイオード
（ＬＥＤ）アレイの実施の形態につき説明する。なお、
図１、図２、図３及び図５は、この発明が理解できる程
度に各構成成分の形状、大きさ及び配置関係を概略的に
示してあるにすぎない。
光電変換素子及びその製造方法、特に発光ダイオード
（ＬＥＤ）アレイの実施の形態につき説明する。なお、
図１、図２、図３及び図５は、この発明が理解できる程
度に各構成成分の形状、大きさ及び配置関係を概略的に
示してあるにすぎない。
【００３０】［第１の実施の形態］図１の（Ａ）及び
（Ｂ）を参照して、この発明の光電変換素子の一例とし
て発光ダイオード（以下、ＬＥＤと称する）の第１の実
施の形態につき説明する。なお、図１の（Ａ）及び
（Ｂ）では、ＬＥＤを複数個具えたＬＥＤアレイを示
し、図１の（Ａ）はＬＥＤアレイの平面図、図１の
（Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿って切断した位置での切
口断面を示す。また、（Ａ）に付した斜線は断面を表わ
すのではなく、図面を分かりやすくするために付した線
である。
（Ｂ）を参照して、この発明の光電変換素子の一例とし
て発光ダイオード（以下、ＬＥＤと称する）の第１の実
施の形態につき説明する。なお、図１の（Ａ）及び
（Ｂ）では、ＬＥＤを複数個具えたＬＥＤアレイを示
し、図１の（Ａ）はＬＥＤアレイの平面図、図１の
（Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿って切断した位置での切
口断面を示す。また、（Ａ）に付した斜線は断面を表わ
すのではなく、図面を分かりやすくするために付した線
である。
【００３１】第１の実施の形態では、ＬＥＤアレイ１０
の下地１２として、ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板を用い
る。このシリコン基板１２上にｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層
（但し、ｘは組成比を表わし０＜ｘ＜１の値を有してい
る。以下、同様）１６及び開口部２０を有する拡散マス
ク１８を積層させて設ける。
の下地１２として、ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板を用い
る。このシリコン基板１２上にｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層
（但し、ｘは組成比を表わし０＜ｘ＜１の値を有してい
る。以下、同様）１６及び開口部２０を有する拡散マス
ク１８を積層させて設ける。
【００３２】また、開口部２０に露出するｎ型ＡｌxＧ
ａ1-xＡｓ層１６中には、発光層としてｐ型の不純物拡
散領域２６が設けてある。ここでは、例えば、ｐ型の不
純物として亜鉛（Ｚｎ）を用いる。また、ｎ型ＡｌxＧ
ａ1-xＡｓ層１６の厚さを約２．５μｍとし、ｐ型の拡
散領域の深さ（ｐｎ接合深さとも称する。）を約１μｍ
とする。また、ｎ型Ｓｉ基板１２上にｎ型ＡｌxＧａ1-x
Ａｓ層１６を設ける場合は、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層１
６の厚さを約３．５μｍ以下にすることによりクラック
の発生を防止できることが実験で確かめられている。そ
こで、この実施の形態例では、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層
１６の厚さを２．５μｍとしてある。
ａ1-xＡｓ層１６中には、発光層としてｐ型の不純物拡
散領域２６が設けてある。ここでは、例えば、ｐ型の不
純物として亜鉛（Ｚｎ）を用いる。また、ｎ型ＡｌxＧ
ａ1-xＡｓ層１６の厚さを約２．５μｍとし、ｐ型の拡
散領域の深さ（ｐｎ接合深さとも称する。）を約１μｍ
とする。また、ｎ型Ｓｉ基板１２上にｎ型ＡｌxＧａ1-x
Ａｓ層１６を設ける場合は、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層１
６の厚さを約３．５μｍ以下にすることによりクラック
の発生を防止できることが実験で確かめられている。そ
こで、この実施の形態例では、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層
１６の厚さを２．５μｍとしてある。
【００３３】また、ｐ型拡散領域２６は、固相拡散領域
としており、拡散濃度を最小限度５×１０19原子／ｃｍ
3 としてある。拡散領域の不純物例えばＺｎの拡散濃度
を最小限度５×１０19原子／ｃｍ3 に拡散させることに
より、ｐ型拡散領域１６のシート抵抗を実質的に十分に
低減できるため、光取り出し効率（発光効率）が極端に
低下することはなくなる。
としており、拡散濃度を最小限度５×１０19原子／ｃｍ
3 としてある。拡散領域の不純物例えばＺｎの拡散濃度
を最小限度５×１０19原子／ｃｍ3 に拡散させることに
より、ｐ型拡散領域１６のシート抵抗を実質的に十分に
低減できるため、光取り出し効率（発光効率）が極端に
低下することはなくなる。
【００３４】また、この発明では、拡散領域２６の深さ
をｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６の表面からこのｎ型Ａ
ｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６の２０〜６０％の深さまで形成
するのが好適である。このような範囲を設定した理由
は、表面からのｐｎ接合深さが０．５〜１．５μｍの範
囲であれば実質的にＬＥＤの発光強度を低下させずにプ
リンタの印字に好適なＬＥＤアレイの発光強度を得るこ
とができるためである。
をｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６の表面からこのｎ型Ａ
ｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６の２０〜６０％の深さまで形成
するのが好適である。このような範囲を設定した理由
は、表面からのｐｎ接合深さが０．５〜１．５μｍの範
囲であれば実質的にＬＥＤの発光強度を低下させずにプ
リンタの印字に好適なＬＥＤアレイの発光強度を得るこ
とができるためである。
【００３５】なお、この実施の形態例では、ｎ型ＡｌX
Ｇａ1-X Ａｓ層１６の厚さ２．５μｍに対しｐｎ接合深
さを１μｍに設定してある。
Ｇａ1-X Ａｓ層１６の厚さ２．５μｍに対しｐｎ接合深
さを１μｍに設定してある。
【００３６】この発明のＬＥＤアレイ１０は、基板１２
の表面側にｐ型拡散領域２６と接合され、かつ拡散マス
ク１８の表面に延在するｐ型電極（個別電極ともい
う。）２８を設け、一方、基板１２の裏面側にｎ型電極
（共通電極ともいう。）３０を設けている。
の表面側にｐ型拡散領域２６と接合され、かつ拡散マス
ク１８の表面に延在するｐ型電極（個別電極ともい
う。）２８を設け、一方、基板１２の裏面側にｎ型電極
（共通電極ともいう。）３０を設けている。
【００３７】［第２の実施の形態］次に、図２を参照し
て、ＬＥＤの第２の実施の形態例につき説明する。な
お、図２は、ＬＥＤアレイが配列されているｐ型電極部
分を配列方向と平行に切断した位置での切口断面を示す
断面図である。
て、ＬＥＤの第２の実施の形態例につき説明する。な
お、図２は、ＬＥＤアレイが配列されているｐ型電極部
分を配列方向と平行に切断した位置での切口断面を示す
断面図である。
【００３８】第２の実施の形態では、下地１５を絶縁体
基板１１と表面層（シリコン層）１３とにより構成する
以外は第１の実施の形態と同様な構成としてある。
基板１１と表面層（シリコン層）１３とにより構成する
以外は第１の実施の形態と同様な構成としてある。
【００３９】ここでは、絶縁体基板１１をサファイア基
板とする。なお、ここでは、下地をＳＯＩ（ｓｉｌｉｃ
ｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒの略称）とも称する。
下地にＳＯＩ基板を用いる場合は、ｎ型電極３０をｐ型
電極２８と同一面に設ける必要がある（図示せず）。そ
して、このｎ型電極は、ｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層１６
に接続されている（図示せず）。
板とする。なお、ここでは、下地をＳＯＩ（ｓｉｌｉｃ
ｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒの略称）とも称する。
下地にＳＯＩ基板を用いる場合は、ｎ型電極３０をｐ型
電極２８と同一面に設ける必要がある（図示せず）。そ
して、このｎ型電極は、ｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層１６
に接続されている（図示せず）。
【００４０】このような第１及び第２の実施の形態の下
地を用いることにより、ダイシングの際に基板が割れに
くく、プロセス等においてハンドリングが容易になり、
基板が平坦かつ割れがないため、プロセス工程が自動化
できる。また、ダイシング時のスピードを速くできるの
で、スループットが大幅に改善される。ダイシング工程
において、欠けが発生しにくくなるので、精度の良いカ
ッティングが可能となる。また、基板にＳＯＩを用いて
いるので、従来実現できなっかた基板寸法の大口径化が
可能となり、したがって、チップ長を長くできる。ま
た、ＳＯＩを使用することにより、基板コストを従来よ
りも低減できる等の利点がある。
地を用いることにより、ダイシングの際に基板が割れに
くく、プロセス等においてハンドリングが容易になり、
基板が平坦かつ割れがないため、プロセス工程が自動化
できる。また、ダイシング時のスピードを速くできるの
で、スループットが大幅に改善される。ダイシング工程
において、欠けが発生しにくくなるので、精度の良いカ
ッティングが可能となる。また、基板にＳＯＩを用いて
いるので、従来実現できなっかた基板寸法の大口径化が
可能となり、したがって、チップ長を長くできる。ま
た、ＳＯＩを使用することにより、基板コストを従来よ
りも低減できる等の利点がある。
【００４１】［第３の実施の形態］次に、図３を参照し
て、ＬＥＤの第３の実施の形態例につき説明する。な
お、図３は、ＬＥＤアレイが配列されているｐ型電極部
分を配列方向に沿って平行に切断した位置での切口断面
を示す断面図である。
て、ＬＥＤの第３の実施の形態例につき説明する。な
お、図３は、ＬＥＤアレイが配列されているｐ型電極部
分を配列方向に沿って平行に切断した位置での切口断面
を示す断面図である。
【００４２】第３の実施の形態では、下地１５をＳｉ基
板１２との表面層１４とにより構成した例である。
板１２との表面層１４とにより構成した例である。
【００４３】このＬＥＤアレイは、下地の表面層１４を
ｎ型ＧａＡｓ層としてある。その他の構成は、上述した
第１の実施の形態と同様な構成となっている。このよう
に、第３の実施の形態では、下地１５の表面層１４、す
なわちｎ型ＧａＡｓ層１４を設けることにより、この層
１４はバッファ層としての役割をするので、Ｓｉ基板と
ｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６との熱膨張係数の違いに
よりｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６に生じる応力を低減
できる。したがって、ｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６の
クラックの発生や欠陥密度を低減できる。
ｎ型ＧａＡｓ層としてある。その他の構成は、上述した
第１の実施の形態と同様な構成となっている。このよう
に、第３の実施の形態では、下地１５の表面層１４、す
なわちｎ型ＧａＡｓ層１４を設けることにより、この層
１４はバッファ層としての役割をするので、Ｓｉ基板と
ｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６との熱膨張係数の違いに
よりｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６に生じる応力を低減
できる。したがって、ｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６の
クラックの発生や欠陥密度を低減できる。
【００４４】次に、図４を参照して、ＬＥＤアレイの不
純物拡散領域の拡散濃度と発光強度との関係につき説明
する。なお、図中、横軸に対数目盛で［Ｚｎ（亜鉛）拡
散濃度］×［拡散深さ］（原子／ｃｍ2 ）を取り、縦軸
に発光強度（μＷ）を取って表わす。なお、ここではＺ
ｎ拡散濃度を原子／ｃｍ３の単位とし、拡散深さをｃｍ
の単位として表わす。また、測定に用いた試料は、上記
の第３の実施の形態のＬＥＤアレイを用いる。拡散領域
のＺｎの拡散濃度は、二次イオン質量分析法を用いて測
定する。また、発光強度は、試料のｐ型電極２８及びｎ
型電極３０間に電圧を印加し、ＬＥＤ素子に５ｍＡ程度
の電流を流したとき、試料から３０ｍｍ離れた位置から
光センサで発光強度を測定する。
純物拡散領域の拡散濃度と発光強度との関係につき説明
する。なお、図中、横軸に対数目盛で［Ｚｎ（亜鉛）拡
散濃度］×［拡散深さ］（原子／ｃｍ2 ）を取り、縦軸
に発光強度（μＷ）を取って表わす。なお、ここではＺ
ｎ拡散濃度を原子／ｃｍ３の単位とし、拡散深さをｃｍ
の単位として表わす。また、測定に用いた試料は、上記
の第３の実施の形態のＬＥＤアレイを用いる。拡散領域
のＺｎの拡散濃度は、二次イオン質量分析法を用いて測
定する。また、発光強度は、試料のｐ型電極２８及びｎ
型電極３０間に電圧を印加し、ＬＥＤ素子に５ｍＡ程度
の電流を流したとき、試料から３０ｍｍ離れた位置から
光センサで発光強度を測定する。
【００４５】図４から理解できるように、拡散面積当た
りの亜鉛拡散濃度が２×１０15原子／ｃｍ2 のときは発
光強度はゼロであるが、約５×１０15原子／ｃｍ2 にな
ると発光強度は約１５μＷとなる。また、Ｚｎ拡散濃度
が約１×１０16原子／ｃｍ2になると発光強度は１７〜
２３μＷとなる。このＬＥＤで１５μＷ以上の発光強度
が得られればプリンタ光源として使用可能である。
りの亜鉛拡散濃度が２×１０15原子／ｃｍ2 のときは発
光強度はゼロであるが、約５×１０15原子／ｃｍ2 にな
ると発光強度は約１５μＷとなる。また、Ｚｎ拡散濃度
が約１×１０16原子／ｃｍ2になると発光強度は１７〜
２３μＷとなる。このＬＥＤで１５μＷ以上の発光強度
が得られればプリンタ光源として使用可能である。
【００４６】この発明の実施の形態では、拡散領域の深
さをｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層１６の表面から約１μｍ
までにしてあるので、図４の発光強度１５μＷでの拡散
領域の面積当たりの拡散濃度を体積当たりのＺｎの拡散
濃度に換算すると、約５×１０19原子／ｃｍ3 となる。
このように、プリンタの印字に好適な発光強度を得るに
は、ＬＥＤアレイの拡散領域の濃度を約５×１０19原子
／ｃｍ3 以上にする必要がある。
さをｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層１６の表面から約１μｍ
までにしてあるので、図４の発光強度１５μＷでの拡散
領域の面積当たりの拡散濃度を体積当たりのＺｎの拡散
濃度に換算すると、約５×１０19原子／ｃｍ3 となる。
このように、プリンタの印字に好適な発光強度を得るに
は、ＬＥＤアレイの拡散領域の濃度を約５×１０19原子
／ｃｍ3 以上にする必要がある。
【００４７】このようなＺｎの拡散領域を有するＬＥＤ
アレイは、基板として、ＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ基板を使
用した従来のアレイに比べても遜色がなく、ほぼ同等の
発光強度が得られる。
アレイは、基板として、ＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ基板を使
用した従来のアレイに比べても遜色がなく、ほぼ同等の
発光強度が得られる。
【００４８】［ＬＥＤアレイの製造方法］次に、図５の
（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、上記の第３の実施の形態例
のＬＥＤアレイを製造する方法につき説明する。なお、
図５の（Ａ）〜（Ｃ）は、ＬＥＤアレイを製造する工程
を説明するための工程図である。
（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、上記の第３の実施の形態例
のＬＥＤアレイを製造する方法につき説明する。なお、
図５の（Ａ）〜（Ｃ）は、ＬＥＤアレイを製造する工程
を説明するための工程図である。
【００４９】第３の実施の形態のＬＥＤアレイを形成す
る場合は、下地として、ｎ型Ｓｉ基板１２を用いる。こ
の基板１２上に例えば有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）を用いてｎ型ＧａＡｓ層１４を形成する。このよう
に、基板１２とｎ型ＧａＡｓ層１４とにより下地１５を
構成する。
る場合は、下地として、ｎ型Ｓｉ基板１２を用いる。こ
の基板１２上に例えば有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）を用いてｎ型ＧａＡｓ層１４を形成する。このよう
に、基板１２とｎ型ＧａＡｓ層１４とにより下地１５を
構成する。
【００５０】次に、例えばＭＯＣＶＤ法を用いてｎ型Ｇ
ａＡｓ層１４上にｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６を形成
する。
ａＡｓ層１４上にｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６を形成
する。
【００５１】また、このｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６
上にフォトリソグラフィ技術を用いて開口部２０を有す
る拡散マスク１８を形成する（図５の（Ａ））。ここで
は、拡散マスク１８を窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜と
する。
上にフォトリソグラフィ技術を用いて開口部２０を有す
る拡散マスク１８を形成する（図５の（Ａ））。ここで
は、拡散マスク１８を窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜と
する。
【００５２】その後、図１の（Ａ）の構造体を反応炉
（図示せず）に搬入し、この構造体の開口部２０に露出
しているｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６に対し高温アニ
ールを行ってｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６の結晶欠陥
の除去又は減少を図る。このときのアニール条件は以下
の通りとする。
（図示せず）に搬入し、この構造体の開口部２０に露出
しているｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６に対し高温アニ
ールを行ってｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６の結晶欠陥
の除去又は減少を図る。このときのアニール条件は以下
の通りとする。
【００５３】 反応炉の雰囲気 ：アルシン（ＡｓＨ3 ）ガス 構造体（特に層１６）の温度 ：約９００℃ なお、ここでアルシンガスを用いるのはアニールを行っ
た際にｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６中のＡｓが抜ける
のを防止するためである。
た際にｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６中のＡｓが抜ける
のを防止するためである。
【００５４】次に、図５の（Ａ）の構造体の表面にＺｎ
（亜鉛）不純物を含む拡散源膜２２及びキャップ膜２４
を順次形成する。ここでは、拡散源膜２２を例えばＺｎ
ＯＳｉＯ2 膜とし、キャップ膜２４をＡｌＮ膜とする。
なお、拡散源膜２２を形成するには例えば以下の装置を
用い、及び以下の成膜条件とする。
（亜鉛）不純物を含む拡散源膜２２及びキャップ膜２４
を順次形成する。ここでは、拡散源膜２２を例えばＺｎ
ＯＳｉＯ2 膜とし、キャップ膜２４をＡｌＮ膜とする。
なお、拡散源膜２２を形成するには例えば以下の装置を
用い、及び以下の成膜条件とする。
【００５５】成膜装置 ：スパッタ装置 ターゲット ：ＺｎＯＳｉＯ2 の焼結材 基板温度 ：室温（約２５℃） チャンバ内雰囲気ガス：アルゴンガス チャンバ圧力 ：３Ｐａ ＲＦパワー ：５００Ｗ その後、上記拡散源膜２２及びキャップ膜２４を形成し
た構造体を拡散炉（図示せず）に搬入し、固相拡散法に
よりｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６中にｐ型の拡散領域
２６を形成する。このときの固相拡散の拡散条件は、以
下の通りとする。
た構造体を拡散炉（図示せず）に搬入し、固相拡散法に
よりｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６中にｐ型の拡散領域
２６を形成する。このときの固相拡散の拡散条件は、以
下の通りとする。
【００５６】炉内雰囲気：窒素ガス（大気圧） 構造体（特に層１６）の温度 ：約７００℃ なお、ここでは構造体の温度を７００℃（最適温度）と
したが、好適な温度としては６００〜８００℃の温度範
囲にするのが良い。このような固相拡散によりＺｎの拡
散領域２６のＺｎの濃度を１０20原子／ｃｍ3 程度の濃
度にすることができる。
したが、好適な温度としては６００〜８００℃の温度範
囲にするのが良い。このような固相拡散によりＺｎの拡
散領域２６のＺｎの濃度を１０20原子／ｃｍ3 程度の濃
度にすることができる。
【００５７】このような温度で拡散処理を行って、拡散
源膜２２に含まれているＺｎをｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ
層１６に拡散させる。ここでは、拡散領域２６の深さを
ｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６の厚さよりも浅く形成す
る（図５の（Ｂ））。なお、この実施の形態では、拡散
領域の深さが約１μｍとなるように拡散時間を調節す
る。
源膜２２に含まれているＺｎをｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ
層１６に拡散させる。ここでは、拡散領域２６の深さを
ｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層１６の厚さよりも浅く形成す
る（図５の（Ｂ））。なお、この実施の形態では、拡散
領域の深さが約１μｍとなるように拡散時間を調節す
る。
【００５８】次に、任意好適な方法を用いて拡散源膜２
２及びキャップ膜２４を除去した後、例えばアルミニウ
ム（Ａｌ）を開口部２０の領域に蒸着させる。その後、
フォトリソグラフィ法によりｐ型電極２８を形成する。
２及びキャップ膜２４を除去した後、例えばアルミニウ
ム（Ａｌ）を開口部２０の領域に蒸着させる。その後、
フォトリソグラフィ法によりｐ型電極２８を形成する。
【００５９】次に、このｐ型電極２８に対してシンター
してこの電極２８の下部に接触抵抗の低いオーミックコ
ンタクトを形成する（図示せず）。
してこの電極２８の下部に接触抵抗の低いオーミックコ
ンタクトを形成する（図示せず）。
【００６０】一方、Ｓｉ基板１２の裏面には、例えば金
合金を蒸着させてｎ型電極３０を形成する（図５の
（Ｃ））。上述した工程を経てＬＥＤアレイが完成す
る。
合金を蒸着させてｎ型電極３０を形成する（図５の
（Ｃ））。上述した工程を経てＬＥＤアレイが完成す
る。
【００６１】上述した説明からも理解できるように、こ
の発明のＬＥＤアレイは、拡散領域の深さ、すなわちｐ
ｎ接合の深さを浅くしても、プリンタの印字に使用する
ことが可能な発光効率（図４で説明したＬＥＤでは発光
強度２０μＷ）を得ることができる。
の発明のＬＥＤアレイは、拡散領域の深さ、すなわちｐ
ｎ接合の深さを浅くしても、プリンタの印字に使用する
ことが可能な発光効率（図４で説明したＬＥＤでは発光
強度２０μＷ）を得ることができる。
【００６２】また、この発明では、化合物半導体層とし
て、ｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層を用いたがｎ型ＡｌX Ｇ
ａ1-X Ａｓ層の代わりに、赤外光領域の発光を得る場合
はＧａＡｓ層を、可視光領域を得る場合はＧａＩｎＡｓ
層等の３元系混晶又はＧａＩｎＡｓＰ層等の４元系混晶
を用いても良い。
て、ｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層を用いたがｎ型ＡｌX Ｇ
ａ1-X Ａｓ層の代わりに、赤外光領域の発光を得る場合
はＧａＡｓ層を、可視光領域を得る場合はＧａＩｎＡｓ
層等の３元系混晶又はＧａＩｎＡｓＰ層等の４元系混晶
を用いても良い。
【００６３】また、上述した実施の形態では、光電変換
素子として、ＬＥＤ素子を例に取って説明したが、ＬＥ
Ｄ素子の代わりに太陽電池又は受光ダイオード等の素子
にも適用して好適である。
素子として、ＬＥＤ素子を例に取って説明したが、ＬＥ
Ｄ素子の代わりに太陽電池又は受光ダイオード等の素子
にも適用して好適である。
【００６４】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明によれば、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層の層厚を最大で
も３．５μｍとすることにより、化合物半導体層中にお
けるクラックの発生を防止するとともに、拡散領域の深
さを、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層の表面から、この層の厚
さに対し２０〜６０％の範囲の深さにすることにより、
例えばＬＥＤ素子の場合、発光強度をプリンタの印字可
能な強度に維持することができる。すなわち、この程度
の表面からの深さに抑えても、シート抵抗の増大を抑
え、発光光量の減少を抑えることができると共に、この
深さが化合物半導体層の厚さに近づかないようにしてｐ
ｎ接合面でのキャリアの移動もしくはキャリアの発光再
結合が不可能となるのを防止し、よって光電変換素子の
発光の停止が生じないようにすることができる。また、
この発明では、不純物拡散領域の単位面積当たりのＺｎ
拡散濃度を５×１０15〜１×１０16原子／ｃｍ2とする
ことによって、拡散領域の深さが浅くても、例えばＬＥ
Ｄ素子の場合、プリンタ光源として使用可能な高い発光
強度を得ることができる。
発明によれば、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層の層厚を最大で
も３．５μｍとすることにより、化合物半導体層中にお
けるクラックの発生を防止するとともに、拡散領域の深
さを、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層の表面から、この層の厚
さに対し２０〜６０％の範囲の深さにすることにより、
例えばＬＥＤ素子の場合、発光強度をプリンタの印字可
能な強度に維持することができる。すなわち、この程度
の表面からの深さに抑えても、シート抵抗の増大を抑
え、発光光量の減少を抑えることができると共に、この
深さが化合物半導体層の厚さに近づかないようにしてｐ
ｎ接合面でのキャリアの移動もしくはキャリアの発光再
結合が不可能となるのを防止し、よって光電変換素子の
発光の停止が生じないようにすることができる。また、
この発明では、不純物拡散領域の単位面積当たりのＺｎ
拡散濃度を５×１０15〜１×１０16原子／ｃｍ2とする
ことによって、拡散領域の深さが浅くても、例えばＬＥ
Ｄ素子の場合、プリンタ光源として使用可能な高い発光
強度を得ることができる。
【図１】（Ａ）〜（Ｂ）は、この発明の第１のＬＥＤア
レイ（第１の実施の形態）の構造を説明するために供す
る平面図及び断面図である。
レイ（第１の実施の形態）の構造を説明するために供す
る平面図及び断面図である。
【図２】この発明の第１のＬＥＤアレイ（第２の実施の
形態）の構造を説明するために供する断面図である。
形態）の構造を説明するために供する断面図である。
【図３】この発明の第１のＬＥＤアレイ（第３の実施の
形態）の構造を説明するために供する断面図である。
形態）の構造を説明するために供する断面図である。
【図４】［拡散濃度］×［拡散深さ」と発光強度の関係
を説明するために供する図である。
を説明するために供する図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明のＬＥＤアレイを
製造する工程を説明するために供する製造工程図であ
る。
製造する工程を説明するために供する製造工程図であ
る。
【図６】従来のＬＥＤ構造を説明するために供する断面
図である。
図である。
１０：ＬＥＤアレイ １２：ｎ型Ｓｉ基板 １３：Ｓｉ層 １４：ｎ型ＧａＡｓ層 １５：下地 １６：ｎ型Ａｌx Ｇａ1-X Ａｓ層 １８：拡散マスク ２０：開口部 ２２：拡散源膜 ２４：キャップ膜 ２６：ｐ型拡散領域 ２８：ｐ型電極 ３０：ｎ型電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜野 広 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電 気工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平８−203841（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−195506（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−314817（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−239184（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−295280（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00
Claims (5)
- 【請求項１】 下地上にｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層と、該
ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層中に発光層として設けられたｐ
型の不純物拡散領域とを具える光電変換素子において、 前記下地若しくは前記下地の表面層をｎ型のシリコン層
とし、 前記ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層の層厚が最大でも３．５μ
ｍより薄く、 且つ、前記不純物拡散領域の深さが、前記ｎ型ＡｌxＧ
ａ1-xＡｓ層の厚さの２０〜６０％の深さであることを
特徴とする光電変換素子。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光電変換素子におい
て、 前記ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層は、２．５〜３．５μｍの
範囲の層厚であることを特徴とする光電変換素子。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の光電変換素子
において、 前記不純物拡散領域は、 不純物としてＺｎ（亜鉛）を用い、 前記不純物拡散領域の単位面積当たりのＺｎ拡散濃度の
範囲を５×１０15〜１×１０16原子／ｃｍ2 としてある
ことを特徴とする光電変換素子。 - 【請求項４】 請求項３に記載の光電変換素子におい
て、 前記ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層の層厚を２．５μｍとし、
前記不純物拡散領域の深さの範囲を０．５〜１．５μｍ
とするとき、 発光強度が１５〜２３μＷの範囲であることを特徴とす
る光電変換素子。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一項に記載の光
電変換素子において、前記下地をシリコン層とした場
合、該下地の表面層をｎ型の他の化合物半導体層とする
ことを特徴とする光電変換素子。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26893496A JP3268731B2 (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | 光電変換素子 |
| DE69737340T DE69737340T2 (de) | 1996-10-09 | 1997-09-01 | Herstellungsverfahren für eine LED |
| EP97115175A EP0836235B1 (en) | 1996-10-09 | 1997-09-01 | Method of fabrication of an LED |
| US08/923,816 US6054724A (en) | 1996-10-09 | 1997-09-04 | Light-emitting diode, light-emitting diode array |
| US09/329,804 US6271051B1 (en) | 1996-10-09 | 1999-06-10 | Light-emitting diode, light-emitting diode array, and method of their fabrication |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP26893496A Expired - Fee Related JP3268731B2 (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | 光電変換素子 |
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| JP (1) | JP3268731B2 (ja) |
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| US6410940B1 (en) * | 2000-06-15 | 2002-06-25 | Kansas State University Research Foundation | Micro-size LED and detector arrays for minidisplay, hyper-bright light emitting diodes, lighting, and UV detector and imaging sensor applications |
| TW575652B (en) * | 2001-03-07 | 2004-02-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting device |
| US6664563B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-12-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence device with shock buffer function and sealing member with shock buffer function for the same |
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| JP2003243696A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-08-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 自己走査型発光素子アレイチップ |
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| US6957899B2 (en) * | 2002-10-24 | 2005-10-25 | Hongxing Jiang | Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting |
| US7213942B2 (en) * | 2002-10-24 | 2007-05-08 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting |
| US7221044B2 (en) | 2005-01-21 | 2007-05-22 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter |
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| US7535028B2 (en) * | 2005-02-03 | 2009-05-19 | Ac Led Lighting, L.Lc. | Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp |
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| WO2007002603A2 (en) * | 2005-06-24 | 2007-01-04 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Optically-triggered power system and devices |
| US7714348B2 (en) * | 2006-10-06 | 2010-05-11 | Ac-Led Lighting, L.L.C. | AC/DC light emitting diodes with integrated protection mechanism |
| TWI425656B (zh) * | 2008-09-16 | 2014-02-01 | Just Innovation Corp | 發光二極體晶片及其製造方法 |
| CN105349145B (zh) | 2010-08-06 | 2019-01-22 | 免疫之光有限责任公司 | 利用上转换材料和下转换材料的颜色增强 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3963539A (en) * | 1974-12-17 | 1976-06-15 | International Business Machines Corporation | Two stage heteroepitaxial deposition process for GaAsP/Si LED's |
| US3963538A (en) * | 1974-12-17 | 1976-06-15 | International Business Machines Corporation | Two stage heteroepitaxial deposition process for GaP/Si |
| US4644342A (en) * | 1984-03-29 | 1987-02-17 | Eastman Kodak Company | Array of light emitting diodes for producing gray scale light images |
| EP0214610B1 (en) * | 1985-09-03 | 1990-12-05 | Daido Tokushuko Kabushiki Kaisha | Epitaxial gallium arsenide semiconductor wafer and method of producing the same |
| FR2620863B1 (fr) * | 1987-09-22 | 1989-12-01 | Thomson Csf | Dispositif optoelectronique a base de composes iii-v sur substrat silicium |
| JPH01207920A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | ＩｎＰ半導体薄膜の製造方法 |
| JPH01212483A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Nec Corp | 半導体装置 |
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| EP0723258B1 (en) | 1995-01-17 | 2000-07-05 | Nec Corporation | Speech encoder with features extracted from current and previous frames |
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| JP3563141B2 (ja) * | 1995-01-31 | 2004-09-08 | 沖電気工業株式会社 | Ｚｎの固相拡散方法およびＬＥＤの製造方法 |
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- 1996-10-09 JP JP26893496A patent/JP3268731B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1997-09-01 DE DE69737340T patent/DE69737340T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-04 US US08/923,816 patent/US6054724A/en not_active Expired - Lifetime
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