JPH0394481A - アレイ状半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野１ 本発明はアレイ状半導体発光装置に関し、発光領域が分
離溝によって複数の領域に分割されているアレイ状半導
体発光装置に関する。

［従来の技術１ 普通紙複写機等の印字装置の光源等への応用を目的とし
て，アレイ状半導体発光装置の研究が行われている。こ
の場合に用いられるアレイ状半導体発光装置には，基板
面と平行な面内に，四角形の発光部を所定方向に多数配
列した面発光型発光ダイオードアレイや，基板面と垂直
な端面から、所定方向に多数配列した光出力が得られる
端面発光型発光グイオードアレイ等がある。

面発光型発光ダイ才一ドアレイの基本的な構造としては
、例えば、第３図（ａｌに示すようなものが報告されて
いる（昭和５５年度電子通信学会通信部門全国大会予稿
集１　−２１１　）　．この様な面発光型発光ダイオー
ドアレイでは，多くの場合、その発光部ｌ２より得られ
る光出力の強度を発光面内で均一化するために、発光部
１２の両端、若しくは、周囲に電極ｌ１が形成されてい
る。このように、光出力が取り出される発光部ｌ２と電
極１１とが同一面上に存在するため、単位素子当りに要
する幅は、発光部ｌ２の幅と電極１１の幅、及び素子分
離領域の幅を合計したものとなり、たとえば６００ｄｐ
ｊ　（ｄｏｔｓｐｅｒ　ｉｎｃｈ）以上のような高密度
に発光部ｌ２を形成することは、極めて困難である。ま
た、このような発光グイ才一ドアレイを用いた光源では
，第３図ｆｂｌに示すように、発光の近視野像ｌ４の間
に大きな隙間１５が生じてしまう。このため、副走査方
向、すなわち、発光部１２の配列方向に垂直な方向には
、線走査する事が可能であるが，主走査方向、即ち、発
光部ｌ２の配列方向には、発光の近視野像が連続してい
ないため，完全な線走査をする事ができなかった．この
結果，印字画像上に、副走査方向に白いすしが生じ、印
字品質が著しく低下してしまうものとなっていた。

端面発光型発光素子アレイとしては、例えば、第４図（
ａｌに示すようなちのが報告されている（特開昭６０−
３２３７３１。この例では，基板上の積層構造内に複数
の発光部２４が形成されており、これらの発光部２４は
、その基板面と平行な面内に、その端而に対して垂直な
方向に形成された分離溝２６により、電気的かつ空間的
に分離されている。このような端面発光型発光ダイ才一
ドアレイでは、光出力２３が取り出される発光部２４と
電極２ｌとが同一面上に存在せず、単位素子当りに要す
る幅は、発光部２４の幅と素子分離領域の幅を合計した
ちのとなり、例えば６００ｄｐｉ以上の様な高密度の発
光部の形成も、原理的に可能である。しかしながら，こ
のような構造の発光ダイオードアレイにおいても，その
発光部２４間の分離満２６が、基板面と平行な面内にお
いて光出射端面２２と垂直な方向，即ち、光出射軸方向
２３に平行に形成されているため，第４図ｆｂｌに示さ
れる様に、隣接する発光の近視野像２７の間に、分離溝
２６の幅に対応する大きな隙間２８が生じてしまう。こ
のため、従来の端面発光型発光グイ才一ドアレイにおい
ても、発光部２４の配列方向にはその隣接近視野像が十
分接近したり，あるいは連続したリせず、面発光型ダイ
オードアレイの場合と同様に、主走査方向に完全な綿走
査をすることができなかった。この結果、やはり印字画
像上の副走査方向に白いすしが生じ、印字品質は著しく
低いものとなっていた。

このような端面発光型発光ダイ才−ドアレイにおいて、
印字画像上の副走査方向に生じる白いすしを軽減するた
めの方法としては、発光部２４を分離する分離満２６の
幅を極めて小さくする事が考えられる．通常、この分離
溝２６は、積層構造部表面から活性層である発光領域を
貫通し、基板もしくは発光領域よりも基板制にある層に
達する様に形成されている。一方、発光領域は、通常、
発光効率等の関係より、積層構造部表面から２〜５０μ
ｍ程度の深さに形成されている。これより、印字画像品
質の低下を防ぐために、幅が１〜２ＬＬｍ程度の狭い分
離溝２６を形成しようとすると、その分離溝の断面の，
幅に対する深さの比（深さ／幅，アスペクト比）が１〜
５０となり，この様な分離溝２６を、高い寸法精度にて
再現性良く形成することは、技術的に非常に困難である
。さらに、種々の技術を用いて、幅が小さくアスペクト
比の大きな分離満２６を形成したとしても、発光部間に
は常に分離溝２６の幅に対応する隙間が存在するため、
印字画像上の副走査方向に生じる白いすしを完全に除去
する事は不可能である。

［発明が解決しようとする課題］ 以上のようなことにより、高密度高品質な印字画像の形
成が可能な印字用アレイ状半導体発光装置は、これまで
実現されてなかった。

本発明はこのような従来技術の問題点を解消し，高密度
かつ高品質印字を実現するために、隣接発光部の近視野
像間の隙間が十分小さいか、もしくは隣接発光部の近視
野像が連続しており、印字の際に，主走査方向に対して
も線走査が可能であり、かつ６００ｄｐｉ以上の様な高
密度に発光部を形成できる印字用アレイ状半導体発光装
置を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明によれば、基板上に，分離溝によって複数の領域
に分離された発光領域が形成され、光出力は、その端面
から基板と平行な方向に得られるアレイ状半導体発光装
置において、分離満は、すくなくとも発光領域の光出射
軸方向と平行以外の方向に形成された部分を有するもの
である。

本発明は、静電記録や感熱記録と異なり，アレイ状半導
体発光装置と感光ドラム等の投光面との間に、短焦点レ
ンズアレイ等の光学系が配置してあり、発光部の近視野
像を投光面上に結像させる事により印字を行なう＄、及
び、一般的に、その光学系が発光素子長よりも長い大き
な焦点深度を有している事を考慮してなされたちのであ
る．［作用１ 本発明は，発光部の高密度化が可能である端面発光型発
光ダイオードアレイにおいて，その発光領域を分割する
分離溝に、光出射軸方向と平行以外の方向に形成された
部分を設けているため、各発光領域の光出射端面である
発光部より、光出射軸方向に得られる光出力と共に、分
離溝の光出射軸方向と平行以外の方向に形成された部分
の側面から出た光も、光出射軸方向に取り出される．こ
の結果、各発光部からの光出力の近視野像の間に、分離
溝側面から出た光による近視野像が形成されるため、隣
接する発光部間の近視野像の隙間を、実際の分離溝の幅
よりも小さくする事ができるものである．さらに，この
隣接発光部間の近視野像の隙間を限り無く小さくする事
により、隣接発光領域間の近視野像を連続させる事がで
きるようになるものである．また，分離溝に、光出射軸
方向と平行以外の部分と、光出射軸方向と平行な部分を
，同時に形成した場合には，隣接する発光部間の近視野
像の隙間を、実際の分離溝の幅より６小さくしたり、隣
接発光領域間の近視野像を連続させると同時に、大きな
光出力が得られるようになるものである。

［実施例］ 次に添付図面を参照して本発明による半導体発光装置の
実施例を詳細に説明する。

本発明によるアレイ状半導体発光装置の、第一実施例を
第１図（ａｔ　．　ｆｂ）に示す．第１図［ａ）には、
アレイ状半導体発光装置を、その光出射端面側から見た
場合の正面図が示されている．第一導電型基板３６の主
表面に、第一導電型クラッド層３５、発光層である活性
層３４、第二導電型クラッド層３３、キャップ層３２の
複数から成る積層構造（ダブルへテロ構造）が形成され
ている．この積層構造の表面，即ちキャップ層３２上面
から基板３６面に対して垂直に、第一導電型基板３６に
対する分離満３８が形成されており、この分離満３８に
よって、最隣接発光領域が電気的に分離され、これらの
発光領域を有する単素子発光素子の集合体として、アレ
イ状発光装置が形成されている． このアレイ状発光装置の光出射端面は，基板３６面に対
して垂直に形成されている．アレイ状発光装置を構成す
る各発光素子のキャップ層３２上には、それぞれ、第二
導電型層に対応する電極３ｌが形成され，また，第一導
電型基板３６の裏面には、第一導電型層に対応する電極
３７が形成されている．任意の発光素子の第二導電型電
極３ｌと第一導電型電Ｉｆｉ３７の間に、所定の順方向
電流を流す事により、アレイ状発光装置内の、任意の位
置の発光素子より光出力を得る事ができるものである．
このようなアレイ状発光装置において，分離溝３８は，
基板面上において、光出射軸方向３９（第ｌ図（ｂ））
に対して平行以外の方向の部分を有するように，一方の
端面よりもう一方の端面に至るまで形成されている． このように、基板面上に形成された分離溝３８の様子を
第ｌ図ｆｂｌに示す．同図からわかるように、分離溝３
８は円弧状に形成されているため、光出射軸方向３９と
平行でない部分を含んでいる。

このような構造のアレイ状発光装置では、最隣接発光素
子間において，その分離溝３８が光出射軸方向３９と平
行でないことから、素子動作時に、光出射端面３１２か
らの光出力３１１と同時に、分離溝３８側面からの発光
も光出射軸方向３９に光出力として得られるものである
．結像のために用いられる光学系として、その焦点深度
が素子長Ｌど等しいか、もしくはこれよりも大きいよう
な光学系を用いると、結像面には分離溝３８側面からの
光も近視野像として結像される． 本実施例に示される構造のアレイ状発光装置より得られ
た近視野像と、その光強度分布の一例を第２図に示す。

同図に示すように、光出射端面の近視野像４２の間に、
任意の幅の分離溝３８側面の近視野像４３が結像される
ようになり、隣接素子間の近視野像間の隙間４５が、実
際の分離溝３８の幅４４よりも小さくなるものである。

このような近視野像４ｌを有するアレイ状発光装置をプ
リンタ用光源として用いると、主走査方向に綿走査した
場合のドットの隙間４５をきわめて小さくする事ができ
、印字品質が著しく向上するようになる． 本発明によるアレイ状半導体発光装置の、第二実施例を
第５図（ａｔ　．　ｆｂｌに示す。第５図ｆａｔは、ア
レイ状半導体発光装置を，その光出射端面測から見た場
合の正面図である。第一導電型基板５６の上に、第一導
電型クラッド層５５，発光層である活性層５４、第二導
電型クラッド層５３、キャップ層５２の複数から成る積
層構造（ダブルへテロ構造）が形成されている．この積
層構造の表面，即ちキャップ層５２上面から基板５６面
に対して垂直に，第一導電型基板５６に達する分離溝５
８が形成されており，この分離溝５８によって、最隣接
発光領域が電気的に分離され，これらの発光領域を有す
る単素子発光素子の集合体として、アレイ状発光装置が
形成されている。このアレイ状発光装置の光出射端面５
ｌ３（第５図｛ｂ））は、基板５６面に対して垂直に形
成されている。

アレイ状発光装置を構成する各発光素子のキャップ層５
２上には、それぞれ、第二導電型層に対応する電極５ｌ
が形成され、また第一導電型基板５６の裏面には、第一
導電型層に対応する電極５７か形成されている．任意の
発光素子の第二導電型電極５ｌと第一導電型電極５７の
間に，所定の順方向電流を流す事により、アレイ状発光
装置内の、任意の位置の発光素子より光出力を得る事が
できるものである． 第５図ｆｂｌ　に示すように、このようなアレイ状発光
装置において、分離満５８は、基板５６面上において光
出射軸方向５９に対して平行以外の方向，即ち，光出射
端面となす角度θが９『以外の角度となるように、すな
わち垂直と異なる方向に，かつ一方の端面よりもう一方
の端面に至るまで、直線状に形成されている。

このような構造のアレイ状発光装置では、最隣接発光素
子間の分離溝５８が光出射軸５９方向と平行でない事か
ら、素子動作時に、光出射端面５１３からの光出力５１
１と同時に、分離満５８側面からの発光も光出射軸５９
方向に光出力として得られるものである． 結像のために用いられる光学系として、その焦点深度が
素子長Ｌと等しいか、もしくは大きいような光学系を用
いると，第６図に示すように、結像面には分離満５８側
面からの光も近視野像として結像される。このため、光
出射端面５１３の近視！チ像６２の間に，分離溝５８側
面の近視野像６３が結像されるようになり、隣接素子間
の近視野像間の隙間６５を分離満５８の幅よりも小さく
する事ができるものである．さらに、基板５６面上にお
いて、分離溝５８が直線状に形成されている事から、分
離溝５８と光出射端面５１３のなす角度θを変化させる
事により、光出射端面５１３の近視野像の間に結像され
る分離溝５８側面の近視野像の幅を、制御性良く、任意
の幅とする事ができる．これによって，隣接素子間の近
視野像間の隙間を任意の幅で、精度良く小さくする事が
できるものである。

本実施例に示される構造のアレイ状発光装置より得られ
た近視野像と，その光強度分布の一例を第６図に示す。

このような近視野像６１を有するアレイ状発光装置をプ
リンタ用光源として用いると、主走査方向に線走査した
場合のドットの隙間を，容易に、制御性良く，極めて小
さくする事ができ、印字品質が河しく向上する． 上記のように本実施例においては、発光部を分離するた
めに基板上に形成された分離溝が、光出射軸方向に対し
て、平行以外の方向に、直線状に形成されているため、
光出射端面の后視野像の間の一部に分離側面の近視野像
が形成される。このため、この様なアレイ状半導体発光
装置をプリンタ用光源として用いて、主走査方向に線走
査した場合，従来のアレイ状半導体発光装置では実現が
困難である程までに隣接ドット間の隙間を小さくする事
ができ、印字品質が著しく向上する様になる。また、こ
のようなアレイ状半導体発光装置では、その分離溝が直
線状に形成されているため、形状が複雑でなく、製作が
容易である。さらに、分離溝が直練状であるために、分
離溝と光出射軸方向のなす角度を制御する事により、隣
接ドット間の隙間を、精密に再現性良く小さくする事が
できるものである。

本発明によるアレイ状半導体発光装置の第三実施例を第
７図ｔａ＋　．　ｆｂｌに示す．第７図（ａｔの正面図
に示されるように、第１図（ａｌ　．　ｉｂｌの第一実
施例および第５図（ａｌ　．　ｆｂ）の第二実施例の積
層構造と同様の積層構造から成り、これらの前記実施例
と同様に、積層構造の表面から基板面に対して垂直に、
第一導電型基板７６に達する分離溝７８が形成されてい
る．この実施例においても前記実施例と同様に、この分
離満７８によって最隣接発光部が電気的に分離される。

これらの発光部を有する単素子発光集合体として、アレ
イ状発光装置が形成されている． この場合、分離溝７８は、第７図（ｂｌに示されるよう
に，基板７６面上において光出射軸方向７１３に対して
平行以外の方向，即ち，光出射端面７１４となす角度θ
が９０゜以外の角度となるように形成されており、且つ
，光出射端面７１４での分離満７８の幅をａ．素子長を
Ｌとした場合、ｔａｎθ≦Ｌ　／　ａなる関係を満たし
ており、さらに、一方の端面よりもう一方の端面に至る
まで、直線状に形成されていることを特徴としている． このような構造の分離溝を有するアレイ状発光装置と、
結像系としてその焦点深度がａ　ｔａｎθよりも大きな
光学系を用いると、第８図に示すように、結像面には、
分離溝７８側面からの光ち近視野像８２として結像され
る。これによって、光出射端面の近視野像８３の間の全
域に、分離満７８側面の近視野像８２が結像されるよう
になり、最隣接素子間の近視野像が連続するようになる
。また、その強度分布は、その一例として、第８図に示
されたようになる６ 本実施例に示される構造のアレイ状発光装置をプリンタ
用光源として用いると、副走査方向のみならず、主走査
方向にもドットが連続し、両走査方向に対して完全な線
走査を行う事ができるようになり、印字品質が著しく向
上するようになる．この実施例においては上記のように
、発光部を分離するために基板上に形成された分離満７
８が、光出射軸方向７１３に対して平行以外の方向に、
直線状に形成されている．同時に，このアレイ状半導体
発光装置において，光出射端面７１４での分離溝の幅を
ａ、光出射軸方向７１３に対する発光領域の長さをし、
基板面と平行な面上にて、光出射端面７１４と分離溝７
８とのなす角度をθとした場合、常にｔａｎθ≦Ｌ　／
　ａとなっている。

このため、光出射端面７１４の近視野像８３の間の全域
に分離溝７８側面の近視野像８２が形成される．このよ
うなアレイ状半導体発光装置をプリンタ用光源として用
いて主走査方向に線走査した場合、従来のアレイ状半導
体発光装置では実現が困難であった、連続した隣接ドッ
トが得られるようになり，副走査方向のみならず、主走
査方向にも完全な線走査が可能となり，印字品質が著し
く向上する． さらに，このようなアレイ状半導体発光装置は，その分
離満７８が直線状に形成されているため、形状が複雑で
なく、製作が容易なものである． 本発明によるアレイ状半導体発光装置の第四実施例を第
９図（ａｌ　．　（ｂ）に示す．第９図（ａｌに示され
るように、前記第一実施例ないし第三実施例に示された
積層構造と同様の積層構造から成り、その積層構造の表
面から基板９７面に対して垂直に、第一導電型基板９７
に達する分離溝９８が形成されている．前記実施例と同
様に、この分離溝９８によって、最隣接発光部が電気的
に分離される。これらの発光部を有する単素子発光素子
の集合体として，アレイ状発光装置が形成されている．
第９図ｆｂｌ　に示すように、分離満９８は、前記実施
例と同様に、基板９７面上において光出射軸方向９１２
に対して平行以外の方向に、一方の端面より，もう一方
の端面に至るまで形成されている．第９図（ａｔおよび
ｆｂｌに示されるように，電流経路以外のキャップ層９
３上には、絶縁１１Ｉ９２が設けられており、これによ
って、キャップ層９３上に実質的に形成される第二導電
型電極９１の幅を制限し，単素子発光素子の幅Ｗよりも
狭い幅Ｓで、活性層９５に対して電流注入するものであ
る。

このように、単素子の活性装置への電流注入領域幅を変
える事により、強発光領域の幅を制御することができ．
これによって，光出射端面９１４からの光強度と分離満
７８側面からの光強度の割合を任意の値とする事ができ
る．さらに，発光領域である活性曹９５への注入電流密
度が高くなり、高発光効率が得られるため、低注入電流
動作時においても光出射軸方向９１２に大きな光出力９
１１が得られるようになる。前記第一実施例および第二
実施例と同様に，本実施例に示される構造のアレイ状発
光装置と、適当な結像光学系を用いる事により，隣接素
子間の近視野像間の隙間が分離溝９８の幅よりも小さく
、光出射端面９１４からの光出力と分離満９８側面から
の光出力の強度分布が任意に制御された近視野像が得ら
れる。

さらに，前記第三実施例と同様に、光出射端面９１４で
の分離溝９８の幅をａ，光出射端面９１４と分離溝９８
のなす角度をθ，素子長をＬとした場合，ｔａｎθ≦Ｌ
／ａとする事により、隣接素子間の近視野像が連続して
おり，光出射端面９１４からの光出力と分離満９８側面
からの光出力の強度分布が任意に制御された近視野像が
得られる。

第ｌＯ図には，本実施例において， ｔａｎθＳ　Ｌ　／　ａの場合として示される構造のア
レイ状発光装置より得られた近視野像の一例を示す。光
出射端面の近視野像１０２の間の全域｝こ分離満９８側
面の近視野像１０３が形成されており、隣接素子間の近
視野像が連続している．またキャップ層９３上に実質的
に形成される第二導電型電極９ｌの幅、即ち、活性層９
５への電流注入領域幅を変える事により，強発光領域の
幅が制御され、光強度分布を、光強度分布１０４から光
強度分布１０５の範囲で、任意の強度分布とする事がで
きる．これによって、印字の際の印字強度分布を制御す
る事ができる． 本実施例に示される構造のアレイ状発光装置をプリンク
用光源として用いると、主走査方向の隣接ドット間の隙
間が極めて小さく、且つ印字強度分布が制御された印字
や、主走査方の隣接ドットが連続し、且つ印字強度分布
が制御された印字を行う事ができ，印字品質が著しく向
上する．本発明によるアレイ状半導体発光装置の第五実
施例を第１１図ｆａ）　．　（ｂｌ　に示す．第一導電
型基板１１７の上に、第一導電型クラツド層１１６　．
発光層である活性層１１５　．第二導電型クラッド層１
１４、第一導電型キャップ層１１３の層構造が形成され
ている．第一導電型キャップ層１１３内には、単素子発
光素子の幅Ｗよりも狭い幅Ｓで，キャップ層表面より第
二導電型クラッド層１１４に達する第二導電型領１′！
ｌｉｌｌ２が形成されている．この積層構造の表面、即
ちキャップ層１１３上面から基板１１７面に対して垂直
に、第一導電型基板に達する分離溝１１８が形成されて
おり、且つ、この分離溝１１８は、基板１１７面上にお
いて光出射軸方向に対して平行以外の方向に、一方の端
面よりもう一方の端面に至るまで形成されている。この
分離満１１８によって、最隣接発光部が電気的に分離さ
れ、これらの発光部を有する単素子発光素子の集合体と
して，アレイ状発光装置が形成されている．アレイ状発
光装置を構成する各発光素子のキャップ層１１３上には
、それぞれ、第二導電型層に対応する電極１１１が形成
され，また、第一導電型基板１１７の裏面には、第一導
電型層に対応する電極＋１９が形成されている。

任意の定光素子の第二導電型電極ｔｘｔと第一導電型電
極１１９の間に、所定の順方向電流を流す事により，ア
レイ状発光装置内の、任意の位置の発光素子より光出力
を得る事ができるものである。

本実廊例に示される構造のアレイ状発光装置では、第一
導電型キャップ層１１３内に形成された第二導電型領域
１１２のみが電流経路となり，活性層１１５に電流注入
される．この第二導電型領域１１２の幅を制御し，活性
層１１５の電流注入領域幅を変える事により、強発光領
域の幅を制御する事ができ，これによって、光出射端面
１１１４からの光強度と分離満１１８（ｌ１１面からの
光強度の割合を任意の値とする事ができる。

さらに，発光領域である活性層１１５への注入電流密度
が高くなり、高発光効率が得られるため、低注入電流動
作時においても光出射軸方向１１１２に大きな光出力ｔ
ｉｌｌが得られる。

本実施例に示される構造のアレイ状発光装置と、適当な
結像光学系を用いる事により、第四実施例と同様に，隣
接素子間の近視野像間の隙間が分離溝１１３の幅よりも
小さく，光出射端面１１１４からの光出力１１１１と分
離満１１８側面からの光出力１１１１の強度分布が任意
に制御された近視野像や、隣接素子間の近視野像が連続
しており、光出射端面１１１４からの光出力と分離満側
面からの光出力の強度分布が任意に制御された近視野像
が得られる。このような近視野像を有する本装置をプリ
ンタ用光源として用いる事により、極めて高品質な印字
が可能となるものである。

本発明によるアレイ状半導体発光装置の第六実施例を、
第ｌ２図ｆａ）　．　ｆｂ）に示す。第一導電型基板１
２９の上に，第一導電型クラッド層ｌ２５、発光層であ
る活性層ｌ２４、第二導電型クラッド層１２３、第二導
電型キャップ層１２２の層構造が形成されており，さら
に，これらの両側には、これらの層構造を埋め込む第一
導電型埋込層１２６および第二導電型埋込層１２７が形
成されている。この埋込層上面から基板面に対して垂直
に、第一導電型基板１２９に達する分離溝１２８が形成
されており、且つ．この分離溝１２８は、基板１２９面
上において光出射軸方向ｌ２１２に対して平行以外の方
向に、一方の端面よりもう一方の端面に至るまで形成さ
れている。この分離溝１２８によって、最隣接発光部が
電気的に分離され，これらの発光部を有する単素子発光
素子の集合体として、アレイ状発光装置が形成されてい
る。

アレイ状発光装置を構成する各発光素子のキャップ層１
２２上には，それぞれ、第二導電型層に対応する電極１
２１が形成され，また、第一導電型基板１２９の裏面に
は、第一導電型層に対応する電極１２１３が形成されて
いる。任意の発光素子の第二導電型電極１２］　と第一
導電型電極１２１３の間に，所定の順方向電流を流す事
により、アレイ状発光装置内の、任意の位置の発光素子
より光出力を得る事ができるものである。本実施例の場
合，素子動作時に埋込層は逆バイアス状態となり、等価
的に高抵抗領域となるため，埋込層以外の積層構造部の
みが電流経路となり，活性層１２４に電流注入される。

このため、第四実施例の場合と同様に、埋め込まれた積
層構造部の幅Ｓを変えて強発光領域の幅を制御する事に
より、光出射端面１２１５からの光強度と分離溝１２８
　ＩＩ１面からの光強度の割合が任意の値となる様な発
光強度分布を得る事ができる．さらに，発光領域である
活性層１２４への注入電流密度が高くなり、高発光効率
が得られるため，低注入電流動作時においてち光出射軸
方向１２１２に大きな光出力が得られる。

本実施例に示される構造のアレイ状発光装置と、適当な
結像光学系を用いる事により，第四実施利と同様に，隣
接素子間の近視野像間の隙間が分離溝１２８の幅よりも
小さく、光出射端面１２ｌ５からの光出力と分離溝１２
８側面からの光出力の強度分布が任意に制御された近視
野像や、隣接素子間の近視野像が連続しており、光出射
端面１２１５からの光出力と分離溝１２８　ＩＩ１面か
らの光出力の強度分布が任意に制御された近視野像が得
られる。このような近視野像を有する本装置をプリンタ
用光源として用いる事により，極めて高品質な印字が可
能となるものである。なる．」：記の埋込層としては．
第一導電型層と第二導電型層による埋込層以外に，高抵
抗層による埋込層を用いる事ちできる． 本発明によるアレイ状半導体発光装置の第七実施例を第
１３図ｆａｔ　．　ｆｂ）に示す。第一導電型基板１３
７の上に、第一導電型クラッド層１３６，発光層である
活性層ｌ３４、第二導電型クラツド層１３３、第二導電
型キャップ層１３２の層構造が形成されている。また、
単素子発光素子の幅Ｗよりも狭い幅の電流経路Ｓを残し
て、第二導電型キャップ層１３２表面から第一導電型ク
ラッド層１３６に達する高抵抗領域１３５が、プロトン
注入等により形成されている。この積層構造の表面、即
ちキャップ層１３２上面から基板１３７面に対して垂直
に、第一導電型基板１３７に達する分離溝１３８が形成
されており、且つ，この分離溝１３８は、基板面上にお
いて光出射軸方向に対して平行以外の方向に、一方の端
面よりもう一方の端面に至るまで形成されている。この
分離満１３８によって、最隣接発光部が電気的に分離さ
れ、これらの発光部を有する単素子発光素子の集合体と
して、アレイ状発光装置が形成されている。アレイ状発
光装置を構成する各発光素子のキャップ層｛３２上には
、それぞれ、第二導電型層に対応する電極１３１が形成
され、また、第一導電型基板ｌ３７の裏面には、第一導
電型層に対応する電極１３９が形成されている。任意の
発光素子の第二導電型電極１３１と第一導電型電極１３
９の間に，所定の順方向電流を流す事により，アレイ状
発光装置内の、任意の位置の発光素子より光出力を得る
事ができるものである６ 本実廊例の場合、高抵抗領域１３５以外の積層構造部の
みが電流経路となり、活性層１３４に電流注入される．
このため、第四実施例の場合と同様に，電流経路となる
積層構造部の幅を変えて強発光領域の幅を制御する事に
より，光出射端面１３］４からの光強度と分離溝１３８
側面からの光強度の割合が任意の値となるような発光強
度分布を得る事ができる。さらに、発光領域である活性
層１３４への注入電流密度が高くなり，高発光効率が得
られるため、低注入電流動作時においても光出射軸方向
１３１２に大きな光出力が得られるようになる。

本実施例に示される構造のアレイ状発光装置と，適当な
結像光学系を用いる事により、第四実施例と同様に、隣
接素子間の近視野像間の隙間が分離溝１３ｇの幅よりも
小さく、光出射端面からの光出力と分離満１３８側面か
らの光出力の強度分布が任意に制御された近視野像や、
隣接素子間の近視野像が連続しており，光出射端面１３
ｌ４からの光出力と分離満１３８側面からの光出力の強
度分布が任意に制御された近視野像が得られる．このよ
うな近視野像を有する本装置をプリンタ用光源として用
いる事により、極めて高品質な印字が可能となるもので
ある．なお、プロトン注入等により形成された高抵抗領
域１３５の底部は、第一導電型基板ｌ３７、第一導電型
クラッド層ｌ３６、活性層ｌ３４、第二導電型クラッド
層１３３の，いずれの層構造内にあっても電流経路の幅
を変える事が可能であり、その位置は、これらの層内で
あれば特に問題はない。

本発明によるアレイ状半導体発光装置の第八実施例を第
１４図ｆａｔ　．　（ｂｌ　に示す。第ｌ４図ｆａ）は
，アレイ状半導体発光装置を、その光出力端面側から見
た場合の正面図である。第ｌ図ｆａｔ　（ｂｌの第一実
施例に示される積層構造と同様な積層構造から成り、そ
の積層構造の表面、即ちキャップ層１４２上面から基Ｉ
２ｉｉ１４６面に対して垂直に、第一導電型基板１４６
に達する分離溝１４８が形成されており、この分離満１
４８によって，最隣接発光領域が電気的に分離されてい
る６これらの発光領域の光出射端面１４１２は、基板１
４６面に対して垂直に形成されており、各単素子発光素
子の集合体として、アレイ状発光装置が形成されている
。

アレイ状発光装置を構成する各発光素子のキャップ層１
４２上には、それぞれ、第二導電型層に対応する電極１
４１が形成され、また、第一導電型基板１４６の裏面に
は、第一導電型層に対応する電極１４７が形成されてい
る．任意の発光素子の第二導電型電極１４１と第一導電
型電極１４７の間に、所定の順方向電流を流す事により
，アレイ状発光装置内の、任意の位置の発光素子より光
出力を得る事ができるものである． このようなアレイ状発光装置において、第１４図ｆｂｌ
　に示すように、各分離溝１４８は、基板面上において
光出射軸方向１４９に対して平行以外の方向に形成され
た部分と、光出射軸方向１４９と平行な方向に形成され
た部分の、両方を同時に有し、かつ一方の端面よりもう
一方の端面に至るように形成されている。このように基
板面上に形成された分離満１４８の様子を、第ｌ４図ｆ
ｂｌ　に示す。このような構造のアレイ状発光装置では
、最隣接発光素子間の分離溝１４８が、光出射軸方向１
４９と平行でない部分を有している事から、素子動作時
に、光出射端面１４１２からの光出力と同時に，分離満
１４８測面からの発光ち光出射軸方向１４９に光出力と
して得られるものである。結像のために用いられる光学
系として，その焦点深度が、各分離溝１４８の，光出射
方向１４９に対して平行以外の方向に形成された部分の
、光出射軸方向１４９の長さＭと等しいか、もしくはＭ
よりも大きいような光学系を用いると、結像面には分離
溝１４８側面からの光も近視野像として結像される。こ
のため、光出射端面１４１２の近視野像の間に、分離溝
１４８　ＩＩ１面の近視野像が結ｆ象されるようになり
、隣接素子間の近視野像間の隙間を分離溝１４８の幅よ
りも小さくする事ができるものである。

さらに、各分離満１４８は、基板面１４７上において，
光出射方向１４９に対して平行以外の方向に形成された
部分と同時に，光出射軸方向１４９と平行な方向に形成
された部分を有しており、これによって光出射軸方向１
４９に長い活性層１４４が形成されている事から，光出
射軸方向１４９に対して大きな光出力１４１１が得られ
るものである．本実旅例に示される構造のアレイ状発光
装置と、適当な結像光学系を用いる事により，隣接素子
間の着視野像間の隙間が分離溝１４８の幅よりも小さな
貢視訃像を有し，かつ光出射軸方向１４９に対して大き
な強度を有する光出力が得られる。

本実施例に示される構造のアレイ状発光装置より得られ
た近視野像と、その光強度分布の一例を第ｌ５図に示す
。このような近視野像と光出力を有する本発光装置をプ
リンタ用光源として用いる事により、主走査方向に線走
査した場合のドットの隙間を容易に小さくする事ができ
、極めて高品質な印字が可能となるものである．また，
これと同時に大きな光出力が得られるため、高速度高品
質印字が可能となるものである。

上記のように，この実施例においては、発光部を分離す
るために基板上に形成された分離満１４８が、基板１４
６面と平行な面上において、光出射軸方向１４９と平行
以外の方向に形成された部分と、光出射軸方向１４９と
平行な方向に形成された部分の、両方の部分を同時に有
している６このため、分離満１４８の、光出射軸方向１
４９と平行以外の方向に形成された部分により、光出射
端面１４１２の近視野像の間に分離満１４８側面の近視
野像が形成され、隣接発光素子の近視野像間の隙間を、
実際の隣接発光素子間の隙間よりも小さくする事ができ
る。また、これと同時に、分離溝１４８の、光出射軸方
向１４９と平行な方向に形成された部分により、光出射
軸方向１４９に長い活性層１４４も形成されるために，
光出射軸方向１４９に大きな光出力１４１１が得られ，
これによって高速印字が可能となるものである。

このようなアレイ状半導体発光装置をブリンク用光源と
して用いて主走査方向に線走査した場合、従来のアレイ
状半導体発光装置では実現が困難だった、隣接ドット間
の隙間が小さい、高い品質の印字を、高速にて行なうこ
とが可能となるち本発明によるアレイ状半導体発光装置
の第九実施例を第ｌ６図（ａｌ　．　ｆｂｌ　に示す。

第ｌ６図（ａ）は、アレイ状半導体発光装置を、その光
出射端面倒から見た場合の正面図である。本実施例は、
第八実施例に示される積層構造と同様な積層構造から成
り、その積層構造の表面、即ちキャップ層１６２上面か
ら基板１６６面に対して垂直に、第一導電型基板１６Ｂ
に達する分離満１６８が形成されており、この分離溝１
６８によって最隣接発光領域が電気的に分離されている
。これらの発光領域の光出射端面ば、基板１６６面に対
して垂直に形成されており、各単素子発光素子の集合体
として、アレイ状発光装置が形成されている。

アレイ状発光装置を構成する各発光素子のキャップ層１
６２上には、それぞれ、第二４電型層に対応する電極１
６１が形成され、また、第一導電型基板１６６の裏面に
は，第一導電型層に対応する電極１６７が形成されてい
る。任意の発光素子の第二導電型電極１６１と第一導電
型電極１６７の間に、所定の順方向電流を流す事により
、アレイ状発光装置内の、任意の位置の発光素子より光
出力を得る事ができるものである． このようなアレイ状発光装置において、第１６図（ｂｌ
に示すように、各分離溝１６８は，基板１６６面上にお
いて光出射軸方向１６９に対して平行以外の方向，即ち
、光出射端面１６１２となす角度θが９０゜以外の角度
となるように、すなわち、垂直と異なる方向に、直線状
に形成された部分と、光出射軸方向１６９と平行な方向
に形成された部分の、両方を同時に有し、かつ一方の端
面よりもう一方の端面に至るように形成されている。

このような構造のアレイ状発光装置では，最隣接発光素
子間の分離溝１６８が、光出財軸方向１６９と平行でな
い部分を有している事から、素子動作時に，光出射端面
１６ｌ２からの光出力１６ｌ１と同時に、分離満１６８
側面からの発光も光出射軸方向１６９に光出力１６１１
として得られるものである。結像のために用いられる光
学系として，その焦点深度が、各分離溝１６８の、光出
射軸方向１６９に対して平行以外の方向に形成された部
分の，先出射軸方向１６９の長さＭと等しいか、もしく
は大きいような光学系を用いると、結像面には分離溝１
６ｇ側面からの光も近視野像として結像される。このた
め、光出射端面１６１２の近視野像の間に、分離満１６
８側面の近視野像が結像される様になり，隣接素子間の
近視野像間の隙間を分離満１６８の幅よりも小さくする
事ができるものである． また，本実施例に示される場合の様に、各分離満１６１
１の光出射軸方向１６９と平行でない部分が，基板１６
６面上において、直線状に形成されている事から、分離
満１６８のこの部分と光出射端筒１６１２のなす角度θ
を変化させる事により、光出射端面１６１２の近視野像
の間に結像されさる分離満１６８＠面の近視野像の幅を
、精密に、再現性良く制御する事ができる．これによっ
て、隣接素子間の近視野像のＦＩＩ間を任，意の幅で小
さくする事ができるものである。さらに，各分離溝１６
８は，基板１６６面上において、光出射軸方向１６９に
対して平行以外の方向に形成された部分と同時に光出射
軸方向１６９と平行な方向に形成された部分を有してお
り，これによって光出射軸方向１６９に長い活性層１６
４が形成されている事から，光出射軸方向１６９に対し
て大きな光出力１６１１が得られるものである。

本実旅例に示される構造のアレイ状発光装置と、適当な
結像光学系を用いる事により、第ｌ７図に示すように、
隣接素子間の近視野像間の隙間が分離満１６８の幅より
も小さな近視野像な有し、かつ光出射軸方向１６９に対
して大きな強度を有する光出力１６１１が得られる． 本実施例に示される構造のアレイ状発光装置より得られ
た近視野像と，その光強度分布の一例を示す第ｌ７図か
らわかるように、このような近視野像と光出力を有する
本発光装置をプリンタ用光源として用いる事により，主
走査方向に線走査した場合のドットの隙間を容易に、制
御性良く、極めて小さくする事ができ，極めて高品質な
印字が可能となるものである．また，これと同時に大き
な光出力が得られるため．高速度高品質印字が可能とな
るものである。

本発明によるアレイ状半導体発光装置の第十実施例を第
１８図ｆａｌ　．　ｆｂ）に示す。第ｌ８図（ａｌ　は
、アレイ状半導体発光装置を，その光出射端面側から見
た場合の正面図である。また、第ｌδ図（ｂｌは、アレ
イ状半導体発光装置の上面図であり，基板１８６面上に
形成された分離溝１８８の様子を示す．この装置は，第
九実旅例に示される積層構造と同様な積層構造から成り
、その積層構造の表面、即ちキャップ層１８２上面から
基板１８６面に対して垂直に、第一導電型基板１８６に
達する分離溝１８８が形成されており，この分離溝１８
８によって、最隣接発光領域が電気的に分離されている
。これらの発光領域の光出射端面１８１２は、基板１８
６面に対して垂直に形成されており、各単素子発光素子
の集合体として、アレイ状発光装置か形成されている。

アレイ状発光装置を構成する各発光素子のキャップ層１
８２上には、それぞれ、第二導電型層に対応する電極１
８１が形成され、また，第一導電型基板１８６の裏面に
は、第一導電型層に対応する電極１８７が形成されてい
る．任意の発光素子の第二導電型電極１８１と第一導電
型電極１８１の間に、所定の順方向電流を流す事により
，アレイ状発光装置内の、任意の位置の発光素子より光
出カを得る事ができるものである。このようなアレイ状
発光装置において、前述の各分離満１８８は、基板１８
６面上において、光出射軸方向１８９に対して平行以外
の方向、即ち、光出射端面１８１２となす角度θが９０
゜以外の角度となり、かつ光出射端面１８１２における
分離溝１８８の幅をａ、各分離溝１８８の、光出射軸方
向１８９と平行以外の方向に形成された部分の、光出射
軸方向１８９に対する長さをＭ、基板１８５面と平行な
面上にて、光出射端面ｌ８１２と、各分離溝１８８の、
光出射軸方向１８９と平行以外の方向に形成された部分
とのなす角度をθとした場合、常にｔａｎθ≦Ｍ　／　
ａとなるように形成された部分と、光出射軸方向１８９
と平行な方向に形成された部分の、両方を同時に有し、
かつ一方の端面よりもう一方の端面に至るように形成さ
れてぃる６ このような構造のアレイ状発光装置では、最隣接発光素
子間の分離満１８８か、光出射軸方向１８９と平行でな
い部分を有している事から，素子動作時に、光出射端面
１８１２からの光出力１８１１と同時に，分離溝１８８
側面からの発光も光出射軸方向１８９に光出力１８１１
として得られるものである．さらに、各分離溝１８８の
幅ａ、各分離満１８８の，光出射軸方向１８９と平行以
外の方向に形成された部分の光出射軸方向１８９に対す
る長さＭ，各分離溝１８８の，光出射軸方向１８９と平
行以外の方向に形成された部分と光出射端面ｔｓｔｚと
のなす角度θの三者の関係が、常にｔａｎθ≦Ｍ／ａと
なっているため、結像に用いられる光学系として，その
焦点深度が長さＭと等しいか、もしくは大きいような光
学系を用いると、各隣接発光素子の光出射端面１８１２
の近視野像間の全域に、分離溝１８８側面の近視野像が
結像される．これによって、発光素子の配列方向、即ち
主走査方向に連続した近視野像が得られるものである。

また、各分離溝１８８は、基板１８６面上において、光
出射軸方向１８９に対して平行以外の方向に形成された
部分と同時に，光出射軸方向１８９と平行な方向に形成
された部分を有しており、これによって光出射軸方向１
８９に長い活性層１８４が形成されている事がら、光出
射軸方向１８９に対して、大きな光出力１８１１が得ら
れるものである。

本実施例に示される構造のアレイ状発光装置と、適当な
結像光学系を用いる事により、隣接素子間の近視野像が
連続しており，かつ光出射軸方向１８９に対して大きな
強度を有する光出カ１８ｌ１が得られる． 本実施例に示される構造のアレイ状発光装置より得られ
た近視野像と、その光強度分布の一例を第１９図に示す
。このような近視野像と光出カを有する本発光装置をプ
リンタ用光源として用いる事により、副走査方向のみな
らず、主走査方向にも完全な線走査をする事ができ、極
めて高品質な印字が可能となるものである．また、これ
と同時に大きな光出力が得られるため、高速度高品質印
字が可能となるものである。

上記のように本実施例においては、発光部を分離するた
めに基板上に形成された分離溝１８ｇが、基板面と平行
な面上において、光出射軸方向１８９と平行以外の方向
に直線状に形成された部分と、光出射軸方向１８９と平
行な方向に形成された部分の、両方の部分を同時に有し
ている６また，各分離溝１８８の幅ａ、各分離満１８８
の、光出射軸方向１８９と平行以外の方向に直線状に形
成された部分の、光出射軸方向１８９に対する長さＭ，
各分離満１８８の、光出射軸方向１８９と平行以外の方
向に形成された部分と光出射端面１８１２とのなす角度
θの三者間の関係が、常にｔａｎθ≦Ｍ／ａとなるよう
に分離溝１８８が形成されている。

このため、結像に用いられる光学系として、その焦点深
度が、長さＭと等しいか、もしくは大きい様な光学系を
用いると、第ｌ９図に示すように、各隣接発光素子の光
出射端面１８１２の近視野像１９２間の全域に、分離溝
１８８側面の近視野像１９３が結像される。これによっ
て、発光素子の配列方向，即ち主走査方向に連続した近
視野像１９１が得られるものである。また、これと同時
に各分離溝ｌ８８は、光出射軸方向１８９と平行な方向
に形成された部分を有しており、これによって光出射軸
方向１８９に長い活性層１８４も形成される事から、光
出射軸方向１８９に大きな光出力ｔａｉｉが得られ、こ
れによって高速印字が可能となるものである．このよう
なアレイ状半導体発光装置をプリンタ用光源として用い
る事により、副走査方向のみならず、主走査方向に対し
ても完全な緯走査を、高速にて行なう事ができ、従来の
アレイ状半導体発光装置では実現が困難であった、極め
て高品質且つ高速印字が可能となる． 上記の各実施例に示されるようなアレイ状発光装置に用
いる発光材料としては、ＩＩＩ　−　Ｖ族化合物半導体
であるＧａＡｓ．　ＡＩＧａＡｓ．　ＡＩＧａｌｎＰ．
　ＩｎＰ．　ＩｎＧａＡｓＰ．ＩｎＧａＰ．　ＩｎＡＩ
Ｐ．　ＧａＡｓＰ．　Ｇａｐ．　ＩｎＡｓ．　ＩｎＡｓ
Ｐ．　ＩｎＡｓＳｂ等，あるいは■一■族化合物半導体
であるＺｎＳｅ．ＺｎＳ　．ＺｎＳＳｅ．　ＣｄＳ．　
ＣｄＳｅ．　ＣｄＳＳｅ．　ＣｄＴｅ．　ＨｇＣｄＴｅ
等、さらに、ＩＶ　−　ＶＴ族化合物半導体であるＰｂ
Ｓｅ．　ＰｂＴｅ．　ＰｂＳｎＴｅ，ＰｂＳｎＴｅ等が
あり、それぞれの材料の長所を活かして、本発明のアレ
イ状発光装置の構造に適用する事が可能である。

例えば、本発明の第一実施例に示されるアレイ状発光装
置は、第一導電型基板としてｎ　−ＧａＡｓ基板を用い
、第一導電型クラッド層にｎ　−　ＡＩＧａＡｓ，活性
層にＧａＡｓ、第二導電型クラッド層にｐ　−　ＡＩＧ
ａＡｓ、キャップ層にｐ−ＧａＡｓ層から成るダブルへ
テロ構造を用いる事により実現される．この時、活性層
の材料は、光出力の発光波長により選定され、また、ク
ラッド層としては、そのエネルギーギャップが、活性層
のエネルギーギャップよりも大きな材料が選定される。

上記の各実施例に示されるようなアレイ状発光装置に用
いる積層構造としては、上記のようなダブルへテロ構造
以外に、シングルへテロ構造やホモ接合１造もｍいても
よい。

また，上記実施例では、単素子発光素子間に形成される
分離溝は、積層構造表面より第一導電型基板に達するよ
うに形成されているが、本質的には、隣接発光素子の活
性層を電気的に分離すれば良い事から、その底部が必ず
しも第一導電型基板まで到達している必要は無く，活性
層を通り第一導電型クラッド層に達していれば十分機能
するものである．このような分離溝は、通常、エッチン
グ等の方法により形成されるが、本発明のアレイ状発光
装置の機能上、基板面に垂直な側面を有する分離溝を形
成する事が望ましく、この様な観点から、異方性の高い
ドライエッチング法等を用いる事が望ましい． さらに、上記第四実施例から第七実施例に示される、活
性層への電流注入部は、基板面と平行な面内において，
必ずしも光出射軸方向と平行である必要は無く，その幅
や方向については特に限定されるものではない．活性層
への電流注入領域幅を、単素子発光素子の幅以下に制御
するような素子断面構造についても、これらの実施例に
示される構造以外に、実質的に同様の機能を有する断面
素子構造であれば，いかなる断面素子構造でも本発明に
適用できるものである。なお、上記第四実施例から第七
実施例に示される実施例は、上記第一実施例から第三実
施例、および上記第八実施例から第十実施例に示される
全ての実施例に適用する事ができるものである． ［発明の効果］ 本発明によれば、発光部を分離するために基板上に形成
された分離溝が、光出射軸方向に対して平行以外の方向
の部分を有するように形成されているため、光出射端面
の近視野像の間に分離溝側面の看視野像が形成される。

このため、このようなアレイ状半導体発光装置をプリン
タ用光源として用いると、従来に比較して、主走査方向
に線走査した場合の、隣接ドット間の隙間を極めて小さ
くする事や、隣接ドットを連続させる事ができ、印字品
質を著しく向上させる事ができる．

【図面の簡単な説明】

第ｌ図ｆａｔ　は本発明によるアレイ状半導体発光装置
の一実施例を示す一部省略正面図、第１図ｆｂｌ　は第
ｌ図ｆａｌ　と同実施例を示す一部省略上面図， 第２図は第１図ｆａｌ　（ｂ１の装置により得られる近
視野像とその光強度分布を示す図、 第３図（ａｔ　は従来の面発光型発光グイ才−ドアレイ
を示す図、 第３図（ｂｌ　は第３図（ａｌの装置により得られる近
視野像を示す図、 第４図ｆａｔ　は従来の端面発光型発光素子アレイを示
す図、 第４図ｆｂｌ　は第４図（ａｌの装置により得られる近
視野像を示す図、 第５図ｆａｔ　は本発明によるアレイ状半導体発光装置
の他の実施岡を示す一部省略正面図、第５図（ｂｌ　は
第５図ｆａ）と同実施例を示す一部省略上面図、 第６図は第５図（ａｌ　ｆｂｌの装置により得られる近
視野像とその光強度分布を示す図、 第７図（ａｔ　は本発明によるアレイ状半導体発光装置
の他の実施例を示す一部省略正面図、第７図ｆｂｌ　は
第７図ｆａｔ　と同実施例を示す一部省略上面図、 第８図は第７図ｆａ）　ｆｂｌの装置により得られる近
視野像とその光強度分布を示す図、 第９図ｆａｔ　は本発明によるアレイ状半導体発光装置
の他の実施例を示す一部省略正面図、第９図ｆｂｌは第
９図ｆａｔ　と同実施例を示す一部省略上面図， 第ｌＯ図は第９図ｆａ）　Ｔｏｌの装置により得られる
近視野像とその光強度分布を示す図、 第１１図ｆａｔ　は本発明によるアレイ状半導体発光装
置の他の実施例を示す一部省略正面図、第１１図（ｂｌ
　は第１１図（ａｌ　と同実施例を示す一部省略上面図
、 第１２図（ａｌ　は本発明によるアレイ状半導体発光装
置の他の実施例を示す一部省略正面図、第１２図ｆｂｌ
　は第ｌ２図ｆａ）と同実施例を示す一部省略上面図、 第１３図ｆａｔ　は本発明によるアレイ状半導体発光装
置の他の実施例を示す一部省略正面図、第１３図ｆｂｌ
は第１３図ｆａ）と同実施例を示す一部省略上面図， 第１４図ｆａｌ　は本発明によるアレイ状半導体発光装
置の他の実施例を示す一部省略正面図，第１４図（ｂｌ
　は第１４図（ａｔ　と同実施例を示す一部省略上面図
， 第１５図は第ｌ４図（ａｌ　［ｂ）の装置により得られ
る近視野像とその光強度分布を示す図， 第１６図ｆａｌ　は本発明によるアレイ状半導体発光装
置の他の実施例を示す一部省略正面図、第１６図ｆｂｌ
　は第１６図ｆａ）　と同実施例を示す一部省略上面図
、 第ｌ７図は第ｌ６図ｆａｌ　（ｂｌの装置により得られ
る近視野像とその光強度分布を示す図、 第１８図ｆａｌは本発明によるアレイ状半導体発光装置
の他の実施例を示す一部省略正面図、第１８図ｆｂｌ　
は第１８図（ａ）と同実施例を示す一部省略上面図、 第１９図は第１８図ｆａｔ　ｆｂｌの装置により得られ
る近視野像とその光強度分布を示す図である。 主　。　の，′″の説明 ３１．　　　第二導電型電極 キャップ層 第二導電型クラッド層 活性層 第一導電型クラッド層 第一導電型基板 第一導電型電極 分離溝 光出射軸方向 光出力 光出射端面 素子長

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に、分離溝によって複数の領域に分離された
   発光領域が形成され、光出力は、該発光領域端面より前
   記基板と平行な方向に得られるアレイ状半導体発光装置
   において、 前記分離溝は、すくなくとも前記光出力の主発光方向と
   平行以外の方向に形成された部分を有することを特徴と
   するアレイ状半導体発光装置。 ２、請求項１に記載の装置において、前記分離溝は、前
   記発光領域の一方の端面から他方の端面にわたって前記
   主発光方向と平行以外の方向に、直線状に形成されてい
   ることを特徴とするアレイ状半導体発光装置。 ３、請求項１に記載の装置において、前記分離溝は、前
   記主発光方向と平行以外の方向に形成された部分が直線
   状に形成されていることを特徴とするアレイ状半導体発
   光装置。