JPS60253286A - メサエツチング分離型モノリシツク表示発光ダイオ−ド - Google Patents

メサエツチング分離型モノリシツク表示発光ダイオ−ド

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JPS60253286A
JPS60253286A JP59110471A JP11047184A JPS60253286A JP S60253286 A JPS60253286 A JP S60253286A JP 59110471 A JP59110471 A JP 59110471A JP 11047184 A JP11047184 A JP 11047184A JP S60253286 A JPS60253286 A JP S60253286A
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JP
Japan
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light
light emitting
substrate
emitting element
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP59110471A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Ichihara
淳 市原
Haruo Tanaka
田中　治夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP59110471A priority Critical patent/JPS60253286A/ja
Publication of JPS60253286A publication Critical patent/JPS60253286A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、透過性を有する発光部をメサエッチングによ
って分離して形成されるメサエッチング分離型モノリシ
ック表示発光ダイオードに関する。
（ロ）従来技術 ｉ近、薄いエピタキシャル層のモノリシック表示発光ダ
イオード使用される場合に最適なウェハをいわゆるＭＢ
Ｅ装置或いはＭＯＣＶＤ法等でもって作成することが可
能になっており、例えば、各発光素子を異なる物質で形
成されるヘテロ構造にすることで、発光ダイオードを高
輝度化するようにしている。
この場合、発光する発光層の上部に光の透過性のよい層
を形成しており、各発光素子をメサエッチングによって
分離させるため、発光層の側面から光が横方向に漏れて
しまうので、各発光素子かにじんで見えるという問題を
生じる。
さらに、電極層とコンタクトをとりやすくするため、各
発光素子の表面にＧａＡｓ等のコンタクト層を被着させ
る場合、前記コンタクト層の部分は光を吸収できるとい
う利点がある反面、各発光素子がメサエッチングによっ
て分離されている関係上、発光する発光層の側面から光
が横方向に漏れてしまうという問題を防＋ｈすることは
できない。
即ち、正確な文字或いは数字パターンをはっきり表示す
るのが非常に困難であり、製品としての信頼性が低下す
るという欠点がある。
（ハ）目的 本発明は、各発光素子の周囲からの光の漏れを防止し、
正確な文字或いは数字パターンをはっきり表示させて、
製品としての信頼性を向上するメサエッチング分離型モ
ノリシック表示発光ダイオードを提供することを目的と
している。
（ニ）構成 本発明に係るメサエッチング分離型モノリシック表示発
光ダイオードは、透過性を有する発光部をメサエッチン
グによって分離して形成されるメサエッチング分離型モ
ノリシンク表示発光ダイオードであって、それぞれ分離
された各発光素子の発光部分を除く基板表面に絶縁膜を
形成し、前記各発光素子の周囲を覆うように透過性のな
い電極層を前記絶縁膜の表面に形成したことを特徴とし
ている。
（ホ）実施例 第１図は本発明に係るメサエッチング分離型モノリシッ
ク表示発光ダイオードの一実施例を略示した平面説明図
、第２図は第１図のＡ−Ａ”線拡大断面図である。
１は、基板１０に達するまでメサエッチングされて、そ
れぞれ絶縁分離した発光素子である。
前記基板１０は、例えばＮ型ＧａＡｓからなり、この表
面に透明なＮ型ＧａＡｌＡｓ２０を形成し、その上部に
Ｐ型Ｇａ＾ＩＡｓからなる発光層２１を形成してヘテロ
接合している。さらに前記発光層２１の表面には透明な
Ｐ型ＧａＡｌＡｓ２２を形成し、この上部にＰ生型のＧ
ａＡｓからなるコンタクト層２３を形成しており、前記
基板の裏面には電極層４１が形成されている。尚、前記
コンタクト層２３の開口部分が発光して見える部分とな
る。
３０は、例えば窒化膜等からなる絶縁膜であり、各発光
素子１の発光する部分以外の基板表面に形成されており
、後から発光素子１の側面に沿って形成される電極層４
０が各発光素子１のＰ−Ｎ接合面を短絡しないようにし
ている。
前記電極層４０は、例えば透過性のないアルミニウム或
いは金等からなり、少なくとも発光層２１の側面を覆う
ように前記各発光素子１の周囲に形成されており、前記
電極層４０は各発光素子１ごとに分離されている。尚、
電極層４０のコンタクト部４２がコンタク１−ｆｉｉ２
３と接続され、また、各発光素子１の電極Ｎ４０からそ
れぞれ図示しないボンディングパソドが導出されている
。
そして、上述したモノリシック表示発光ダイオードの作
用を以下簡単に説明すれば、電極層４０に順方向電圧を
加えることによって発光層２１を発光させている。この
とき各発光素子１の表面周囲に絶縁膜３０を被着させて
、さらにその上から電極層４０を形成しているので、発
光層２１の側面から横方向に光が漏れないようになって
いるので、コンタクト層２３の開口部分に露出している
透明なＰ型Ｇａ＾ｌＡｓ２２を通過して発光表示するこ
ととなる。
（へ）効果 本発明は、各発光素子の発光部を除く基板表面に絶縁膜
を形成し、前記各発光素子の周囲を覆うように透過性の
ない電極層を前記絶縁膜の表面に形成したから、発光層
の側面から横方向の光の漏れを防止することができ、正
確な文字或いは数字パターンをはっきり表示することが
できる。
即ち、製品としての信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るメサエッチング分離型モノリシッ
ク表示発光ダイオードの一実施例を略示した平面説明図
、第２図は第１図のＡ−Ａ“線拡大断面図である。 ■　・・・発光素子、１０・・・半導体基板、３０・・
・絶縁膜、４０・・・電極層。 特許出願人　ローム株式会社 代理人　弁理士　大　西　孝　治

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）透過性を有する発光部をメサエッチングによって
    分離して形成されるメサエッチング分離型モノリシック
    表示発光ダイオードにおいて、それぞれ分離された各発
    光素子の発光部分を除く基板表面に絶縁膜を形成し、前
    記各発光素子の周囲を覆うように透過性のない電極層を
    前記絶縁膜の表面に形成したことを特徴とするメサエッ
    チング分離型モノリシック表示発光ダイオード。
JP59110471A 1984-05-29 1984-05-29 メサエツチング分離型モノリシツク表示発光ダイオ−ド Pending JPS60253286A (ja)

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JP59110471A JPS60253286A (ja) 1984-05-29 1984-05-29 メサエツチング分離型モノリシツク表示発光ダイオ−ド

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JP59110471A Pending JPS60253286A (ja) 1984-05-29 1984-05-29 メサエツチング分離型モノリシツク表示発光ダイオ−ド

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