JP3556080B2 - 窒化物半導体素子 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層を備えた窒化物半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、窒化物化合物半導体を用いた発光素子が、青色系の発光が可能な発光素子として注目されている。この窒化物化合物半導体を用いた従来の発光素子は、図１５に示すように、サファイヤ基板１１上にｎ型窒化物半導体層１２を成長させ、そのｎ型窒化物半導体層１２上に発光層１０を介してｐ型窒化物半導体層１３を成長させた層構造を有する。
この従来の窒化物半導体発光素子において、図１５，１６に示すように、ｐ型窒化物半導体層上には、ｐ型窒化物半導体層とオーミック接触可能な金属膜からなるｐ側の正電極１５が形成され、ｎ側の負電極１４は、所定の位置で、ｐ型窒化窒化物半導体層と発光層をエッチングにより除去してｎ型窒化物半導体層の上面を露出させて、露出させた上面上に形成されている。
このように、従来例の窒化物半導体発光素子では、同一面側に形成された正負の電極間の短絡を防止するためと、素子の保護のために正負の電極の取り出し部分（開口部１８，１９）を除いて絶縁膜１７が形成されている。尚、図１５，１６の窒化物半導体発光素子においては、正電極１５上の負電極１４から比較的離れた位置に取り出し電極１６が形成されている。
以上のように構成された従来例の窒化物半導体発光素子は、比較的高い強度の青色系の発光が可能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の窒化物半導体発光素子では、ｐ型窒化物半導体の抵抗がｎ型窒化物半導体の抵抗に比較して大きいので、ｐ側の正電極１５の面積をｎ側の負電極１４の面積に比較して大きくする必要があり、かつ負電極１４はｎ型窒化物半導体層の上面にのみ形成されているので、ｎ型窒化物半導体層１２との接触面積を大きくすることができいという問題点があった。また、窒化物半導体発光素子において、ｐ型窒化物半導体１３の上に透明電極を形成して、該透明電極を介して光を出力するいわゆる半導体側発光とする場合、ｐ側の正電極１５として形成される透明電極の面積をさらに大きくする必要があるので、ｎ側の負電極の面積の確保が益々困難になるという問題点があった。
この結果、従来の窒化物半導体発光素子では、発光層１５全体に電流を均一に流すことが困難であり、窒化物半導体発光素子の高い発光効率を十分引き出すことができなかった。また、電流が一部に集中して流れることにより、素子特性の劣化させる恐れがあった。
以上、窒化物半導体発光素子の例について説明したが、発光層１０に代えて受光層を形成することにより窒化物半導体を用いた窒化物半導体受光素子を構成しようとする場合においても同様の問題点を有していた。
【０００４】
そこで、本発明は上記問題点を解決して、発光層（又は受光層）に均一に電流を注入することができ、発光効率（又は受光効率）を高くできる窒化物半導体素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
以上の従来例の持つ問題点を解決するために、本発明に係る窒化物半導体素子は、基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層上に動作領域を介して形成されたｐ型窒化物半導体層とを備え、上記ｐ型窒化物半導体層上のほぼ全面に形成された正電極と上記ｐ型窒化物半導体層の一部を除去して露出させた上記ｎ型窒化物半導体層の表面に形成された負電極とを同一面側に有する窒化物半導体素子であって、上記負電極が形成される上記ｎ型窒化物半導体層の表面は、上記ｎ型窒化物半導体層の上面が上記ｐ型窒化物半導体層の周囲を全て囲むようにかつ上記ｎ型窒化物半導体層の少なくとも一部の外周側面と連続するように露出されており、上記ｐ型窒化物半導体層の外周側面と上記正電極の外周周辺部とを覆うように絶縁膜が形成され、上記負電極は、上記ｐ型窒化物半導体層の周囲を全て囲みかつ上記絶縁膜を介して上記正電極の外周周辺部上まで延在するように、上記ｎ型窒化物半導体層の露出させた上面と該上面に連続する上記外周側面とに連続して形成されたことを特徴とする。
ここで、上記動作領域とは、発光層又はｐｎ接合面等の発光領域又は光吸収層又はｐｎ接合面等の光吸収領域のことをいう。これによって、ｎ側の上記負電極と上記ｎ型窒化物半導体層との接触面積を大きくすることができるので、動作効率を向上させることができる。
【０００６】
また、本発明の窒化物半導体素子において、上記負電極が形成される上記ｎ型窒化物半導体層の上面が上記ｐ型窒化物半導体層を囲むように露出され、かつ上記負電極が上記ｐ型窒化物半導体層を囲むように形成されているので、さらに負電極とｎ型窒化物半導体層との接触面積を大きくでき、上記動作層に電流をより均一に流すことができる。すなわち、本発明の窒化物半導体素子では、上記負電極が形成される上記ｎ型窒化物半導体層の上面が上記ｐ型窒化物半導体層の周囲を全て囲むように露出され、かつ上記負電極が上記ｐ型窒化物半導体層の周囲を全て囲むように形成されている。
【０００７】
また、本発明では、上記ｐ型窒化物半導体層の外周側面と上記正電極の外周周辺部とを覆うように絶縁膜を形成し、上記負電極を該絶縁膜を介して上記正電極の外周周辺部上まで延在させて形成している。これにより、上記ｐ型窒化物半導体層及び上記正電極の面積を大きくできるので、動作効率を高くでき、しかも上記負電極の外部回路との接続部分の面積を大きくすることができる。
【０００８】
上記窒化物半導体素子においてさらに、上記正電極の中央部に、上記正電極に接続された取り出し電極を設けることが好ましく、上記ｐ型窒化物半導体層の周囲を囲むように形成された負電極と相俟って、さらに効率的に電流を流すことができる。
【０００９】
また、本発明に係る１つの態様の窒化物半導体素子は、上記動作領域が発光領域である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明に係る実施の形態について説明する。
実施形態１．
本発明に係る実施形態１の窒化物半導体発光素子は、図１及び図２に示すように、例えばサファイヤ等からなる基板１１上に、例えば、ＳｉがドープされたＡｌＩｎＧａＮからなるｎ型窒化物半導体層１２、例えば、ＩｎＧａＮからなる発光層１０及び例えば、ＭｇがドープされたＡｌＩｎＧａＮからなるｐ型窒化物半導体層１３が順に積層された半導体層構造を有する。
また、実施形態１の窒化物半導体発光素子において、ｐ型窒化物半導体層は、ｎ型窒化物半導体層１２の少なくとも一側面に沿ってｎ型窒化物半導体層１２の上面を露出させるように除去され、露出されたｎ型窒化物半導体層１２の上面からｎ型窒化物半導体層１２の外周側面２２に渡って連続したｎ側の負電極２１を形成する。ｐ側の正電極１５は、ｐ型窒化物半導体層１３上面のほぼ全面に形成され、ｐ側の正電極１５の一部に取り出し電極１６を形成する。
尚、実施形態１の窒化物半導体発光素子において、負電極２１上及び取り出し電極１６上の開口部１８，１９を除いて、各電極及び各半導体層の表面を覆うように絶縁膜１７が形成される。
【００１１】
以上のように構成された実施形態１の窒化物半導体発光素子において、ｎ側の負電極２１が形成されるべきｎ型窒化物半導体層１２の上面は、ｎ型窒化物半導体層の外周側面２２と連続するように露出されており、かつｎ側の負電極２１が露出させたｎ型窒化物半導体層の上面と該上面に連続する上記外周側面２２とに連続して形成されている。これによって、ｎ型窒化物半導体層１２とｎ側の負電極２１との接触面積を大きくできるので、接触抵抗を低くでき、効率的に発光させることができる。
【００１２】
以上の実施形態１の窒化物半導体素子において、発光層１０において発光した光りは、半導体層側から出力するようにしてもよいし、基板１１側から出力するようにしてもよい。半導体層側から光りを出力する場合は、正電極１５及び絶縁膜１７とを透光性を有するもので構成する。
【００１３】
実施形態２．
図３は、実施形態２の窒化物半導体素子におけるｐ側の正電極１５とｎ側の負電極との形状を示すための模式図である。この実施形態２の窒化物半導体素子は、負電極２１から延在する負電極２１ａと負電極２１ｂを備えている点が実施形態１と異なり、他の部分は実施形態１と同様に構成される。尚、図３において、図１及び図２と同様のものには同様の符号を付して示している。
すなわち、実施形態２の窒化物半導体素子においては、ｐ型窒化物半導体層１３を取り囲むように露出されたｎ型窒化物半導体層１２の上面において、負電極２１の両端部からｎ型窒化物半導体層１２の各側面に沿って負電極２１ａと負電極２１ｂとを形成している。ここで、負電極２１ａ，２１ｂは、ｎ型窒化物半導体層１２の表面から側面に渡って形成されている。これによって、実施形態２では、ｎ型窒化物半導体層１２の３つの側面がほぼ全て覆われることになる。
【００１４】
以上のように構成された実施形態２の窒化物半導体素子は、実施形態１と同様の効果を有するとともに、負電極２１から延在するように形成された負電極２１ａ，２１ｂによって、実施形態１に比較して電流を均一に発光層に注入することができるので、より効率的な発光が可能になる。
【００１５】
実施形態３．
図４は、実施形態３の窒化物半導体素子の構成を示す模式断面図であり、図５は実施形態３の窒化物半導体素子におけるｐ側の正電極１５とｎ側の負電極との形状を示すための模式図である。この実施形態３の窒化物半導体素子は、ｐ型窒化物半導体層１３の全周を取り囲むように形成された負電極２１ｃを備えている点が実施形態１と異なり、他の部分は実施形態１と同様に構成される。尚、図４，５において、図１及び図２と同様のものには同様の符号を付して示している。すなわち、実施形態３の窒化物半導体素子においては、ｐ型窒化物半導体層１３を取り囲むように露出された上面において、負電極２１及び負電極２１ｃによって、ｐ型窒化物半導体層１３の周囲を取り囲むように負電極を形成している。ここで、負電極２１ｃは、ｎ型窒化物半導体層１２の表面から側面に渡って形成されている。これによって、実施形態３では、ｎ型窒化物半導体層１２の４つの側面が全て覆われることになる。
【００１６】
以上のように構成された実施形態３の窒化物半導体素子は、実施形態１と同様の効果を有するとともに、ｐ型窒化物半導体層の周囲を全て取り囲むように形成された負電極２１，２１ｃによって、実施形態１及び２に比較してさらに電流を均一に発光層に注入することができ、より効率的な発光が可能になる。
【００１７】
実施形態４．
図６は、本発明に係る実施形態４の構成を示す断面図である。本実施形態４の窒化物半導体発光素子は、実施形態１と同様、基板１１上にｎ型窒化物半導体層１２、発光層１０及びｐ型窒化物半導体層１３が順に積層された半導体層構造を有し、ｐ側とｎ側の電極が以下のように形成される。
（１）まず、ｐ型窒化物半導体層の周辺部が除去され、ｐ型窒化物半導体層１３の周囲にｎ型窒化物半導体層１２の上面が所定の幅で露出される（図７）。
（２）次に、ｐ型窒化物半導体層１３の上面のほぼ全面に比較的薄いｐ側の正電極３５を形成する（図８）。
（３）そして、正電極３５の中央部に円形の開口部２５ａを有する絶縁膜３７を、正電極３５及びｐ型窒化物半導体層１３の上面及び側面を覆うように形成する（図９）。
（４）次に、開口部２５ａとその近傍を除いて、絶縁膜３７とｐ型窒化物半導体層１３の周囲に所定の幅に露出されたｎ型窒化物半導体層１３の上面及びｎ型窒化物半導体層１３の側面とを覆うように、ｎ側の負電極３１を形成する（図１０）。ここで、負電極３１は、ｐ型窒化物半導体層１３の外側に露出されたｎ型窒化物半導体層１２の上面及び側面でｎ型窒化物半導体層１２とオーミック接触する。
（５）次に、負電極３１を覆うように絶縁膜３８を形成する（図１１）。ここで、絶縁膜３８は、絶縁膜３７の開口部２５ａの直上に開口部２５ｂが形成され、該開口部２５ａと開口部２５ｂとによって開口部２５が形成される。また、絶縁膜３８は、正電極３５上の片側に略矩形の開口部２６が形成される。
（６）次に、開口部２５を介して正電極３５と接触するｐ側取り出し電極３６を形成する（図１２）。ここで、ｐ側取り出し電極３６は、開口部２６側には、絶縁膜３８を介して負電極３１の一部分と厚さ方向に重なるように開口部２６に近接する位置まで延在し、かつ開口部２６の反対側にはｐ型窒化物半導体層１３の上部において絶縁膜３８を介して負電極３１と厚さ方向に重なるように、ｐ型窒化物半導体層の縁まで延在して形成される。
（７）ｎ側取り出し電極３２を、開口部２６を介して負電極３１と導通するように形成する（図１３）。
（８）さらに、ｎ側取り出し電極３２上に開口部２８を有しかつｐ側取り出し電極３６上のｎ側取り出し電極３２から離れた位置に開口部２７を有する絶縁膜３９を、形成する（図１４）。
【００１８】
以上のように構成された実施形態４の窒化物半導体発光素子は、
（ａ）正電極３５がｐ型窒化物半導体層１３のほぼ全面に形成されかつ正電極３５に中央部で接続された取り出し電極３６を有し、しかも、
（ｂ）負電極３１が、ｐ型窒化物半導体層１３を周囲をすべて取り囲むように該半導体層１３に近接してｎ型窒化物半導体層１２に接続している。
これによって、発光層１０にほぼ均一に電流を流すことができるので、効率よく発光させることができる。
【００１９】
また、以上のように構成された実施形態４の窒化物半導体素子では、絶縁膜３７を介して正電極３５と電気的に導通しないように正電極３５上に重ねてｎ側取り出し電極３２を形成できるように構成している。これによって、正電極１５と負電極２１とを並置して設けた実施形態１〜３に比較して、ｐ型窒化物半導体層１３及び正電極１５の面積を大きくできるので、より効率的な発光が可能になる。
【００２０】
また、以上のように構成された実施形態４の窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層１２、発光層１０及びｐ型窒化物半導体層１３の各側面及び上面が、基板１１側に位置する面を除いて、それぞれ比較的厚く形成された負電極３１、ｎ側取り出し電極３２又はｐ側取り出し電極３６のいずれかで覆われているので、半導体層の側面又は上面からの光りの漏れを防止できる。これによって、発光した光りを基板１１側から効率よく出力することができる。
【００２１】
また、以上のように構成された実施形態４の窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層１２、発光層１０及びｐ型窒化物半導体層１３の各側面及び上面が、基板１１側に位置する面を除いて、それぞれ比較的厚く形成された負電極３１、ｎ側取り出し電極３２又はｐ側取り出し電極３６のいずれかで覆われているので、サファイヤ基板の高い熱伝導率と相俟って、各半導体層で発生する熱を効率よく外部に放出でき、各半導体層の温度上昇を防止できる。これによって、窒化物半導体発光素子の寿命を長くできる。
【００２２】
以上の実施の形態１〜４では、窒化物半導体からなる発光層１０を用いて構成したが、本発明はこれに限らず、発光領域としてｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とのｐｎ接合を用い、該ｐｎ接合部で発光させるようにしてもよい。以上のように構成しても実施形態１〜４と同様の効果を有する。
【００２３】
以上の実施の形態１〜４では、それぞれ窒化物半導体層からなるｎ型窒化物半導体層１２、発光層１０及びｐ型窒化物半導体層１３とを備えた発光素子に付いて説明したが、本発明はこれに限らず、バッファ層等の他の層を有する半導体素子についても適用することができる。すなわち、本願発明は、基板上に少なくともｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とを有する半導体素子であって、ｎ側の負電極とｐ側の正電極とが同一面側に形成されているものであれば適用することができる。
【００２４】
以上の実施の形態１〜４では、本願発明を発光素子に適用した例を示したが本発明はこれに限らず、受光素子に適用しても実施形態１〜４と同様の効果を有する。本願発明を受光素子に適用する場合、実施形態１〜４に示した発光層１０に代えて、吸収層を形成する以外は、基本的には実施形態１〜４と同様に構成される。尚、この場合、吸収層に代えてｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とのｐｎ接合部を吸収領域として用いてもよい。
【００２５】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、上記動作領域に効率よく電流を流すことができるので、動作効率のよい窒化物半導体素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る実施形態１の窒化物半導体発光素子の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】図１の窒化物半導体発光素子の電極形状を示す平面図である。
【図３】本発明に係る実施形態２の電極形状を示す平面図である。
【図４】本発明に係る実施形態３の窒化物半導体発光素子の構成を模式的に示す断面図である。
【図５】図４の窒化物半導体発光素子の電極形状を示す平面図である。
【図６】本発明に係る実施形態４の窒化物半導体発光素子の構成を模式的に示す断面図である。
【図７】実施形態４の窒化物半導体発光素子の半導体層構造を示す斜視図である。
【図８】実施形態４の窒化物半導体発光素子における正電極３５の形状を示す斜視図である。
【図９】実施形態４の窒化物半導体発光素子における絶縁膜３７の形状を示す斜視図である。
【図１０】実施形態４の窒化物半導体発光素子における電極３１の形状を示す斜視図である。
【図１１】実施形態４の窒化物半導体発光素子における絶縁膜３８の形状を示す斜視図である。
【図１２】実施形態４の窒化物半導体発光素子における電極３６の形状を示す斜視図である。
【図１３】実施形態４の窒化物半導体発光素子における電極３２の形状を示す斜視図である。
【図１４】実施形態４の窒化物半導体発光素子における絶縁膜３９の形状を示す斜視図である。
【図１５】従来例の窒化物半導体発光素子の構成を示す模式断面図である。
【図１６】従来例の窒化物半導体発光素子の電極構成を示す平面図である。
【符号の説明】
１０…発光層、
１１…基板、
１２…ｎ型窒化物半導体層、
１３…ｐ型窒化物半導体層、
１５，３５…正電極、
１６，３２，３６…取り出し電極、
１７，３７，３８，３９…絶縁膜、
１８，１９，２５，２５ａ，２５ｂ，２６，２７，２８…開口部、
２１，２１ａ，２１ｂ，２１ｃ…負電極、
２２…ｎ型窒化物半導体層１２の外周側面。
【発明の属する技術分野】
本発明は、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層を備えた窒化物半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、窒化物化合物半導体を用いた発光素子が、青色系の発光が可能な発光素子として注目されている。この窒化物化合物半導体を用いた従来の発光素子は、図１５に示すように、サファイヤ基板１１上にｎ型窒化物半導体層１２を成長させ、そのｎ型窒化物半導体層１２上に発光層１０を介してｐ型窒化物半導体層１３を成長させた層構造を有する。
この従来の窒化物半導体発光素子において、図１５，１６に示すように、ｐ型窒化物半導体層上には、ｐ型窒化物半導体層とオーミック接触可能な金属膜からなるｐ側の正電極１５が形成され、ｎ側の負電極１４は、所定の位置で、ｐ型窒化窒化物半導体層と発光層をエッチングにより除去してｎ型窒化物半導体層の上面を露出させて、露出させた上面上に形成されている。
このように、従来例の窒化物半導体発光素子では、同一面側に形成された正負の電極間の短絡を防止するためと、素子の保護のために正負の電極の取り出し部分（開口部１８，１９）を除いて絶縁膜１７が形成されている。尚、図１５，１６の窒化物半導体発光素子においては、正電極１５上の負電極１４から比較的離れた位置に取り出し電極１６が形成されている。
以上のように構成された従来例の窒化物半導体発光素子は、比較的高い強度の青色系の発光が可能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の窒化物半導体発光素子では、ｐ型窒化物半導体の抵抗がｎ型窒化物半導体の抵抗に比較して大きいので、ｐ側の正電極１５の面積をｎ側の負電極１４の面積に比較して大きくする必要があり、かつ負電極１４はｎ型窒化物半導体層の上面にのみ形成されているので、ｎ型窒化物半導体層１２との接触面積を大きくすることができいという問題点があった。また、窒化物半導体発光素子において、ｐ型窒化物半導体１３の上に透明電極を形成して、該透明電極を介して光を出力するいわゆる半導体側発光とする場合、ｐ側の正電極１５として形成される透明電極の面積をさらに大きくする必要があるので、ｎ側の負電極の面積の確保が益々困難になるという問題点があった。
この結果、従来の窒化物半導体発光素子では、発光層１５全体に電流を均一に流すことが困難であり、窒化物半導体発光素子の高い発光効率を十分引き出すことができなかった。また、電流が一部に集中して流れることにより、素子特性の劣化させる恐れがあった。
以上、窒化物半導体発光素子の例について説明したが、発光層１０に代えて受光層を形成することにより窒化物半導体を用いた窒化物半導体受光素子を構成しようとする場合においても同様の問題点を有していた。
【０００４】
そこで、本発明は上記問題点を解決して、発光層（又は受光層）に均一に電流を注入することができ、発光効率（又は受光効率）を高くできる窒化物半導体素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
以上の従来例の持つ問題点を解決するために、本発明に係る窒化物半導体素子は、基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層上に動作領域を介して形成されたｐ型窒化物半導体層とを備え、上記ｐ型窒化物半導体層上のほぼ全面に形成された正電極と上記ｐ型窒化物半導体層の一部を除去して露出させた上記ｎ型窒化物半導体層の表面に形成された負電極とを同一面側に有する窒化物半導体素子であって、上記負電極が形成される上記ｎ型窒化物半導体層の表面は、上記ｎ型窒化物半導体層の上面が上記ｐ型窒化物半導体層の周囲を全て囲むようにかつ上記ｎ型窒化物半導体層の少なくとも一部の外周側面と連続するように露出されており、上記ｐ型窒化物半導体層の外周側面と上記正電極の外周周辺部とを覆うように絶縁膜が形成され、上記負電極は、上記ｐ型窒化物半導体層の周囲を全て囲みかつ上記絶縁膜を介して上記正電極の外周周辺部上まで延在するように、上記ｎ型窒化物半導体層の露出させた上面と該上面に連続する上記外周側面とに連続して形成されたことを特徴とする。
ここで、上記動作領域とは、発光層又はｐｎ接合面等の発光領域又は光吸収層又はｐｎ接合面等の光吸収領域のことをいう。これによって、ｎ側の上記負電極と上記ｎ型窒化物半導体層との接触面積を大きくすることができるので、動作効率を向上させることができる。
【０００６】
また、本発明の窒化物半導体素子において、上記負電極が形成される上記ｎ型窒化物半導体層の上面が上記ｐ型窒化物半導体層を囲むように露出され、かつ上記負電極が上記ｐ型窒化物半導体層を囲むように形成されているので、さらに負電極とｎ型窒化物半導体層との接触面積を大きくでき、上記動作層に電流をより均一に流すことができる。すなわち、本発明の窒化物半導体素子では、上記負電極が形成される上記ｎ型窒化物半導体層の上面が上記ｐ型窒化物半導体層の周囲を全て囲むように露出され、かつ上記負電極が上記ｐ型窒化物半導体層の周囲を全て囲むように形成されている。
【０００７】
また、本発明では、上記ｐ型窒化物半導体層の外周側面と上記正電極の外周周辺部とを覆うように絶縁膜を形成し、上記負電極を該絶縁膜を介して上記正電極の外周周辺部上まで延在させて形成している。これにより、上記ｐ型窒化物半導体層及び上記正電極の面積を大きくできるので、動作効率を高くでき、しかも上記負電極の外部回路との接続部分の面積を大きくすることができる。
【０００８】
上記窒化物半導体素子においてさらに、上記正電極の中央部に、上記正電極に接続された取り出し電極を設けることが好ましく、上記ｐ型窒化物半導体層の周囲を囲むように形成された負電極と相俟って、さらに効率的に電流を流すことができる。
【０００９】
また、本発明に係る１つの態様の窒化物半導体素子は、上記動作領域が発光領域である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明に係る実施の形態について説明する。
実施形態１．
本発明に係る実施形態１の窒化物半導体発光素子は、図１及び図２に示すように、例えばサファイヤ等からなる基板１１上に、例えば、ＳｉがドープされたＡｌＩｎＧａＮからなるｎ型窒化物半導体層１２、例えば、ＩｎＧａＮからなる発光層１０及び例えば、ＭｇがドープされたＡｌＩｎＧａＮからなるｐ型窒化物半導体層１３が順に積層された半導体層構造を有する。
また、実施形態１の窒化物半導体発光素子において、ｐ型窒化物半導体層は、ｎ型窒化物半導体層１２の少なくとも一側面に沿ってｎ型窒化物半導体層１２の上面を露出させるように除去され、露出されたｎ型窒化物半導体層１２の上面からｎ型窒化物半導体層１２の外周側面２２に渡って連続したｎ側の負電極２１を形成する。ｐ側の正電極１５は、ｐ型窒化物半導体層１３上面のほぼ全面に形成され、ｐ側の正電極１５の一部に取り出し電極１６を形成する。
尚、実施形態１の窒化物半導体発光素子において、負電極２１上及び取り出し電極１６上の開口部１８，１９を除いて、各電極及び各半導体層の表面を覆うように絶縁膜１７が形成される。
【００１１】
以上のように構成された実施形態１の窒化物半導体発光素子において、ｎ側の負電極２１が形成されるべきｎ型窒化物半導体層１２の上面は、ｎ型窒化物半導体層の外周側面２２と連続するように露出されており、かつｎ側の負電極２１が露出させたｎ型窒化物半導体層の上面と該上面に連続する上記外周側面２２とに連続して形成されている。これによって、ｎ型窒化物半導体層１２とｎ側の負電極２１との接触面積を大きくできるので、接触抵抗を低くでき、効率的に発光させることができる。
【００１２】
以上の実施形態１の窒化物半導体素子において、発光層１０において発光した光りは、半導体層側から出力するようにしてもよいし、基板１１側から出力するようにしてもよい。半導体層側から光りを出力する場合は、正電極１５及び絶縁膜１７とを透光性を有するもので構成する。
【００１３】
実施形態２．
図３は、実施形態２の窒化物半導体素子におけるｐ側の正電極１５とｎ側の負電極との形状を示すための模式図である。この実施形態２の窒化物半導体素子は、負電極２１から延在する負電極２１ａと負電極２１ｂを備えている点が実施形態１と異なり、他の部分は実施形態１と同様に構成される。尚、図３において、図１及び図２と同様のものには同様の符号を付して示している。
すなわち、実施形態２の窒化物半導体素子においては、ｐ型窒化物半導体層１３を取り囲むように露出されたｎ型窒化物半導体層１２の上面において、負電極２１の両端部からｎ型窒化物半導体層１２の各側面に沿って負電極２１ａと負電極２１ｂとを形成している。ここで、負電極２１ａ，２１ｂは、ｎ型窒化物半導体層１２の表面から側面に渡って形成されている。これによって、実施形態２では、ｎ型窒化物半導体層１２の３つの側面がほぼ全て覆われることになる。
【００１４】
以上のように構成された実施形態２の窒化物半導体素子は、実施形態１と同様の効果を有するとともに、負電極２１から延在するように形成された負電極２１ａ，２１ｂによって、実施形態１に比較して電流を均一に発光層に注入することができるので、より効率的な発光が可能になる。
【００１５】
実施形態３．
図４は、実施形態３の窒化物半導体素子の構成を示す模式断面図であり、図５は実施形態３の窒化物半導体素子におけるｐ側の正電極１５とｎ側の負電極との形状を示すための模式図である。この実施形態３の窒化物半導体素子は、ｐ型窒化物半導体層１３の全周を取り囲むように形成された負電極２１ｃを備えている点が実施形態１と異なり、他の部分は実施形態１と同様に構成される。尚、図４，５において、図１及び図２と同様のものには同様の符号を付して示している。すなわち、実施形態３の窒化物半導体素子においては、ｐ型窒化物半導体層１３を取り囲むように露出された上面において、負電極２１及び負電極２１ｃによって、ｐ型窒化物半導体層１３の周囲を取り囲むように負電極を形成している。ここで、負電極２１ｃは、ｎ型窒化物半導体層１２の表面から側面に渡って形成されている。これによって、実施形態３では、ｎ型窒化物半導体層１２の４つの側面が全て覆われることになる。
【００１６】
以上のように構成された実施形態３の窒化物半導体素子は、実施形態１と同様の効果を有するとともに、ｐ型窒化物半導体層の周囲を全て取り囲むように形成された負電極２１，２１ｃによって、実施形態１及び２に比較してさらに電流を均一に発光層に注入することができ、より効率的な発光が可能になる。
【００１７】
実施形態４．
図６は、本発明に係る実施形態４の構成を示す断面図である。本実施形態４の窒化物半導体発光素子は、実施形態１と同様、基板１１上にｎ型窒化物半導体層１２、発光層１０及びｐ型窒化物半導体層１３が順に積層された半導体層構造を有し、ｐ側とｎ側の電極が以下のように形成される。
（１）まず、ｐ型窒化物半導体層の周辺部が除去され、ｐ型窒化物半導体層１３の周囲にｎ型窒化物半導体層１２の上面が所定の幅で露出される（図７）。
（２）次に、ｐ型窒化物半導体層１３の上面のほぼ全面に比較的薄いｐ側の正電極３５を形成する（図８）。
（３）そして、正電極３５の中央部に円形の開口部２５ａを有する絶縁膜３７を、正電極３５及びｐ型窒化物半導体層１３の上面及び側面を覆うように形成する（図９）。
（４）次に、開口部２５ａとその近傍を除いて、絶縁膜３７とｐ型窒化物半導体層１３の周囲に所定の幅に露出されたｎ型窒化物半導体層１３の上面及びｎ型窒化物半導体層１３の側面とを覆うように、ｎ側の負電極３１を形成する（図１０）。ここで、負電極３１は、ｐ型窒化物半導体層１３の外側に露出されたｎ型窒化物半導体層１２の上面及び側面でｎ型窒化物半導体層１２とオーミック接触する。
（５）次に、負電極３１を覆うように絶縁膜３８を形成する（図１１）。ここで、絶縁膜３８は、絶縁膜３７の開口部２５ａの直上に開口部２５ｂが形成され、該開口部２５ａと開口部２５ｂとによって開口部２５が形成される。また、絶縁膜３８は、正電極３５上の片側に略矩形の開口部２６が形成される。
（６）次に、開口部２５を介して正電極３５と接触するｐ側取り出し電極３６を形成する（図１２）。ここで、ｐ側取り出し電極３６は、開口部２６側には、絶縁膜３８を介して負電極３１の一部分と厚さ方向に重なるように開口部２６に近接する位置まで延在し、かつ開口部２６の反対側にはｐ型窒化物半導体層１３の上部において絶縁膜３８を介して負電極３１と厚さ方向に重なるように、ｐ型窒化物半導体層の縁まで延在して形成される。
（７）ｎ側取り出し電極３２を、開口部２６を介して負電極３１と導通するように形成する（図１３）。
（８）さらに、ｎ側取り出し電極３２上に開口部２８を有しかつｐ側取り出し電極３６上のｎ側取り出し電極３２から離れた位置に開口部２７を有する絶縁膜３９を、形成する（図１４）。
【００１８】
以上のように構成された実施形態４の窒化物半導体発光素子は、
（ａ）正電極３５がｐ型窒化物半導体層１３のほぼ全面に形成されかつ正電極３５に中央部で接続された取り出し電極３６を有し、しかも、
（ｂ）負電極３１が、ｐ型窒化物半導体層１３を周囲をすべて取り囲むように該半導体層１３に近接してｎ型窒化物半導体層１２に接続している。
これによって、発光層１０にほぼ均一に電流を流すことができるので、効率よく発光させることができる。
【００１９】
また、以上のように構成された実施形態４の窒化物半導体素子では、絶縁膜３７を介して正電極３５と電気的に導通しないように正電極３５上に重ねてｎ側取り出し電極３２を形成できるように構成している。これによって、正電極１５と負電極２１とを並置して設けた実施形態１〜３に比較して、ｐ型窒化物半導体層１３及び正電極１５の面積を大きくできるので、より効率的な発光が可能になる。
【００２０】
また、以上のように構成された実施形態４の窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層１２、発光層１０及びｐ型窒化物半導体層１３の各側面及び上面が、基板１１側に位置する面を除いて、それぞれ比較的厚く形成された負電極３１、ｎ側取り出し電極３２又はｐ側取り出し電極３６のいずれかで覆われているので、半導体層の側面又は上面からの光りの漏れを防止できる。これによって、発光した光りを基板１１側から効率よく出力することができる。
【００２１】
また、以上のように構成された実施形態４の窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層１２、発光層１０及びｐ型窒化物半導体層１３の各側面及び上面が、基板１１側に位置する面を除いて、それぞれ比較的厚く形成された負電極３１、ｎ側取り出し電極３２又はｐ側取り出し電極３６のいずれかで覆われているので、サファイヤ基板の高い熱伝導率と相俟って、各半導体層で発生する熱を効率よく外部に放出でき、各半導体層の温度上昇を防止できる。これによって、窒化物半導体発光素子の寿命を長くできる。
【００２２】
以上の実施の形態１〜４では、窒化物半導体からなる発光層１０を用いて構成したが、本発明はこれに限らず、発光領域としてｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とのｐｎ接合を用い、該ｐｎ接合部で発光させるようにしてもよい。以上のように構成しても実施形態１〜４と同様の効果を有する。
【００２３】
以上の実施の形態１〜４では、それぞれ窒化物半導体層からなるｎ型窒化物半導体層１２、発光層１０及びｐ型窒化物半導体層１３とを備えた発光素子に付いて説明したが、本発明はこれに限らず、バッファ層等の他の層を有する半導体素子についても適用することができる。すなわち、本願発明は、基板上に少なくともｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とを有する半導体素子であって、ｎ側の負電極とｐ側の正電極とが同一面側に形成されているものであれば適用することができる。
【００２４】
以上の実施の形態１〜４では、本願発明を発光素子に適用した例を示したが本発明はこれに限らず、受光素子に適用しても実施形態１〜４と同様の効果を有する。本願発明を受光素子に適用する場合、実施形態１〜４に示した発光層１０に代えて、吸収層を形成する以外は、基本的には実施形態１〜４と同様に構成される。尚、この場合、吸収層に代えてｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とのｐｎ接合部を吸収領域として用いてもよい。
【００２５】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、上記動作領域に効率よく電流を流すことができるので、動作効率のよい窒化物半導体素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る実施形態１の窒化物半導体発光素子の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】図１の窒化物半導体発光素子の電極形状を示す平面図である。
【図３】本発明に係る実施形態２の電極形状を示す平面図である。
【図４】本発明に係る実施形態３の窒化物半導体発光素子の構成を模式的に示す断面図である。
【図５】図４の窒化物半導体発光素子の電極形状を示す平面図である。
【図６】本発明に係る実施形態４の窒化物半導体発光素子の構成を模式的に示す断面図である。
【図７】実施形態４の窒化物半導体発光素子の半導体層構造を示す斜視図である。
【図８】実施形態４の窒化物半導体発光素子における正電極３５の形状を示す斜視図である。
【図９】実施形態４の窒化物半導体発光素子における絶縁膜３７の形状を示す斜視図である。
【図１０】実施形態４の窒化物半導体発光素子における電極３１の形状を示す斜視図である。
【図１１】実施形態４の窒化物半導体発光素子における絶縁膜３８の形状を示す斜視図である。
【図１２】実施形態４の窒化物半導体発光素子における電極３６の形状を示す斜視図である。
【図１３】実施形態４の窒化物半導体発光素子における電極３２の形状を示す斜視図である。
【図１４】実施形態４の窒化物半導体発光素子における絶縁膜３９の形状を示す斜視図である。
【図１５】従来例の窒化物半導体発光素子の構成を示す模式断面図である。
【図１６】従来例の窒化物半導体発光素子の電極構成を示す平面図である。
【符号の説明】
１０…発光層、
１１…基板、
１２…ｎ型窒化物半導体層、
１３…ｐ型窒化物半導体層、
１５，３５…正電極、
１６，３２，３６…取り出し電極、
１７，３７，３８，３９…絶縁膜、
１８，１９，２５，２５ａ，２５ｂ，２６，２７，２８…開口部、
２１，２１ａ，２１ｂ，２１ｃ…負電極、
２２…ｎ型窒化物半導体層１２の外周側面。
Claims (3)
- 基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層上に動作領域を介して形成されたｐ型窒化物半導体層とを備え、上記ｐ型窒化物半導体層上のほぼ全面に形成された正電極と上記ｐ型窒化物半導体層の一部を除去して露出させた上記ｎ型窒化物半導体層の表面に形成された負電極とを同一面側に有する窒化物半導体素子であって、
上記負電極が形成される上記ｎ型窒化物半導体層の表面は、上記ｎ型窒化物半導体層の上面が上記ｐ型窒化物半導体層の周囲を全て囲むようにかつ上記ｎ型窒化物半導体層の少なくとも一部の外周側面と連続するように露出されており、
上記ｐ型窒化物半導体層の外周側面と上記正電極の外周周辺部とを覆うように絶縁膜が形成され、
上記負電極は、上記ｐ型窒化物半導体層の周囲を全て囲みかつ上記絶縁膜を介して上記正電極の外周周辺部上まで延在するように、上記ｎ型窒化物半導体層の露出させた上面と該上面に連続する上記外周側面とに連続して形成されたことを特徴とする窒化物半導体素子。 - 上記窒化物半導体素子においてさらに、上記正電極の中央部に、上記正電極に接続された取り出し電極を設けた請求項１記載の窒化物半導体素子。
- 上記動作領域が発光領域である請求項１又は２に記載の窒化物半導体素子。
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