JP2003243709A - 半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光半導体層のｎ型領域とｐ型領域にバイア
ス印加するための電極をそれぞれ支持基板の同一面側に
て形成した構造の半導体発光素子において、発光強度を
向上させる。 【解決手段】 支持基板１上に第１導電型の第１コンタ
クト層２が積層されている。第１コンタクト層２上に
は、第１導電型クラッド３１と第２導電型クラッド３２
が夫々下位と上位に配されてそれらの境界に発光接合部
３３が形成された発光半導体層３が積層されている。発
光半導体層３上には、第２導電型の第２コンタクト層４
が積層されている。第１コンタクト層２には、その表面
の露出領域２１が発光半導体層３に囲まれるよう形成さ
れ、この露出領域２１には第１の電極５が発光半導体層
３と等距離で形成されている。第２コンタクト層４上に
は、第２の電極６が露出領域２１と発光半導体層３との
境界Ａから一定距離おいて露出領域２を囲むように形成
されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光素子に関
し、詳しくは特に発光接合部を有する半導体層および該
半導体層のｎ型領域とｐ型領域にバイアス印加するため
の電極をそれぞれ支持基板の同一面側において形成した
構造を有する半導体発光素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、例えば特開平９−３６４２２
号や特開平８−２２８０４８号、特開平１０−９３１３
８号などに示されるように、支持基板の同一面側におい
てｎ型領域とｐ型領域を積層して発光接合部を有する半
導体層を形成し、これにバイアス印加するための電極を
支持基板の同一面側に形成した構造を有する半導体発光
素子が知られている。

【０００３】これら従来例に係る半導体発光素子は、サ
ファイア基板を支持基板としてその上にバッファ層を介
してｎ型コンタクト層が積層され、さらに発光接合層
（活性層）を有する発光半導体層、ｐ型コンタクト層が
順次積層された層構造を有している。前記発光半導体層
は、３族窒化物半導体よりなるｎ型クラッド層とｐ型ク
ラッド層が下位と上位に配されておりこれらの境界に発
光接合部が形成されている。また、前記ｎ型コンタクト
層上において前記ｐ型コンタクト層および発光半導体層
の一部をエッチングにより前記ｎ型コンタクト層が露出
するまで除去することで、前記ｎ型コンタクト層が露出
した領域が前記発光半導体層の積層領域に隣接して形成
されている。前記ｎ型コンタクト層の露出領域には平面
視において一文字状の電極が前記発光半導体層と間隔を
あけて対向するよう形成されており、一方、前記ｐ型コ
ンタクト層においても一文字状の電極が前記露出領域の
前記電極と平行となるよう形成されている。そして、前
記発光半導体層に順方向バイアスを印加（前記ｐ型コン
タクト層の電極にプラス電圧を印加）することにより、
前記ｐ型コンタクト層にそれぞれ設けた電極から前記ｎ
型コンタクト層の露出部に設けた電極に向かって電流が
流れ、前記発光半導体層中の発光接合層にてホールと電
子が結合し発光する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な従来の半導体発光素子においては、前記電極間に順方
向バイアスを印加したときに前記発光半導体層中を流れ
る電流は、前記発光半導体層中において抵抗が比較的小
さくなる領域を主として流れる傾向がある。すなわち、
前記発光半導体層中の抵抗は電流が発光半導体層中を流
れる距離が短くなるほど小さくなるため、電流は前記ｐ
型コンタクト層の電極と前記ｎ型コンタクト層の露出部
に設けた電極との間の領域を主として流れる。そのた
め、前述の通り、従来の半導体発光素子では支持基板の
同一面側においてｐ型コンタクト層の電極と前記ｎ型コ
ンタクト層の電極を互いに平行な一文字状にしているが
故に、前記発光半導体層中の発光接合層のうち電流が流
れて実質的に強く発光する領域は前記両電極の間に介在
する部分に片寄ってしまい、前記発光接合層全体を発光
領域として使えず発光強度は全体として小さくなってし
まうという問題がある。

【０００５】この問題を緩和するため、従来構成の半導
体発光素子においてｐ型コンタクト層の電極の位置を前
記ｎ型コンタクト層の電極から遠い位置になるよう配置
すれば発光領域として使える発光接合層の大きさは広が
るが、その反面、前記発光半導体層中を電流が流れる距
離も大きくなって抵抗値が大きくなりパワーロスにつな
がるという問題を生じるものであった。

【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、発光接合部を有する半導体層および
該半導体層のｎ型領域とｐ型領域にバイアス印加するた
めの電極をそれぞれ支持基板の同一面側において形成し
た構造であっても、発光強度を向上させ、しかもパワー
ロスを防止することができる半導体発光素子を提供する
ことにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明では、上記目的を
達成するために、以下の構成の半導体発光素子が提供さ
れる。すなわち、この半導体発光素子は、支持基板を備
え、この支持基板上に第１導電型の第１コンタクト層が
積層されている。この第１コンタクト層上には、第１導
電型クラッドと第２導電型クラッドが夫々下位と上位に
配されてそれらの境界に発光接合部が形成された発光半
導体層が積層されている。この発光半導体層上には、第
２導電型の第２コンタクト層が積層されている。前記第
１コンタクト層にあっては、その表面が露出する領域が
前記発光半導体層に周囲を囲まれるよう形成され、この
第１コンタクト層の露出領域には第１の電極が前記発光
半導体層と等距離となるように形成されている。前記第
２コンタクト層上には、第２の電極が平面視において前
記第１コンタクト層の露出領域と前記発光半導体層との
境界から一定距離をあけて前記露出領域を囲むように形
成されている。

【０００８】なお前記第１導電型ならびに第２導電型
は、ｎ型あるいはｐ型の何れかの導電型を対極的に意味
するものでって、例えば一方がｎ型であれば他方はｐ型
となる。また、前記第１コンタクト層の露出領域につい
ては、前記第１の電極が直接形成されておれば、必ずし
も最終的に大気中に直接露出した状態で存在しなくとも
よく、例えば前記第１の電極が形成された後に当該半導
体発光素子の発光を阻害せず且つ素子の物理的或いは化
学的特性に影響を及ぼさない材料で表面被覆されていて
もよい。

【０００９】当該半導体発光素子にあっては、順方向バ
イアスを印加したとき、前記第１の電極と前記第２の電
極との間において前記発光半導体層内を流れる電流の経
路が形成され、このとき電流が実質的に流れる部分の発
光接合部が発光するが、前記第１コンタクト層の露出領
域が前記発光半導体層に周囲を囲まれ、そこに前記第1
の電極が形成され、且つ前記第２の電極は前記第２コン
タクト層上において前記露出領域を囲むように形成され
ているので、前記露出領域の周囲３６０度において前記
発光半導体層に発光領域が形成され、従来に比べて前記
発光接合部において発光に寄与する領域を拡大すること
できる。また、前記第１の電極は前記発光半導体層と等
距離となるように形成され、同様に前記第２の電極も前
記第１コンタクト層の露出領域と前記発光半導体層との
境界から一定距離をあけて形成されているので、電流が
特定部位に片寄ることなく均一に流れる。このことか
ら、当該半導体発光素子では全体として発光効率を向上
させることができ、しかもパワーロスを来すこともな
い。

【００１０】また当該半導体発光素子では、前記第１コ
ンタクト層の露出領域および前記第１の電極が複数箇所
に設けられていると好ましい。この場合、前記発光半導
体層に対して複数箇所を起点として発光領域を形成する
ことができることから、電流の流れない死角を低減する
ことができ、発光効率をより向上させることができる。
また、このように複数箇所を起点として発光領域を形成
できるようにしておくことで、仮に一部の前記第１の電
極の領域において発光出力が低下したとしても、素子全
体としては他の第１の電極による発光領域において発光
強度を補うことができるため発光強度の大きな低下を防
止できる。

【００１１】さらに当該半導体発光素子では、前記第１
コンタクト層の露出領域はハニカム形状に複数形成され
ていると好ましい。この場合、前記発光半導体層に対し
て複数の前記露出領域を効率よく均等配置できるため、
発光効率をより向上させることができる。

【００１２】また、本発明では上記構成のものの他、次
の如き態様の異なる構成の半導体発光素子も提供され
る。すなわち、この半導体発光素子は、支持基板を備
え、この支持基板上に第１導電型の第１コンタクト層が
積層されている。この第１コンタクト層上には、第１導
電型クラッドと第２導電型クラッドが夫々下位と上位に
配されてそれらの境界に発光接合部が形成された発光半
導体層が積層されている。この発光半導体層上には、第
２導電型の第２コンタクト層が積層されている。前記第
１コンタクト層にあっては、その表面が露出する領域が
平面視において素子のコーナー部にて形成され、第１の
電極がこの第１コンタクト層の露出領域に形成されてい
る。前記第２コンタクト層上には、平面視において前記
第１の電極に対して遠方から近づく方向に凸形状に突出
する凸型電極部を複数並存させて有する第２の電極が形
成されている。そして、前記第２の電極の各凸型電極部
の頂部と前記第１の電極との間の各最短ライン上におい
て、前記第１の電極は前記第１コンタクト層の露出領域
と前記発光半導体層との境界までの距離が略等しく、且
つ前記第２の電極の各凸型電極部の頂部から前記境界ま
での距離が略等しくなっている。

【００１３】この半導体発光素子では、前記第２の電極
の各凸型電極部と前記第１の電極との距離が略等しくな
るため、電流が均一となる。また各凸型電極部の形状に
沿って等電位面が形成され、電流は等電位面に直行する
電気力線に沿うよう流れるため、凸型電極部同士の間で
谷となる部分にも電流が流れ発光領域を拡大できる。ま
た、この半導体発光素子では、前記第２の電極を前記凸
型電極部から連続させて前記第１の電極と遠ざかる方向
に面積を広げて形成しておけば、素子動作により発生す
る素子内部の発熱を効率良く放熱できるようになる。

【００１４】本発明では、次の如きさらに他の構成の半
導体発光素子も提供される。すなわち、この半導体発光
素子は、支持基板を備え、この支持基板上に第１導電型
の第１コンタクト層が積層されている。この第１コンタ
クト層上には、第１導電型クラッドと第２導電型クラッ
ドが夫々下位と上位に配されてそれらの境界に発光接合
部が形成された発光半導体層が積層されている。この発
光半導体層上には、第２導電型の第２コンタクト層が積
層されている。前記第１コンタクト層にあっては、平面
視で素子の周縁部に偏在するようその表面が露出する領
域が形成され、第１の電極がこの第１コンタクト層の露
出領域に形成されている。前記第２コンタクト層上に
は、前記第１の電極から等距離となるよう配置された複
数の電極ブロックを有する第２の電極が形成されてい
る。前記第１の電極は前記第２の電極に対する対向辺が
円弧状に形成されている。また前記第１コンタクト層の
露出領域と前記発光半導体層との境界は、少なくとも前
記第１の電極と第２の電極の間に介在する範囲において
前記第１の電極の前記対向辺と同心円弧状に形成されて
いる。また前記第２の電極の各電極ブロックは、前記第
１の電極に対する対向辺が前記第１の電極における円弧
状の前記対向辺と同心の円弧状に形成されている。

【００１５】この半導体発光素子では、前記第１の電極
と前記第２の電極の各電極ブロックとは対向辺同士が等
距離となるため、電流が均一となり発光効率が良好とな
る。また、素子中央部にて発光領域が形成されるので、
素子側面から漏れる光の量を減らして素子の上下方向へ
の光の放射効率を上げることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳しく説明する。

【００１７】図１は本発明の一実施形態に係る半導体発
光素子を示す平面図であり、図２は図１に示した半導体
発行素子を図中Ｘ−Ｘ線で切断した断面図である。

【００１８】該実施形態に係る半導体発光素子は、絶縁
性のサファイア基板が支持基板１として用いられてお
り、この支持基板１上にはバッファ層７を介してｎ型Ｇ
ａＮよりなる第１コンタクト層２が積層形成されてい
る。バッファ層７はサファイア基板とｎ型ＧａＮとの格
子不整合を緩和するために設けられるもので、例えばＧ
ａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ等より形成される。

【００１９】ｎ型コンタクト層２の上には発光接合部３
３を有する発光半導体層３が積層形成されている。この
発光半導体層３は、３族窒化物半導体を用いて形成され
たものであって、下位にｎ型クラッド層３１、上位にｐ
型クラッド層３２を有しており、発光接合部３３はこれ
らクラッド層３１、３３の境界に形成されている。これ
らｎ型クラッド層３１、発光接合部３３、ｐ型クラッド
層３２は、例えばｎ型ＡｌＧａＮ、ｎ型ＩｎＧａＮ、ｐ
型ＡｌＧａＮを順次積層することで形成することができ
る。発光接合部３３をｎ型ＩｎＧａＮで形成する場合、
この発光接合部３３における発光色は、Ｉｎの組成比を
適宜調整したり、或いはＳｉ、Ｇｅ、Ｓ等のｎ型不純物
やＺｎ、Ｍｇ等のｐ型不純物を適宜ドープすることによ
り紫外〜赤色の範囲で所望の色に調節可能である。発光
半導体層３の上にはｐ型ＧａＮよりなる第２コンタクト
層２が積層形成されている。

【００２０】本実施形態においては、図１に示す如く素
子の平面視において素子中央部にて略円形に第１コンタ
クト層２の表面が露出する領域２１が形成されている。
すなわち、この露出領域２１は、発光半導体層３および
第２コンタクト層２により周囲を囲まれた凹所８の底面
に形成されている。この露出領域２１は、例えば第１コ
ンタクト層２の全面に発光半導体層３および第２コンタ
クト層２を積層形成した後、これら発光半導体層３およ
び第２コンタクト層２のうち露出領域２１に相当する部
位に積層されている部分を第１コンタクト層２が露出す
るまでエッチング除去することで形成することができ
る。なお、図２中の符号Ａは発光半導体層３およびｐ型
コンタクト層４と露出領域２１との境界を示している。

【００２１】露出領域２１の上には第１の電極５が露出
領域２１の形状と同心円となる円形に形成されており、
境界Ａと第１の電極５とは等距離となっている。

【００２２】一方、ｐ型コンタクト層４の上には、第２
の電極６が凹所８（露出領域２１）の周囲を囲むよう形
成されている。凹所８を囲む第２の電極６の内周は、境
界Ａから一定距離をおいて露出領域２１と同心円となる
円形に形成されている。

【００２３】第１の電極５および第２の電極６は、上記
形状となるよう所定のマスクを用いて形成することがで
きるものであって、電極材料としては例えばＮｉ、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ｔｉ等の金属を使用するとよい。

【００２４】本実施形態の半導体発光素子において、順
方向バイアスすなわちｐ型である第２コンタクト層に形
成した第２の電極６にプラス電圧を印加すると、発光半
導体層３中の発光接合部３３にてホールと電子が結合し
発光する。なお図２中の矢印は光の放射方向を示してい
る。本実施形態では、第１コンタクト層２の露出領域２
１および第1の電極５を囲むよう第２の電極６が形成さ
れているので、露出領域２１の周囲３６０度において発
光半導体層３３の発光領域が形成される。この場合、従
来例で示した如き一文字状の電極同士を対向させた場合
と、同等の電極間距離（同等の抵抗値レベル）および同
等のバイアス印加レベルの条件下で比較すると、発光接
合部３３において発光に寄与する領域の面積は大きくな
る。このことから、発光効率は向上したものとなる。ま
た、第１の電極５および第２の電極６とも境界Ａから等
間隔をあけて形成されているので、電流が特定部位に片
寄ることなく均一に流れる。以上のように、当該半導体
発光素子では全体として発光効率を向上させることがで
きる。

【００２５】図３は他の実施形態に係る半導体発光素子
を示す平面図であり、図４は図３に示した半導体発行素
子を図中Ｙ−Ｙ線で切断した断面図である。この実施形
態では、凹所８すなわち第１コンタクト層２の露出領域
２１および第１の電極５が複数箇所に設けられている点
で、図１、２に示した前述の実施形態とは異なってい
る。すなわち、図示の如く、第１コンタクト層２の露出
領域２１を底部に有する複数の凹所８が格子状の配列で
素子表面の全体に渡るよう設けられている。

【００２６】該実施形態では、これら複数の凹所８（第
１の電極５）を起点として素子全体に渡るよう発光半導
体層３に電流を均一に流し、電流の流れない死角を低減
することができることから、発光接合部３３を発光領域
として広域に利用でき、高い発光効率を得ることができ
る。また、このように複数箇所を起点として発光領域を
形成できるようにしておくことで、仮に何らかの理由で
一部の第１の電極５により形成される発光領域において
発光出力が低下したとしても、素子全体としては他の第
１の電極５による発光領域において発光強度を確保する
ことができるため発光強度の大きな低下を防止できる。

【００２７】図５は更に他の実施形態に係る半導体発光
素子を示す平面図である。この実施形態では、複数形成
された凹所８の開口形状（第１コンタクト層２の露出領
域２１の形状）が六角形に形成され、いわゆるハニカム
状の配置となっている点で、図３に示した前述の実施形
態とは異なっている。

【００２８】該実施形態では、発光領域を形成する起点
となる露出領域２１（第１の電極５）をハニカム状の配
置としたことで、発光半導体層３に対して各露出領域２
１（第１の電極５）を効率よく均等配置できるため、発
光効率をより向上させることができる。

【００２９】図６は更に他の実施形態に係る半導体発光
素子を示す平面図である。この実施形態では、基板１の
鉛直方向における層構成については前述の実施形態と同
様であるが、第１コンタクト層２の露出領域２１の配置
態様および第２の電極６の形態が異なっている。

【００３０】すなわち該実施形態では、第１コンタクト
層２の露出領域２１が平面視において素子のコーナー部
近傍（図６で言うと矩形に形成された素子形状の右下
隅）にて形成され、第１の電極５がこの露出領域２１に
形成されている。第１の電極５は円形に形成され、また
露出領域２１と発光半導体層３との境界Ａの形状は第１
の電極５の円形と同心となる円弧状となっている。これ
により第１の電極５から境界Ａまでの間隔は等距離とな
っている。また、第２の電極６は、第２コンタクト層４
の中央部から第１の電極５に対して遠ざかる領域にかけ
て第２コンタクト層４の表面を覆うように電極主要部６
２を設け、この電極主要部６２から第１の電極に近づく
方向に凸形状に突出する凸型電極部６１が複数並存させ
て設けることで形成されている。そして、各凸型電極部
６１の頂部と第１の電極５との間の各最短ライン上にお
いて、第１の電極５は境界Ａまでの距離ｘが等しく、且
つ各凸型電極部６１の頂部から境界Ａまでの距離ｙがい
ずれも等しくなっている。

【００３１】この実施形態では、第２の電極６の各凸型
電極部６１と第１の電極５との距離が略等しくなるた
め、順方向バイアスを印加したとき電極間において発光
半導体層３に流れる電流が均一となる。またこのとき各
凸型電極部６１の形状に沿って等電位面が形成され、電
流は等電位面に直行する電気力線に沿うよう流れるた
め、凸型電極部６１，６１同士の間で谷となる部分にも
電流が流れ発光領域を拡大できる。また、この半導体発
光素子では、第２の電極６の主要部６２が広く第２コン
タクト層４表面を覆うよう形成されているため、例えば
フリップチップ実装等を行った場合には、素子の発光に
伴い発生する発光半導体層３内部の発熱を効率良く放熱
できる。これにより熱による素子性能へのダメージを押
さえることができるため、素子の長寿命化に有利とな
る。

【００３２】図７は更に他の実施形態に係る半導体発光
素子を示す平面図である。この実施形態では、基板１の
鉛直方向における層構成については前述の実施形態と同
様であるが、第１コンタクト層２の露出領域２１の配置
態様および第２の電極６の形態が異なっている。

【００３３】すなわち該実施形態では、前記第１コンタ
クト層において、矩形の素子形状の一辺側近傍（図７で
言うと右端近傍）に露出領域２１が形成され、第１の電
極５が露出領域２１に形成されている。第２コンタクト
層４上において、第２の電極６は、複数の電極ブロック
６３に分割され、これら複数の電極ブロック６３は第１
の電極５から等距離となるよう配置されている。第１の
電極５は円形に形成され、また第１コンタクト層２の露
出領域２１と発光半導体層３との境界Ａは、第１の電極
５と同心となる円形に形成されている。また第２の電極
６の各電極ブロック６３は、第１の電極５に対する対向
辺６４が第１の電極と同心の凹型円弧状に形成されてい
る。

【００３４】この実施形態では、第１の電極５と第２の
電極６の各電極ブロック６３とは対向辺同士が同心の円
弧となるため等距離であり、そのため電極間における発
光半導体層３での電流が均一となり発光効率が良好とな
る。また、素子中央部にて発光領域が形成されるので、
素子側面から漏れる光の量を減らして素子の上下方向へ
の光の放射効率を上げることができる。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る半
導体発光素子にあっては、前記第１コンタクト層の露出
領域が前記発光半導体層に周囲を囲まれ、そこに前記第
1の電極が形成され、且つ前記第２の電極は前記第２コ
ンタクト層上において前記露出領域を囲むように形成さ
れているので、順方向バイアスを印加したとき、前記露
出領域の周囲３６０度において前記発光半導体層に発光
領域が形成され、従来に比べて前記発光接合部において
発光に寄与する領域を拡大することできる。また、前記
第１の電極は前記発光半導体層と等距離となるように形
成され、同様に前記第２の電極も前記第１コンタクト層
の露出領域と前記発光半導体層との境界から一定距離を
あけて形成されているので、電流が特定部位に片寄るこ
となく均一に流れる。その結果、当該半導体発光素子で
は全体として発光効率を向上させることができ、しかも
パワーロスを来すこともない、という効果を奏する。

【００３６】請求項２に係る半導体発光素子にあって
は、請求項１の発明において、前記第１コンタクト層の
露出領域および前記第１の電極が複数箇所に設けられて
いるので、前記発光半導体層に対して複数箇所を起点と
して発光領域を形成することができることから、電流の
流れない死角を低減することができ、発光効率をより向
上させることができる。また、仮に一部の前記第１の電
極の領域において発光出力が低下したとしても、素子全
体としては他の第１の電極による発光領域において発光
強度を補うことができるため発光強度の大きな低下を防
止できる。

【００３７】請求項３に係る半導体発光素子にあって
は、請求項２の発明において、前記第１コンタクト層の
露出領域はハニカム形状に複数形成されているので、前
記発光半導体層に対して複数の前記露出領域を効率よく
均等配置できるため、発光効率をより向上させることが
できる。

【００３８】請求項４に係る半導体発光素子にあって
は、前記第２の電極の各凸型電極部と前記第１の電極と
の距離が略等しくなるため、電流が均一となる。また各
凸型電極部の形状に沿って等電位面が形成され、電流は
等電位面に直行する電気力線に沿うよう流れるため、凸
型電極部同士の間で谷となる部分にも電流が流れ発光領
域を拡大できる。また、この半導体発光素子では、前記
第２の電極を前記凸型電極部から連続させて前記第１の
電極と遠ざかる方向に面積を広げて形成しておけば、素
子動作により発生する素子内部の発熱を効率良く放熱で
きるようになる。

【００３９】請求項５に係る半導体発光素子にあって
は、前記第１の電極と前記第２の電極の各電極ブロック
とは対向辺同士が等距離となるため、電流が均一となり
発光効率が良好となる。また、素子中央部にて発光領域
が形成されるので、素子側面から漏れる光の量を減らし
て素子の上下方向への光の放射効率を上げることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る半導体発光素子を示
す平面図である。

【図２】図１に示した実施形態の半導体発行素子を図中
Ｘ−Ｘ線で切断した断面図である。

【図３】本発明の他の実施形態に係る半導体発光素子を
示す平面図である。

【図４】図３に示した実施形態の半導体発行素子を図中
Ｙ−Ｙ線で切断した断面図である。

【図５】本発明のさらに他の実施形態に係る半導体発光
素子の平面図である。

【図６】本発明のさらに他の実施形態に係る半導体発光
素子の平面図である。

【図７】本発明のさらに他の実施形態に係る半導体発光
素子の平面図である。

【符号の説明】

１ 支持基板 ２ 第１コンタクト層 ２１ 露出領域 ３ 発光半導体層 ３１ ｎ型クラッド（第１導電型クラッド） ３２ 発光接合部 ３３ ｐ型クラッド（第２導電型クラッド） ４ 第２コンタクト層 ５ 第１の電極 ６ 第２の電極 Ａ 境界

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 葛原 一功 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 早崎 嘉城 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 長浜 英雄 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 4M104 AA04 BB02 BB05 BB09 BB14 CC01 FF01 FF11 GG04 5F041 AA03 AA05 AA08 AA33 CA04 CA40 CA46 CA93 CB05 DA09

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持基板と、この支持基板上に積層され
   た第１導電型の第１コンタクト層と、 この第１コンタクト層上に積層され、第１導電型クラッ
   ドと第２導電型クラッドが夫々下位と上位に配されてそ
   れらの境界に発光接合部が形成された発光半導体層と、 この発光半導体層上に積層された第２導電型の第２コン
   タクト層と、 前記第１コンタクト層の表面が露出する領域が前記発光
   半導体層に周囲を囲まれるよう形成され、この第１コン
   タクト層の露出領域に前記発光半導体層と等距離となる
   ように形成された第１の電極と、 前記第２コンタクト層上に、平面視において前記第１コ
   ンタクト層の露出領域と前記発光半導体層との境界から
   一定距離をあけて前記露出領域を囲むように形成された
   第２の電極と、 を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
2. 【請求項２】 前記第１コンタクト層の露出領域および
   前記第１の電極が複数箇所に設けられていることを特徴
   とする請求項１記載の半導体発光素子。
3. 【請求項３】 前記第１コンタクト層の露出領域はハニ
   カム形状に複数形成されていることを特徴とする請求項
   ２記載の半導体発光素子。
4. 【請求項４】 支持基板と、この支持基板上に積層され
   た第１導電型の第１コンタクト層と、 この第１コンタクト層上に積層され、第１導電型クラッ
   ドと第２導電型クラッドが夫々下位と上位に配されてそ
   れらの境界に発光接合部が形成された発光半導体層と、 この発光半導体層上に積層された第２導電型の第２コン
   タクト層と、 前記第１コンタクト層において平面視で素子のコーナー
   部にて表面が露出する領域が形成され、この第１コンタ
   クト層の露出領域に形成された第１の電極と、 前記第２コンタクト層上に、平面視において前記第１の
   電極に対して遠方から近づく方向に凸形状に突出する凸
   型電極部を複数並存させて有する第２の電極と、を備
   え、 前記第２の電極の各凸型電極部の頂部と前記第１の電極
   との間の各最短ライン上において、前記第１の電極は前
   記第１コンタクト層の露出領域と前記発光半導体層との
   境界までの距離が略等しく、且つ前記第２の電極の各凸
   型電極部の頂部から前記境界までの距離が略等しくなっ
   ていることを特徴とする半導体発光素子。
5. 【請求項５】 支持基板と、この支持基板上に積層され
   た第１導電型の第１コンタクト層と、 この第１コンタクト層上に積層され、第１導電型クラッ
   ドと第２導電型クラッドが夫々下位と上位に配されてそ
   れらの境界に発光接合部が形成された発光半導体層と、 この発光半導体層上に積層された第２導電型の第２コン
   タクト層と、 前記第１コンタクト層において平面視で素子の周縁部に
   偏在するよう表面が露出する領域が形成され、この第１
   コンタクト層の露出領域に形成された第１の電極と、 前記第２コンタクト層上に、前記第１の電極から等距離
   となるよう配置された複数の電極ブロックを有する第２
   の電極と、を備え、 前記第１の電極は前記第２の電極に対する対向辺が円弧
   状に形成され、前記第１コンタクト層の露出領域と前記
   発光半導体層との境界は少なくとも前記第１の電極と第
   ２の電極の間に介在する範囲において前記第１の電極の
   前記対向辺と同心円弧状に形成され、且つ前記第２の電
   極の各電極ブロックは前記第１の電極に対する対向辺が
   前記第１の電極における円弧状の前記対向辺と同心の円
   弧状に形成されていることを特徴とする半導体発光素
   子。