JPH02275680A - 光半導体集積回路装置 - Google Patents
光半導体集積回路装置Info
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- JPH02275680A JPH02275680A JP1097971A JP9797189A JPH02275680A JP H02275680 A JPH02275680 A JP H02275680A JP 1097971 A JP1097971 A JP 1097971A JP 9797189 A JP9797189 A JP 9797189A JP H02275680 A JPH02275680 A JP H02275680A
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- JP
- Japan
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- region
- photodiode
- type
- diffused
- integrated circuit
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
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- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光半導体集積回路装置に関し、特にホト・カブ
ラの出力側に使用される光半導体集積回路のホト・ダイ
オード部に関する。
ラの出力側に使用される光半導体集積回路のホト・ダイ
オード部に関する。
従来の光半導体集積回路装置のホト・ダイオード部の縦
構造は第３図の様になっており同相信号除去比（以下Ｃ
ＭＲＲ）を上げる為に、たとえば酸化錫のような透明の
導電膜１２でホト・ダイオード部をおおい接地してホト
・ダイオードをシールドしている。
構造は第３図の様になっており同相信号除去比（以下Ｃ
ＭＲＲ）を上げる為に、たとえば酸化錫のような透明の
導電膜１２でホト・ダイオード部をおおい接地してホト
・ダイオードをシールドしている。
ホト・カブラは種々のインターフェース・コントローラ
ーに使用され、その応答速度の市場要求は年々速くなっ
て来ており、それにともない入力側の出力に対する電位
変化も速くなっている。その為、入力側の電位変化が出
力側に伝達されて生じる誤動作、すなわち、同相信号に
よる悪影響がますます大きくなってきているので、出力
側の光半導体集積回路装置のホト・ダイオード部を入力
側に対してシールドし、ＣＭＲＲを大きくする必要があ
る。
ーに使用され、その応答速度の市場要求は年々速くなっ
て来ており、それにともない入力側の出力に対する電位
変化も速くなっている。その為、入力側の電位変化が出
力側に伝達されて生じる誤動作、すなわち、同相信号に
よる悪影響がますます大きくなってきているので、出力
側の光半導体集積回路装置のホト・ダイオード部を入力
側に対してシールドし、ＣＭＲＲを大きくする必要があ
る。
上述した従来の構造は接地された透明導電膜１２でホト
・ダイオード部をおおってＣＭＲＲを大きくしている。
・ダイオード部をおおってＣＭＲＲを大きくしている。
ところが従来の構造は酸化錫などの特殊な材料を使用し
ているので製法が複雑になり、かつ、製造工程が長くな
るという欠点がある。
ているので製法が複雑になり、かつ、製造工程が長くな
るという欠点がある。
本発明は、光半導体集積回路装置のホト・ダイオード部
の表面部に絶縁領域と同じ導電型の拡散層を形成し、か
つ基板と接続し、すなわち接地してホト・ダイオード部
をシールドするという構造を有する。
の表面部に絶縁領域と同じ導電型の拡散層を形成し、か
つ基板と接続し、すなわち接地してホト・ダイオード部
をシールドするという構造を有する。
〔実施例１〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面
図及びＡ−Ａ’断面図である。
図及びＡ−Ａ’断面図である。
ｐ”型の基板９上にエピタキシャル成長したｎ−層７に
ｐ＋絶縁領域１を拡散・酸化して光半導体集積回路装置
のホト・ダイオード部を分どする。つぎの工程で、ｎ型
不純物を拡散・酸化してアノード領域６、ｎ型不純物を
拡散・酸化してカソード領域５をそれぞれ順次形成しホ
ト・ダイオードとし、さらに次工程でシールド領域２と
して、絶縁領域１と電気的に短絡する様に接してｎ型不
純物を浅く拡散・酸化する。
ｐ＋絶縁領域１を拡散・酸化して光半導体集積回路装置
のホト・ダイオード部を分どする。つぎの工程で、ｎ型
不純物を拡散・酸化してアノード領域６、ｎ型不純物を
拡散・酸化してカソード領域５をそれぞれ順次形成しホ
ト・ダイオードとし、さらに次工程でシールド領域２と
して、絶縁領域１と電気的に短絡する様に接してｎ型不
純物を浅く拡散・酸化する。
次の工程で絶縁膜８にアノードコンタクト１ｏζ及びカ
ソードコンタクト１０ｃ用の開孔部を設は基板表面を露
出する。
ソードコンタクト１０ｃ用の開孔部を設は基板表面を露
出する。
次に表面にアルミ層を蒸着し、アノード電極４、カソー
ド電ｉ３をバターニングして得る。
ド電ｉ３をバターニングして得る。
この実施例は、ホト・ダイオード表面にシールド領域２
を設は接地しているので、ホＩ・・カプラの入力側の電
位が変化した時に、シールド効果によりその影響を受け
ない。また、透明導電膜を使う必要がないので工程が簡
略化される。
を設は接地しているので、ホＩ・・カプラの入力側の電
位が変化した時に、シールド効果によりその影響を受け
ない。また、透明導電膜を使う必要がないので工程が簡
略化される。
〔実施例２〕
第２図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施例の平面
図及びＢ−Ｂ’断面図である。
図及びＢ−Ｂ’断面図である。
ｎ−層７をエピタキシャル成長する前工程でｎ型の埋込
層１１を拡散・酸化して形成する工程と、カソード領域
５を埋込層１１：＆で届く様に深く拡散する工程が第１
の実施例の製造工程に追加される。この他は前述の実施
例と同じである。埋込層１１を追加することによりカソ
ード領域５を内部に形成したことになり、表面にはカソ
ードコンタクＩ” ］、 Ｏｃを得るのに必要な小さい
面積だけカソード領域５が露出するのみなので、シール
ド領域２の面積がより大きくなるので、シールド効果が
上がるという利点がある。
層１１を拡散・酸化して形成する工程と、カソード領域
５を埋込層１１：＆で届く様に深く拡散する工程が第１
の実施例の製造工程に追加される。この他は前述の実施
例と同じである。埋込層１１を追加することによりカソ
ード領域５を内部に形成したことになり、表面にはカソ
ードコンタクＩ” ］、 Ｏｃを得るのに必要な小さい
面積だけカソード領域５が露出するのみなので、シール
ド領域２の面積がより大きくなるので、シールド効果が
上がるという利点がある。
以ト説明したように本発明は、ホト・ダイオード部表面
に絶縁領域１と短絡した、ずなわぢ接地した拡散層、シ
ールド領域２を有するのでシールド効果があり、ＣＭ
ＲＲを大きくできる効果がある。
に絶縁領域１と短絡した、ずなわぢ接地した拡散層、シ
ールド領域２を有するのでシールド効果があり、ＣＭ
ＲＲを大きくできる効果がある。
上領域、４・・・アノード領域、５・・・カソード領域
、６・・・アノード領域、７・・・受光部、８・・・絶
縁膜、９・・基板、１０ａ、１０ｃ・・・アノード及び
カソードコンタクト、１１・・・埋込層、１２・・・透
明導電膜。
、６・・・アノード領域、７・・・受光部、８・・・絶
縁膜、９・・基板、１０ａ、１０ｃ・・・アノード及び
カソードコンタクト、１１・・・埋込層、１２・・・透
明導電膜。
Claims (1)
- 光半導体集積回路装置において、そのホト・ダイオード
部の基板表面に絶縁領域と短絡し、かつ前記絶縁領域と
同一導電型の拡散層をアノード領域、カソードコンタク
ト部を取り囲む様に形成したことを特徴とする光半導体
集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1097971A JPH02275680A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 光半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1097971A JPH02275680A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 光半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02275680A true JPH02275680A (ja) | 1990-11-09 |
Family
ID=14206559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1097971A Pending JPH02275680A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 光半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02275680A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03159180A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置 |
| EP0866503A2 (en) * | 1997-02-25 | 1998-09-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical receiver comprising protection means against electromagnetic noise |
| JP2010040889A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Nec Electronics Corp | 半導体装置、及び半導体装置の検査方法 |
-
1989
- 1989-04-17 JP JP1097971A patent/JPH02275680A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03159180A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置 |
| EP0866503A2 (en) * | 1997-02-25 | 1998-09-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical receiver comprising protection means against electromagnetic noise |
| EP0866503A3 (en) * | 1997-02-25 | 1999-05-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical receiver comprising protection means against electromagnetic noise |
| US6208447B1 (en) | 1997-02-25 | 2001-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical receiver |
| JP2010040889A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Nec Electronics Corp | 半導体装置、及び半導体装置の検査方法 |
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