JPH0494579A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
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- JPH0494579A JPH0494579A JP2212206A JP21220690A JPH0494579A JP H0494579 A JPH0494579 A JP H0494579A JP 2212206 A JP2212206 A JP 2212206A JP 21220690 A JP21220690 A JP 21220690A JP H0494579 A JPH0494579 A JP H0494579A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は、半導体受光装置に関し、特に暗を流の小さな
フォトダイオード（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ：以下ＰＤ
と略す）に関するものである。
フォトダイオード（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ：以下ＰＤ
と略す）に関するものである。
第２図は従来のＩｎＧａＡｓブレーナ型ＰＤの代表的な
構造を示す図である。第２図（ａ）は同図（ロ）の平面
図のＡＡ”断面図である０図中、１はｎ゛−ＩｎＰ基板
、２は該基板ｌ上に、例えば気相成長法などの結晶成長
法で形成されたドーパントを含まないアンドープ成長層
で、キャリア濃度ＮＴが室温で１×１０１Ｓ〜１×１０
１ｔｈ／ｃｄ程度のｎ−ＩｎＰバッファ層、３は該ハン
ファ層２上に同様に連続的に形成されたアンドープ成長
層で、キャリア濃度ＮＴがＩ Ｘ １０ ”／ａｄ程度
以下となる様にコントロールされたｎ−−ＩｎＧａＡｓ
光吸収層、４は該光吸収層３上に、同様に連続的に形成
されたアンドープ成長層で、キャリア濃度がＩＸ Ｉ
Ｏ１５〜Ｉ Ｘ １０′６／Ｃ１１！程度のｎ−−Ｉｎ
Ｐ窓層、５は該窓層４側から前記光吸収層３側へ約０゜
５μｍ進入する様、選択的に例えばＺｎなどのアクセプ
タを拡散し、導電型が結晶成長層のｎ型からＰ型へ反転
して得られたＰ″導電型反転領域、８は前記窓層４およ
び前記導電型反転領域５上に形成され、前記導電型反転
領域５上の一部に形成された受光領域９を除く他の部分
に形成された、例えばシリコン窒化膜などの絶縁体から
なる表面保護層、９は前述した通り、該表面保護１ｉ８
に形成され、前記導電型反転領域５の一部の領域上に部
分的に形成された、光を入射し電流を取り出すだめの受
光領域、１０は該受光領域９を介して、前記導電型反転
領域５に接触するｎ電極、１１は前記基板１に接触する
ｎ電極である。
構造を示す図である。第２図（ａ）は同図（ロ）の平面
図のＡＡ”断面図である０図中、１はｎ゛−ＩｎＰ基板
、２は該基板ｌ上に、例えば気相成長法などの結晶成長
法で形成されたドーパントを含まないアンドープ成長層
で、キャリア濃度ＮＴが室温で１×１０１Ｓ〜１×１０
１ｔｈ／ｃｄ程度のｎ−ＩｎＰバッファ層、３は該ハン
ファ層２上に同様に連続的に形成されたアンドープ成長
層で、キャリア濃度ＮＴがＩ Ｘ １０ ”／ａｄ程度
以下となる様にコントロールされたｎ−−ＩｎＧａＡｓ
光吸収層、４は該光吸収層３上に、同様に連続的に形成
されたアンドープ成長層で、キャリア濃度がＩＸ Ｉ
Ｏ１５〜Ｉ Ｘ １０′６／Ｃ１１！程度のｎ−−Ｉｎ
Ｐ窓層、５は該窓層４側から前記光吸収層３側へ約０゜
５μｍ進入する様、選択的に例えばＺｎなどのアクセプ
タを拡散し、導電型が結晶成長層のｎ型からＰ型へ反転
して得られたＰ″導電型反転領域、８は前記窓層４およ
び前記導電型反転領域５上に形成され、前記導電型反転
領域５上の一部に形成された受光領域９を除く他の部分
に形成された、例えばシリコン窒化膜などの絶縁体から
なる表面保護層、９は前述した通り、該表面保護１ｉ８
に形成され、前記導電型反転領域５の一部の領域上に部
分的に形成された、光を入射し電流を取り出すだめの受
光領域、１０は該受光領域９を介して、前記導電型反転
領域５に接触するｎ電極、１１は前記基板１に接触する
ｎ電極である。
次に動作について説明する。一般的にＩｎＰ基板ｌ上に
結晶成長され、格子定数がＩｎＰに合ったＩ ｎＧａＡ
ｓ層のバンドギャップ波長λｇはλｇ”、１．６１ａｍ
であり、一方ｒｎＰではλｇ”＝０．９３μｍであるの
で、第２図に示したプレーナ型のＰＤの波長感度はλ＝
ｉ、ｏ〜１．６μｍ帯にある。そこで、入射光の波長が
１． ３μｍの場合の動作を説明する。
結晶成長され、格子定数がＩｎＰに合ったＩ ｎＧａＡ
ｓ層のバンドギャップ波長λｇはλｇ”、１．６１ａｍ
であり、一方ｒｎＰではλｇ”＝０．９３μｍであるの
で、第２図に示したプレーナ型のＰＤの波長感度はλ＝
ｉ、ｏ〜１．６μｍ帯にある。そこで、入射光の波長が
１． ３μｍの場合の動作を説明する。
ＰＤは一般的に無バイアスまたは逆バイアス状態で使用
されるので、前記ｎ電極１０は前記ｎ電極１１に対して
、印加電圧ゼロ又は負電圧（−５〜−１０■）が印加さ
れる。従って前記導電型反転領域５は、前記窓層４、前
記光吸収層３に対して、同電位もしくは逆バイアス状態
となるため、前記導電型反転領域５の周囲のＰＮ接合近
傍には、空乏層が形成される。この空乏層の大きさは、
ＰＮ接合の場合、一般的に、キャリア濃度の低い側へ大
きく広がり、前記光吸収層３のキャリア濃度Ｎアが１×
１０１Ｓ／ｄ以下に低（しであるため、無バイアス状態
でも２〜３μｍ程度の大きさとなり、前記受光領域９を
介して、前記導電型反転領域５へ入射した光は、主に、
前記光吸収層３へ吸収され、特に前記光吸収層３中の空
乏層へ吸収された光は、電子−正孔対を生じた場合、空
乏層内の空間電荷による電界によってドリフト電流とな
り、前記Ｐｔ極１０．前記ｎｔ極１１を介して外部回路
へ光電流として観測されるため、ＮＴを低（して、空乏
層を広くすることで光電変換効率が高いＰＤを得ること
ができる。
されるので、前記ｎ電極１０は前記ｎ電極１１に対して
、印加電圧ゼロ又は負電圧（−５〜−１０■）が印加さ
れる。従って前記導電型反転領域５は、前記窓層４、前
記光吸収層３に対して、同電位もしくは逆バイアス状態
となるため、前記導電型反転領域５の周囲のＰＮ接合近
傍には、空乏層が形成される。この空乏層の大きさは、
ＰＮ接合の場合、一般的に、キャリア濃度の低い側へ大
きく広がり、前記光吸収層３のキャリア濃度Ｎアが１×
１０１Ｓ／ｄ以下に低（しであるため、無バイアス状態
でも２〜３μｍ程度の大きさとなり、前記受光領域９を
介して、前記導電型反転領域５へ入射した光は、主に、
前記光吸収層３へ吸収され、特に前記光吸収層３中の空
乏層へ吸収された光は、電子−正孔対を生じた場合、空
乏層内の空間電荷による電界によってドリフト電流とな
り、前記Ｐｔ極１０．前記ｎｔ極１１を介して外部回路
へ光電流として観測されるため、ＮＴを低（して、空乏
層を広くすることで光電変換効率が高いＰＤを得ること
ができる。
次に周波数特性に関して述べる。一般的にＰＤの遮断周
波数ｆｃは、 ｆ ｃ＝に／２ｇ −１／ＲＣ の公式で与えられることが知られている。ここでＲはＰ
Ｎ接合両端間の内外部の総合的な抵抗、ＣはＰＮ接合、
を極、パッケージ等に存在する容量、Ｋはプロセス定数
で、前記光吸収層５内でのキャリアの拡散定数等で決定
される定数である。上述の公式から明らかな様に、ｆｃ
を向上させる、即ち大きくするには抵抗Ｒを小さく容量
Ｃを小さくすることが必要であり、具体的にはＲを小さ
（するために、前記導電型反転領域５のキャリア濃度を
大きくし抵抗率Ｐを小さくするか、または厚みを大きく
してバルクの抵抗を下げるか、または前記Ｐｔ極ｌＯと
前記導電型反転領域５との間の接触抵抗を下げる等の対
策がなされ、Ｃを小さくするために、前記導電型反転領
域５の大きさを小さくし、ＰＮ接合面積を小さくして、
ＰＮ接合の空乏層容量を小さくする等の対策がなされて
いる。
波数ｆｃは、 ｆ ｃ＝に／２ｇ −１／ＲＣ の公式で与えられることが知られている。ここでＲはＰ
Ｎ接合両端間の内外部の総合的な抵抗、ＣはＰＮ接合、
を極、パッケージ等に存在する容量、Ｋはプロセス定数
で、前記光吸収層５内でのキャリアの拡散定数等で決定
される定数である。上述の公式から明らかな様に、ｆｃ
を向上させる、即ち大きくするには抵抗Ｒを小さく容量
Ｃを小さくすることが必要であり、具体的にはＲを小さ
（するために、前記導電型反転領域５のキャリア濃度を
大きくし抵抗率Ｐを小さくするか、または厚みを大きく
してバルクの抵抗を下げるか、または前記Ｐｔ極ｌＯと
前記導電型反転領域５との間の接触抵抗を下げる等の対
策がなされ、Ｃを小さくするために、前記導電型反転領
域５の大きさを小さくし、ＰＮ接合面積を小さくして、
ＰＮ接合の空乏層容量を小さくする等の対策がなされて
いる。
しかしながら、従来のプレーナ型ＰＤは、以上のように
構成されており、周波数特性を向上させるには、Ｒに関
して見ると、前述のようにキャリア濃度を大きくする、
厚みを大きくする、接触抵抗を小さくする等の対策が行
われるが、現状は以下の様な問題点があって、特性的に
行きづまっている。
構成されており、周波数特性を向上させるには、Ｒに関
して見ると、前述のようにキャリア濃度を大きくする、
厚みを大きくする、接触抵抗を小さくする等の対策が行
われるが、現状は以下の様な問題点があって、特性的に
行きづまっている。
すなわち、キャリア濃度に関しては５Ｘ１０”〜Ｉ Ｘ
１０”／Ｃ１１１程度が限界であり、これ以上のキャ
リア濃度を得ようとして、拡散温度等を増加させると、
ＩｎＰ表面の分解や、ＰＮ接合界面の急峻性が失われ、
特性が悪くなる。厚みに関しては、各種対策の中でも最
も可能性があると考えられるが、あまり大きくすると、
前記受光領域９から入射した光が前記光吸収層３に達す
るまでに前記窓層４にわずかながら吸収されて感度が低
下したり、Ｚｎ拡散を深くしなければならず、プロセス
上の制御性が悪くなる等の問題がある。接触抵抗を小さ
くすることに関しては、現状では電極側からのアプロー
チと半導体側にバンドギャップの小さなものを使用する
等のアプローチがなされているが、電極側が前記表面保
護層と密着性の良いものでなければならないという制約
があり、接触抵抗は３〜４Ｘ１０−’Ωｃｍ程度が現状
である。
１０”／Ｃ１１１程度が限界であり、これ以上のキャ
リア濃度を得ようとして、拡散温度等を増加させると、
ＩｎＰ表面の分解や、ＰＮ接合界面の急峻性が失われ、
特性が悪くなる。厚みに関しては、各種対策の中でも最
も可能性があると考えられるが、あまり大きくすると、
前記受光領域９から入射した光が前記光吸収層３に達す
るまでに前記窓層４にわずかながら吸収されて感度が低
下したり、Ｚｎ拡散を深くしなければならず、プロセス
上の制御性が悪くなる等の問題がある。接触抵抗を小さ
くすることに関しては、現状では電極側からのアプロー
チと半導体側にバンドギャップの小さなものを使用する
等のアプローチがなされているが、電極側が前記表面保
護層と密着性の良いものでなければならないという制約
があり、接触抵抗は３〜４Ｘ１０−’Ωｃｍ程度が現状
である。
本発明は、上述の様な問題点を解消するためになされた
もので、前記導電型反転領域５のキャリア濃度や厚み、
前記Ｐ電極１０との接触抵抗を現状のままで、結果的に
抵抗成分Ｒを小さくして、ｆｃを向上させることのでき
る半導体受光装置を得ることを目的としている。
もので、前記導電型反転領域５のキャリア濃度や厚み、
前記Ｐ電極１０との接触抵抗を現状のままで、結果的に
抵抗成分Ｒを小さくして、ｆｃを向上させることのでき
る半導体受光装置を得ることを目的としている。
〔課題を解決するための手段］
本発明に係る半導体受光装置は、前記Ｐｔ極１０の構造
を改善し、前記受光領域９上にも、入射光による遮光率
をあまり下げることのないような細いメソシュ状の電極
を形成したものである。
を改善し、前記受光領域９上にも、入射光による遮光率
をあまり下げることのないような細いメソシュ状の電極
を形成したものである。
Ｃ作用］
本発明においては、前記導電型反転領域５上の特に前記
受光領域９上に新たに形成された細いメツシュ状の電極
によって、前記導電型反転領域５中のキャリアの移動距
離は大幅に減少され、ちなみに、受光径３００μｍφの
ＰＤの場合にはメソシュの間隔を仮に１０μｍとすると
、３００／２÷１０＝１５となり、受光部中心で発生し
たキャリアの半導体内での移動距離は１５分の１となる
ため、前記導電型反転領域５の抵抗は、実効的に大幅に
小さくなり、ｆｃは向上する。
受光領域９上に新たに形成された細いメツシュ状の電極
によって、前記導電型反転領域５中のキャリアの移動距
離は大幅に減少され、ちなみに、受光径３００μｍφの
ＰＤの場合にはメソシュの間隔を仮に１０μｍとすると
、３００／２÷１０＝１５となり、受光部中心で発生し
たキャリアの半導体内での移動距離は１５分の１となる
ため、前記導電型反転領域５の抵抗は、実効的に大幅に
小さくなり、ｆｃは向上する。
以下、本発明の一実施例を第１図を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体受光装置を示し
、第１図（ａ）は同図（ｂ）の平面図のＡＡ’断面図で
ある。図において、■は第１の導電型を有する（ｎ”
）ＩｎＰ基板、２はｎ−−ＩｎＰバッファ層、３はＩｎ
Ｐ基板１上にバッファ層２を介して積層されたｎ−−Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層、４はこの光吸収層３上に積層され
たｌｎＰ窓層、５はＩｎＰ窓層４の表面側から少なくと
も光吸収層３に達するか、もしくはＴｎＰ窓層４中に拡
散フロントを有する深さで、ＩｎＰ窓層４の主面の少な
くとも一部分の領域に形成された第２導電型（ｐ”）導
電型反転領域、８は誘電体からなる表面保護膜で、Ｉｎ
Ｐ窓層４と反転領域５上でこの反転領域５の一部に形成
された受光領域９を除く領域に形成されている。
、第１図（ａ）は同図（ｂ）の平面図のＡＡ’断面図で
ある。図において、■は第１の導電型を有する（ｎ”
）ＩｎＰ基板、２はｎ−−ＩｎＰバッファ層、３はＩｎ
Ｐ基板１上にバッファ層２を介して積層されたｎ−−Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層、４はこの光吸収層３上に積層され
たｌｎＰ窓層、５はＩｎＰ窓層４の表面側から少なくと
も光吸収層３に達するか、もしくはＴｎＰ窓層４中に拡
散フロントを有する深さで、ＩｎＰ窓層４の主面の少な
くとも一部分の領域に形成された第２導電型（ｐ”）導
電型反転領域、８は誘電体からなる表面保護膜で、Ｉｎ
Ｐ窓層４と反転領域５上でこの反転領域５の一部に形成
された受光領域９を除く領域に形成されている。
また、１２は前記受光領域９上に形成したメツシュ状の
Ｐｔ電極２ａと表面保護膜８上に形成されたワイヤボン
ディング用のボンディング電極１２ｂとからなるＰ電極
、１１はＩｎＰ基板の裏面に形成されたｎ１ｉｉ極であ
る。
Ｐｔ電極２ａと表面保護膜８上に形成されたワイヤボン
ディング用のボンディング電極１２ｂとからなるＰ電極
、１１はＩｎＰ基板の裏面に形成されたｎ１ｉｉ極であ
る。
この様なＰＤにおいても従来のものと同様、前記Ｐ電極
１２に前記ｎ電極ＩＩに対して印加電圧ゼロもしくは負
電圧を印加し、１．３μｍ程度の波長の光を前記受光領
域９に入射させることにより、前記光吸収層３に吸収さ
れた光はキャリアを生じ、特にＰ゛導電型反転領域５と
前記光吸収層３との界面近辺に発生する空乏層内で生じ
たキャリアは空乏層内の電界によるドリフト電流となり
、外部回路に観測される。
１２に前記ｎ電極ＩＩに対して印加電圧ゼロもしくは負
電圧を印加し、１．３μｍ程度の波長の光を前記受光領
域９に入射させることにより、前記光吸収層３に吸収さ
れた光はキャリアを生じ、特にＰ゛導電型反転領域５と
前記光吸収層３との界面近辺に発生する空乏層内で生じ
たキャリアは空乏層内の電界によるドリフト電流となり
、外部回路に観測される。
そして上記メツシュ状Ｐｔ極の幅を例えば１μｍ、メツ
シュ間隔をＬＯｇｍにすると、入射光による遮光率は１
０％程度であるが、抵抗成分は１０分の１程度にできる
ため、ｆｃを数倍に向上できる効果を期待できる。
シュ間隔をＬＯｇｍにすると、入射光による遮光率は１
０％程度であるが、抵抗成分は１０分の１程度にできる
ため、ｆｃを数倍に向上できる効果を期待できる。
このように、本実施例によれば、前記受光領域９上に形
成されたメツシュ状Ｐｔ極１２によって実効的に前記導
電型反転領域５の抵抗値が大幅に下がることによって、
ｆ ｃ＝に／２ｘ、−１／ＲＣで決定される周波数特性
ｆｃを大きくできる。
成されたメツシュ状Ｐｔ極１２によって実効的に前記導
電型反転領域５の抵抗値が大幅に下がることによって、
ｆ ｃ＝に／２ｘ、−１／ＲＣで決定される周波数特性
ｆｃを大きくできる。
また、前記ＰＮＦｊｘ１２．ｎｔ極１１ 間ニハイ７ス
を印加しない場合、即ち太陽電池モードでＰＤを使用す
る場合、抵抗値が小さくなることによって、入射光量に
対する光電流の直線性、即ちリニアリティ特性も向上で
きる。
を印加しない場合、即ち太陽電池モードでＰＤを使用す
る場合、抵抗値が小さくなることによって、入射光量に
対する光電流の直線性、即ちリニアリティ特性も向上で
きる。
なお、上記実施例ではキャリア濃度や結晶欠陥を改良し
結晶性の向上を図るために、ＩｎＰ基板上にＩｎＰｎシ
バ２フフ 明したが、原理的にはＩｎＰ基板上に直接光吸収動作用
のＩｎＧａＡｓ光吸収層を形成するようにしてもよく、
上記実施例と同様の効果を奏する。
結晶性の向上を図るために、ＩｎＰ基板上にＩｎＰｎシ
バ２フフ 明したが、原理的にはＩｎＰ基板上に直接光吸収動作用
のＩｎＧａＡｓ光吸収層を形成するようにしてもよく、
上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、本発明に係る半導体受光装置によれば、
受光部に細いメツシュ状の電極を形成し、表面層の抵抗
を下げるようにしたので、遮断周波数を大きくでき、入
射光線と光電流とのリニアリティーを向上できる効果が
ある。
受光部に細いメツシュ状の電極を形成し、表面層の抵抗
を下げるようにしたので、遮断周波数を大きくでき、入
射光線と光電流とのリニアリティーを向上できる効果が
ある。
第１図は本発明の一実施例による半導体受光装置を示す
図で、第１図（ａ）は断面図、第１図（ｂ）は平面図、
第２図は従来の半導体受光装置を示す図で、第２図（ａ
）は断面図、第２図（ｂ）は平面図である。 図中１−よｎ”−ＩｎＰ基板、２ ’＝： ｎ −
１ ｎ Ｐハンファ層、３はｎ− −ＩｎＧａＡｓ光
吸収層、４はｎ−−ＩｎＰ窓層、５はＰ°導電型反転領
域、８は表面保護層、９は受光領域、１ｏはＰ電罹、１
１はｎ電極、１２はｐ電極、１２ａはメツシュ状ｐ電極
、１２ｂはボンディング電翫を示す。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
図で、第１図（ａ）は断面図、第１図（ｂ）は平面図、
第２図は従来の半導体受光装置を示す図で、第２図（ａ
）は断面図、第２図（ｂ）は平面図である。 図中１−よｎ”−ＩｎＰ基板、２ ’＝： ｎ −
１ ｎ Ｐハンファ層、３はｎ− −ＩｎＧａＡｓ光
吸収層、４はｎ−−ＩｎＰ窓層、５はＰ°導電型反転領
域、８は表面保護層、９は受光領域、１ｏはＰ電罹、１
１はｎ電極、１２はｐ電極、１２ａはメツシュ状ｐ電極
、１２ｂはボンディング電翫を示す。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）第１の導電型を有するＩｎＰ基板と、該ＩｎＰ基
板上に直接もしくは第１の導電型を有するＩｎＰバッフ
ァ層を介して積層された第１の導電型を有する光吸収動
作用のＩｎＧａＡｓ光吸収層と、 該ＩｎＧａＡｓ光吸収層上に積層された第１の導電型を
有するＩｎＰ窓層と、 該ＩｎＰ窓層の表面側から、少なくとも前記ＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層に達するか、もしくは前記ＩｎＰ窓層中に拡
散フロントを有する深さに、前記ＩｎＰ窓層の主面の少
なくとも一部分の領域に形成された第２の導電型を有す
る導電型反転領域と、前記ＩｎＰ窓層と前記導電型反転
領域上で、前記導電型反転領域の一部に形成された受光
領域を除く領域に形成された誘電体膜からなる表面保護
膜と、 前記受光領域上に形成されたメッシュ状の構造を有する
受光部電極と、 前記表面保護膜上に形成されたワイヤボンド用のボンデ
ィング電極とからなる第１の電極と、前記ＩｎＰ基板の
裏面に形成されたオーミック性接触となる第２の電極と
を備えたことを特徴とする半導体受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2212206A JPH0494579A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2212206A JPH0494579A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494579A true JPH0494579A (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=16618683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2212206A Pending JPH0494579A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0494579A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003318435A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | Ｐｎ接合フォトダイオード |
| WO2006033516A1 (en) * | 2004-09-24 | 2006-03-30 | Ls Cable Ltd. | Photodiode having electrode structure for large optical signal receiving area |
| JP2009277862A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Sony Corp | 受光素子、光ピックアップ装置、光ディスク装置および受光装置 |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP2212206A patent/JPH0494579A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003318435A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | Ｐｎ接合フォトダイオード |
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