JP2003318435A

JP2003318435A - Ｐｎ接合フォトダイオード

Info

Publication number: JP2003318435A
Application number: JP2002120460A
Authority: JP
Inventors: Teiichi Sato; 禎一佐藤; Kazutaka Masuzawa; 和孝増澤; Takayoshi Yajima; 孝義矢嶋
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2002-04-23
Filing date: 2002-04-23
Publication date: 2003-11-07

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】ＰＮ接合フォトダイオードの時定数を小さく
することにより、過渡現象を速く収束させるようにして
高速応答性の改善を図る。【解決手段】ＰＮ接合フォトダイオード１０は、半導
体基板に形成された第一導電型不純物拡散領域及び第二
導電型不純物拡散領域を備え、前記第二導電型不純物拡
散領域の表面を受光面３６として用いると共に、前記第
一導電型不純物拡散領域と第二導電型不純物拡散領域の
各々に電極３２、３３を接続し、且つ、前記第二導電型
不純物拡散領域の平面形状を、四角形を越える多角形ま
たは円形もしくは楕円形にしたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＮ接合フォトダ
イオードに関し、特に、高速光通信の受光素子に用いら
れるＰＮ接合フォトダイオードに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、国内の全家庭に光ファイバーを引
き、電話、インターネット、テレビなどのサービスを統
合して提供する計画（ＦＴＴＨ：Fiber To The Home）
が西暦２００５年の完成を目処に郵政省やＮＴＴ（Ｒ）
によって推進されている。

【０００３】ＦＴＴＨの魅力は、従来の銅線などを使っ
た通信インフラに比べ、桁違いに大きなデータ伝送能力
にある。実験レベルでは、毎秒約３．３テラビット（テ
ラはギガの１０００倍）、商用の光ファイバーでは毎秒
１６テラビットを実現している。

【０００４】光ファイバーを用いた通信ネットワーク
を、従来の銅線を用いたそれと比較した場合、光ケーブ
ルと各種機器との接続点や、ケーブル同士の接続点に光
電変換デバイスを必要とする点で相違する。光電変換デ
バイスは、光から電気信号への光／電気変換デバイス
と、その逆の電気から光への電気／光変換デバイスの二
つがある。本発明に係るＰＮ接合フォトダイオードは、
光／電気変換デバイスの一つである。とりわけ、ＰＮ接
合フォトダイオードは、ＰＩＮ接合フォトダイオードや
ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）などの他の光
／電気変換デバイスに比べて、製造価格が安く、したが
って、ＦＴＴＨなどの光ネットワークを低コストで構築
できるという優れた利点を持っている。

【０００５】図１８（ａ）、（ｂ）は、従来のＰＮ接合
フォトダイオードの平面図及びそのＡ−Ａ′断面図であ
る。これらの図において、ＰＮ接合フォトダイオード１
は、半導体基板２の上に、Ｎ型不純物層３とＰ型不純物
層４とを順次に積層し、Ｐ型不純物層４の表面を受光面
５として使用すると共に、その受光面５の周囲に金属配
線６、７を形成して構成されている。なお、図中の波線
で示す円形５ａは、不図示の電気／光変換デバイスから
照射される光を表している。ＰＮ接合フォトダイオード
１は、この光５ａのエネルギーを電気信号に変換して出
力する。

【０００６】図１９（ａ）、（ｂ）は、ＰＮ接合フォト
ダイオード１の各部におけるＣＲ（コンデンサ、抵抗）
成分の模式図及びその等価回路図である。図において、
Ｒａは主として金属配線６とＰ型不純物層４との間のコ
ンタクト抵抗分、Ｒｄは主として金属配線７とＮ型不純
物層３との間のコンタクト抵抗分、Ｒｂ１〜Ｒｂｎは主
としてＰ型不純物層４のシート抵抗、Ｒｃ１〜Ｒｃｎは
主としてＮ型不純物層３のシート抵抗分、Ｃ１〜Ｃｎは
主としてＰ型不純物層４とＮ型不純物層３との間の分布
容量（コンデンサ成分）である。

【０００７】これらのＣＲ成分を等価回路で表した場
合、図示のとおりの「ＲＣ直列回路」の形になる。ここ
に、Ｒｓ（ａ）はＲａの合成並列抵抗値、Ｒｓ（ｄ）は
Ｒｄの合成並列抵抗値、Ｒｓ（ｂ）はＲｂ１〜Ｒｂｎの
合成直列抵抗値、Ｒｓ（ｃ）はＲｃ１〜Ｒｃｎの合成直
列抵抗値、ＣｓはＣ１〜Ｃｎの合成並列容量値である。

【０００８】一般に、電気回路に電流が流れ始めてか
ら、安定した状態（定常状態）に至るまでのことを過渡
状態といい、過渡状態の間に起こる変化現象（電位、電
流、電荷などの変化現象）のことを過渡現象という。過
渡状態は通電開始時だけでなく、定常状態から別の定常
状態へ移行するときにも現れる。

【０００９】ＲＣ直列回路の過渡現象には、コンデンサ
への充電とコンデンサからの放電の場合がある。どちら
もコンデンサ内部の電荷ｑを時間ｔで表すと、ｑ＝ＣＶ（１−ε^-t/(RC)）・・・・（１）で表される。ｑ＝Ｃ・ｖ_Cから、ｖ_C＝Ｖ（１−ε^-t/(RC)）・・・・（２）となる。式（１）、（２）でｔ＝ＲＣは特別な瞬間であ
り、ｖ_CがＶの約６３．２％に達する時間を示してい
る。この「ＲＣ」をＲＣ直列回路の時定数（ＴＣ：Time
Constant）と呼び、過渡現象の大きさの目安に用い
る。時定数の値が小さいほど過渡現象が速く収束する。

【００１０】「時定数」とは、平成３年１１月２０日発
行の「ＪＩＳ工業用語大辞典（第３版）」に、「応答の
速さを特徴づける定数で、時間の次元をもつもの。応答
が次の式で表されるときには、係数Ｔをいう。Ｔ（ｄｙ
／ｄｔ）＋ｙ＝ｘ、ここに、ｙ：出力信号、ｘ：入力信
号」と定義されているように、時定数が小さいと応答が
高速になり、大きいと応答が緩慢になるものである。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＰＮ接合フ
ォトダイオードは、ＰＩＮ接合フォトダイオードやＡＰ
Ｄなどに比べて、価格が安いという利点がある反面、高
速応答性に欠けるという欠点がある。このため、せっか
くの利点を活かしきれず、ＦＴＴＨなどのコスト削減に
寄与できないという問題点があった。

【００１２】そこで、本発明の目的は、ＰＮ接合フォト
ダイオードの時定数（前記のＲｓ（ａ）、Ｒｓ（ｂ）、
Ｃｓ、Ｒｓ（ｃ）、Ｒｓ（ｄ）のすべてまたはその一
部）を小さくすることにより、過渡現象を速く収束させ
るようにして、高速応答性の改善を図り、前記の欠点を
克服し、もって、ＦＴＴＨなどのコスト削減に寄与でき
る有益なＰＮ接合フォトダイオードを提供することにあ
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明に係るＰＮ接合フ
ォトダイオードは、上記目的を達成するために、以下の
特徴的な構成を有する。

【００１４】すなわち、半導体基板に形成された第一導
電型不純物拡散領域及び第二導電型不純物拡散領域を備
え、前記第二導電型不純物拡散領域の表面を受光面とし
て用いると共に、前記第一導電型不純物拡散領域と第二
導電型不純物拡散領域の各々に電極を接続して構成され
たＰＮ接合フォトダイオードにおいて、前記第二導電型
不純物拡散領域の平面形状を、四角形を越える多角形ま
たは円形もしくは楕円形にしたことを特徴とする。

【００１５】または、前記第二導電型不純物拡散領域に
接続される電極を金属配線で形成し、且つ、その金属配
線の敷設レイアウトを枝分かれ状またはループ状もしく
はその双方を含むようにしたことを特徴とする。

【００１６】ここで、第一導電型は、Ｐ型またはＮ型の
一方のことをいい、第二導電型は、Ｐ型またはＮ型の他
方のことをいう。

【００１７】本発明では、第二導電型不純物拡散領域の
平面形状を「四角形を越える多角形または円形もしくは
楕円形」としたことにより、第二導電型不純物拡散領域
の平面形状のほとんどの領域を受光面として用いること
ができる。このことは、言い換えれば、受光面として寄
与しない部分を小さくできることを意味する。たとえ
ば、図１８（ａ）の従来のＰＮ接合フォトダイオード１
を例にすれば、このＰＮ接合フォトダイオード１の受光
面５は、ほぼ四角形を有しており、しかも、この受光面
５に照射される光５ａの断面形状はほぼ円形を有してい
るため、その受光面５の四つのコーナ部分は「受光に寄
与しない無駄な部分」となるが、本発明の構成では、か
かる無駄な部分が小さくなる。

【００１８】ここで、受光に寄与しない無駄な部分が小
さくなるということは、結果的に第二導電型不純物拡散
領域の面積の削減をもたらし、結局、第二導電型不純物
拡散領域の内部抵抗や、第一導電型不純物拡散領域との
間の分布容量（コンデンサ成分）が小さくなる。したが
って、前記の「Ｒｓ（ｂ）やＣｓ」を低減し、時定数を
下げて過渡現象を速く収束させることができ、高速応答
性の改善を図り、ＦＴＴＨなどのコスト削減に寄与でき
る有益なＰＮ接合フォトダイオードを提供することがで
きる。

【００１９】また、前記第二導電型不純物拡散領域に接
続される電極を金属配線で形成し、且つ、その金属配線
の敷設レイアウトを枝分かれ状またはループ状もしくは
その双方を含むようにすれば、第二導電型不純物拡散領
域と電極との間のコンタクト抵抗を下げることができ、
前記の「Ｒｓ（ａ）」を低減し、同様に時定数を下げて
過渡現象を速く収束させることができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。

【００２１】図１は、本実施の形態におけるＰＮ接合フ
ォトダイオード１０の平面図、図２は、そのＡ−Ａ′断
面図である。これらの図において、低濃度のＰ型半導体
基板（以下、単に「半導体基板」という。）１１には、
低濃度のＮ型ウェル（以下、単に「ウェル」という。）
１２が所定の深さで形成されており、そのウェル１２の
周囲には高濃度のＰ型不純物を拡散したＰ型不純物拡散
領域１３が、また、そのウェル１２の表面には高濃度の
Ｎ型不純物を拡散したＮ型不純物拡散領域１４が形成さ
れている。ここに、Ｐ型不純物拡散領域１３は、発明の
要旨に記載の「第一導電型不純物拡散領域」に相当し、
Ｎ型不純物拡散領域１４は、発明の要旨に記載の「第二
導電型不純物拡散領域」に相当する。

【００２２】上記のウェル１２、Ｐ型不純物拡散領域１
３及びＮ型不純物拡散領域１４を含む半導体基板１１の
上には、第一層間絶縁膜１５、第二層間絶縁膜１６及び
パッシベーション膜１７が順次に積層される。

【００２３】Ａ−Ａ′断面図で見た場合、第一層間絶縁
膜１５には、Ｐ型不純物拡散領域１３及びＮ型不純物拡
散領域１４に接続された全部で８個の電極要素１８〜２
５が設けられており、各々の電極要素１８〜２５は、第
一金属配線１８ａ、１９ａ、２０ａ、２１ａ、２２ａ、
２３ａ、２４ａ、２５ａとコンタクト１８ｂ、１９ｂ、
２０ｂ、２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ、２４ｂ、２５ｂによ
って構成されている。同様に、第二層間絶縁膜１６に
は、全部で６個の電極要素２６〜３１が設けられてお
り、各々の電極要素２６〜３１は、第二金属配線２６
ａ、２７ａ、２８ａ、２９ａ、３０ａ、３１ａとバイア
電極２６ｂ、２７ｂ、２８ｂ、２９ｂ、３０ｂ、３１ｂ
によって構成されている。

【００２４】図１の平面図において、ハッチングで示す
部分は第一配線パターン３２であり、黒く塗りつぶした
部分は第二配線パターン３３である。第一配線パターン
３２及び第二配線パターン３３からはそれぞれ電極３２
ａ、３３ａが引き出されており、この二つの電極３２
ａ、３３ａの間から光エネルギーに対応した電気信号が
取り出されるようになっている。

【００２５】図２の断面図は、図１の平面図におけるＡ
−Ａ′断面であるから、図１のＡ−Ａ′線と第一配線パ
ターン３２及び第二配線パターン３３との各交点は、そ
れぞれ、前記の第一金属配線１８ａ、１９ａ、２０ａ、
２１ａ、２２ａ、２３ａ、２４ａ、２５ａのうちの左右
の二つ（１８ａと２５ａ）と、第二金属配線２６ａ、２
７ａ、２８ａ、２９ａ、３０ａ、３１ａのすべての位置
に対応する。つまり、第一金属配線の二つ（１８ａ、２
５ａ）は第一配線パターン３２の一部であり、また、第
一金属配線の残り（１９ａ、２０ａ、２１ａ、２２ａ、
２３ａ、２４ａ）と第二金属配線２６ａ、２７ａ、２８
ａ、２９ａ、３０ａ、３１ａは第二配線パターン３３の
一部である。

【００２６】本実施の形態におけるＰＮ接合フォトダイ
オード１０の特徴とする事項は、図１の平面図からも明
らかなように、その平面外形線３４の形をｍ角形（ｍは
４を越える正数；図示の例ではｍ＝８、すなわち、八角
形）とした点にある。以下、特に限定しないが、ｍ＝８
で説明する。平面外形線３４は、たとえば、半導体基板
１１の平面外形線である。

【００２７】第一配線パターン３２及び第二配線パター
ン３３の敷設レイアウトは、この平面外形線３４に沿っ
てまたはその平面外形線３４の形状を充分に考慮して行
われる。図示の例では、平面外形線３４に沿って、第一
配線パターン３２と第二配線パターン３３をレイアウト
すると共に、ＰＮ接合フォトダイオード１０の受光面３
６の上にも第二配線パターン３３をレイアウトしてい
る。

【００２８】図３は、第一配線パターン３２と第二配線
パターン３３の敷設レイアウトを示す図である。図中の
一点鎖線は第一配線パターン３２を表しており、この第
一配線パターン３２は平面外形線３４に沿ってほぼ並行
する一つの八角形配線パターンのみでレイアウトされて
いるが、図中の実線で示す第二配線パターン３３は、同
心状の大小二つの八角形配線パターン３３ｂ、３３ｃ
と、各々の八角形配線パターン３３ｂ、３３ｃをつなぐ
横方向直線パターン３３ｄ、３３ｅと、小八角形配線パ
ターン３３ｃの内側に配置され、且つ、各々の一端を小
八角形配線パターン３３ｃに接続した二つの縦方向直線
パターン３３ｆ、３３ｇとによってレイアウトされてい
る。二つの縦方向直線パターン３３ｆ、３３ｇは、小八
角形配線パターン３３ｃから「枝分かれ」した部分に相
当する。また、小八角形配線パターン３３ｃは、横方向
配線パターン３３ｄ、３３ｅを介して八角形配線パター
ン３３ｂに接続されているので、「ループ状」の部分ま
たは「ループしている」部分に相当する。なお、本明細
書中において、「縦・横」とは図面に正対したときの方
向のことをいう。

【００２９】今、不図示の電気／光変換デバイスから発
射された光を円形断面光とし、その照射光３５（図１参
照）の断面積と、ＰＮ接合フォトダイオード１０の受光
面３６（図１参照）の面積をほぼ同等であるとすると、
照射光３５は、受光面３６のほぼ全域で受光される。Ｐ
Ｎ接合フォトダイオード１０は、この照射光３５の光エ
ネルギーをＰ型不純物拡散領域１３とＮ型不純物拡散領
域１４とによって形成されるＰＮ接合により、電気エネ
ルギーに変換して電極３２ａ、３３ａから出力する。

【００３０】ところで、受光面３６に位置する第二配線
パターン３３は金属等の不透光材料で作られているた
め、光電変換に寄与する有効受光面積が減少し、それだ
け光／電気の変換効率を損なうおそれがある。本実施の
形態では、できるだけ第二配線パターン３３の線幅を微
細化し、光電変換に寄与する有効受光面積の減少を抑制
する。一方、線幅の微細化は、第二配線パターン３３の
抵抗値（前記のＲｓ（ａ）またはＲｓ（ｄ））を増大さ
せることになり、時定数が大きくなって高速応答性を悪
化させるという不都合をもたらすが、本実施の形態で
は、第二配線パターン３３を図示のようにレイアウトす
ることにより、上記の不都合（時定数の増大）を解消す
る。すなわち、第二配線パターン３３を、同心状の大小
二つの八角形配線パターン３３ｂ、３３ｃと、各々の八
角形配線パターン３３ｂ、３３ｃをつなぐ横方向直線パ
ターン３３ｄ、３３ｅと、小八角形配線パターン３３ｃ
の内側に配置され、且つ、各々の一端を小八角形配線パ
ターン３３ｃに接続した二つの縦方向直線パターン３３
ｆ、３３ｇとによってレイアウトすることにより、第二
配線パターン３３の全体的な抵抗値を下げ、線幅の微細
化に伴う抵抗値増大の問題を回避する。

【００３１】また、本実施の形態の構成によれば、ＰＮ
接合の容量（コンデンサ）成分も少なくすることがで
き、この点においても、時定数を小さくして高速応答性
を改善することができる。このことを詳しく説明する
と、第二配線パターン３３の下側にはＮ型不純物拡散領
域１４が位置しており、このＮ型不純物拡散領域１４
は、第二金属配線２６ａ、２７ａ、２８ａ、２９ａ、３
０ａ、３１ａ、バイア電極２６ｂ、２７ｂ、２８ｂ、２
９ｂ、３０ｂ、３１ｂ、第一金属配線１９ａ、２０ａ、
２１ａ、２２ａ、２３ａ、２４ａ、及び、コンタクト１
９ｂ、２０ｂ、２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ、２４ｂを介し
て、第二配線パターン３３に接続されている。

【００３２】このため、Ｎ型不純物拡散領域１４の平面
形状は、ほぼ第二配線パターン３３のレイアウトに沿っ
たものとなっており、要するに、第二配線パターン３３
の各パターン、すなわち、同心状の大小二つの八角形配
線パターン３３ｂ、３３ｃと、各々の八角形配線パター
ン３３ｂ、３３ｃをつなぐ横方向直線パターン３３ｄ、
３３ｅと、小八角形配線パターン３３ｃの内側に配置さ
れ、且つ、各々の一端を小八角形配線パターン３３ｃに
接続した二つの縦方向直線パターン３３ｆ、３３ｇとを
含むような形状となっている。つまり、Ｎ型不純物拡散
領域１４の平面形状は、ＰＮ接合フォトダイオード１０
の平面外形線３４とほぼ相似形（図示の例では正八角
形）を有しており、受光に寄与しない無駄な部分がほと
んどないから、ＰＮ接合の内部抵抗（前記のＲｓ（ｂ）
またはＲｓ（ｃ））と、容量（前記のＣｓ）とを共に低
減することができ、時定数を小さくして高速応答性を改
善することができる。

【００３３】次に、実施の形態のＰＮ接合フォトダイオ
ード１０の製造工程を説明する。なお、以下では、説明
の簡素化のために、一般的な酸化、ホトレジスト塗布、
露光、現像及びエッチング等の工程を省略する。まず、
Ｓｉ（シリコン）を主材料とする半導体基板１１（図４
（ａ））に所定の深さの低濃度Ｎ型ウェル（ウェル１
２）を形成する（図４（ｂ））。次いで、ウェル１２の
表面に高濃度Ｎ型不純物拡散領域１４を形成する（図４
（ｃ））。次いで、Ｐ型不純物拡散領域１３を形成し
（図４（ｄ））、半導体基板１１の表面にＳｉを主材料
とする第一層間絶縁膜１５を積層する（図５（ａ））。
次いで、第一層間絶縁膜１５に穴をあけてその穴にＷ
（タングステン）を主材料とする金属材料を充填し、コ
ンタクト１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂ、２２ｂ、２
３ｂ、２４ｂ、２５ｂを形成（図５（ｂ））した後、そ
のコンタクト１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂ、２２
ｂ、２３ｂ、２４ｂ、２５ｂにＡｌ（アルミニウム）を
主材料とする第一金属配線１８ａ、１９ａ、２０ａ、２
１ａ、２２ａ、２３ａ、２４ａ、２５ａを接続する（図
５（ｃ））。

【００３４】ここに、第一金属配線１８ａ、１９ａ、２
０ａ、２１ａ、２２ａ、２３ａ、２４ａ、２５ａのレイ
アウトは、図３に従う。詳しくは、図５（ｃ）の左端と
右端の第一金属配線１８ａ、２５ａは、図３の第一配線
パターン３２のレイアウトに従い、残りの第一金属配線
１９ａ、２０ａ、２１ａ、２２ａ、２３ａ、２４ａは、
同図の第二配線パターン３３のレイアウトに従う。

【００３５】次いで、第一層間絶縁膜１５の上にＳｉＯ
２を主材料とする第二層間絶縁膜１６を積層（図５
（ｄ））し、第二層間絶縁膜１６に穴をあけてその穴に
Ｗを主材料とする金属材料を充填し、バイア電極２６
ｂ、２７ｂ、２８ｂ、２９ｂ、３０ｂ、３１ｂを形成
（図６（ａ））した後、そのバイア電極２６ｂ、２７
ｂ、２８ｂ、２９ｂ、３０ｂ、３１ｂにＡｌを主材料と
する第二金属配線２６ａ、２７ａ、２８ａ、２９ａ、３
０ａ、３１ａを接続する（図６（ｂ））。

【００３６】ここに、第二金属配線２６ａ、２７ａ、２
８ａ、２９ａ、３０ａ、３１ａのレイアウトは、図３の
第二配線パターン３３のレイアウトに従う。

【００３７】最後に、第二層間絶縁膜１６の上にＳｉＯ
２，Ｓｉ３Ｎ４を主材料とするパッシベーション膜１７
を積層し、図２の断面構造を有するＰＮ接合フォトダイ
オード１０が完成する。

【００３８】以上のとおり、本実施の形態では、その表
面を受光面３６として用いるＮ型不純物拡散領域１４の
平面形状をｍ角形とし、ｍは４を越える正数とした（具
体的には、図１の例示から理解されるように、ｍ＝８、
すなわち八角形とした）から、受光面３６の受光に寄与
しない無駄な部分を少なくすることができ、四角形（た
とえば、図１８の従来例）のものに比べて、当該無駄な
部分の面積を削減することができる。このため、ＰＮ接
合に寄与する受光面３６直下のＰ型不純物拡散領域１３
とＮ型不純物拡散領域１４のサイズを必要最小限にする
ことができ、それだけ、内部抵抗（前記のＲｓ（ｂ）ま
たはＲｓ（ｃ））と容量（前記のＣｓ）を減少して時定
数を小さくすることができ、高速応答性の改善を図るこ
とができる。

【００３９】加えて、第二配線パターン３３のレイアウ
トを工夫し、線幅の微細化を図りつつ、コンタクト抵抗
の低減を達成したので、前記のＲｓ（ａ）やＲｓ（ｄ）
も小さくすることができ、この点においても、時定数を
小さくし、高速応答性の改善を図ることができる。

【００４０】なお、第二配線パターン３３のレイアウト
は、図３に示すように、同心状の大小二つの八角形配線
パターン３３ｂ、３３ｃと、各々の八角形配線パターン
３３ｂ、３３ｃをつなぐ横方向直線パターン３３ｄ、３
３ｅと、小八角形配線パターン３３ｃの内側に配置さ
れ、且つ、各々の一端を小八角形配線パターン３３ｃに
接続した二つの縦方向直線パターン３３ｆ、３３ｇとを
含むものであるが、これに限定されない。要は、『線幅
の微細化を図りつつ、コンタクト抵抗の低減を達成』で
きるレイアウトであればよく、たとえば、以下のように
してもよい。

【００４１】図７（ａ）は、第二配線パターン３３の
「第１の変形レイアウト」を示す図である。この図にお
いて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン３
２の内側に配置された大きな八角形配線パターン３７ａ
と、この八角形配線パターン３７ａの左右対向辺に接続
されたＴ字状配線パターン３７ｂ、３７ｃと、八角形配
線パターン３７ａの上下対向辺に接続された縦方向配線
パターン３７ｄ、３７ｅとを有している。Ｔ字状配線パ
ターン３７ｂ、３７ｃ及び縦方向配線パターン３７ｄ、
３７ｅは、八角形配線パターン３７ａから「枝分かれ」
した部分に相当する。

【００４２】図７（ｂ）は、第二配線パターン３３の
「第２の変形レイアウト」を示す図である。この図にお
いて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン３
２の内側に配置された大きな八角形配線パターン３８ａ
と、この八角形配線パターン３８ａの任意辺（図では右
側の一辺）に接続された横方向配線パターン３８ｂと、
八角形配線パターン３８ａの他の任意辺（図では下側の
一辺）と上記の横方向配線パターン３８ｂとにそれぞれ
両端を接続した渦巻き状の八角形配線パターン３８ｃと
を有している。渦巻き状の八角形配線パターン３８ｃ
は、その両端が八角形配線パターン３８ａに接続されて
いるので、渦巻き状の八角形配線パターン３８ｃは、八
角形配線パターン３８ａから「枝分かれ」した部分に相
当し、また、「ループ状」の部分または「ループしてい
る」部分にも相当する。

【００４３】図８（ａ）は、第二配線パターン３３の
「第３の変形レイアウト」を示す図である。この図にお
いて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン３
２の内側に配置された大きな八角形配線パターン３９ａ
と、この八角形配線パターン３９ａの上下の辺に接続さ
れた縦方向配線パターン３９ｂと、この八角形配線パタ
ーン３９ａの左右の辺に接続された横方向配線パターン
３９ｃ、３９ｄと、これらの縦または横方向配線パター
ン３９ｂ、３９ｃ、３９ｄに接続された小八角形配線パ
ターン３９ｅとを有している。小八角形配線パターン３
９ｅは、縦または横方向配線パターン３９ｂ、３９ｃ、
３９ｄを介して八角形配線パターン３９ａに接続されて
いるので、小八角形配線パターン３９ｅは、八角形配線
パターン３９ａから「枝分かれ」した部分に相当し、ま
た、「ループ状」の部分または「ループしている」部分
にも相当する。

【００４４】図８（ｂ）は、第二配線パターン３３の
「第４の変形レイアウト」を示す図である。この図にお
いて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン３
２の内側に配置された大きな八角形配線パターン４０ａ
と、この八角形配線パターン４０ａの各辺または上下左
右の辺に接続された縦または横方向配線パターン４０
ｂ、４０ｃ、４０ｄ、４０ｅと、これらの縦または横方
向配線パターン４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ、４０ｅに接続
された小八角形配線パターン４０ｆとを有している。な
お、波線で示す四つの配線パターン４０ｇ、４０ｈ、４
０ｉ、４０ｊは、必要に応じて追加される斜めの配線パ
ターンである。小八角形配線パターン４０ｆは、縦また
は横方向配線パターン４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ、４０ｅ
を介して八角形配線パターン４０ａに接続されているの
で、小八角形配線パターン４０ｆは、八角形配線パター
ン４０ａから「枝分かれ」した部分に相当し、また、
「ループ状」の部分または「ループしている」部分にも
相当する。

【００４５】図９（ａ）は、第二配線パターン３３の
「第５の変形レイアウト」を示す図である。この図にお
いて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン３
２の内側に配置された大きな八角形配線パターン４１ａ
と、八角形配線パターン４１ａの上下の辺に接続された
縦方向配線パターン４１ｂ、４１ｃと、縦方向配線パタ
ーン４１ｂ、４１ｃに接続された小八角形配線パターン
４１ｄと、小八角形配線パターン４１ｄの内側に配置さ
れた極小八角形配線パターン４１ｅと、小八角形配線パ
ターン４１ｄと極小八角形配線パターン４１ｅとの間を
接続する横方向配線パターン４１ｆ、４１ｇとを有して
いる。小八角形配線パターン４１ｄと極小八角形配線パ
ターン４１ｅは、縦または横方向配線パターン４１ｂ、
４１ｃ、４１ｆ、４１ｇを介して八角形配線パターン４
１ａに接続されているので、小八角形配線パターン４１
ｄと極小八角形配線パターン４１ｅは、八角形配線パタ
ーン４１ａから「枝分かれ」した部分に相当し、また、
「ループ状」の部分または「ループしている」部分にも
相当する。

【００４６】図９（ｂ）は、第二配線パターン３３の
「第６の変形レイアウト」を示す図である。この図にお
いて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン３
２の内側に配置された大きな八角形配線パターン４２ａ
と、八角形配線パターン４２ａの任意の三辺に接続され
た逆Ｙ字状配線パターン４２ｂとを有している。逆Ｙ字
状配線パターン４２ｂは、八角形配線パターン４２ａに
接続されているので、逆Ｙ字状配線パターン４２ｂは、
八角形配線パターン４２ａから「枝分かれ」した部分に
相当し、また、「ループ状」の部分または「ループして
いる」部分にも相当する。

【００４７】図１０（ａ）は、第二配線パターン３３の
「第７の変形レイアウト」を示す図である。この図にお
いて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン３
２の内側に配置された大きな八角形配線パターン４３ａ
と、八角形配線パターン４３ａの任意の四辺に接続され
た十字状配線パターン４３ｂとを有している。十字状配
線パターン４３ｂは、八角形配線パターン４３ａから
「枝分かれ」した部分に相当し、また、「ループ状」の
部分または「ループしている」部分にも相当する。な
お、図示の例では、縦方向と横方向の配線からなる十字
状配線パターン４３ｂを示しているが、これに限定され
ない。たとえば、十字状配線パターン４３ｂは斜め４５
度方向の配線を含んでいてもよく、この場合は上記の
“十字状”を“米字状”と読み替える。

【００４８】図１０（ｂ）は、第二配線パターン３３の
「第８の変形レイアウト」を示す図である。この図にお
いて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン３
２の内側に配置された大きな八角形配線パターン４４ａ
と、八角形配線パターン４４ａの内側に配置された小八
角形配線パターン４４ｂと、八角形配線パターン４４ａ
及び小八角形配線パターン４４ｂの任意の三辺間を接続
する縦方向配線パターン４４ｃ、斜め方向配線パターン
４４ｄ、４４ｅとを有している。小八角形配線パターン
４４ｂは、縦方向配線パターン４４ｃと斜め方向配線パ
ターン４４ｄ、４４ｅを介して八角形配線パターン４４
ａに接続されているので、小八角形配線パターン４４ｂ
は、八角形配線パターン４４ａから「枝分かれ」した部
分に相当し、また、「ループ状」の部分または「ループ
している」部分にも相当する。

【００４９】図１１（ａ）は、第二配線パターン３３の
「第９の変形レイアウト」を示す図である。この図にお
いて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン３
２の内側に配置された大きな八角形配線パターン４５ａ
と、八角形配線パターン４５ａの任意の三辺に接続され
た正三角形配線パターン４５ｂとを有している。正三角
形配線パターン４５ｂは、八角形配線パターン４５ａか
ら「枝分かれ」した部分に相当し、また、「ループ状」
の部分または「ループしている」部分にも相当する。

【００５０】図１１（ｂ）は、第二配線パターン３３の
「第１０の変形レイアウト」を示す図である。この図に
おいて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン
３２の内側に配置された大きな八角形配線パターン４６
ａと、八角形配線パターン４６ａの内側に配置された小
八角形配線パターン４６ｂと、八角形配線パターン４６
ａ及び小八角形配線パターン４６ｂの任意の四辺間を接
続する斜め方向配線パターン４６ｃ、４６ｄ、４６ｅ、
４６ｆとを有している。小八角形配線パターン４６ｂ
は、斜め方向配線パターン４６ｃ、４６ｄ、４６ｅ、４
６ｆを介して八角形配線パターン４６ａに接続されてい
るので、小八角形配線パターン４６ｂは、八角形配線パ
ターン４６ａから「枝分かれ」した部分に相当し、ま
た、「ループ状」の部分または「ループしている」部分
にも相当する。

【００５１】図１２（ａ）は、第二配線パターン３３の
「第１１の変形レイアウト」を示す図である。この図に
おいて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン
３２の内側に配置された大きな八角形配線パターン４７
ａと、八角形配線パターン４７ａの内側に配置された正
四角形配線パターン４７ｂと、八角形配線パターン４７
ａ及び正四角形配線パターン４７ｂとの間を接続する斜
め方向配線パターン４７ｃ、４７ｄ、４７ｅ、４７ｆと
を有している。正四角形配線パターン４７ｂは、斜め方
向配線パターン４７ｃ、４７ｄ、４７ｅ、４７ｆを介し
て八角形配線パターン４７ａに接続されているので、正
四角形配線パターン４７ｂは、八角形配線パターン４７
ａから「枝分かれ」した部分に相当し、また、「ループ
状」の部分または「ループしている」部分にも相当す
る。

【００５２】なお、以上の説明では、Ｎ型不純物拡散領
域１４の平面形状を「四角形を越えるｍ角形」とし（具
体的には八角形とし）、その形状に合わせて、第一配線
パターン３２や第二配線パターン３３のレイアウトを考
えたが、本発明の技術思想は、かかるｍ角形に限定され
ない。要は、照射光３５の断面形状に近い形であればよ
く、たとえば、円形や楕円形であってもよい。以降の変
形例は「円形」をベースにするものである。

【００５３】図１２（ｂ）は、第二配線パターン３３の
「第１２の変形レイアウト」を示す図である。この図に
おいて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン
３２の内側に配置された大きな円形配線パターン４８ａ
と、円形配線パターン４８ａの内側に配置された湾曲配
線パターン４８ｂ、４８ｃと、円形配線パターン４８ａ
及び湾曲配線パターン４８ｂ、４８ｃの間を接続する横
方向配線パターン４８ｄ、４８ｅと、湾曲配線パターン
４８ｂ、４８ｃの内側に配置された縦方向配線パターン
４８ｆ、４８ｇとを有している。湾曲配線パターン４８
ｂ、４８ｃ及び縦方向配線パターン４８ｆ、４８ｇは、
横方向配線パターン４８ｄ、４８ｅを介して円形配線パ
ターン４８ａに接続されているので、湾曲配線パターン
４８ｂ、４８ｃ及び縦方向配線パターン４８ｆ、４８ｇ
は、円形配線パターン４８ａから「枝分かれ」した部分
に相当し、また、「ループ状」の部分または「ループし
ている」部分にも相当する。

【００５４】図１３（ａ）は、第二配線パターン３３の
「第１３の変形レイアウト」を示す図である。この図に
おいて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン
３２の内側に配置された大きな円形配線パターン４９ａ
と、円形配線パターン４９ａの内側に配置された湾曲配
線パターン４９ｂ、４９ｃ、４９ｄ、４９ｅと、円形配
線パターン４９ａ及び湾曲配線パターン４９ｂ、４９
ｃ、４９ｄ、４９ｅの間を接続する縦方向配線パターン
４９ｆ、横方向配線パターン４９ｇ、４９ｈとを有して
いる。湾曲配線パターン４９ｂ、４９ｃ、４９ｄ、４９
ｅは、縦または横方向配線パターン４９ｆ、４９ｇ、４
９ｈを介して円形配線パターン４９ａに接続されている
ので、湾曲配線パターン４９ｂ、４９ｃ、４９ｄ、４９
ｅは、円形配線パターン４９ａから「枝分かれ」した部
分に相当し、また、「ループ状」の部分または「ループ
している」部分にも相当する。

【００５５】図１３（ｂ）は、第二配線パターン３３の
「第１４の変形レイアウト」を示す図である。この図に
おいて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン
３２の内側に配置された大きな円形配線パターン５０ａ
と、円形配線パターン５０ａの内側に配置された湾曲配
線パターン５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ、５０ｅと、円形配
線パターン５０ａ及び湾曲配線パターン５０ｂ、５０
ｃ、５０ｄ、５０ｅの間を接続する縦方向配線パターン
５０ｆ、５０ｇ、横方向配線パターン５０ｈ、５０ｉと
を有している。湾曲配線パターン５０ｂ、５０ｃ、５０
ｄ、５０ｅは、縦または横方向配線パターン５０ｆ、５
０ｇ、５０ｈ、５０ｉを介して円形配線パターン５０ａ
に接続されているので、湾曲配線パターン５０ｂ、５０
ｃ、５０ｄ、５０ｅは、円形配線パターン５０ａから
「枝分かれ」した部分に相当し、また、「ループ状」の
部分または「ループしている」部分にも相当する。

【００５６】図１４（ａ）は、第二配線パターン３３の
「第１５の変形レイアウト」を示す図である。この図に
おいて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン
３２の内側に配置された大きな円形配線パターン５１ａ
と、円形配線パターン５１ａの内側に配置された横向き
のＴ字状配線パターン５１ｂ、５１ｃ及び縦方向配線パ
ターン５１ｄ、５１ｅとを有している。Ｔ字状配線パタ
ーン５１ｂ、５１ｃ及び縦方向配線パターン５１ｄ、５
１ｅは、円形配線パターン５１ａから「枝分かれ」した
部分に相当する。

【００５７】図１４（ｂ）は、第二配線パターン３３の
「第１６の変形レイアウト」を示す図である。この図に
おいて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン
３２の内側に配置された大きな円形配線パターン５２ａ
と、この円形配線パターン５２ａの任意位置に接続され
た横方向配線パターン５２ｂと、円形配線パターン５２
ａと上記の横方向配線パターン５２ｂとにそれぞれ両端
を接続した渦巻き状配線パターン５２ｃとを有してい
る。渦巻き状配線パターン５２ｃは、その両端が円形配
線パターン５２ａに接続されているので、渦巻き状配線
パターン５２ｃは、円形配線パターン５２ａから「枝分
かれ」した部分に相当し、また、「ループ状」の部分ま
たは「ループしている」部分にも相当する。

【００５８】図１５（ａ）は、第二配線パターン３３の
「第１７の変形レイアウト」を示す図である。この図に
おいて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン
３２の内側に配置された大きな円形配線パターン５３ａ
と、この円形配線パターン５３ａに接続された縦方向配
線パターン５３ｂ、５３ｃと、縦方向配線パターン５３
ｂ、５３ｃに接続された小円形配線パターン５３ｄと、
小円形配線パターン５３ｄの内側に配置された極小円形
配線パターン５３ｅと、小円形配線パターン５３ｄと極
小円形配線パターン５３ｅとの間を接続する横方向配線
パターン５３ｆ、５３ｇとを有している。小円形配線パ
ターン５３ｄと極小円形配線パターン５３ｅは、縦また
は横方向配線パターン５３ｂ、５３ｃ、５３ｆ、５３ｇ
を介して円形配線パターン５３ａに接続されているの
で、小円形配線パターン５３ｄと極小円形配線パターン
５３ｅは、円形配線パターン５３ａから「枝分かれ」し
た部分に相当し、また、「ループ状」の部分または「ル
ープしている」部分にも相当する。

【００５９】図１５（ｂ）は、第二配線パターン３３の
「第１８の変形レイアウト」を示す図である。この図に
おいて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン
３２の内側に配置された大きな円形配線パターン５４ａ
と、円形配線パターン５４ａに接続された逆Ｙ字状配線
パターン５４ｂとを有している。逆Ｙ字状配線パターン
５４ｂは、円形配線パターン５４ａに接続されているの
で、逆Ｙ字状配線パターン５４ｂは、円形配線パターン
５４ａから「枝分かれ」した部分に相当し、また、「ル
ープ状」の部分または「ループしている」部分にも相当
する。

【００６０】図１６（ａ）は、第二配線パターン３３の
「第１９の変形レイアウト」を示す図である。この図に
おいて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン
３２の内側に配置された大きな円形配線パターン５５ａ
と、円形配線パターン５５ａに接続された十字状配線パ
ターン５５ｂとを有している。十字状配線パターン５５
ｂは、円形配線パターン５５ａから「枝分かれ」した部
分に相当し、また、「ループ状」の部分または「ループ
している」部分にも相当する。なお、図示の例では、縦
方向と横方向の配線からなる十字状配線パターン５５ｂ
を示しているが、これに限定されない。たとえば、十字
状配線パターン５５ｂは斜め４５度方向の配線を含んで
いてもよく、この場合は上記の“十字状”を“米字状”
と読み替える。

【００６１】図１６（ｂ）は、第二配線パターン３３の
「第２０の変形レイアウト」を示す図である。この図に
おいて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン
３２の内側に配置された大きな円形配線パターン５６ａ
と、円形配線パターン５６ａの内側に配置された小円形
配線パターン５６ｂと、円形配線パターン５６ａ及び小
円形配線パターン５６ｂの間を接続する縦方向配線パタ
ーン５６ｃ、斜め方向配線パターン５６ｄ、５６ｅとを
有している。小円形配線パターン５６ｂは、縦方向配線
パターン５６ｃと斜め方向配線パターン５６ｄ、５６ｅ
を介して円形配線パターン５６ａに接続されているの
で、小円形配線パターン５６ｂは、円形配線パターン５
６ａから「枝分かれ」した部分に相当し、また、「ルー
プ状」の部分または「ループしている」部分にも相当す
る。

【００６２】図１７（ａ）は、第二配線パターン３３の
「第２１の変形レイアウト」を示す図である。この図に
おいて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン
３２の内側に配置された大きな円形配線パターン５７ａ
と、円形配線パターン５７ａに接続された正三角形配線
パターン５７ｂとを有している。正三角形配線パターン
５７ｂは、円形配線パターン５７ａから「枝分かれ」し
た部分に相当し、また、「ループ状」の部分または「ル
ープしている」部分にも相当する。

【００６３】図１７（ｂ）は、第二配線パターン３３の
「第２２の変形レイアウト」を示す図である。この図に
おいて、第二配線パターン３３は、第一の配線パターン
３２の内側に配置された大きな円形配線パターン５８ａ
と、円形配線パターン５８ａの内側に配置された小円形
配線パターン５８ｂと、円形配線パターン５８ａ及び小
円形配線パターン５８ｂの間を接続する斜め方向配線パ
ターン５８ｃ、５８ｄ、５８ｅ、５８ｆとを有してい
る。小円形配線パターン５８ｂは、斜め方向配線パター
ン５８ｃ、５８ｄ、５８ｅ、５８ｆを介して円形配線パ
ターン５８ａに接続されているので、小円形配線パター
ン５８ｂは、円形配線パターン５８ａから「枝分かれ」
した部分に相当し、また、「ループ状」の部分または
「ループしている」部分にも相当する。

【００６４】これらの変形レイアウト（第１〜第２２の
変形レイアウト）のいずれであってもよい。または、こ
れらの変形レイアウトの組み合わせ、もしくは、これら
の変形レイアウトから予測される他の変形レイアウトで
あってもよい。

【００６５】

【発明の効果】本発明によれば、受光面の受光に寄与し
ない無駄な部分を小さくすることができ、結果的に第二
導電型不純物拡散領域の面積の削減をもたらし、第二導
電型不純物拡散領域の内部抵抗や、第一導電型不純物拡
散領域との間の分布容量（コンデンサ成分）を小さくす
ることができる。したがって、前記の「Ｒｓ（ｂ）やＣ
ｓ」を低減し、時定数を下げて過渡現象を速く収束させ
ることができ、高速応答性の改善を図り、ＦＴＴＨなど
のコスト削減に寄与できる有益なＰＮ接合フォトダイオ
ードを提供することができる。

【００６６】また、前記第二導電型不純物拡散領域に接
続される電極を金属配線で形成し、且つ、その金属配線
の敷設レイアウトを枝分かれ状またはループ状もしくは
その双方を含むようにすれば、第二導電型不純物拡散領
域と電極との間のコンタクト抵抗を下げることができ、
前記の「Ｒｓ（ａ）」を低減し、同様に時定数を下げて
過渡現象を速く収束させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態におけるＰＮ接合フォトダイオー
ド１０の平面図である。

【図２】本実施の形態におけるＰＮ接合フォトダイオー
ド１０のＡ−Ａ′断面図である。

【図３】第一配線パターン３２と第二配線パターン３３
の敷設レイアウトを示す図である。

【図４】本実施の形態のＰＮ接合フォトダイオード１０
の製造工程図（その１／３）である。

【図５】本実施の形態のＰＮ接合フォトダイオード１０
の製造工程図（その２／３）である。

【図６】本実施の形態のＰＮ接合フォトダイオード１０
の製造工程図（その３／３）である。

【図７】第二配線パターン３３の第１及び第２の変形レ
イアウトを示す図である。

【図８】第二配線パターン３３の第３及び第４の変形レ
イアウトを示す図である。

【図９】第二配線パターン３３の第５及び第６の変形レ
イアウトを示す図である。

【図１０】第二配線パターン３３の第７及び第８の変形
レイアウトを示す図である。

【図１１】第二配線パターン３３の第９及び第１０の変
形レイアウトを示す図である。

【図１２】第二配線パターン３３の第１１及び第１２の
変形レイアウトを示す図である。

【図１３】第二配線パターン３３の第１３及び第１４の
変形レイアウトを示す図である。

【図１４】第二配線パターン３３の第１５及び第１６の
変形レイアウトを示す図である。

【図１５】第二配線パターン３３の第１７及び第１８の
変形レイアウトを示す図である。

【図１６】第二配線パターン３３の第１９及び第２０の
変形レイアウトを示す図である。

【図１７】第二配線パターン３３の第２１及び第２２の
変形レイアウトを示す図である。

【図１８】従来のＰＮ接合フォトダイオードの平面図及
びそのＡ−Ａ′断面図である。

【図１９】ＰＮ接合フォトダイオード１の各部における
ＣＲ（コンデンサ、抵抗）成分の模式図及びその等価回
路図である。

【符号の説明】

１０ＰＮ接合フォトダイオード１１半導体基板１３Ｐ型不純物拡散領域（第一導電型不純物拡散領
域）１４Ｎ型不純物拡散領域（第二導電型不純物拡散領域３２第一配線パターン（電極、金属配線）３３第二配線パターン（電極、金属配線）３６受光面

フロントページの続き (72)発明者矢嶋孝義東京都台東区上野６丁目16番20号太陽誘電株式会社内Ｆターム(参考） 5F049 MA02 MB03 NA03 NA14 NA15 NB01 PA08 PA15 QA04 QA20 SE09 SE20 SS03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板に形成された第一導電型不純
物拡散領域及び第二導電型不純物拡散領域を備え、前記第二導電型不純物拡散領域の表面を受光面として用
いると共に、前記第一導電型不純物拡散領域と第二導電型不純物拡散
領域の各々に電極を接続して構成されたＰＮ接合フォト
ダイオードにおいて、前記第二導電型不純物拡散領域の平面形状を、四角形を
越える多角形または円形もしくは楕円形にしたことを特
徴とするＰＮ接合フォトダイオード。
【請求項２】前記半導体基板に形成された第一導電型
不純物拡散領域及び第二導電型不純物拡散領域を備え、前記第二導電型不純物拡散領域の表面を受光面として用
いると共に、前記第一導電型不純物拡散領域と第二導電型不純物拡散
領域の各々に電極を接続して構成されたＰＮ接合フォト
ダイオードにおいて、前記第二導電型不純物拡散領域に接続される電極を金属
配線で形成し、且つ、その金属配線の敷設レイアウトを
枝分かれ状またはループ状もしくはその双方を含むよう
にしたことを特徴とするＰＮ接合フォトダイオード。
【請求項３】前記半導体基板に形成された第一導電型
不純物拡散領域及び第二導電型不純物拡散領域を備え、前記第二導電型不純物拡散領域の表面を受光面として用
いると共に、前記第一導電型不純物拡散領域と第二導電型不純物拡散
領域の各々に電極を接続して構成されたＰＮ接合フォト
ダイオードにおいて、前記第二導電型不純物拡散領域の平面形状を、四角形を
越える多角形または円形もしくは楕円形にするととも
に、前記第二導電型不純物拡散領域に接続される電極を金属
配線で形成し、且つ、その金属配線の敷設レイアウトを
枝分かれ状またはループ状もしくはその双方を含むよう
にしたことを特徴とするＰＮ接合フォトダイオード。