JPS6222473B2 - - Google Patents

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JPS6222473B2
JPS6222473B2 JP55013898A JP1389880A JPS6222473B2 JP S6222473 B2 JPS6222473 B2 JP S6222473B2 JP 55013898 A JP55013898 A JP 55013898A JP 1389880 A JP1389880 A JP 1389880A JP S6222473 B2 JPS6222473 B2 JP S6222473B2
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semiconductor layer
semiconductor
electrodes
conductivity type
layer
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JP55013898A
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Takayuki Sugata
Yoshihito Amamya
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication of JPS6222473B2 publication Critical patent/JPS6222473B2/ja
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、シヨツトキ接合またはPN接合を有
する半導体光検出装置に関する。
このような半導体光検出装置として、従来、所
定の導電型を有する半導体基板至半導体層（以下
簡単のため半導体層と称す）の第１の主面上に、
金属でなる第１の電極が、シヨツトキ接合を形成
すべく附され、そして、半導体層の第１の主面と
対向する他の第２の主面上に、第２の電極がオー
ミツクに附されている構成を有するものが提案さ
れている。
また、所定の導電型を有する半導体層内に、そ
れとは逆の導電型を有する半導体領域が、PN接
合を形成すべく形成され、そして、その半導体領
域及び半導体層の第１の主面と対向する他の第２
の主面上に、それぞれ第１及び第２の電極がオー
ミツクに附されている構成を有するものも提案さ
れている。
ところで、上述した構成を有する半導体光検出
装置は、第１及び第２の電極間に、シヨツトキ接
合又はPN接合に対して逆方向となるバイアス電
圧を印加することによつて、半導体層内に、シヨ
ツトキ接合またはPN接合から延びる空乏層を形
成している状態で、光を入射させた場合、空乏層
内に入射された光に応じた電子−正孔対が発生
し、その電子及び正孔が、それぞれ第１（または
第２）及び第２（または第１）の電極に向う、と
いう機構で、入射される光に応じた光電流を、第
１及び第２の電極を通じて、外部に導出させる、
という動作をする。このため、半導体層が、光吸
収係数が大である材料でなるのが望ましい。
このため、上述した従来の半導体光検出装置の
場合、その半導体層として、入射光が1.1um以下
のような比較的短い波長を有する場合、Si，
GaAsなどが用いられ、また入射光が1.1μｍ以上
のような比較的長い波長を有する場合、Ge，
InGaAsP系半導体化合物などが用いられてい
た。
また、上述した従来の半導体光検出装置の場
合、その半導体層が、比較的波長の短い入射光に
適しているSi，GaAsなどでなる場合、それにシ
ヨツトキ接合またはPN接合を比較的良好に形成
することがでる。
しかしながら、半導体層が、比較的波長の長い
入射光に適しているGe，InGaAsP系半導体化合
物などでなる場合、これにシヨツトキ接合または
PN接合を良好に形成するのが困難であるという
理由で、逆耐圧や暗電流の点で良好な特性が得ら
れないという欠点を有していた。
さらに、上述した従来の半導体光検出装置の場
合、光電流を外部に導出するための第１及び第２
の電極が、半導体層の相対向する第１及び第２の
主面上に附されている所謂縦型構成を有するた
め、その半導体光検出装置と、それから外部に導
出される光電流の供給されるべき半導体回路装置
とを、それらに、共通の基板上に集積化して構成
し、そして、半導体光検出装置から外部に導出さ
れる光電流を、基板上に形成されている導体層
（配線層）を介して、半導体回路装置に供給する
ようにした場合、半導体光検出装置の第１及び第
２の電極間に、その半導体光検出装置が有するシ
ヨツトキ接合またはPN接合による容量の他に、
寄生容量素子が接続されている構成になる。この
ため、半導体光検出装置の高速応答性が劣化する
などの欠点を有していた。
よつて、本発明は、上述した欠点のない、新規
なシヨツトキ接合またはPN接合を有する半導体
光検出装置を提案せんとするもので、以下詳述す
るところから明らかとなるであろう。
第１図は、本願第１番目の発明による半導体光
検出装置の実施例を略線的に示し、光吸収係数の
大なる例えばＮ型の半導体層１と、その上にヘテ
ロ接合２を形成すべく配され且つ光に対して透明
である、半導体層１と同じＮ型の半導体層３とを
有し、而して、その半導体層３の半導体層１側と
は反対側の面４上に、金属でなる電極５及び６が
それぞれシヨツトキ接合７及び８を形成すべく附
されている。
この場合、半導体層１は、1.0〜1.5μｍの波長
を有する光に対して104cm-1以上の大なる光吸収
係数を呈し、且つ、格子定数が5.65748Å、不純
物濃度が1.5×1014cm-3（比抵抗が10Ω・cm）程度
であるGeでなるものとし得る。また、半導体層
３は、約0.9μｍ以上の波長を有する光に対して
透明であり、且つ格子定数がGeのそれに近い
5.6534Å、不純物濃度がGeのそれに比し１桁以
上大である５×1015cm-3、厚さが比較的薄い1.0μ
ｍ、バンドギヤツプがGeのそれに比し大きな
1.43eVであるGaAsでなるものとし得る。
以上が、本願第１番目の発明による半導体光検
出装置の実施例の構成である。
このような構成を有する半導体光検出装置によ
れば、電極５及び６間に、負荷９を通じて、電極
５側を負とするバイアス電源１０を接続すれば、
線１１で示すように、電極６からシヨツトキ接合
８を通り、次で半導体層３のシヨツトキ接合８下
の領域を横切つて半導体層１内に入り、次で半導
体層３のシヨツトキ接合７下の領域を横切つてシ
ヨツトキ接合７を通り、次で電極５に至る電気力
線が得られる。
また、シヨツトキ接合７から、電気力線１１に
逆方向に沿つて、シヨツトキ接合８に延長してい
る空乏層が形成されている。この場合、電極６が
バイアス電源１０の正側に接続され、一方、半導
体層３がＮ型であるので、電極６及び半導体層３
間のシヨツトキ接合８には順方向バイアスが与え
られ、従つて、シヨツトキ接合８は低抵抗性を呈
するが、電極５がバイアス電源１０の負側に接続
され、一方、上述したように半導体層３がＮ型で
あるので、電極５及び半導体層３間のシヨツトキ
接合７には逆方向バイアスが与えられ、従つて、
シヨツトキ接合７は高抵抗性乃至半絶縁性を呈す
るので、空乏層が、シヨツトキ接合７からシヨツ
トキ接合８に延長して形成されていても、その空
乏層に、後述するように、光１４が照射されない
限り、電極５及び６間は実質的に非導通状態を保
つている。
この場合、電気力線１１に沿つてみて、第２図
に示すように、半導体層１のバンドギヤツプE1
と半導体層３のバンドギヤツプE3（E3＞E1）との
差の値を有する半導体層１及び３間のヘテロ接合
２のシヨツトキ接合８下の領域における、電子に
対するΔEeの障壁１３と、ヘテロ接合２のシヨ
ツトキ接合７下の領域における、正孔に対するΔ
Ekの障壁１２とを有する半導体バンド構造を呈
している。
さらに、この場合、半導体層３のエネルギギヤ
ツプE3が、半導体層１のエネルギギヤツプE1に
比し大であるので、半導体層３のシヨツトキ接合
７及び８下の領域の電界強度が、半導体層１側に
比し大となつていて、半導体層１及び３の電極６
下の領域に、電子に対する加速電界が形成され、
また、半導体層１及び３の電極５下の領域に、正
孔に対する加速電界が形成されている。
また、第１図に示す本発明による半導体光検出
装置の構成によれば、シヨツトキ接合７から、上
述したように、電気力線１１に逆方向に沿つて、
シヨツトキ接合８に延長している空乏層が形成さ
れている状態で、半導体層１及び３の電極５及び
６間の領域側に向けて、半導体層３側から、矢１
４で示すように、光を入射させれば、その入射光
１４が、半導体層３の電極５及び６間の領域を横
切つて半導体層１の電極５及び６間の領域の半導
体層３側の斜線で示す領域１５に吸収され、その
領域１５に、電子・正孔対が発生する。そして、
その電子が、半導体層１及び３の電極６下の領域
に形成されている電子に対する加速電界によつて
加速されて、ヘテロ接合２のシヨツトキ接合８下
の領域における障壁１３を第２図で実線図示のよ
うに乗越え、または第２図で点線図示のように障
壁１３をトンネリングし、次でシヨツトキ接合８
を通つて電極６に向う。また、正孔が、半導体層
１及び３の電極５下の領域に形成されている正孔
に対する加速電界によつて加速されて、ヘテロ接
合２のシヨツトキ接合７下の領域における障壁１
２を第２図で実線図示のように乗越え、または第
２図で点線図示のように障壁１２をトンネリング
し、次でシヨツトキ接合７を通つて電極５に向
う。このため、電極５及び６を介して、負荷９
に、入射光に応じた光電流が導出される。
従つて、第１図に示す本願第１番目の発明によ
る半導体光検出装置の構成は、半導体光検出装置
としての機能を有する。
ところで、第１図に示す本願第１番目の発明に
よる半導体光検出装置の場合、半導体層１及び３
を有し、そして、半導体層１は、主として光を吸
収する作用を呈するが、半導体層３は、光を吸収
する必要がなく、光を半導体層１側に透過させる
作用を有するだけである。
従つて、半導体層３を、例えば上述したよう
に、GaAsでなるものとし得、従つて半導体層３
に、電極５及び６を、良好なシヨツトキ接合７及
び８が形成されるべく、容易に附すことができ
る。
また、半導体層１は、シヨツトキ接合が形成さ
れるべく電極が附される、という層ではないの
で、その半導体層１を、例えば上述したように、
Geであるものとし得、従つて、長い波長を有す
る光を検出することができる。
よつて、第１図に示す本発明による半導体光検
出装置の場合、長い波長の光の検出を、従来の半
導体光検出装置に比し良好な特性を以つて行うこ
とができる大なる特徴を有する。
また、第１図に示す本発明による半導体光検出
装置の場合、半導体層３を、上述したように、半
導体層１に比し約１桁以上大なる不純物濃度を有
するものとすれば、上述した加速電界が大になる
ので、半導体層１の電極５及び６間の領域に生ず
る電子・正孔対の電子及び正孔を、上述したよう
に、そぜぞれトンネルさせて、電極６及び５に到
らしめ得、よつて、高速応答性を得ることができ
る特徴も有する。
次に、第３図〜第５図を伴なつて、本願第２番
目の発明による半導体光検出装置の実施例を述べ
よう。
第３図〜第５図において、第１図との対応部分
には同一符号を附し、詳細説明を省略する。
第３図〜第５図に示す本願第２番目の発明によ
る半導体光検出装置は、次の事項を除いて、第１
図で上述した本願第１番目の発明による半導体光
検出装置の構成と同様の構成を有する。
すなわち、半導体層１及び２が、メサ型に形成
されている態様を以つて、高い抵抗（例えば比抵
抗108Ω−cm）を有する例えばGaAsでなる基板２
１上に配され、また、電極５及び６が、ともに櫛
型に形成され、一方、基板２１上に、半導体層１
及び３の側面上に延長している絶縁層２３が附さ
れ、そして、その絶縁層２３上に、ストライプ状
の導体層２４及び２５が、電極５及び６にそれぞ
れ連結して延長している。
また、絶縁層２３上に、導体層２４及び２５に
対して共通な導体層２６ａ及び２６ｂが、導体層
２４及び２５の延長方向に沿い且つ導体層２４及
び２５を挟んで延長している。
以上が、本願第２番目の発明による半導体光検
出装置の一例構成である。
このような構成を有する本願第２番目の発明に
よる半導体光検出装置の構成によれば、それが上
述した事項を除いて、第１図で上述した本願第１
番目の発明による半導体光検出装置と同様の構成
を有するので、詳細説明は省略するが、第１図の
場合と同様の特徴が得られる。
しかしながら、第３図〜第５図に示す本願第２
番目の発明による半導体光検出装置の場合、基板
２１上に電極５及び６にそれぞれ連結して延長し
ている導体層２４及び２５と、導体層２４及び２
５に対して共通であり且つそれ等の延長方向に延
長している導体層２６ａ及び２６ｂとを有するの
で、導体層２４及び２５を中心導体とし、また導
体層２６ａ及び２６ｂを接地導体としている態様
の分布定数線路Ｌが構成されている。
従つて、その分布定数線路Ｌによつて、電極５
及び６を介して得ることができる光電流を、効果
的に、外部に導出し得る。
また、分布定数線路Ｌが構成されていても、そ
の分布定数線路Ｌが、電極５及び６の位置から、
直ちに、所謂コプレーナ型線路の構成を有してい
るので、電極５および６間にシヨツトキ接合７及
び８による容量の外、不要な寄生素子が連結され
ている、という構成になつていず、従つて、光電
流を得るのに、その高速応答性が劣化することが
ない、などの大なる特徴を有する。
次に、第６図〜第８図を伴なつて、本願第３番
目の発明による半導体光検出装置の実施例を述べ
よう。
第６図〜第８図において、第３図〜第５図との
対応部分には同一符号を附し、詳細説明を省略す
る。
第６図〜第８図に示す本願第３番目の発明によ
る半導体光検出装置は、第３図〜第５図で上述し
た本願第２番目の発明による半導体光検出装置の
構成において、その導体層２６ａ及び２６ｂが省
略され、しかしながら、基板２１の半導体層１及
び３側とは反対側に、導体層２４及び２５に対し
て共通な導体層２７が、導体層２４及び２５と対
向して形成されていることを除いて、第３図〜第
５図の場合と同様の構成を有する。
以上が本願第３番目の発明による半導体光検出
装置の一例構成である。
このような構成を有する本願第３番目の発明に
よる半導体光検出装置によれば、それが、上述し
た事項を除いて、第３図〜第５図に示す本願第２
番目の発明による半導体光検出装置と同様の構成
を有し、そして、導体層２４及び２５を中心導体
とし、また導体層２７を接地導体としている態様
の所謂ストライプ型の分布定数線路が構成されて
いる。
従つて、詳細説明は省略するが、第３図〜第５
図の場合と同様の特徴が得られる。
次に、第９図を伴なつて、本願第４番目の発明
による半導体光検出装置の実施例を述べよう。
第９図において、第１図との対応部分には同一
符号を附して示す。
第９図に示す本願第４番目の発明による半導体
光検出装置は、第１図で上述した本願第１番目の
発明による半導体光検出装置の構成において、そ
の電極５及び６が、半導体層３に、シヨツトキ接
合７及び８を形成すべく附されているのに代え、
半導体層３内に、その主面４側から、Ｐ型の半導
体領域３１及び３２が、PN接合３３及び３４を
それぞれ形成すべく形成され、そして、半導体領
域３１及び３２に、電極３５及び３６が、それぞ
れオーミツクに附されていることを除いて、第１
図の場合と同様の構成を有する。
以上が本願第４番目の発明による半導体光検出
装置の実施例の構成である。
このような構成を有する本発明による半導体光
検出装置によれば、それが、上述した事項を除い
て、第１図の場合と同様であり、そして、電極３
５、半導体領域３３及びPN接合３３でなる構成
が、第１図の場合の電極５及びシヨツトキ接合７
からなる構成に対応し、また、電極３６、半導体
領域３４及びPN接合３４でなる構成が、第１図
の場合の電極６及びシヨツトキ接合８からなる構
成に対応しているので、詳細説明は省略するが、
第１図の場合と同様の作用効果を呈し、第１図の
場合と同様の優れた特徴が得られる。
なお、この場合、電極３５及び３６間に、バイ
アス電源が、電極３５側を負として接続されて、
空乏層が、PN接合３３からPN接合３４に延長し
て形成されている状態で、その空乏層に、光が照
射されることによつて、第１図の場合と同様の動
作が得られるが、第１図のシヨツトキ接合７の場
合と同様に、PN接合３４には逆バイアスが与え
られているので、空乏層に、光が照射されない限
り、電極３５及び３６間は実質的に非導通状態を
保つている。
次に、第１０図及び第１１図を伴なつて、本願
第５番目の発明による半導体光検出装置の実施例
を述べよう。
第１０図及び第１１図において、第９図及び第
３図〜第５図との対応部分には同一符号を附し、
詳細説明を省略する。
第１０図及び第１１図に示す本願第５番目の発
明による半導体光検出装置は、第３図〜第５図で
上述した本願第２番目の発明の実施例において、
第１図で上述した本願第１番目の発明による半導
体光検出装置に代え、第９図で上述した本願第４
番目の発明による半導体光検出装置を適用してい
る構成を有する。
以上が、本願第５番目の発明の一例構成であ
る。
このような構成を有する本願第５番目の発明に
よる半導体光検出装置によれば、それが、上述し
た構成を有するので、詳細説明は省略するが、本
願第２番目の発明の場合と同様の優れた特徴を有
する。
次に、第１２図及び第１３図を伴なつて、本願
第６番目の発明による半導体光検出装置の実施例
を述べよう。
第１２図及び第１３図において、第９図及び第
６図〜第８図との対応部分には同一符号を附し、
詳細説明を省略する。
第１２図及び第１３図に示す本願第６番目の発
明による半導体光検出装置は、第６図〜第８図で
上述した本願第３番目の発明による半導体光検出
装置において、第１図で上述した本願第１番目の
発明による半導体光検出装置に代え、第９図で上
述した本願第４番目の発明による半導体光検出装
置を適用している構成を有する。
以上が、本願第６番目の発明による半導体光検
出装置の一例構成である。
このような構成を有する本願第６番目の発明に
よる半導体光検出装置によれば、それが、上述し
た構成を有するので、詳細説明は省略するが、本
願第３番目の発明の場合と同様の優れた特徴を有
する。
なお、上述においては、本願発明の僅かな実施
例を示したに留まり、本願発明の精神を脱するこ
となしに、種々の変型、変更をなし得るであろ
う。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本願第１番目の発明による半導体光
検出装置の実施例を示す略線的断面図である。第
２図は、その説明に供する半導体バンド構造を示
す図である。第３図、第４図及び第５図は、本願
第２番目の発明による半導体光検出装置の実施例
を示す略線的平面図、その−線上及び−
線上の断面図である。第６図、第７図及び第８図
は、本願第３番目の発明による半導体光検出装置
の実施例を示す略線的平面図、その−線上及
び−線上の断面図である。第９図、第１０図
及び第１１図、第１２図及び第１３図は、それぞ
れ本願第３番目の発明、本願第４番目の発明、本
願第５番目の発明及び本願第６番目の発明による
半導体光検出装置の実施例を示す略線的断面図で
ある。 １，３……半導体層、２……ヘテロ接合、５，
６……電極、７，８……シヨツトキ接合、２１…
…基板、２３……絶縁層、２４，２５，２６ａ，
２６ｂ，２７……導体層、３１，３２……半導体
領域、３３，３４……PN接合。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 光吸収係数が大であり且つ大なる所定の導電
    型を有する第１の半導体層と、 上記第１の半導体層上に配され且つ光に対して
    透明であるとともに上記第１の半導体層と同じ導
    電型を有する第２の半導体層とを有し、 上記第２の半導体層の上記第１の半導体層側と
    は反対側の面上に、金属でなる第１及び第２の電
    極が、それぞれ第１及び第２のシヨツトキ接合を
    形成すべく附されていることを特徴とする半導体
    光検出装置。 ２ 高い抵抗を有する基板上にメサ型に形成され
    且つ光吸収係数が大であるとともに所定の導電型
    を有する第１の半導体層と、 上記第１の半導体層上に配され且つ光に対して
    透明であるとともに上記第１の半導体層と同じ導
    電型を有する第２の半導体層とを有し、 上記第２の半導体層の上記第１の半導体層側と
    は反対側の面上に、金属でなる第１及び第２の電
    極が、それぞれ第１及び第２のシヨツトキ接合を
    形成すべく附され、 上記基板の上記第１の半導体層側とは反対側の
    面上に、ストライプ状の第１及び第２の導体層
    が、それぞれ上記第１及び第２の電極に連結して
    延長され、且つ上記第１及び第２の導体層に対し
    て共通な第３の導体層が上記第１及び第２の導体
    層とその延長方向に沿つて対向して形成されてい
    ることを特徴とする半導体光検出装置。 ３ 高い抵抗を有する基板上にメサ型に形成され
    且つ光吸収係数が大であるとともに所定の導電型
    を有する第１の半導体層と、 上記第１の半導体層上に配され且つ光に対して
    透明であるとともに上記第１の半導体層と同じ導
    電型を有する第２の半導体層とを有し、 上記第２の半導体層の上記第１の半導体層側と
    は反対側の面上に、金属でなる第１及び第２の電
    極が、それぞれ第１及び第２のシヨツトキ接合を
    形成すべく附され、 上記基板の上記第１の半導体層側とは反対側の
    面上に、ストライプ状の第１及び第２の導体層
    が、それぞれ上記第１及び第２の電極に連結して
    延長され、 上記基板の上記第１の半導体層側とは反対側の
    面上に、上記第１及び第２の導体層に対して共通
    な第４の導体層が、上記第１及び第２の導体層と
    対向して形成されていることを特徴とする半導体
    光検出装置。 ４ 光吸収係数が大であり且つ所定の導電型を有
    する第１の半導体層と、 上記第１の半導体層上に配され且つ光に対して
    透明であるとともに上記第１の半導体層と同じ導
    電型を有する第２の半導体層とを有し、 上記第２の半導体層内に、上記第１の半導体層
    側とは反対側から上記第２の半導体層とは逆の導
    電型を有する第１及び第２の半導体領域が、それ
    ぞれ第１及び第２のPN接合を形成すべく形成さ
    れ、 上記第１及び第２の半導体領域に、それぞれ第
    １及び第２の電極がオーミツクに附されているこ
    とを特徴とする半導体光検出装置。 ５ 高い抵抗を有する基板上にメサ型に形成され
    且つ光吸収係数が大であるとともに所定の導電型
    を有する第１の半導体層と、 上記第１の半導体層上に配され且つ光に対して
    透明であるとともに上記第１の半導体層と同じ導
    電型を有する第２の半導体層とを有し、 上記第２の半導体層内に、上記第１の半導体層
    側とは反対側から、上記第２の半導体層とは逆の
    導電型を有する第１及び第２の半導体領域が、そ
    れぞれ第１及び第２のPN接合を形成すべく形成
    され、 上記第１及び第２の半導体領域に、それぞれ第
    １及び第２の電極がオーミツクに附され、 上記基板の上記第１の半導体層側とは反対側の
    面上に、ストライプ状の第１及び第２の導体層
    が、それぞれ上記第１及び第２の電極に連結して
    延長され、且つ上記第１及び第２の導体層に対し
    て共通な第３の導体層が、上記第１及び第２の導
    体層とその延長方向に沿つて対向して形成されて
    いることを特徴とする半導体光検出装置。 ６ 高い抵抗を有する基板上にメサ型に形成され
    且つ光吸収係数が大であるとともに所定の導電型
    を有する第１の半導体層と、 上記第１の半導体層上に配され且つ光に対して
    透明であるとともに上記第１の半導体層と同じ導
    電型を有する第２の半導体層とを有し、 上記第２の半導体層内に、上記第１の半導体層
    側とは反対側から、上記第２の半導体層とは逆の
    導電型を有する第１及び第２の半導体領域が、そ
    れぞれ第１及び第２のPN接合を形成すべく形成
    され、 上記第１及び第２の半導体領域に、それぞれ第
    １及び第２の電極がオーミツクに附され、 上記基板の上記第１の半導体層側とは反対側の
    面上に、ストライプ状の第１及び第２の導体層
    が、それぞれ上記第１及び第２の電極に連結して
    延長され、 上記基板の上記第１の半導体層側とは反対側の
    面上に、上記第１及び第２の導体層に対して共通
    な第４の導体層が、上記第１及び第２の導体層と
    対向して形成されていることを特徴とする半導体
    光検出装置。
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