JP2661341B2 - 半導体受光素子 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は光通信における半導体受光素子に関するも
のである。
のである。
［従来の技術］ 第12図は例えば「光通信素子光学」（光学図書株式会
社版、米津宏雄著、372頁、図6.7（ｃ））に示された従
来の半導体受光素子を示す断面図である。ここではp+拡
散領域/n-−InGaAs/n−InP構造によるPIN型フォトダイ
オードの場合について説明する。第12図において（１）
はｎ−電極、（２）は半導体基板で、（３）のn+−InP
半導体基板と（４）のｎ−InPバツファー層とから成り
立っている。（５）はn-−InGaAsの光吸収層である。
（６）はn-−InGaAsPの光透過層である。この光透過層
（６）の材料はn-−InPでもよい。（７）は第２導電型
半導体領域であるp+拡散領域で、光透過層（６）と光吸
収層（５）にまたがって配置されている。（13）は接合
面で、p+拡散領域（７）と光吸収層（５）あるいは光透
過層（６）をなす第１導電型半導体とのｐ−ｎ接合の接
合面である。接合面（13）の底部（14）は光吸収層
（５）のみに形成されている。（８）はｐ−ｎ接合によ
る空乏層、（15）は空乏層端、（９）はSi3N4の表面保
護膜、（10）は反射防止膜、（11）は電極コンタクト、
（12）はｐ−電極である。
社版、米津宏雄著、372頁、図6.7（ｃ））に示された従
来の半導体受光素子を示す断面図である。ここではp+拡
散領域/n-−InGaAs/n−InP構造によるPIN型フォトダイ
オードの場合について説明する。第12図において（１）
はｎ−電極、（２）は半導体基板で、（３）のn+−InP
半導体基板と（４）のｎ−InPバツファー層とから成り
立っている。（５）はn-−InGaAsの光吸収層である。
（６）はn-−InGaAsPの光透過層である。この光透過層
（６）の材料はn-−InPでもよい。（７）は第２導電型
半導体領域であるp+拡散領域で、光透過層（６）と光吸
収層（５）にまたがって配置されている。（13）は接合
面で、p+拡散領域（７）と光吸収層（５）あるいは光透
過層（６）をなす第１導電型半導体とのｐ−ｎ接合の接
合面である。接合面（13）の底部（14）は光吸収層
（５）のみに形成されている。（８）はｐ−ｎ接合によ
る空乏層、（15）は空乏層端、（９）はSi3N4の表面保
護膜、（10）は反射防止膜、（11）は電極コンタクト、
（12）はｐ−電極である。
次に動作について説明する。
第13図はフォトダイオードを使用するときの回路図で
ある。第13図においてｈνは光量子である。
ある。第13図においてｈνは光量子である。
上記のように構成されたフォトダイオードは通常第13
図に示されるような回路構成の下で使用される。PIN型
フォトダイオードは抵抗を介して電源と結ばれ逆方向バ
イアス電圧が印加される。
図に示されるような回路構成の下で使用される。PIN型
フォトダイオードは抵抗を介して電源と結ばれ逆方向バ
イアス電圧が印加される。
第12図において反射防止膜（10）を透してp+拡散領域
（７）に入射した光は光透過層（６）を通過し、光吸収
層（５）で吸収され、電子正孔対を発生する。この電子
正孔対は空乏層（８）中において、電界により分離し、
ｎ−電極（１）とｐ−電極（11）との間に起電力を発生
し、光電流が得られる。空乏層（８）の領域はｎ−電極
（１）とｐ−電極（12）との間にバイアス電圧を印加す
ることにより制御され得るが、第12図の従来例のように
空乏層（８）が光吸収層（５）にある場合は、バイアス
電圧がなくても光入射があれば起電力が発生し光電流が
得られる。
（７）に入射した光は光透過層（６）を通過し、光吸収
層（５）で吸収され、電子正孔対を発生する。この電子
正孔対は空乏層（８）中において、電界により分離し、
ｎ−電極（１）とｐ−電極（11）との間に起電力を発生
し、光電流が得られる。空乏層（８）の領域はｎ−電極
（１）とｐ−電極（12）との間にバイアス電圧を印加す
ることにより制御され得るが、第12図の従来例のように
空乏層（８）が光吸収層（５）にある場合は、バイアス
電圧がなくても光入射があれば起電力が発生し光電流が
得られる。
またｐ−ｎ接合による空乏層（８）は材料の比誘電率
で定まる空乏層容量を持ちフォトダイオードの応答速度
に影響を与える。すなわち応答速度はCR時定数の大きさ
により定まり、この値が大きくなると応答速度は小さく
なる。このCR時定数のＣは主として空乏層容量CBで、第
１式で示される。
で定まる空乏層容量を持ちフォトダイオードの応答速度
に影響を与える。すなわち応答速度はCR時定数の大きさ
により定まり、この値が大きくなると応答速度は小さく
なる。このCR時定数のＣは主として空乏層容量CBで、第
１式で示される。
第１式において、Ａはｐ−ｎ接合の面積、ｋは比誘電
率、NBキャリア濃度、vbはバイアス電圧、vDはビルトイ
ン電圧、ε０、ｑはそれぞれ定数である。
率、NBキャリア濃度、vbはバイアス電圧、vDはビルトイ
ン電圧、ε０、ｑはそれぞれ定数である。
またCR時定数のＲは光電流（高周波信号）に対する負
荷抵抗で、第13図におけるRLに相当する。
荷抵抗で、第13図におけるRLに相当する。
第14図は第２の従来例を示す断面図である。
第14図ではp+拡散領域（７）もｐ−ｎ接合による空乏
層（８）も共に光透過層（６）に存在する場合である。
この場合はp+拡散領域（７）が光透過層（６）にあるた
め、第１式から分かるように光透過層（６）と光吸収層
（５）とのキャリア濃度NBが同程度であるとすれば、光
透過層（６）の比誘電率が光吸収層（５）の比誘電率よ
り小さいと、空乏層が光吸収層（５）にまたがって存在
する場合に比較し空乏層容量が小さくなり、応答速度が
大きくなる。なお、光透過層（６）のキャリア濃度NBが
光吸収層（５）のキャリア濃度NBより小さければ空乏層
容量がより小さくなり応答速度が大きくなることは言う
までもない。ただ第２の従来例では光吸収層（５）に空
乏層（８）が存在しないため、光吸収層（５）で発生し
た電子正孔対が分離せず再結合し、起電力を発生しな
い。このため光電流を得るためには必ずバイアス電圧を
印加し空乏層端（15）を光吸収層（５）内まで延ばす必
要がある。
層（８）も共に光透過層（６）に存在する場合である。
この場合はp+拡散領域（７）が光透過層（６）にあるた
め、第１式から分かるように光透過層（６）と光吸収層
（５）とのキャリア濃度NBが同程度であるとすれば、光
透過層（６）の比誘電率が光吸収層（５）の比誘電率よ
り小さいと、空乏層が光吸収層（５）にまたがって存在
する場合に比較し空乏層容量が小さくなり、応答速度が
大きくなる。なお、光透過層（６）のキャリア濃度NBが
光吸収層（５）のキャリア濃度NBより小さければ空乏層
容量がより小さくなり応答速度が大きくなることは言う
までもない。ただ第２の従来例では光吸収層（５）に空
乏層（８）が存在しないため、光吸収層（５）で発生し
た電子正孔対が分離せず再結合し、起電力を発生しな
い。このため光電流を得るためには必ずバイアス電圧を
印加し空乏層端（15）を光吸収層（５）内まで延ばす必
要がある。
［発明が解決しようとする課題］ 従来の半導体受光素子は以上の様に構成されているの
で次の様な問題点があった。すなわち半導体受光素子が
通信に使用される場合には、光ファイバーと接続される
が光ファイバー終端から半導体受光素子の受光面に直接
光を入れる直接結合の場合は、光束が拡散するので受光
面が広い方が結合が容易である。更に大きな光電流を得
る為にも受光面積すなわちｐ−ｎ接合の面積が広い方が
よい。しかしｐ−ｎ接合の面積が広がるとそれに伴う空
乏層も広くなる。第15図は単位面積当りの空乏層容量c1
を用いて示した第１の従来例の半導体受光素子の全空乏
層容量CBの等価回路図である。第15図から分かるように
ｐ−ｎ接合の面積が増加すると並列結合される、単位面
積当りの空乏層容量c1の数が増加し全空乏層容量CBが増
加する。従ってCR時定数が大きくなり、高速応答性のよ
い半導体受光素子が得られない。このため空乏層が存在
する領域の比誘電率はできるだけ小さくしたいという要
請がある。
で次の様な問題点があった。すなわち半導体受光素子が
通信に使用される場合には、光ファイバーと接続される
が光ファイバー終端から半導体受光素子の受光面に直接
光を入れる直接結合の場合は、光束が拡散するので受光
面が広い方が結合が容易である。更に大きな光電流を得
る為にも受光面積すなわちｐ−ｎ接合の面積が広い方が
よい。しかしｐ−ｎ接合の面積が広がるとそれに伴う空
乏層も広くなる。第15図は単位面積当りの空乏層容量c1
を用いて示した第１の従来例の半導体受光素子の全空乏
層容量CBの等価回路図である。第15図から分かるように
ｐ−ｎ接合の面積が増加すると並列結合される、単位面
積当りの空乏層容量c1の数が増加し全空乏層容量CBが増
加する。従ってCR時定数が大きくなり、高速応答性のよ
い半導体受光素子が得られない。このため空乏層が存在
する領域の比誘電率はできるだけ小さくしたいという要
請がある。
また、第２の従来例ではp+拡散領域も空乏層もとも
に、比誘電率の小さな光透過層（６）中に存在するた
め、空乏層容量が小さくなり応答速度が大きくなるが必
ずバイアス電圧を印加し空乏層を光吸収層内まで延ばす
必要がある。バイアス電圧が必要になると、結晶欠陥に
よるもれ電流がｐ−ｎ接合の表面露出部の表面もれ電流
はバイアス電圧を印加することにより増加するので、光
電流ともれ電流との合成である出力に対してそのS/N比
が悪くなる。
に、比誘電率の小さな光透過層（６）中に存在するた
め、空乏層容量が小さくなり応答速度が大きくなるが必
ずバイアス電圧を印加し空乏層を光吸収層内まで延ばす
必要がある。バイアス電圧が必要になると、結晶欠陥に
よるもれ電流がｐ−ｎ接合の表面露出部の表面もれ電流
はバイアス電圧を印加することにより増加するので、光
電流ともれ電流との合成である出力に対してそのS/N比
が悪くなる。
この発明は上記の問題点を解消するためになされたも
ので、従来の構造より空乏層容量が小さくかつ零バイア
スにおいても光感度をもつ半導体受光素子を得ることを
目的とし、延いては応答速度が大きくかつ信頼性の高い
半導体受光素子を得ることを目的としている。
ので、従来の構造より空乏層容量が小さくかつ零バイア
スにおいても光感度をもつ半導体受光素子を得ることを
目的とし、延いては応答速度が大きくかつ信頼性の高い
半導体受光素子を得ることを目的としている。
［課題を解決するための手段］ この発明に係わる半導体受光素子は第１導電型の半導
体基板と、この半導体基板の主面上に配設された第１導
電型半導体の光吸収層と、この光吸収層上に密着して配
設された光吸収層より比誘電率の小さい第１導電型半導
体の光透過層と、この光透過層表面に選択的に配設され
た第２導電型の半導体領域とを備え、この半導体領域の
底面の接合に対向する空乏層端を平坦にするとともに底
面が光吸収層に一部貫入する複数の突出部を有するもの
である。
体基板と、この半導体基板の主面上に配設された第１導
電型半導体の光吸収層と、この光吸収層上に密着して配
設された光吸収層より比誘電率の小さい第１導電型半導
体の光透過層と、この光透過層表面に選択的に配設され
た第２導電型の半導体領域とを備え、この半導体領域の
底面の接合に対向する空乏層端を平坦にするとともに底
面が光吸収層に一部貫入する複数の突出部を有するもの
である。
［作用］ この発明における半導体受光素子においては、全空乏
層容量は光吸収層の空乏層容量と光透過層の空乏層容量
とが直列接続された容量と、光吸収層のみの空乏層容量
とが並列接続された容量となるので、全空乏層容量が低
減すると共に、空乏層の端は光吸収層内に存在するので
零バイアスで光電流が得られる。
層容量は光吸収層の空乏層容量と光透過層の空乏層容量
とが直列接続された容量と、光吸収層のみの空乏層容量
とが並列接続された容量となるので、全空乏層容量が低
減すると共に、空乏層の端は光吸収層内に存在するので
零バイアスで光電流が得られる。
［発明の実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の半導体受光素子を示す断面図であ
り、第２図は第１図のＡ・Ａ線断面図である。ここでも
p+拡散領域/n-−InGaAs/n−InP構造によるPIN型フォト
ダイオードの場合について説明する。（１）〜（13）、
（15）は従来例とおなじであるので説明を省略する。
（16）は第２導電型半導体領域、ここではp+拡散領域の
突出部である。
り、第２図は第１図のＡ・Ａ線断面図である。ここでも
p+拡散領域/n-−InGaAs/n−InP構造によるPIN型フォト
ダイオードの場合について説明する。（１）〜（13）、
（15）は従来例とおなじであるので説明を省略する。
（16）は第２導電型半導体領域、ここではp+拡散領域の
突出部である。
第１図、第２図においてp+拡散領域（７）の突出部
（16）は一方向に溝形状をなしながら繰り返し突出して
いて、p+拡散領域（７）がその横断面では光透過層
（６）から光吸収層（５）に櫛の歯状に配置されてい
る。櫛の歯状になっている部分の寸法はたとえばａ寸
法、ｂ寸法とも１μｍ程度である。それ故空乏層端（1
5）はｐ−ｎ接合が光透過層（６）にある部位でも若干
光透過層（６）の方に波打つ程度で光吸収層（５）にあ
る。
（16）は一方向に溝形状をなしながら繰り返し突出して
いて、p+拡散領域（７）がその横断面では光透過層
（６）から光吸収層（５）に櫛の歯状に配置されてい
る。櫛の歯状になっている部分の寸法はたとえばａ寸
法、ｂ寸法とも１μｍ程度である。それ故空乏層端（1
5）はｐ−ｎ接合が光透過層（６）にある部位でも若干
光透過層（６）の方に波打つ程度で光吸収層（５）にあ
る。
第３図は第１図に示された半導体受光素子の空乏層容
量の等価回路図である。従来例と比較すると、ｐ−ｎ接
合が光吸収層（５）にあるところでは単位面積当りの空
乏層容量はc1となり従来例と同じであるが、ｐ−ｎ接合
が光透過層（６）にあるところでは、光透過層（６）の
比誘電率が光吸収層（５）の比誘電率よりも小さいの
で、単位面積当りの空乏層容量は光吸収層（５）のとこ
ろの空乏層容量c1と光透過層（６）のところの空乏層容
量c2との直列接続となるので小さくなる。そのため全空
乏層容量CBは従来例に比べ低減し、フォトダイオードの
応答速度が大きくなる。
量の等価回路図である。従来例と比較すると、ｐ−ｎ接
合が光吸収層（５）にあるところでは単位面積当りの空
乏層容量はc1となり従来例と同じであるが、ｐ−ｎ接合
が光透過層（６）にあるところでは、光透過層（６）の
比誘電率が光吸収層（５）の比誘電率よりも小さいの
で、単位面積当りの空乏層容量は光吸収層（５）のとこ
ろの空乏層容量c1と光透過層（６）のところの空乏層容
量c2との直列接続となるので小さくなる。そのため全空
乏層容量CBは従来例に比べ低減し、フォトダイオードの
応答速度が大きくなる。
また空乏層端（15）はｐ−ｎ接合が光透過層（６）に
ある場合でも若干光透過層（６）の方に波打つ程度で全
体として光吸収層（５）にあるから零バイアスでも光電
流が得られる。
ある場合でも若干光透過層（６）の方に波打つ程度で全
体として光吸収層（５）にあるから零バイアスでも光電
流が得られる。
次に製造方法について説明する。
第４図から第９図は製造の段階に従って示された半導
体受光素子の断面図である。
体受光素子の断面図である。
n+−InP半導体基板（３）にｎ−InPバッファー層
（４）を気相成長させ、この両者で構成されるものを基
板（２）とし、この基板（２）のｎ−InPバッファー層
（４）の上にn-InGaAsの光吸収層（５）を、光吸収層
（５）の上にn-−InGaAsPやn-−InPの光透過層（６）
を、光透過層（６）の上にn-−InGaAsのコンタクト層
（20）を、コンタクト層（20）の上にn-−InPのマスク
層（21）をそれぞれ順次気相成長により積層する。この
段階の半導体受光素子の断面図が第４図である。
（４）を気相成長させ、この両者で構成されるものを基
板（２）とし、この基板（２）のｎ−InPバッファー層
（４）の上にn-InGaAsの光吸収層（５）を、光吸収層
（５）の上にn-−InGaAsPやn-−InPの光透過層（６）
を、光透過層（６）の上にn-−InGaAsのコンタクト層
（20）を、コンタクト層（20）の上にn-−InPのマスク
層（21）をそれぞれ順次気相成長により積層する。この
段階の半導体受光素子の断面図が第４図である。
次にマスク層（21）のエッチングパターンの材料とし
てSiN膜（22）を形成し、CF4などによるドライエッチン
グを行いエッチングパターンを形成する。この段階の半
導体受光素子の断面図が第５図である。
てSiN膜（22）を形成し、CF4などによるドライエッチン
グを行いエッチングパターンを形成する。この段階の半
導体受光素子の断面図が第５図である。
次にn-−InPのマスク層（21）をHClなどでエッチング
する。この段階の半導体受光素子の断面図が第６図であ
る。
する。この段階の半導体受光素子の断面図が第６図であ
る。
次に受光部のSiN膜（22）をCF4などを用いてドライエ
ッチングを行ない除去した後、p+不純物を拡散し、p+拡
散領域（７）を形成する。この段階の半導体受光素子の
断面図が第７図である。
ッチングを行ない除去した後、p+不純物を拡散し、p+拡
散領域（７）を形成する。この段階の半導体受光素子の
断面図が第７図である。
この後SiN膜（22）、マスク層（21）を除去し、電極
コンタクト（11）とする部分を残してコンタクト層（2
0）を除去する。この段階の半導体受光素子の断面図が
第８図である。
コンタクト（11）とする部分を残してコンタクト層（2
0）を除去する。この段階の半導体受光素子の断面図が
第８図である。
更に光透過層（６）の上にSi3N4膜を蒸着し、表面保
護膜（９）、反射防止膜（10）とする。この段階の半導
体受光素子の断面図が第９図である。
護膜（９）、反射防止膜（10）とする。この段階の半導
体受光素子の断面図が第９図である。
以上がこの発明に係わる半導体受光素子の製造方法で
ある。
ある。
なお、上記実施例はp+拡散領域（７）の突出部（16）
は一方向に溝形状をなしながら繰り返し突出していて、
p+拡散領域（７）がその横断面では光透過層（６）から
光吸収層（５）に櫛の歯状に配置されている場合につい
て説明したが、突出部（16）を光吸収層に繰り返し突出
させながら平面形状を種々に変化させてもよい。第10
図、第11図は第１図のＡ・Ａ線断面と同様の断面におけ
る断面図である。第10図は断面形状が同心円形状の実施
例、第11図は同じく断面形状が格子形状の実施例であ
る。
は一方向に溝形状をなしながら繰り返し突出していて、
p+拡散領域（７）がその横断面では光透過層（６）から
光吸収層（５）に櫛の歯状に配置されている場合につい
て説明したが、突出部（16）を光吸収層に繰り返し突出
させながら平面形状を種々に変化させてもよい。第10
図、第11図は第１図のＡ・Ａ線断面と同様の断面におけ
る断面図である。第10図は断面形状が同心円形状の実施
例、第11図は同じく断面形状が格子形状の実施例であ
る。
［発明の効果］ この発明によれば空乏層容量が低減でき、かつ零バイ
アスでも空乏層が光吸収層に延びているので、応答速度
が大きくなると共に零バイアスでも光電流がえられると
いう効果がある。
アスでも空乏層が光吸収層に延びているので、応答速度
が大きくなると共に零バイアスでも光電流がえられると
いう効果がある。
第１図はこの発明の半導体受光素子を示す断面図、第２
図は第１図のＡ・Ａ線断面図、第３図はこの発明の空乏
層容量の等価回路図、第４図から第９図はこの発明の製
造の段階に従って示された半導体受光素子の断面図、第
10図、第11図は第１図のＡ・Ａ線断面と同様の断面にお
ける断面図、第12図は従来例の断面図、第13図は回路
図、第14図は第２の従来例の断面図、第15図は従来例の
空乏層容量の等価回路図である。 （２）は半導体基板、（５）は光吸収層、（６）は光透
過層、（７）は第２導電型半導体領域、（16）は突出部
である。 なお図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
図は第１図のＡ・Ａ線断面図、第３図はこの発明の空乏
層容量の等価回路図、第４図から第９図はこの発明の製
造の段階に従って示された半導体受光素子の断面図、第
10図、第11図は第１図のＡ・Ａ線断面と同様の断面にお
ける断面図、第12図は従来例の断面図、第13図は回路
図、第14図は第２の従来例の断面図、第15図は従来例の
空乏層容量の等価回路図である。 （２）は半導体基板、（５）は光吸収層、（６）は光透
過層、（７）は第２導電型半導体領域、（16）は突出部
である。 なお図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】第１導電型の半導体基板と、 この半導体基板の主面上に配設された第１導電型半導体
の光吸収層と、 この光吸収層上に密着して配設された上記光吸収層より
比誘電率の小さい第１導電型半導体の光透過層と、 この光透過層表面に選択的に配設された第２導電型の半
導体領域とを備え、 この半導体領域の底面の接合に対向する空乏層端を平坦
にするとともに前記底面が上記光吸収層に一部貫入する
複数の突出部を有することを特徴とする半導体受光素
子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198263A JP2661341B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 半導体受光素子 |
| US07/638,545 US5061977A (en) | 1990-07-24 | 1991-01-08 | Semiconductor photodetector device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198263A JP2661341B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 半導体受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0482277A JPH0482277A (ja) | 1992-03-16 |
| JP2661341B2 true JP2661341B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=16388228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2198263A Expired - Lifetime JP2661341B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 半導体受光素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5061977A (ja) |
| JP (1) | JP2661341B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3338234B2 (ja) * | 1995-05-17 | 2002-10-28 | 三菱電機株式会社 | 光トリガサイリスタ及びその製造方法 |
| JPH10190037A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Stanley Electric Co Ltd | Ｐｉｎホトダイオード |
| US5859450A (en) * | 1997-09-30 | 1999-01-12 | Intel Corporation | Dark current reducing guard ring |
| US6081020A (en) * | 1998-02-20 | 2000-06-27 | Lucent Technologies Inc. | Linear PIN photodiode |
| JP4134695B2 (ja) * | 2002-11-21 | 2008-08-20 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
| US20050161695A1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-07-28 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Systems and methods having a metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector with buried oxide layer |
| CN100423291C (zh) * | 2003-09-05 | 2008-10-01 | 新科实业有限公司 | 具有带掩埋氧化层的金属-半导体-金属(msm)光探测器的系统和方法 |
| US7154137B2 (en) * | 2004-10-12 | 2006-12-26 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor and pixel having a non-convex photodiode |
| JP4774966B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2011-09-21 | 日本電気株式会社 | 半導体受光素子 |
| RU187991U1 (ru) * | 2018-11-22 | 2019-03-26 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Динистор с наносекундным быстродействием |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160775A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-16 | Fujitsu Ltd | 受光素子の構造とその製造方法 |
| US4887138A (en) * | 1988-03-23 | 1989-12-12 | The United States Of America As Represented By The Secetary Of The Air Force | P-I-N photodetector having a burried junction |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP2198263A patent/JP2661341B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-01-08 US US07/638,545 patent/US5061977A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5061977A (en) | 1991-10-29 |
| JPH0482277A (ja) | 1992-03-16 |
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