JPH0338887A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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- JPH0338887A JPH0338887A JP1174849A JP17484989A JPH0338887A JP H0338887 A JPH0338887 A JP H0338887A JP 1174849 A JP1174849 A JP 1174849A JP 17484989 A JP17484989 A JP 17484989A JP H0338887 A JPH0338887 A JP H0338887A
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- light
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- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 45
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 9
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概要）
半導体受光素子に係り、特にＩ） Ｉ Ｎフォトダイオ
ードるこ関し 高光入力に対して低電圧でも高速応答が可能なＰＩＮフ
ォトダイオードを実現することを目的とし。
ードるこ関し 高光入力に対して低電圧でも高速応答が可能なＰＩＮフ
ォトダイオードを実現することを目的とし。
〔１〕光吸収層と、該光吸収層の両側に接合するＮ層と
Ｐ層とを含み、該光吸収層は該Ｎｒｒ４との接合面から
内部に向かって徐々に濃度を減ずるｎ型不純物を含み且
つ該Ｐ層との接合面から内部にｌ’ｉｉｌかって徐々に
濃度を滅するｐ型不純物を含む半導体受光素子、及び〔
２〕光吸収層と、該光吸収層の両側に接合するＮ層とＰ
層とを含み、該光吸収層は該Ｐ層との接合面の近傍にｎ
＋領域もつ半導体受光素子により構成する。
Ｐ層とを含み、該光吸収層は該Ｎｒｒ４との接合面から
内部に向かって徐々に濃度を減ずるｎ型不純物を含み且
つ該Ｐ層との接合面から内部にｌ’ｉｉｌかって徐々に
濃度を滅するｐ型不純物を含む半導体受光素子、及び〔
２〕光吸収層と、該光吸収層の両側に接合するＮ層とＰ
層とを含み、該光吸収層は該Ｐ層との接合面の近傍にｎ
＋領域もつ半導体受光素子により構成する。
（産業上の利用分野〕
本発明は半導体受光素子に係り、特にＰＩＮフォトダイ
オードに関する。
オードに関する。
半導体受光素子としてＡＰＤ、Ｉ）ＩＮフォトダイオー
ドが広範囲に使用されている。
ドが広範囲に使用されている。
この中で、 ＬＡＮ （Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅ
ｔｗｏｒｋ）や−般家庭の光フアイバ応用製品への半導
体受光素子の導入を考えた場合２例えば３０乃至５０Ｖ
といった高電圧でしか動作しないＡＰＤよりも１例えば
５乃至６■といった低電圧で動作するＰＩＮＩォトダイ
オードの方が有望である。
ｔｗｏｒｋ）や−般家庭の光フアイバ応用製品への半導
体受光素子の導入を考えた場合２例えば３０乃至５０Ｖ
といった高電圧でしか動作しないＡＰＤよりも１例えば
５乃至６■といった低電圧で動作するＰＩＮＩォトダイ
オードの方が有望である。
その場合５高光入力に対して低電圧でも高速応答が可能
であるように、従来の特性を改善することが要求される
。
であるように、従来の特性を改善することが要求される
。
（従来の技術）
第７図はＩｎＰ／ ＩｎＧａＡｓ系の従来のＰＩＮＩォ
トダイオ−１のエネルギーバンド図の一例である。
トダイオ−１のエネルギーバンド図の一例である。
このようなＰＩＮＩォトダイオードではＩｎＧａＡｓの
光吸収層がドープ濃度Ｉ Ｘ １０”ｃｍ −”以下の
ｎ型半導体で作られ、はとんど真性半導体に近くドープ
濃度が低いために光吸収層ＩｎＧａＡｓ内の電界分布は
フラソトになっている。
光吸収層がドープ濃度Ｉ Ｘ １０”ｃｍ −”以下の
ｎ型半導体で作られ、はとんど真性半導体に近くドープ
濃度が低いために光吸収層ＩｎＧａＡｓ内の電界分布は
フラソトになっている。
ところで、従来構造のＩ） Ｉ Ｎフ第１・ダイオード
では１例えば１ｍＷ以上の高光入力に対して１例えば５
乃至６■といった低電圧では高速応答が困難である。
では１例えば１ｍＷ以上の高光入力に対して１例えば５
乃至６■といった低電圧では高速応答が困難である。
本発明は、光吸収層内部で不純物濃度の分布を変えるこ
とにより、エネルギーバンド構造や電界強度分布を変え
、高光入力に対して低電圧で高速応答を可能ならしめる
構造のＰＩＮＩォトダイオードを提供することを目的と
する。
とにより、エネルギーバンド構造や電界強度分布を変え
、高光入力に対して低電圧で高速応答を可能ならしめる
構造のＰＩＮＩォトダイオードを提供することを目的と
する。
第１図及び第２図は本発明の半導体受光素子Ｉ及びＨの
断面図であり、１は半導体基板、２はバッファ層でＮ層
、３は光吸収層、３１は光吸収層であってｎ”領域、３
２ば光吸収層であってｎ ’ ６Ｗ域。
断面図であり、１は半導体基板、２はバッファ層でＮ層
、３は光吸収層、３１は光吸収層であってｎ”領域、３
２ば光吸収層であってｎ ’ ６Ｗ域。
４はキャップ層、５はＺｎドープＩｎＰＰ層Ｐ層、６は
保護膜、６１は無反射コート膜５７．８は電極を表す。
保護膜、６１は無反射コート膜５７．８は電極を表す。
上記課題は、〔Ｉ〕光吸収層３と、該光吸収層３の両側
に接合するＮ層２と１層５とを含み、該光吸収層３は該
Ｎ層２との接合面から内部に向かって徐々乙こ濃度を減
ずるｎ型不純物を含み且つ該１層５との接合面から内部
に向かって徐々に濃度を減ずるｐ型不純物を含む半導体
受光素子、及び〔２］光吸収層３と、該光吸収層３の両
側に接合するＮ層２と１層５とを含み、該光吸収層３は
該１層５との接合面の近傍にｎ゛型不純物領域３２をも
つ半導体受光素子によって解決される。
に接合するＮ層２と１層５とを含み、該光吸収層３は該
Ｎ層２との接合面から内部に向かって徐々乙こ濃度を減
ずるｎ型不純物を含み且つ該１層５との接合面から内部
に向かって徐々に濃度を減ずるｐ型不純物を含む半導体
受光素子、及び〔２］光吸収層３と、該光吸収層３の両
側に接合するＮ層２と１層５とを含み、該光吸収層３は
該１層５との接合面の近傍にｎ゛型不純物領域３２をも
つ半導体受光素子によって解決される。
（作用］
（１）本発明では、光吸収層３はＮ層２との接合面から
内部に向かって徐々に濃度を減ずるｎ型不純物を含み且
つ１層５との接合面から内部に向かって徐々に濃度を減
ずるｐ型不純物を含む。
内部に向かって徐々に濃度を減ずるｎ型不純物を含み且
つ１層５との接合面から内部に向かって徐々に濃度を減
ずるｐ型不純物を含む。
第３図にこのような半導体受光素子の不純物濃度分布の
例を示す。光吸収層３では１層５例のｐ型からＮ層２例
のｎ型に向かって不純物濃度が連続的に変化している。
例を示す。光吸収層３では１層５例のｐ型からＮ層２例
のｎ型に向かって不純物濃度が連続的に変化している。
第４図にこの様な不純物濃度分布をもつ半導体受光素子
のエネルギーバンド図を示す。この図は外部からバイア
ス電圧を印加しない状態のエネルギーバンド図であるが
、バイアス電圧を印加しない状態でも光吸収層３のエネ
ルギーバンドには電子と正孔の対を発生できるような傾
斜が生し、あたかもバイアス電圧が印加されたと同様の
内部電圧が生しる。それゆえ、外部から印加する電圧が
低くても内部電圧の分が付加され２高光人力に対して低
電圧で高速応答が可能となる。
のエネルギーバンド図を示す。この図は外部からバイア
ス電圧を印加しない状態のエネルギーバンド図であるが
、バイアス電圧を印加しない状態でも光吸収層３のエネ
ルギーバンドには電子と正孔の対を発生できるような傾
斜が生し、あたかもバイアス電圧が印加されたと同様の
内部電圧が生しる。それゆえ、外部から印加する電圧が
低くても内部電圧の分が付加され２高光人力に対して低
電圧で高速応答が可能となる。
〔２〕本発明では、光吸収層３は１層５との接合面の近
傍にｎ″領域３２を設けている。
傍にｎ″領域３２を設けている。
このような半導体受光素子の不純物濃度分布を第５図に
、電界強度分布を第６図に示す。
、電界強度分布を第６図に示す。
光吸収層３に発生した電子と正孔の対がそれぞれＮ側電
極、Ｐ側電極に引かれて移動する時、電子と正孔の移動
度は電子の方が大きく、光吸収層３のＰ層側では正孔の
排出速度がＮ層側での電子の排出速度より小さいので正
孔がたまりやすくそれが一種の空間電荷となり、その結
果、高速応答を妨りろ。この傾向は、低容里化のために
ｎ型基板側から光を入射する構造（第２図）のＰＴＮフ
ォトタイオードでは特に著しい。
極、Ｐ側電極に引かれて移動する時、電子と正孔の移動
度は電子の方が大きく、光吸収層３のＰ層側では正孔の
排出速度がＮ層側での電子の排出速度より小さいので正
孔がたまりやすくそれが一種の空間電荷となり、その結
果、高速応答を妨りろ。この傾向は、低容里化のために
ｎ型基板側から光を入射する構造（第２図）のＰＴＮフ
ォトタイオードでは特に著しい。
そこで、第５図に見るように１層５との接合面の近傍に
ｎ＋域３２を設ける。そうすれば光吸収層３には第６図
に見るような電界強度分布を生しｎ＋域３２では電界強
度が大きくなる。従って。
ｎ＋域３２を設ける。そうすれば光吸収層３には第６図
に見るような電界強度分布を生しｎ＋域３２では電界強
度が大きくなる。従って。
光吸収によって生した電子と正札の対のうち、正札は強
くＰ層側へ引き寄せられる。その結果、Ｐ層側に正孔が
たまるということがなくなって正孔と電子のバランスが
とれ、高光入力に対して高速応答が得られる。
くＰ層側へ引き寄せられる。その結果、Ｐ層側に正孔が
たまるということがなくなって正孔と電子のバランスが
とれ、高光入力に対して高速応答が得られる。
（実施例］
以下１本発明の実施例について説明する。
実施例Ｉ：第１図に示した半導体受光装置Ｉの構造を実
現する具体例について説明する。
現する具体例について説明する。
半導体基板１としてｎ”−１ｎＰ基板を用い、その」−
に同し；＜ｎ”−１ｎＰのバッファ層２を成長する。
に同し；＜ｎ”−１ｎＰのバッファ層２を成長する。
バッファ層２の上にＩｎＧａＡｓの光吸収層３を成長す
る。その成長の初期にｎ型不純物としてＳｌを１×１０
ｌ ６ ｃ ｍ−２以上添加し、光吸収層３の層厚の
増加とともにその量を徐々に減少し光吸収層３の層厚が
１．５ μｍのところでゼロとし、つづいてｎ型不純物
としてＺｎをゼ１コから徐々に増加して添加し光吸収層
３の成長の最終段階ではＩ Ｘ Ｉ Ｏ”ｃｍ−３以上
とする。
る。その成長の初期にｎ型不純物としてＳｌを１×１０
ｌ ６ ｃ ｍ−２以上添加し、光吸収層３の層厚の
増加とともにその量を徐々に減少し光吸収層３の層厚が
１．５ μｍのところでゼロとし、つづいてｎ型不純物
としてＺｎをゼ１コから徐々に増加して添加し光吸収層
３の成長の最終段階ではＩ Ｘ Ｉ Ｏ”ｃｍ−３以上
とする。
次に、キャップ層４としてｎ−−１ｎＰ層４を成長する
。
。
各層の厚さと不純物量は次の如くである。
１、基板 ｎ ’ −１ｎＰ ３５０
ｕ ｍ（Ｉ Ｘ １０ ”ｃｍ−’Ｓｉドープ）２、バ
ッファ層 ｎ ’ −１ｎＰ １．５〜２ ｔｌ
ｍ（Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ−３３ｉ トープ）３、光吸
収層 Ｓｉ、ＺｎトープＩｎＧａＡｓ２〜３μｍ ４、キャップ層 ｎ−−ＩｎＰ Ｉ μｍ（
Ｉ Ｘ １０１６ｃｍ−３５ｉ トープ）次に、−１−
ヤソプ層４の上にＳｉＮの保護膜６を形威し、 Ｚｎを
拡散する領域のＳｉＮをエツチングして取り除き、Ｚｎ
を拡散して１層５を形成する。
ｕ ｍ（Ｉ Ｘ １０ ”ｃｍ−’Ｓｉドープ）２、バ
ッファ層 ｎ ’ −１ｎＰ １．５〜２ ｔｌ
ｍ（Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ−３３ｉ トープ）３、光吸
収層 Ｓｉ、ＺｎトープＩｎＧａＡｓ２〜３μｍ ４、キャップ層 ｎ−−ＩｎＰ Ｉ μｍ（
Ｉ Ｘ １０１６ｃｍ−３５ｉ トープ）次に、−１−
ヤソプ層４の上にＳｉＮの保護膜６を形威し、 Ｚｎを
拡散する領域のＳｉＮをエツチングして取り除き、Ｚｎ
を拡散して１層５を形成する。
次いで、全所にＳｉＮの無反射コート膜６１を形成する
。
。
最後に、無反射コート膜を一部除去して２層５上にＰ側
電極７．ｎ’ −１ｎＰ基板１下にＮ側電極８を形成す
る。
電極７．ｎ’ −１ｎＰ基板１下にＮ側電極８を形成す
る。
第１図にはＰ層側から光を照射する構造を示したが、Ｎ
層側から照射するように電極７，８を形成することもで
きる。
層側から照射するように電極７，８を形成することもで
きる。
実施例１：次に５本発明の半導体受光素子■の構造を実
現する具体例について説明する。
現する具体例について説明する。
半導体基板１としてｎ’−１ｎＰ基板を用い、その上に
同しく ｎ ” −１ｎＰのバッファ層２を成長する。
同しく ｎ ” −１ｎＰのバッファ層２を成長する。
バッファ層２の上に、 ｎ−−４ｎＧａＡｓのｎ−領
域３１を形成する。ｎ−領域３１の上にｎ ’ −１ｎ
ＧａＡｓのｎ＋域３２を形成する。ｎ−領域３１とｎ＋
域３２は光吸収層３となる。
域３１を形成する。ｎ−領域３１の上にｎ ’ −１ｎ
ＧａＡｓのｎ＋域３２を形成する。ｎ−領域３１とｎ＋
域３２は光吸収層３となる。
次に、キャップ層４としてｎ−４ｎＰ層４を成長する。
各層の厚さと不純物量は次の如くである。
１ 、 基牟反 ｎ” −１ｎＰ
３５０ ｔｔｍ（Ｉ Ｘ Ｉ Ｏｌ
ｌ１ｃｍ−３３ｉドープ）２、バッファ層 ｎ ” −
ｆｎＰ １．５〜２ ／／ ｍ（Ｉ Ｘ １０１８
ｃｍ−’Ｓｉドープ）３１、ｎ−領域 ｎ−−１ｎＧａ
Ａｓ ２ ｔｔｍ３２、ｎ’領領域ｎ ’ −
ＩｎＧａＡｓ ０．１〜０．５ ｕ ｍ（５Ｘ １０１
６〜ｌ Ｘ １０ ”ｃｍ−ＪＳｉドープ）４、キャッ
プ層 ｎ−４ｎＰ Ｉ μｍ（Ｉ Ｘ １０
”ｃｍ−”Ｓｉドープ）次に、キャップ層４の上にＳ
ｉＮの保護膜６を形威し、 Ｚｎを拡散する領域のＳｉ
Ｎをエツチングして取り除き、 Ｚｎを拡散して１層５
を形成する。
３５０ ｔｔｍ（Ｉ Ｘ Ｉ Ｏｌ
ｌ１ｃｍ−３３ｉドープ）２、バッファ層 ｎ ” −
ｆｎＰ １．５〜２ ／／ ｍ（Ｉ Ｘ １０１８
ｃｍ−’Ｓｉドープ）３１、ｎ−領域 ｎ−−１ｎＧａ
Ａｓ ２ ｔｔｍ３２、ｎ’領領域ｎ ’ −
ＩｎＧａＡｓ ０．１〜０．５ ｕ ｍ（５Ｘ １０１
６〜ｌ Ｘ １０ ”ｃｍ−ＪＳｉドープ）４、キャッ
プ層 ｎ−４ｎＰ Ｉ μｍ（Ｉ Ｘ １０
”ｃｍ−”Ｓｉドープ）次に、キャップ層４の上にＳ
ｉＮの保護膜６を形威し、 Ｚｎを拡散する領域のＳｉ
Ｎをエツチングして取り除き、 Ｚｎを拡散して１層５
を形成する。
次いで、 ＺｎをドープしたＩｎＰの２層５上にＰ側電
極７．ｎ’ −ＩｎＰ基板１下の光を入射する部分を除
く領域にＮ側電極８を形成する。
極７．ｎ’ −ＩｎＰ基板１下の光を入射する部分を除
く領域にＮ側電極８を形成する。
さらに、ｎ’−ＩｎＰ基板１の光を入射する部分にＳｉ
Ｎの１！■（反７１寸コート膜６■を形成する。
Ｎの１！■（反７１寸コート膜６■を形成する。
第２図にはＮ層側から光を照射する構造を示したが、Ｐ
層側から照躬するように電極７，８を形成することもで
きる。
層側から照躬するように電極７，８を形成することもで
きる。
かくして、５乃至６ｖのバイアス電圧で高光入力に対し
て高速応答が可能な半導体受光素子が実現する。
て高速応答が可能な半導体受光素子が実現する。
以上説明した様に１本発明によれば、光吸収層の不純物
濃度分布を特定の分布に設定することにより、高光入力
に対して低バイアス電圧で高速応答が得られるＰＩＮＩ
ォトダイオード；ｆ：提供することかできる。
濃度分布を特定の分布に設定することにより、高光入力
に対して低バイアス電圧で高速応答が得られるＰＩＮＩ
ォトダイオード；ｆ：提供することかできる。
第１１１１本発明の半導体受光素子１の断面図第２図は
本発明の半導体受光素子Ｈの断面図。 第３図は半導体受光素子Ｉの不純物濃度分布第４図は半
導体受光素子ｆのエネルギーバンド第５図は半導体受光
素子１１の不純物濃度分ｉ−ｉ第６図は゛半導体受光素
子１１の電界強度分布第７図は従来のＰＩＮフォトダイ
オ＝Ｉ・のエネルギーバンド図 である。図において。 ］は半導体基板であってｎ’−１ｎＰ基板。 ２はバッファ層でありＮ層であってｎ’−ＩｎＰ３は光
吸収層であってＩｎＧａＡｓ ３１ば光吸収層でありｎ−領域であってｎ−−１ｎＧａ
Ａｓ ３２は光吸収層でありｎ’６ｉｌ域であってｎ ″ −
１ｎＧａＡｓ ／１番１１キャンプ層であってｎ−−１ｎＰ５はｌ）層
であってＺｎドープＩｎＰ ６は保護膜 Ｇ ］ Ｉｔ 無反Ｕ＋ｔ ：ｒ −ｌ・ＪＩＳ！７は
電極であってＰ側電極。 ８は電極であってＮ側電極 平導体受＃−末子王の不Ｈソ（支）濃癒勿−を半萼イ木
受光覧子■の千靴物濃崖ゲ炸 Ｐ層 光吸ぜＡ 隋屑 キ褥体妃光党ふ工つＬ矛Ｊし考゛−パンＹ図算 ヰ 閉 千導ａ愛飼目江０礪解弦わ殉 ダ 閉 従来のＰＩＮフオトタ゛ イオード′の１ネルＡ゛゛−バンド′図蓄 ワ 圓 −Ｆ＋、／ＬＲ−
本発明の半導体受光素子Ｈの断面図。 第３図は半導体受光素子Ｉの不純物濃度分布第４図は半
導体受光素子ｆのエネルギーバンド第５図は半導体受光
素子１１の不純物濃度分ｉ−ｉ第６図は゛半導体受光素
子１１の電界強度分布第７図は従来のＰＩＮフォトダイ
オ＝Ｉ・のエネルギーバンド図 である。図において。 ］は半導体基板であってｎ’−１ｎＰ基板。 ２はバッファ層でありＮ層であってｎ’−ＩｎＰ３は光
吸収層であってＩｎＧａＡｓ ３１ば光吸収層でありｎ−領域であってｎ−−１ｎＧａ
Ａｓ ３２は光吸収層でありｎ’６ｉｌ域であってｎ ″ −
１ｎＧａＡｓ ／１番１１キャンプ層であってｎ−−１ｎＰ５はｌ）層
であってＺｎドープＩｎＰ ６は保護膜 Ｇ ］ Ｉｔ 無反Ｕ＋ｔ ：ｒ −ｌ・ＪＩＳ！７は
電極であってＰ側電極。 ８は電極であってＮ側電極 平導体受＃−末子王の不Ｈソ（支）濃癒勿−を半萼イ木
受光覧子■の千靴物濃崖ゲ炸 Ｐ層 光吸ぜＡ 隋屑 キ褥体妃光党ふ工つＬ矛Ｊし考゛−パンＹ図算 ヰ 閉 千導ａ愛飼目江０礪解弦わ殉 ダ 閉 従来のＰＩＮフオトタ゛ イオード′の１ネルＡ゛゛−バンド′図蓄 ワ 圓 −Ｆ＋、／ＬＲ−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕光吸収層（３）と、該光吸収層（３）の両側に接
合するＮ層（２）とＰ層（５）とを含み、該光吸収層（
３）は該Ｎ層（２）との接合面から内部に向かって徐々
に濃度を減ずるｎ型不純物を含み且つ該Ｐ層（５）との
接合面から内部に向かって徐々に濃度を減ずるｐ型不純
物を含むことを特徴とする半導体受光素子。 〔２〕光吸収層（３）と、該光吸収層（３）の両側に接
合するＮ層（２）とＰ層（５）とを含み、該光吸収層（
３）は該Ｐ層（５）との接合面の近傍にｎ＾＋領域（３
２）をもつことを特徴とする半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174849A JPH0338887A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174849A JPH0338887A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0338887A true JPH0338887A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15985728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1174849A Pending JPH0338887A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0338887A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05160426A (ja) * | 1991-12-06 | 1993-06-25 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| JP2009206499A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法 |
| WO2010029813A1 (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-18 | 住友電気工業株式会社 | 撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置 |
| WO2010032553A1 (ja) * | 2008-09-22 | 2010-03-25 | 住友電気工業株式会社 | 食品品質検査装置、食品成分検査装置、異物成分検査装置、食味検査装置および変移状態検査装置 |
| WO2010073768A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 住友電気工業株式会社 | 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法 |
| WO2010073769A1 (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | 住友電気工業株式会社 | 生体成分検出装置 |
| JP2010151690A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気体モニタリング装置、燃焼状態モニタリング装置、経年変化モニタリング装置、および不純物濃度モニタリング装置 |
| JP2011101046A (ja) * | 2011-01-21 | 2011-05-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置 |
| JP2011137836A (ja) * | 2011-03-17 | 2011-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 水分検出装置、生体中水分検出装置、自然産物中水分検出装置、および製品・材料中水分検出装置 |
| JP2011146725A (ja) * | 2011-02-21 | 2011-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 食品品質検査装置、食品成分検査装置、異物成分検査装置、食味検査装置および変移状態検査装置 |
| JP2011151401A (ja) * | 2011-02-21 | 2011-08-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 生体成分検出装置 |
| US7999231B2 (en) | 2008-08-29 | 2011-08-16 | Sumitomo Electric Inductries, Ltd. | Moisture detector, biological body moisture detector, natural product moisture detector, and product/material moisture detector |
| US9130083B2 (en) | 2012-11-05 | 2015-09-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor light receiving device and light receiving apparatus |
| JP2015170686A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 日本電信電話株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
| CN105097964A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-11-25 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种有源区高斯掺杂型pπn紫外探测器 |
| JP2017204561A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 株式会社東芝 | 光検出器、光検出装置、およびライダー装置 |
| US11476382B2 (en) | 2021-01-26 | 2022-10-18 | Lumentum Japan, Inc. | Semiconductor light-receiving element |
| US11916161B2 (en) | 2021-01-26 | 2024-02-27 | Lumentum Japan, Inc. | Semiconductor light-receiving element |
-
1989
- 1989-07-06 JP JP1174849A patent/JPH0338887A/ja active Pending
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05160426A (ja) * | 1991-12-06 | 1993-06-25 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| JP2009206499A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法 |
| JP2011101032A (ja) * | 2008-02-01 | 2011-05-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法 |
| US8188559B2 (en) | 2008-02-01 | 2012-05-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light-receiving element and light-receiving element array |
| JP4662188B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2011-03-30 | 住友電気工業株式会社 | 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法 |
| US8729527B2 (en) | 2008-02-01 | 2014-05-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light-receiving element, light-receiving element array, method for manufacturing light-receiving element and method for manufacturing light-receiving element array |
| US7999231B2 (en) | 2008-08-29 | 2011-08-16 | Sumitomo Electric Inductries, Ltd. | Moisture detector, biological body moisture detector, natural product moisture detector, and product/material moisture detector |
| JP2010067861A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置 |
| US8564666B2 (en) | 2008-09-11 | 2013-10-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Image pickup device, visibility support apparatus, night vision device, navigation support apparatus, and monitoring device |
| US8243139B2 (en) | 2008-09-11 | 2012-08-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Image pickup device, visibility support apparatus, night vision device, navigation support apparatus, and monitoring device |
| WO2010029813A1 (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-18 | 住友電気工業株式会社 | 撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置 |
| JP2010074099A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 食品品質検査装置、食品成分検査装置、異物成分検査装置、食味検査装置および変移状態検査装置 |
| WO2010032553A1 (ja) * | 2008-09-22 | 2010-03-25 | 住友電気工業株式会社 | 食品品質検査装置、食品成分検査装置、異物成分検査装置、食味検査装置および変移状態検査装置 |
| US8546758B2 (en) | 2008-09-22 | 2013-10-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Food quality examination device, food component examination device, foreign matter component examination device, taste examination device, and changed state examination device |
| WO2010073769A1 (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | 住友電気工業株式会社 | 生体成分検出装置 |
| US8373156B2 (en) | 2008-12-22 | 2013-02-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Biological component detection device |
| US8624189B2 (en) | 2008-12-25 | 2014-01-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gas monitoring device, combustion state monitoring device, secular change monitoring device, and impurity concentration monitoring device |
| JP2010151690A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気体モニタリング装置、燃焼状態モニタリング装置、経年変化モニタリング装置、および不純物濃度モニタリング装置 |
| WO2010073768A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 住友電気工業株式会社 | 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法 |
| JP2011101046A (ja) * | 2011-01-21 | 2011-05-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置 |
| JP2011151401A (ja) * | 2011-02-21 | 2011-08-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 生体成分検出装置 |
| JP2011146725A (ja) * | 2011-02-21 | 2011-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 食品品質検査装置、食品成分検査装置、異物成分検査装置、食味検査装置および変移状態検査装置 |
| JP2011137836A (ja) * | 2011-03-17 | 2011-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 水分検出装置、生体中水分検出装置、自然産物中水分検出装置、および製品・材料中水分検出装置 |
| US9130083B2 (en) | 2012-11-05 | 2015-09-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor light receiving device and light receiving apparatus |
| JP2015170686A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 日本電信電話株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
| CN105097964A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-11-25 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种有源区高斯掺杂型pπn紫外探测器 |
| JP2017204561A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 株式会社東芝 | 光検出器、光検出装置、およびライダー装置 |
| US11476382B2 (en) | 2021-01-26 | 2022-10-18 | Lumentum Japan, Inc. | Semiconductor light-receiving element |
| US11916161B2 (en) | 2021-01-26 | 2024-02-27 | Lumentum Japan, Inc. | Semiconductor light-receiving element |
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