JPH05160426A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
- Publication number
- JPH05160426A JPH05160426A JP3349014A JP34901491A JPH05160426A JP H05160426 A JPH05160426 A JP H05160426A JP 3349014 A JP3349014 A JP 3349014A JP 34901491 A JP34901491 A JP 34901491A JP H05160426 A JPH05160426 A JP H05160426A
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- Japan
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- inp
- ingaas
- diffusion
- light absorption
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ｎ- 光吸収層を薄くかつ低濃度にできるよう
にして、高光入力時においてキャリアによって電界分布
に歪みが生じるのを防止し、高速応答性と低歪み特性を
得る。 【構成】 ｎ+ −ＩｎＰ基板１上に、ｎ−ＩｎＰ緩衝層
２、２．０μｍ以下の層厚で十分に低濃度のｎ- −Ｉｎ
ＧａＡｓ光吸収層３、０．１μｍ程度の薄いｎ+−Ｉｎ
ＧａＡｓ光吸収層４、ｎ−ＩｎＰ窓層５を順にエピタキ
シャル成長させ、拡散によりｐ+ −ＩｎＰ領域６を形成
する。 【効果】 ｐｎ接合形成時において、拡散速度は窓層５
に比べｎ+ −ＩｎＧａＡｓ層４内で１／３になるため拡
散深さの制御性が向上する。また、光吸収層３がｐ型化
されるのが防止され、素子容量の増大を防止することが
できる。
にして、高光入力時においてキャリアによって電界分布
に歪みが生じるのを防止し、高速応答性と低歪み特性を
得る。 【構成】 ｎ+ −ＩｎＰ基板１上に、ｎ−ＩｎＰ緩衝層
２、２．０μｍ以下の層厚で十分に低濃度のｎ- −Ｉｎ
ＧａＡｓ光吸収層３、０．１μｍ程度の薄いｎ+−Ｉｎ
ＧａＡｓ光吸収層４、ｎ−ＩｎＰ窓層５を順にエピタキ
シャル成長させ、拡散によりｐ+ −ＩｎＰ領域６を形成
する。 【効果】 ｐｎ接合形成時において、拡散速度は窓層５
に比べｎ+ −ＩｎＧａＡｓ層４内で１／３になるため拡
散深さの制御性が向上する。また、光吸収層３がｐ型化
されるのが防止され、素子容量の増大を防止することが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信装置や光情報処理
装置に用いられる半導体受光素子に関する。
装置に用いられる半導体受光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体受光素子は、光通信用や光
情報処理用の高感度長波長受光器として実用化されてい
るが、中でもＩｎＧａＡｓを用いた波長１．３μｍある
いは１．５５μｍに対する半導体受光素子は、大容量長
距離光通信用として広く使われている。
情報処理用の高感度長波長受光器として実用化されてい
るが、中でもＩｎＧａＡｓを用いた波長１．３μｍある
いは１．５５μｍに対する半導体受光素子は、大容量長
距離光通信用として広く使われている。
【０００３】このＩｎＧａＡｓを使ったｐｉｎホトダイ
オードの従来例を図４に示す。従来は、ｎ+ −ＩｎＰ基
板１上に、キャリア濃度１Ｅ１５〜２Ｅ１６cm-3、層厚
１〜３μｍのｎ−ＩｎＰ緩衝層２、キャリア濃度１Ｅ１
４〜１Ｅ１６cm-3、層厚１〜５μｍのｎ- −ＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層３、キャリア濃度１Ｅ１５〜３Ｅ１６cm-3、
層厚０．５〜２μｍのｎ−ＩｎＰ窓層５を、順次、気相
成長法により成長させて形成したエピタキシャルウェハ
に、受光部としてキャリア濃度１Ｅ１７〜１Ｅ２０cm-3
のｐ+ −ＩｎＰ領域６をＺｎの封止拡散により選択的に
形成し、さらに絶縁膜７、ｐ側電極８、ｎ側電極９を形
成して、ｐｉｎホトダイオードを作成していた。
オードの従来例を図４に示す。従来は、ｎ+ −ＩｎＰ基
板１上に、キャリア濃度１Ｅ１５〜２Ｅ１６cm-3、層厚
１〜３μｍのｎ−ＩｎＰ緩衝層２、キャリア濃度１Ｅ１
４〜１Ｅ１６cm-3、層厚１〜５μｍのｎ- −ＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層３、キャリア濃度１Ｅ１５〜３Ｅ１６cm-3、
層厚０．５〜２μｍのｎ−ＩｎＰ窓層５を、順次、気相
成長法により成長させて形成したエピタキシャルウェハ
に、受光部としてキャリア濃度１Ｅ１７〜１Ｅ２０cm-3
のｐ+ −ＩｎＰ領域６をＺｎの封止拡散により選択的に
形成し、さらに絶縁膜７、ｐ側電極８、ｎ側電極９を形
成して、ｐｉｎホトダイオードを作成していた。
【０００４】このホトダイオードに逆バイアス電圧が印
加されると、光吸収層であるＩｎＧａＡｓ層内に空乏層
が広がる。そしてこのＩｎＧａＡｓ層のバンドギャップ
エネルギーに相当する波長１．６７μｍ以下の光、例え
ば１．３μｍの光が入射されると、この光吸収層内にお
いて光電効果によるキャリアが生成される。生成された
キャリアは空乏層内の２０〜１００ｋＶ／cmの内部電界
によって飽和速度まで加速され、ホトカレントとして外
部回路へ取り出される。
加されると、光吸収層であるＩｎＧａＡｓ層内に空乏層
が広がる。そしてこのＩｎＧａＡｓ層のバンドギャップ
エネルギーに相当する波長１．６７μｍ以下の光、例え
ば１．３μｍの光が入射されると、この光吸収層内にお
いて光電効果によるキャリアが生成される。生成された
キャリアは空乏層内の２０〜１００ｋＶ／cmの内部電界
によって飽和速度まで加速され、ホトカレントとして外
部回路へ取り出される。
【０００５】このｐｉｎホトダイオードに１ｍＡ以上ホ
トカレントが生じるような光が入射すると、ＩｎＧａＡ
ｓ層内に高密度にキャリアが発生し、ＩｎＧａＡｓ層内
に印加された電界が多量の生成キャリアによって打ち消
されるために内部電界が低下する（空間電荷効果）。そ
のためＩｎＧａＡｓ層内を走行するキャリアの速度が低
下し、結果としてｐｉｎホトダイオードの高速応答が妨
げられる。
トカレントが生じるような光が入射すると、ＩｎＧａＡ
ｓ層内に高密度にキャリアが発生し、ＩｎＧａＡｓ層内
に印加された電界が多量の生成キャリアによって打ち消
されるために内部電界が低下する（空間電荷効果）。そ
のためＩｎＧａＡｓ層内を走行するキャリアの速度が低
下し、結果としてｐｉｎホトダイオードの高速応答が妨
げられる。
【０００６】また、アナログ伝送光通信の場合には、１
ｍＡ以上のホトカレントを生じさせる光入射が行われる
と、この空間電荷効果により空乏層内の電界分布が歪む
ことにより、速いキャリアと遅いキャリアが生じるため
相互変調歪みが発生し、これがアナログ伝送特性を劣化
させる原因となる。
ｍＡ以上のホトカレントを生じさせる光入射が行われる
と、この空間電荷効果により空乏層内の電界分布が歪む
ことにより、速いキャリアと遅いキャリアが生じるため
相互変調歪みが発生し、これがアナログ伝送特性を劣化
させる原因となる。
【０００７】上記した空間電荷効果を抑えるためには、
光吸収層であるＩｎＧａＡｓ層を２μｍ以下に薄くしか
つそのキャリア濃度を２Ｅ１５cm-3以下に低濃度化して
層間の電界を強化することが有効であることが知られて
いる。
光吸収層であるＩｎＧａＡｓ層を２μｍ以下に薄くしか
つそのキャリア濃度を２Ｅ１５cm-3以下に低濃度化して
層間の電界を強化することが有効であることが知られて
いる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した光吸収層を薄
くかつ低濃度化したｐｉｎホトダイオードでは、低濃度
化されている光吸収層内に１Ｅ１８cm-3以上の高濃度の
ｐ型不純物拡散を行うと、低濃度領域にその拡散フロン
トが達したと同時に拡散速度が増すため、拡散位置の制
御が困難になる。同時に、ｐｎ接合状態は片側に空乏層
が延びる片側階段接合が理想的であるところ、ｎ型の低
濃度領域にｐ型の低濃度領域が形成されるため、その接
合は傾斜型接合となって両側に空乏層が延びることにな
る。さらに拡散が進んだ場合ｎ型の低濃度領域がｐの低
濃度領域に反転してしまい、その結果素子容量の増大を
招く。
くかつ低濃度化したｐｉｎホトダイオードでは、低濃度
化されている光吸収層内に１Ｅ１８cm-3以上の高濃度の
ｐ型不純物拡散を行うと、低濃度領域にその拡散フロン
トが達したと同時に拡散速度が増すため、拡散位置の制
御が困難になる。同時に、ｐｎ接合状態は片側に空乏層
が延びる片側階段接合が理想的であるところ、ｎ型の低
濃度領域にｐ型の低濃度領域が形成されるため、その接
合は傾斜型接合となって両側に空乏層が延びることにな
る。さらに拡散が進んだ場合ｎ型の低濃度領域がｐの低
濃度領域に反転してしまい、その結果素子容量の増大を
招く。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体受光素子
は、第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形
成された低不純物濃度で第１導電型の第１の光吸収層
と、前記第１の光吸収層上に形成された、高不純物濃度
で第１導電型の第２の光吸収層と、前記第２の光吸収層
上に形成された第１導電型の窓層と、を備え、前記窓層
の表面から前記第２の光吸収層に到達する第２導電型の
拡散層が形成されたものである。
は、第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形
成された低不純物濃度で第１導電型の第１の光吸収層
と、前記第１の光吸収層上に形成された、高不純物濃度
で第１導電型の第２の光吸収層と、前記第２の光吸収層
上に形成された第１導電型の窓層と、を備え、前記窓層
の表面から前記第２の光吸収層に到達する第２導電型の
拡散層が形成されたものである。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例を示す断面
図である。同図に示されるように、ｎ+ −ＩｎＰ基板１
上に気相成長法により、キャリア濃度１Ｅ１５〜２Ｅ１
６cm-3、層厚１〜３μｍが好ましいｎ−ＩｎＰ緩衝層２
を、キャリア濃度１Ｅ１５cm-3、層厚２μｍに、キャリ
ア濃度２Ｅ１５cm-3以下、層厚１〜２μｍが好ましいｎ
- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層３を、キャリア濃度１Ｅ１５
cm-3、層厚１．４μｍに、キャリア濃度３Ｅ１５〜１Ｅ
１６cm-3、層厚０．０１〜１μｍが好ましい、IV族元素
がドープされたｎ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層４を、キャ
リア濃度１Ｅ１６cm-3、層厚０．１μｍに、それぞれ成
長させ、その後キャリア濃度１Ｅ１５〜３Ｅ１６cm-3、
層厚０．５〜３μｍが好ましいｎ−ＩｎＰ窓層５を、キ
ャリア濃度１Ｅ１６cm-3、層厚１μｍに成長させる。
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例を示す断面
図である。同図に示されるように、ｎ+ −ＩｎＰ基板１
上に気相成長法により、キャリア濃度１Ｅ１５〜２Ｅ１
６cm-3、層厚１〜３μｍが好ましいｎ−ＩｎＰ緩衝層２
を、キャリア濃度１Ｅ１５cm-3、層厚２μｍに、キャリ
ア濃度２Ｅ１５cm-3以下、層厚１〜２μｍが好ましいｎ
- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層３を、キャリア濃度１Ｅ１５
cm-3、層厚１．４μｍに、キャリア濃度３Ｅ１５〜１Ｅ
１６cm-3、層厚０．０１〜１μｍが好ましい、IV族元素
がドープされたｎ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層４を、キャ
リア濃度１Ｅ１６cm-3、層厚０．１μｍに、それぞれ成
長させ、その後キャリア濃度１Ｅ１５〜３Ｅ１６cm-3、
層厚０．５〜３μｍが好ましいｎ−ＩｎＰ窓層５を、キ
ャリア濃度１Ｅ１６cm-3、層厚１μｍに成長させる。
【００１１】このエピタキシャルウェハ上にＳｉＯ2 を
ＣＶＤ法により成長させ、受光部分に５０μｍφの穴開
けを行って拡散マスクを形成し、Ｚｎの封止拡散によ
り、キャリア濃度１Ｅ１７〜１Ｅ２０cm-3のｐ+ −Ｉｎ
Ｐ領域６を選択的に形成する。このとき、ｎ+ −ＩｎＧ
ａＡｓ光吸収層４により拡散速度が低下するためｐ+ −
ＩｎＰ領域の拡散フロントはこの層内に半自動的に停止
する。このｎ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層の厚さは、１μ
ｍ以上にすると光吸収層での電界強度が低下して高速性
が阻害され、また、０．０１μｍ以下にすると、膜厚の
制御が困難となりかつ拡散フロントがこの層を突き抜け
る可能性が生じるので、上記範囲内に収めることが好ま
しい。
ＣＶＤ法により成長させ、受光部分に５０μｍφの穴開
けを行って拡散マスクを形成し、Ｚｎの封止拡散によ
り、キャリア濃度１Ｅ１７〜１Ｅ２０cm-3のｐ+ −Ｉｎ
Ｐ領域６を選択的に形成する。このとき、ｎ+ −ＩｎＧ
ａＡｓ光吸収層４により拡散速度が低下するためｐ+ −
ＩｎＰ領域の拡散フロントはこの層内に半自動的に停止
する。このｎ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層の厚さは、１μ
ｍ以上にすると光吸収層での電界強度が低下して高速性
が阻害され、また、０．０１μｍ以下にすると、膜厚の
制御が困難となりかつ拡散フロントがこの層を突き抜け
る可能性が生じるので、上記範囲内に収めることが好ま
しい。
【００１２】その後、拡散マスクを除去して新たに絶縁
膜７を堆積し、窓開けを行ってｐ側電極８を形成する。
次に、ｎ+ −ＩｎＰ基板の裏面を基板厚が１００〜２０
０μｍになるまで鏡面研磨し、その面に通常の方法でｎ
側電極９を形成する。
膜７を堆積し、窓開けを行ってｐ側電極８を形成する。
次に、ｎ+ −ＩｎＰ基板の裏面を基板厚が１００〜２０
０μｍになるまで鏡面研磨し、その面に通常の方法でｎ
側電極９を形成する。
【００１３】ｐ+ −ＩｎＰ領域６を形成する拡散工程に
おいて、拡散フロントはｎ−ＩｎＰ窓層５からｎ+ −Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層４に到達すると拡散速度が約１／３
に低下するため、拡散の制御性が向上するとともにｎ-
−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３内のｐ型化が防止され、素子
容量の増加を防ぐことができる。このｐｉｎホトダイオ
ードに電圧ＶR を印加したときの光吸収層３、４内の電
界分布を図２に示す。
おいて、拡散フロントはｎ−ＩｎＰ窓層５からｎ+ −Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層４に到達すると拡散速度が約１／３
に低下するため、拡散の制御性が向上するとともにｎ-
−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３内のｐ型化が防止され、素子
容量の増加を防ぐことができる。このｐｉｎホトダイオ
ードに電圧ＶR を印加したときの光吸収層３、４内の電
界分布を図２に示す。
【００１４】図３は、本発明の第２の実施例に係る裏面
入射型ｐｉｎホトダイオードの断面図である。本実施例
は、先の実施例と同様な方法により、エピタキシャルウ
ェハを形成し、Ｚｎの拡散によりｐ+ −ＩｎＰ領域６を
形成した後、表面に絶縁膜７とｐ側電極８を、また裏面
に絶縁膜７とｎ側電極９を形成したものである。本実施
例でも先の実施例と同様の効果が得られ、その光吸収層
の電界分布も図２に示したものとなる。
入射型ｐｉｎホトダイオードの断面図である。本実施例
は、先の実施例と同様な方法により、エピタキシャルウ
ェハを形成し、Ｚｎの拡散によりｐ+ −ＩｎＰ領域６を
形成した後、表面に絶縁膜７とｐ側電極８を、また裏面
に絶縁膜７とｎ側電極９を形成したものである。本実施
例でも先の実施例と同様の効果が得られ、その光吸収層
の電界分布も図２に示したものとなる。
【００１５】一般に裏面入射のｐｉｎホトダイオードの
場合、光吸収層内の最も電界の低い部分と入射光強度の
最も高い部分とが一致するため、空間電荷効果による電
圧降下の影響を受けやすいが、本実施例では、ＶR ＝１
０Ｖの電圧を印加した場合、最も電界の低くなるｎ- −
ＩｎＧａＡｓ光吸収層とｎ−ＩｎＰ緩衝層との界面にお
いても３０ｋＶ／cm以上の電界強度が得られるため、こ
のような現象は生じない。よって、本発明により、高光
入力時にも高速応答性および低歪み特性の損なわれるこ
とのない裏面入射型ホトダイオードが得られる。
場合、光吸収層内の最も電界の低い部分と入射光強度の
最も高い部分とが一致するため、空間電荷効果による電
圧降下の影響を受けやすいが、本実施例では、ＶR ＝１
０Ｖの電圧を印加した場合、最も電界の低くなるｎ- −
ＩｎＧａＡｓ光吸収層とｎ−ＩｎＰ緩衝層との界面にお
いても３０ｋＶ／cm以上の電界強度が得られるため、こ
のような現象は生じない。よって、本発明により、高光
入力時にも高速応答性および低歪み特性の損なわれるこ
とのない裏面入射型ホトダイオードが得られる。
【００１６】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、例え
ば、半導体材料について、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系以外
のものを用いることができ、またエピタキシャルウェハ
の形成手段としては気相成長法に替え液相法、ＭＢＥ
法、ＭＯＣＶＤ法、ＡＬＥ（AtomicLayer Epitaxy）法
等を用いることができる。
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、例え
ば、半導体材料について、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系以外
のものを用いることができ、またエピタキシャルウェハ
の形成手段としては気相成長法に替え液相法、ＭＢＥ
法、ＭＯＣＶＤ法、ＡＬＥ（AtomicLayer Epitaxy）法
等を用いることができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体受
光素子は、光吸収層内が高濃度と低濃度層とから構成さ
れ、高濃度層が窓層と接するようになされたものである
ので、本発明によれば、拡散層が低濃度光吸収層にまで
到達しないようにすることができる。よって、本発明に
よれば、低濃度光吸収層の層厚を薄くかつ十分に低濃度
にすることができる。従って、１ｍＡ以上のホトカレン
トを生じさせる高光入力があっても、空間電荷効果が現
れることがなく、相互変調歪みも−８０ｄＢｃ以下に抑
えることができる。また、低濃度光吸収層の導電型がｐ
型に反転することがなくなるので、素子容量を低く抑え
ることができ、空間電荷効果が抑制されたことと相まっ
て高速応答性が改善され、ｆｃ＝１０ＧＨｚ以上の応答
性能を有するｐｉｎホトダイオードを得ることができ
る。
光素子は、光吸収層内が高濃度と低濃度層とから構成さ
れ、高濃度層が窓層と接するようになされたものである
ので、本発明によれば、拡散層が低濃度光吸収層にまで
到達しないようにすることができる。よって、本発明に
よれば、低濃度光吸収層の層厚を薄くかつ十分に低濃度
にすることができる。従って、１ｍＡ以上のホトカレン
トを生じさせる高光入力があっても、空間電荷効果が現
れることがなく、相互変調歪みも−８０ｄＢｃ以下に抑
えることができる。また、低濃度光吸収層の導電型がｐ
型に反転することがなくなるので、素子容量を低く抑え
ることができ、空間電荷効果が抑制されたことと相まっ
て高速応答性が改善され、ｆｃ＝１０ＧＨｚ以上の応答
性能を有するｐｉｎホトダイオードを得ることができ
る。
【図１】本発明の第１の実施例を示す断面図。
【図２】本発明の第１の実施例の電界強度分布図。
【図３】本発明の第２の実施例を示す断面図。
【図４】従来例の断面図。
１ ｎ+ −ＩｎＰ基板 ２ ｎ−ＩｎＰ緩衝層 ３ ｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層 ４ ｎ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層 ５ ｎ−ＩｎＰ窓層 ６ ｐ+ −ＩｎＰ領域 ７ 絶縁膜 ８ ｐ側電極 ９ ｎ側電極
Claims (1)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板と、前記半導体
基板上に形成された低不純物濃度で第１導電型の第１の
光吸収層と、前記第１の光吸収層上に形成された、高不
純物濃度で第１導電型の第２の光吸収層と、前記第２の
光吸収層上に形成された第１導電型の窓層と、を備え、 前記窓層の表面から前記第２の光吸収層に到達する第２
導電型の拡散層が形成されている半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3349014A JPH05160426A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3349014A JPH05160426A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160426A true JPH05160426A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18400909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3349014A Pending JPH05160426A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160426A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206499A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法 |
| WO2010029813A1 (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-18 | 住友電気工業株式会社 | 撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置 |
| WO2010032553A1 (ja) * | 2008-09-22 | 2010-03-25 | 住友電気工業株式会社 | 食品品質検査装置、食品成分検査装置、異物成分検査装置、食味検査装置および変移状態検査装置 |
| WO2010073770A1 (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-01 | 住友電気工業株式会社 | 気体モニタリング装置、燃焼状態モニタリング装置、経年変化モニタリング装置、および不純物濃度モニタリング装置 |
| WO2010073768A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 住友電気工業株式会社 | 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法 |
| WO2010073769A1 (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | 住友電気工業株式会社 | 生体成分検出装置 |
| WO2011027624A1 (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-10 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ－ｖ族化合物半導体受光素子、ｉｉｉ－ｖ族化合物半導体受光素子を作製する方法、受光素子、及び、エピタキシャルウェハ |
| JP2011060853A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体受光素子、及びｉｉｉ−ｖ族化合物半導体受光素子を作製する方法 |
| JP2011060855A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子及びエピタキシャルウェハ |
| JP2011101046A (ja) * | 2011-01-21 | 2011-05-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置 |
| JP2011109146A (ja) * | 2011-03-01 | 2011-06-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体受光素子 |
| JP2011137836A (ja) * | 2011-03-17 | 2011-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 水分検出装置、生体中水分検出装置、自然産物中水分検出装置、および製品・材料中水分検出装置 |
| JP2011146725A (ja) * | 2011-02-21 | 2011-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 食品品質検査装置、食品成分検査装置、異物成分検査装置、食味検査装置および変移状態検査装置 |
| JP2011151401A (ja) * | 2011-02-21 | 2011-08-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 生体成分検出装置 |
| JP2011155291A (ja) * | 2011-04-01 | 2011-08-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気体モニタリング装置、燃焼状態モニタリング装置、経年変化モニタリング装置、および不純物濃度モニタリング装置 |
| US7999231B2 (en) | 2008-08-29 | 2011-08-16 | Sumitomo Electric Inductries, Ltd. | Moisture detector, biological body moisture detector, natural product moisture detector, and product/material moisture detector |
| JP2014064009A (ja) * | 2013-10-15 | 2014-04-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子及びエピタキシャルウェハ |
| JP2015043466A (ja) * | 2014-12-01 | 2015-03-05 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体受光素子 |
| JP2015170686A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 日本電信電話株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
| WO2022202006A1 (ja) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光電変換素子及びその製造方法並びに撮像装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS631079A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-06 | Hitachi Ltd | 半導体受光素子およびその製造方法 |
| JPH0338887A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-19 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子 |
-
1991
- 1991-12-06 JP JP3349014A patent/JPH05160426A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS631079A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-06 | Hitachi Ltd | 半導体受光素子およびその製造方法 |
| JPH0338887A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-19 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子 |
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4662188B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2011-03-30 | 住友電気工業株式会社 | 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法 |
| JP2011193024A (ja) * | 2008-02-01 | 2011-09-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法 |
| US8188559B2 (en) | 2008-02-01 | 2012-05-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light-receiving element and light-receiving element array |
| JP2011101032A (ja) * | 2008-02-01 | 2011-05-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法 |
| JP2009206499A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法 |
| US8729527B2 (en) | 2008-02-01 | 2014-05-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light-receiving element, light-receiving element array, method for manufacturing light-receiving element and method for manufacturing light-receiving element array |
| US7999231B2 (en) | 2008-08-29 | 2011-08-16 | Sumitomo Electric Inductries, Ltd. | Moisture detector, biological body moisture detector, natural product moisture detector, and product/material moisture detector |
| WO2010029813A1 (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-18 | 住友電気工業株式会社 | 撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置 |
| JP2010067861A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置 |
| US8243139B2 (en) | 2008-09-11 | 2012-08-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Image pickup device, visibility support apparatus, night vision device, navigation support apparatus, and monitoring device |
| US8564666B2 (en) | 2008-09-11 | 2013-10-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Image pickup device, visibility support apparatus, night vision device, navigation support apparatus, and monitoring device |
| US8546758B2 (en) | 2008-09-22 | 2013-10-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Food quality examination device, food component examination device, foreign matter component examination device, taste examination device, and changed state examination device |
| JP2010074099A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 食品品質検査装置、食品成分検査装置、異物成分検査装置、食味検査装置および変移状態検査装置 |
| WO2010032553A1 (ja) * | 2008-09-22 | 2010-03-25 | 住友電気工業株式会社 | 食品品質検査装置、食品成分検査装置、異物成分検査装置、食味検査装置および変移状態検査装置 |
| WO2010073769A1 (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | 住友電気工業株式会社 | 生体成分検出装置 |
| US8373156B2 (en) | 2008-12-22 | 2013-02-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Biological component detection device |
| US8624189B2 (en) | 2008-12-25 | 2014-01-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gas monitoring device, combustion state monitoring device, secular change monitoring device, and impurity concentration monitoring device |
| JP2010151690A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気体モニタリング装置、燃焼状態モニタリング装置、経年変化モニタリング装置、および不純物濃度モニタリング装置 |
| WO2010073770A1 (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-01 | 住友電気工業株式会社 | 気体モニタリング装置、燃焼状態モニタリング装置、経年変化モニタリング装置、および不純物濃度モニタリング装置 |
| WO2010073768A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 住友電気工業株式会社 | 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法 |
| WO2011027624A1 (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-10 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ－ｖ族化合物半導体受光素子、ｉｉｉ－ｖ族化合物半導体受光素子を作製する方法、受光素子、及び、エピタキシャルウェハ |
| JP2011060855A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子及びエピタキシャルウェハ |
| US9159853B2 (en) | 2009-09-07 | 2015-10-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group III-V compound semiconductor photo detector, method of fabricating group III-V compound semiconductor photo detector, photo detector, and epitaxial wafer |
| US8866199B2 (en) | 2009-09-07 | 2014-10-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group III-V compound semiconductor photo detector, method of fabricating group III-V compound semiconductor photo detector, photo detector, and epitaxial wafer |
| JP2011060853A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体受光素子、及びｉｉｉ−ｖ族化合物半導体受光素子を作製する方法 |
| KR101308761B1 (ko) * | 2009-09-07 | 2013-09-17 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | Ⅲ-ⅴ족 화합물 반도체 수광 소자, ⅲ-ⅴ족 화합물 반도체 수광 소자를 제작하는 방법, 수광 소자 및 에피택셜 웨이퍼 |
| JP2011101046A (ja) * | 2011-01-21 | 2011-05-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置 |
| JP2011146725A (ja) * | 2011-02-21 | 2011-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 食品品質検査装置、食品成分検査装置、異物成分検査装置、食味検査装置および変移状態検査装置 |
| JP2011151401A (ja) * | 2011-02-21 | 2011-08-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 生体成分検出装置 |
| JP2011109146A (ja) * | 2011-03-01 | 2011-06-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体受光素子 |
| JP2011137836A (ja) * | 2011-03-17 | 2011-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 水分検出装置、生体中水分検出装置、自然産物中水分検出装置、および製品・材料中水分検出装置 |
| JP2011155291A (ja) * | 2011-04-01 | 2011-08-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気体モニタリング装置、燃焼状態モニタリング装置、経年変化モニタリング装置、および不純物濃度モニタリング装置 |
| JP2014064009A (ja) * | 2013-10-15 | 2014-04-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子及びエピタキシャルウェハ |
| JP2015170686A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 日本電信電話株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
| JP2015043466A (ja) * | 2014-12-01 | 2015-03-05 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体受光素子 |
| WO2022202006A1 (ja) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光電変換素子及びその製造方法並びに撮像装置 |
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