JPS60110177A - 半導体受光装置の製造方法 - Google Patents
半導体受光装置の製造方法Info
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- JPS60110177A JPS60110177A JP58217414A JP21741483A JPS60110177A JP S60110177 A JPS60110177 A JP S60110177A JP 58217414 A JP58217414 A JP 58217414A JP 21741483 A JP21741483 A JP 21741483A JP S60110177 A JPS60110177 A JP S60110177A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（−〇 発明の技術分野
本発明は半導体受光装置の製造方法、特に応答速度が速
い半導体受光装置ｆを容易にかつ再現性良ステムにおい
て、光信号ｉｔ＝を気信号に変換する半導体受光装置は
重要で基本的な（１１１成要素の一つであり、既に多数
実用化されている。
い半導体受光装置ｆを容易にかつ再現性良ステムにおい
て、光信号ｉｔ＝を気信号に変換する半導体受光装置は
重要で基本的な（１１１成要素の一つであり、既に多数
実用化されている。
例えば光通信においては石英系光ファイバの伝送特性か
ら波長１．３〔μｍ〕乃至１．６５（μｍ）程度の帯域
が用いられ、半導体受光装置〆ｔとしてはまずゲルマニ
ウム（Ｇｅ）を半導体劇料とするものが実用化さｎてい
る。しかしながらＧｅでは雑音及び暗−流の低減が物性
的に制約されることから化合物半導体を用いる受光装置
が開発されている。
ら波長１．３〔μｍ〕乃至１．６５（μｍ）程度の帯域
が用いられ、半導体受光装置〆ｔとしてはまずゲルマニ
ウム（Ｇｅ）を半導体劇料とするものが実用化さｎてい
る。しかしながらＧｅでは雑音及び暗−流の低減が物性
的に制約されることから化合物半導体を用いる受光装置
が開発されている。
ｔｅｌ 従来技術と問題点
光通信の前記波長帯域に適合する化合物半導体受光装置
として、インジウム・燐化合物（ＩｎＰ）とこれに格子
整合するインジウム・ガリウム・砒素化合物（Ｉｎｓ
−ｘ ＧａｘＡｓ ：ｘ＝０．４７）とによって第１図
に示す如く構成される半導体受光装置が既に知られてい
る。
として、インジウム・燐化合物（ＩｎＰ）とこれに格子
整合するインジウム・ガリウム・砒素化合物（Ｉｎｓ
−ｘ ＧａｘＡｓ ：ｘ＝０．４７）とによって第１図
に示す如く構成される半導体受光装置が既に知られてい
る。
図において、１はｎ＋型ＩｎＰ基板、２はｎ型ＩｎＰバ
ッファ層、３はｎ製ＩｎＧａＡｓ光吸収層、４はｎ型Ｉ
ｎＰウィンド層、５Ｌｒｉｐ＋型領域、６は保護膜、７
はｐ側風、極、８はｎ ｆｉｌｌ ｍ極である。前記半
導体層中ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層３は、その成長材料
の純度を高くし不純物をドープすることなくエピタキシ
ャル成長を行なって、そのキャリア濃度をできるだけ低
くしている。゛またｐ＋型領領域５例えば亜鉛（Ｚｎ）
の気相拡散によって形成している。
ッファ層、３はｎ製ＩｎＧａＡｓ光吸収層、４はｎ型Ｉ
ｎＰウィンド層、５Ｌｒｉｐ＋型領域、６は保護膜、７
はｐ側風、極、８はｎ ｆｉｌｌ ｍ極である。前記半
導体層中ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層３は、その成長材料
の純度を高くし不純物をドープすることなくエピタキシ
ャル成長を行なって、そのキャリア濃度をできるだけ低
くしている。゛またｐ＋型領領域５例えば亜鉛（Ｚｎ）
の気相拡散によって形成している。
前記ｐ側’ｌｉ、（ｉ′ｉ７を負、ｎ側電極８を正の少
注とする逆バイアスｎ圧を印加して、１１１１接合金挟
んで少なくともｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層３のｎｆｆ１
−ＩｎＰバッファ層２との界面に達する空乏層を＃成せ
る。
注とする逆バイアスｎ圧を印加して、１１１１接合金挟
んで少なくともｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層３のｎｆｆ１
−ＩｎＰバッファ層２との界面に達する空乏層を＃成せ
る。
光信号はＩｎＰウィンド層４（ｐ＋早Ｉ領域５）有・透
過し、これより県側帯幅が狭いｎ型ＩｎＧａＡｓ光秋収
層３で電子を励起してｍ子正孔対を生ずる。この正孔は
ｐ１１１１１電極７に同って移動し、これ〃Ｌｐｎ接合
？横切ることによって電気的応答が１ｄら丁１．る。
過し、これより県側帯幅が狭いｎ型ＩｎＧａＡｓ光秋収
層３で電子を励起してｍ子正孔対を生ずる。この正孔は
ｐ１１１１１電極７に同って移動し、これ〃Ｌｐｎ接合
？横切ることによって電気的応答が１ｄら丁１．る。
しかしながら正孔は縫子に比較］−７で有効質量が大き
く、移動度が低い。その緒果として前記構成の受光装置
は変ｈ１．１周波１ｙｉｏｏｔ：へ４Ｌ ：］ Ｗ、反
以上においてその応答が低下する周波数特性ｆ！−示す
。
く、移動度が低い。その緒果として前記構成の受光装置
は変ｈ１．１周波１ｙｉｏｏｔ：へ４Ｌ ：］ Ｗ、反
以上においてその応答が低下する周波数特性ｆ！−示す
。
電気的応答を与える少数ギヤリアを移動度の高い１゛Ｌ
子にすれば前記周波数特性ケ改善することができる。し
かしながら第１図に示した各半導体基板、層及び領域の
導電型をすべて反転することは容易ではない。すなわち
１）ＩＪ記ｐｌ゛型領域５は気相拡散によって容易に形
成することができるのに対して、これ全反転したｎＬ型
狽域を不純物１ノベ敞によって形成することは実際上不
可能といえる。
子にすれば前記周波数特性ケ改善することができる。し
かしながら第１図に示した各半導体基板、層及び領域の
導電型をすべて反転することは容易ではない。すなわち
１）ＩＪ記ｐｌ゛型領域５は気相拡散によって容易に形
成することができるのに対して、これ全反転したｎＬ型
狽域を不純物１ノベ敞によって形成することは実際上不
可能といえる。
前記のｎ＋型領領域形成間：追全回甘し、かつｐｎ接合
を横切る少数キャリアを電子とすることは、例えは第１
図の半導体層構成のうち光吸収層３をｎ型からｐ型例反
転して、ｐｎ４と冶を・光吸収Ａ’ｆｉ ３とｎ側電極
７との間に設けることによっても可能である。この構造
においても光吸収層のる′と芝屑化を低い逆バイアス−
１，圧で行なうためＶＣはそのキャリア濃度金低くする
ことが必侠でありて、１乃至５×１０１５（ｍ’ ：ｌ
ａ 度板下で出来るフヒは低疾ｊ隻であることが望ま
しい。この様な低キヤリア濃度を再現性良く実現するた
めにはアクセプタ不純１り１のｚＬｔ人などその製造方
法の確立が必装である。
を横切る少数キャリアを電子とすることは、例えは第１
図の半導体層構成のうち光吸収層３をｎ型からｐ型例反
転して、ｐｎ４と冶を・光吸収Ａ’ｆｉ ３とｎ側電極
７との間に設けることによっても可能である。この構造
においても光吸収層のる′と芝屑化を低い逆バイアス−
１，圧で行なうためＶＣはそのキャリア濃度金低くする
ことが必侠でありて、１乃至５×１０１５（ｍ’ ：ｌ
ａ 度板下で出来るフヒは低疾ｊ隻であることが望ま
しい。この様な低キヤリア濃度を再現性良く実現するた
めにはアクセプタ不純１り１のｚＬｔ人などその製造方
法の確立が必装である。
ｆｄｌ 発明の目的
本発明は、ｎ型化合物半導体基板上に低不純物濃度のｐ
型光吸収層ｆ：設置ｆ：１て該光吸収層の基板側界面近
傍にｐｎ接合が形成され、ｉ包速ＩＷの応答が得られる
半導体受光装置ｉニア： Ｑ容易ＶＣ製造することが可
能な製造方法を提供すること全目的とする。。
型光吸収層ｆ：設置ｆ：１て該光吸収層の基板側界面近
傍にｐｎ接合が形成され、ｉ包速ＩＷの応答が得られる
半導体受光装置ｉニア： Ｑ容易ＶＣ製造することが可
能な製造方法を提供すること全目的とする。。
ｔｅｌ 発明の構成
本発明のＲｉｌ記目的は、ＩＩ型化合！１７半棉体基板
とに、該基板より禁制帯幅が狭い光吸収Ｊ−と、該光吸
収層より禁制（Ｉ′ｉ幅が広いｎ帖つィンドＪＣ）と全
形成し、アクセプタ不可（物を前記ウィンド層のべ而か
ら選択的に拡散して第１の不純物Ｉ！Ｊ入領域を形成し
、かつ該第１の不純物λ４人領域に７１して据状に低下
した濃度の前記不純物拡散によって前記光吸収層と前記
基板との界面近傍にｐｎ接合を形成する半導体受光装置
ｔ、の製造方法にまり外戚づれる。
とに、該基板より禁制帯幅が狭い光吸収Ｊ−と、該光吸
収層より禁制（Ｉ′ｉ幅が広いｎ帖つィンドＪＣ）と全
形成し、アクセプタ不可（物を前記ウィンド層のべ而か
ら選択的に拡散して第１の不純物Ｉ！Ｊ入領域を形成し
、かつ該第１の不純物λ４人領域に７１して据状に低下
した濃度の前記不純物拡散によって前記光吸収層と前記
基板との界面近傍にｐｎ接合を形成する半導体受光装置
ｔ、の製造方法にまり外戚づれる。
前記アクセプタ不純物拡１）（全第２図を参照して説明
する。キャリア濃度が例えｆｒＪ：ｌＸｌ０”［ｏｎ”
ｌ程度のｎ型化会物半ｄｆ体ｉＨ５板の一表面から、例
えば亜鉛（Ｚｎ）又は力１ミウム（Ｃｄ）ｆｆｉその燐
化合物等を用いて封管法によって高ａ度に拡散させた場
合にそのアクセプタ不純物の分布は第２図に例示する如
きプロファイルとなる。すなわち表面近傍においてはそ
の濃度が例えば２Ｘ］０ （ｆｆｉ ）程度となり、深
さ例えば２〔μｍ：１程度の位（行でこの設置が急激に
低下する。この範囲が前記第１の不純物導入領域である
。しかしながら不純物の拡散はこの深さに止まらず、第
１の不純物導入領域から更に同程度の深さまで５ Ｘ
１０”乃至Ｉ Ｘ １０１５（ｃｎ＋ ）程度の紙製用
の拡散がβりめられる。このイ政δ；度の拡散領域はし
、はし７ば裾（ｔａｉｔ）と呼ばわている。この様な不
純物プロファイルの結果本例の如き低濃度のｎ型基板に
おいては拡散の裾の領域においても導電型のｎ型からｐ
型への反転が行なわれて、ｐｎ接合は第１の不純物拡散
領域の２倍程度の深さの位（ｔ１′に形成される。
する。キャリア濃度が例えｆｒＪ：ｌＸｌ０”［ｏｎ”
ｌ程度のｎ型化会物半ｄｆ体ｉＨ５板の一表面から、例
えば亜鉛（Ｚｎ）又は力１ミウム（Ｃｄ）ｆｆｉその燐
化合物等を用いて封管法によって高ａ度に拡散させた場
合にそのアクセプタ不純物の分布は第２図に例示する如
きプロファイルとなる。すなわち表面近傍においてはそ
の濃度が例えば２Ｘ］０ （ｆｆｉ ）程度となり、深
さ例えば２〔μｍ：１程度の位（行でこの設置が急激に
低下する。この範囲が前記第１の不純物導入領域である
。しかしながら不純物の拡散はこの深さに止まらず、第
１の不純物導入領域から更に同程度の深さまで５ Ｘ
１０”乃至Ｉ Ｘ １０１５（ｃｎ＋ ）程度の紙製用
の拡散がβりめられる。このイ政δ；度の拡散領域はし
、はし７ば裾（ｔａｉｔ）と呼ばわている。この様な不
純物プロファイルの結果本例の如き低濃度のｎ型基板に
おいては拡散の裾の領域においても導電型のｎ型からｐ
型への反転が行なわれて、ｐｎ接合は第１の不純物拡散
領域の２倍程度の深さの位（ｔ１′に形成される。
（ｆｉ 発明の実施例
以下本発明を実施例により図面を参照し、て具体的に説
明する。
明する。
第３図（ａｌ乃至ＩＣ）は本発明の実施例を示す工程順
断面図、第４図は本実施例の不純物プロファイルを示す
図である。
断面図、第４図は本実施例の不純物プロファイルを示す
図である。
第３図ｆａｔ参照
不純物濃度が例えば２Ｘ］０”（ｏｎ’）程良のｎ型ト
ｎｐ ’ＪＨｙ板】１上に液相エピタキシャル成長方法
熔によって、不純物濃度がクリえは５ Ｘ １０” （
ｃｍ ’−程度のｎ型ＩｎＰバッファ層Ｊ２１νさレリ
メーは２〔μ用〕以上に、キャリア＋ａ１則がし：１え
ｉ’ｆ Ｉ Ｘ １０” ［ｍ’：］以下で通常ｎ型と
なるＩｎＧａＡｓ元吸収層１３をＩＩＩさ例えば２〔μ
ｍ）程１死に、不可１物ｌに度が例えばｌＸ１０”Ｃ瞥
〕４゛４度のｎ型ＴｎＰウィンドツメ１４な＋、Ａさ例
えば２〔声〕程度にＩｌ’ｉ次成長させる。
ｎｐ ’ＪＨｙ板】１上に液相エピタキシャル成長方法
熔によって、不純物濃度がクリえは５ Ｘ １０” （
ｃｍ ’−程度のｎ型ＩｎＰバッファ層Ｊ２１νさレリ
メーは２〔μ用〕以上に、キャリア＋ａ１則がし：１え
ｉ’ｆ Ｉ Ｘ １０” ［ｍ’：］以下で通常ｎ型と
なるＩｎＧａＡｓ元吸収層１３をＩＩＩさ例えば２〔μ
ｍ）程１死に、不可１物ｌに度が例えばｌＸ１０”Ｃ瞥
〕４゛４度のｎ型ＴｎＰウィンドツメ１４な＋、Ａさ例
えば２〔声〕程度にＩｌ’ｉ次成長させる。
第３１］Ｗｌ〕ｌ参照
前記ウィンド層１４上に１）すえＥ、ｆ： ＠ 化シリ
コンによって負？光領ｊ或に開ロゲ形成したマスクｌ
５ ’（［−設ける。この半導体基体かｆｙｏえはか「
化カドミウム（ＣｄＰｚ ）とともｙ（封管内に収イｆ
して、η１４度例えば５００乃至６５０［℃］において
時間例えｒｊ、 Ｉ １ｉＪｆ間乃主５時間程度の不純
物拡１１々全拠ｈｒｎする。この拡散の結果法４図に例
示する如き不純物プロファイルが侍られて、ＩｎＰウィ
ンドハク１４の受光と１ｊ茨ｅ」不純物硅ｆｌｌｊ カ
２Ｘ １０”Ｌｍ’ ） 、１”ｉ’Ｊｌ ＣＤ ｐ”
ＪＪ、 １ｉｔＪ 塘１６ Ｊニー ）’２す、Ｉｎ−
ＧａＡｓ光吸収Ｎ１３の受光領域は不純物濃度が５Ｘ
１０”（６ｎ３）程度以下のｐ型領域１７となる。この
結果ｐｎＪＪｊ合が光吸収層１３とｎ型ＩｎＰバッファ
層１２との界面もしくはその近傍に形成される。
コンによって負？光領ｊ或に開ロゲ形成したマスクｌ
５ ’（［−設ける。この半導体基体かｆｙｏえはか「
化カドミウム（ＣｄＰｚ ）とともｙ（封管内に収イｆ
して、η１４度例えば５００乃至６５０［℃］において
時間例えｒｊ、 Ｉ １ｉＪｆ間乃主５時間程度の不純
物拡１１々全拠ｈｒｎする。この拡散の結果法４図に例
示する如き不純物プロファイルが侍られて、ＩｎＰウィ
ンドハク１４の受光と１ｊ茨ｅ」不純物硅ｆｌｌｊ カ
２Ｘ １０”Ｌｍ’ ） 、１”ｉ’Ｊｌ ＣＤ ｐ”
ＪＪ、 １ｉｔＪ 塘１６ Ｊニー ）’２す、Ｉｎ−
ＧａＡｓ光吸収Ｎ１３の受光領域は不純物濃度が５Ｘ
１０”（６ｎ３）程度以下のｐ型領域１７となる。この
結果ｐｎＪＪｊ合が光吸収層１３とｎ型ＩｎＰバッファ
層１２との界面もしくはその近傍に形成される。
第３図（Ｃ１参照
従来技術によって保赦膜１８．ｐ側電極１９゜ｎ １Ｌ
！ｌｉ電極２０を形成することによって本′に凡例の生
竹７体受光素子が完成する。
！ｌｉ電極２０を形成することによって本′に凡例の生
竹７体受光素子が完成する。
前記実施例の半導体受光装館について、入力信号の変調
周波数−出力電流０住ｅ ｊｌｌｌｌ定した結果、第５
図の線Ａの如き結果がｑｔｔられて、同図に曲線７″′ Ｂ広例示する従来例に比軟して周波数特性の改善、すな
わち応答速度の向上の効果が確認された。
周波数−出力電流０住ｅ ｊｌｌｌｌ定した結果、第５
図の線Ａの如き結果がｑｔｔられて、同図に曲線７″′ Ｂ広例示する従来例に比軟して周波数特性の改善、すな
わち応答速度の向上の効果が確認された。
なお前記実施例においてバッファ層１２金設けてその不
純物濃度を例えば５ Ｘ １０１０１５（；’）程度と
することは、ｐｎ接合位ｊｄ、の変化を防止し、かつ受
光装置の動作状態においてバッファ層１２にも空乏層が
深く形成されてキャパシタンスを減少式せる効果を有す
る。
純物濃度を例えば５ Ｘ １０１０１５（；’）程度と
することは、ｐｎ接合位ｊｄ、の変化を防止し、かつ受
光装置の動作状態においてバッファ層１２にも空乏層が
深く形成されてキャパシタンスを減少式せる効果を有す
る。
尚、本実施例では基板と光吸収層との間にバッファ層を
設けているが、バッファ層を形成しなくてもよい。
設けているが、バッファ層を形成しなくてもよい。
＋ｇ＋ 発明の詳細
な説明した如く本発明にょ冶に、半消体受光装置の応答
を与える少数キャリア全正孔より移動〃）の高い電子と
するｔｉ’ｊ造を、容易にかつ再現性良く実現する製造
方法が提供されて、応答速度が高く周波数特性の優れた
半導体受光！４Ｇ （、＋１゛を扶供することが可能と
なる。
を与える少数キャリア全正孔より移動〃）の高い電子と
するｔｉ’ｊ造を、容易にかつ再現性良く実現する製造
方法が提供されて、応答速度が高く周波数特性の優れた
半導体受光！４Ｇ （、＋１゛を扶供することが可能と
なる。
第１図は半導体受光ｋｌ八′の従来例を示す断面図、第
２図は不純物拡散のプロファイルの説明図、ｔル３図（
＝ｉ１乃至ｔｅｌは本発明の実施例の工程１１：＋１１
ｆ；ｒ面図、第４図は該実施例の不純物分布を示す図、
第５し１は該実施例の周波数特性の例ｆ示す図である。 １１はｎ型半導体基板、１２はｎ拗バッファ層、１３は
光吸収層、１４はｎ捜つィンド層、ｙｉσ１６はｐ＋型
領領域１７けｐ型領域、１８け保護１厚、１９はｐ側電
極、２０はｎ ｆｌ′Ｉｌｌ ｔ’ｔ 極２示す。 晃 １ 図 第 ２ 月 １ｍｌ、−５６フＪ’ｔ ［ｓ ｎ１］俤 ３ 図
２図は不純物拡散のプロファイルの説明図、ｔル３図（
＝ｉ１乃至ｔｅｌは本発明の実施例の工程１１：＋１１
ｆ；ｒ面図、第４図は該実施例の不純物分布を示す図、
第５し１は該実施例の周波数特性の例ｆ示す図である。 １１はｎ型半導体基板、１２はｎ拗バッファ層、１３は
光吸収層、１４はｎ捜つィンド層、ｙｉσ１６はｐ＋型
領領域１７けｐ型領域、１８け保護１厚、１９はｐ側電
極、２０はｎ ｆｌ′Ｉｌｌ ｔ’ｔ 極２示す。 晃 １ 図 第 ２ 月 １ｍｌ、−５６フＪ’ｔ ［ｓ ｎ１］俤 ３ 図
Claims (1)
- ｎ型化合物半導体基板上に、該基板より禁制帯幅が狭い
光吸収層と、該光吸収層より禁制帯幅が広いｎ３Ｊｌｌ
Ｉウィンド層とを形成し、アクセプタ不純物を前記ウィ
ンド層の表面から選択的に拡散して第１の不純物導入領
域を形成し、かつ該第１の不純物導入領域に対して裾状
に低下した濃度の前記不純物拡散によって前記光吸収層
と前記基板との界面近傍にｐｎ接合を形成することを特
徴とする
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58217414A JPS60110177A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 半導体受光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58217414A JPS60110177A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 半導体受光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60110177A true JPS60110177A (ja) | 1985-06-15 |
Family
ID=16703825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58217414A Pending JPS60110177A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 半導体受光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60110177A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62169377A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-07-25 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS62169376A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-07-25 | Nec Corp | フオトダイオ−ド |
| JPH02231776A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
| US5144396A (en) * | 1987-02-17 | 1992-09-01 | British Telecommunications Public Limited Company | Capping layer fabrication |
| EP0924776A2 (en) * | 1997-12-09 | 1999-06-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode |
| WO2003056635A1 (fr) * | 2001-12-26 | 2003-07-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Element recepteur de lumiere et dispositif recepteur de lumiere comprenant un circuit et un lecteur de disque optique |
| JP2019219454A (ja) * | 2018-06-18 | 2019-12-26 | デクセリアルズ株式会社 | 偏光板およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-11-18 JP JP58217414A patent/JPS60110177A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62169377A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-07-25 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS62169376A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-07-25 | Nec Corp | フオトダイオ−ド |
| US5144396A (en) * | 1987-02-17 | 1992-09-01 | British Telecommunications Public Limited Company | Capping layer fabrication |
| JPH02231776A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
| EP0924776A2 (en) * | 1997-12-09 | 1999-06-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode |
| EP0924776A3 (en) * | 1997-12-09 | 2000-03-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode |
| WO2003056635A1 (fr) * | 2001-12-26 | 2003-07-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Element recepteur de lumiere et dispositif recepteur de lumiere comprenant un circuit et un lecteur de disque optique |
| JP2019219454A (ja) * | 2018-06-18 | 2019-12-26 | デクセリアルズ株式会社 | 偏光板およびその製造方法 |
| US10928574B2 (en) | 2018-06-18 | 2021-02-23 | Dexerials Corporation | Polarizing plate, production method thereof and optical apparatus |
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