JPH0437591B2 - - Google Patents
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- JPH0437591B2 JPH0437591B2 JP58011704A JP1170483A JPH0437591B2 JP H0437591 B2 JPH0437591 B2 JP H0437591B2 JP 58011704 A JP58011704 A JP 58011704A JP 1170483 A JP1170483 A JP 1170483A JP H0437591 B2 JPH0437591 B2 JP H0437591B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
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Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明はダブルヘテロ接合構造を含む半導体受
光装置にかかり、特に高い量子効率と大きい応答
速度とがともに達成される半導体受光装置に関す
る。
光装置にかかり、特に高い量子効率と大きい応答
速度とがともに達成される半導体受光装置に関す
る。
(b) 技術の背景
光を情報信号の媒体とする光通信その他のシス
テムにおいて、光信号を電気信号に交換する半導
体受光装置は基本的な構成要素の一つであつて、
既に多くのものが実用化され更に改善が進められ
ている。
テムにおいて、光信号を電気信号に交換する半導
体受光装置は基本的な構成要素の一つであつて、
既に多くのものが実用化され更に改善が進められ
ている。
例えば光通信において波長λ＝0.85〔μｍ〕帯
域においてはシリコン（Si）PIN型フオトダイオ
ード（PD）及びSiアバランシフオトダイオード
（APD）が使用され、また波長λ＝1.3〔μｍ〕帯
域においてはゲルマニウム（Ge）APDが実用化
されている。
域においてはシリコン（Si）PIN型フオトダイオ
ード（PD）及びSiアバランシフオトダイオード
（APD）が使用され、また波長λ＝1.3〔μｍ〕帯
域においてはゲルマニウム（Ge）APDが実用化
されている。
しかしながらGeでは暗電流及び雑音に関して
その物性による限界があり、禁制帯幅等を選択す
ることができる化合物半導体を用いた受光装置の
開発が進められている。
その物性による限界があり、禁制帯幅等を選択す
ることができる化合物半導体を用いた受光装置の
開発が進められている。
(c) 従来技術の問題点
化合物半導体受光装置の既に知られている一例
として、InP−InGaAs系APDの断面図を第１図
ａに、そのエネルギーダイヤグラムを第１図ｂに
示す。
として、InP−InGaAs系APDの断面図を第１図
ａに、そのエネルギーダイヤグラムを第１図ｂに
示す。
第１図ａにおいて、１はｎ型InP基板、２はｎ
型InPパツフア層、３はｎ型InGaAs光吸収層、
４はｎ型InP増倍層、５はp+型InP領域、６はガ
ードリング効果を与えるｐ型InP領域、７は絶縁
膜、８はｐ側電極、９はｎ側電極であり、第１図
ｂにおいては前記と同一符号によつて対応を示
す。
型InPパツフア層、３はｎ型InGaAs光吸収層、
４はｎ型InP増倍層、５はp+型InP領域、６はガ
ードリング効果を与えるｐ型InP領域、７は絶縁
膜、８はｐ側電極、９はｎ側電極であり、第１図
ｂにおいては前記と同一符号によつて対応を示
す。
このAPDに、ｎ側電極９を正、ｐ側電極８を
負の極性とする逆バイアス電圧を印加することに
よりp+型InP領域５とｎ型InP増幅層４とによつ
て形成されるpn接合を挾んで空乏層が形成され
る。この空乏層の深さのｐ型、ｎ型各領域への配
分は両領域の不純物濃度に反比例し、また両領域
の深さの合計は電圧1/2乗及び両領域の不純物濃
度の逆数の和の1/2乗に比例することから、ｎ領
域側の空乏層をｎ型InGaAs光吸収層３とｎ型
InPパツフア層２との界面まで到達させるため
に、p+型InP領域５は高不純物濃度に、ｎ型In−
Ｐ増倍層４及びｎ型InGaAs光吸収層３は低不純
物濃度とする。従来は更にｎ型InPパツフア層２
も１×1015乃至１×1016〔cm-3〕程度の濃度である
ために空乏層はバツフア層２内にまで延びてい
る。
負の極性とする逆バイアス電圧を印加することに
よりp+型InP領域５とｎ型InP増幅層４とによつ
て形成されるpn接合を挾んで空乏層が形成され
る。この空乏層の深さのｐ型、ｎ型各領域への配
分は両領域の不純物濃度に反比例し、また両領域
の深さの合計は電圧1/2乗及び両領域の不純物濃
度の逆数の和の1/2乗に比例することから、ｎ領
域側の空乏層をｎ型InGaAs光吸収層３とｎ型
InPパツフア層２との界面まで到達させるため
に、p+型InP領域５は高不純物濃度に、ｎ型In−
Ｐ増倍層４及びｎ型InGaAs光吸収層３は低不純
物濃度とする。従来は更にｎ型InPパツフア層２
も１×1015乃至１×1016〔cm-3〕程度の濃度である
ために空乏層はバツフア層２内にまで延びてい
る。
ｎ型InGaAs光吸収層３に形成された空乏層内
で入力信号光のエネルギーを得て電子が伝導帯に
励起され電子正孔対が発生して、電子はｎ側電極
９、正孔はｐ側電極８に向つてドリフトする。更
にｎ型InP増倍層４において、注入された正孔を
一次キヤリアとするなだれ増倍が行なわれて、二
次キヤリアである電子及び正孔も、それぞれｎ側
電極９及びｐ側電極８に向つてドリフトする。
で入力信号光のエネルギーを得て電子が伝導帯に
励起され電子正孔対が発生して、電子はｎ側電極
９、正孔はｐ側電極８に向つてドリフトする。更
にｎ型InP増倍層４において、注入された正孔を
一次キヤリアとするなだれ増倍が行なわれて、二
次キヤリアである電子及び正孔も、それぞれｎ側
電極９及びｐ側電極８に向つてドリフトする。
第１図ｂに見られる如く、InGaAs光吸収層３
とこれに接するInPバツフア層２及びInP増倍層
４との各ヘテロ接合界面において、伝導帯Ec及
び価電子帯Evに段差を生ずる。先に述べた電子
及び正孔の各電極に向うドリフトに際して、電子
はInGaAs光吸収層３とInPバツフア層２とのヘ
テロ接合界面における伝導帯のエネルギ差ΔEcに
よつて、また正孔はInGaAs光吸収層３とInP増
倍層４とのヘテロ接合界面における価電子帯のエ
ネルギ差ΔEvによつてそのエネルギを奪われて速
度が低下する。
とこれに接するInPバツフア層２及びInP増倍層
４との各ヘテロ接合界面において、伝導帯Ec及
び価電子帯Evに段差を生ずる。先に述べた電子
及び正孔の各電極に向うドリフトに際して、電子
はInGaAs光吸収層３とInPバツフア層２とのヘ
テロ接合界面における伝導帯のエネルギ差ΔEcに
よつて、また正孔はInGaAs光吸収層３とInP増
倍層４とのヘテロ接合界面における価電子帯のエ
ネルギ差ΔEvによつてそのエネルギを奪われて速
度が低下する。
このキヤリア速度の低下は、半導体受光装置例
えばAPDの入力信号の変調周波数−出力電流特
性において、第２図に一例を示す如く10〔ＭHz〕
乃至30〔ＭHz〕以上の高周波における出力電流の
低下として現われる。
えばAPDの入力信号の変調周波数−出力電流特
性において、第２図に一例を示す如く10〔ＭHz〕
乃至30〔ＭHz〕以上の高周波における出力電流の
低下として現われる。
本発明の発明者の一人は、前記２要因のうち、
正孔が光吸収層と増倍層等とのヘテロ接合界面に
おける価電子帯のエネルギ差ΔEvによつてその速
度を低下する問題に対処した半導体受光装置を、
先に特願昭57−097952号によつて提供した。
正孔が光吸収層と増倍層等とのヘテロ接合界面に
おける価電子帯のエネルギ差ΔEvによつてその速
度を低下する問題に対処した半導体受光装置を、
先に特願昭57−097952号によつて提供した。
しかしながら半導体受光装置の前記特性を更に
改善するために、残る１要因すなわち電子が光吸
収層とバツフア層等とのヘテロ接合界面における
伝導帯のエネルギ差ΔEcによつてその速度を低下
する問題も対処することが望まれる。
改善するために、残る１要因すなわち電子が光吸
収層とバツフア層等とのヘテロ接合界面における
伝導帯のエネルギ差ΔEcによつてその速度を低下
する問題も対処することが望まれる。
(d) 発明の目的
本発明はダブルヘテロ接合構造を含む半導体受
光装置について、キヤリア特に電子の該ヘテロ接
合界面の通過を容易にすることにより、応答速度
すなわち周波数特性などを改善することを目的と
する。
光装置について、キヤリア特に電子の該ヘテロ接
合界面の通過を容易にすることにより、応答速度
すなわち周波数特性などを改善することを目的と
する。
(e) 発明の構成
本発明の前記目的は、一つの電極が設けられた
半導体基体と、該基体に接して該基体と同一の導
電型を有する第１の半導体層と、該第１の半導体
層に接し、前記基体と同一の導電型と前記基体よ
り小さい禁制帯幅とを有して光吸収を行なう第２
の半導体層とを備え、前記第１の半導体層は、前
記基体より小さくかつ前記第２の半導体層より大
きい禁制帯幅を有する領域を含んでなる半導体受
光装置により達成される。
半導体基体と、該基体に接して該基体と同一の導
電型を有する第１の半導体層と、該第１の半導体
層に接し、前記基体と同一の導電型と前記基体よ
り小さい禁制帯幅とを有して光吸収を行なう第２
の半導体層とを備え、前記第１の半導体層は、前
記基体より小さくかつ前記第２の半導体層より大
きい禁制帯幅を有する領域を含んでなる半導体受
光装置により達成される。
(f) 発明の実施例
以下本発明を実施例により、図面を参照して具
体的に説明する。
体的に説明する。
第３図ａに本発明の第一の実施例であるAPD
の断面図を示す。
の断面図を示す。
第３図ａにおいて、１１はn+型InP基板、１２
はn+型InPバツフア層、１３は本発明の特徴とす
るｎ型InGaAs層、１４はｎ型InGaAs光吸収層、
１５はｎ型InP増倍層、１６はP+型領域、１７は
ガードリング効果を有するｐ型領域、１８は絶縁
膜、１９はｐ側電極、２０はｎ側電極である。
はn+型InPバツフア層、１３は本発明の特徴とす
るｎ型InGaAs層、１４はｎ型InGaAs光吸収層、
１５はｎ型InP増倍層、１６はP+型領域、１７は
ガードリング効果を有するｐ型領域、１８は絶縁
膜、１９はｐ側電極、２０はｎ側電極である。
本発明実施例のAPDは例えば以下に述べる如
く製造される。すなわち、キヤリア濃度１×1016
〔cm-3〕以上のn+型InP基板１１上に、同様のキ
ヤリア濃度を有するn+型InPバツフア層１２を厚
さ１〔μｍ〕程度に、ｎ型Inl−xGaxAsyPl−ｙ
層１３（但しｘ＝ｙ／2.197、ｙ＝０，25乃至0.7
程度）をキヤリア濃度１×1014乃至１×1017〔cm-
３〕、厚さ0.2乃至１〔μｍ〕程度に、ｎ型
In0.53Ga0.47As光吸収層１４をキヤリア濃度１
×1014乃至１×1016〔cm-3〕、厚さ２〔μｍ〕程度
に、ｎ型InP層１５をキヤリア濃度１×1015乃至
１×1016〔cm-3〕、厚さ２乃至４〔μｍ〕程度に順
次液相エピタキシヤル成長法（以下LPE法と略
称する）などによつて成長せしめた後に、前記ｎ
型InP層１５に例えばカドミウム（Cd）を選択的
に導入することによつてキヤリア濃度１×1018
〔cm-3〕程度、厚さ１乃至２〔μｍ〕程度のp+型領
域１６、例えばベリリウム（Be）を選択的に導
入することによつてガードリングとするｐ型領域
１７を形成する。しかる後に絶縁膜１８を選択的
に形成し、次いで、ｐ側電極１９を例えば金−亜
鉛（AuZn）を用い、ｎ側電極２０を例えば金−
ゲルマニウム（AuGe）を用いて形成する。
く製造される。すなわち、キヤリア濃度１×1016
〔cm-3〕以上のn+型InP基板１１上に、同様のキ
ヤリア濃度を有するn+型InPバツフア層１２を厚
さ１〔μｍ〕程度に、ｎ型Inl−xGaxAsyPl−ｙ
層１３（但しｘ＝ｙ／2.197、ｙ＝０，25乃至0.7
程度）をキヤリア濃度１×1014乃至１×1017〔cm-
３〕、厚さ0.2乃至１〔μｍ〕程度に、ｎ型
In0.53Ga0.47As光吸収層１４をキヤリア濃度１
×1014乃至１×1016〔cm-3〕、厚さ２〔μｍ〕程度
に、ｎ型InP層１５をキヤリア濃度１×1015乃至
１×1016〔cm-3〕、厚さ２乃至４〔μｍ〕程度に順
次液相エピタキシヤル成長法（以下LPE法と略
称する）などによつて成長せしめた後に、前記ｎ
型InP層１５に例えばカドミウム（Cd）を選択的
に導入することによつてキヤリア濃度１×1018
〔cm-3〕程度、厚さ１乃至２〔μｍ〕程度のp+型領
域１６、例えばベリリウム（Be）を選択的に導
入することによつてガードリングとするｐ型領域
１７を形成する。しかる後に絶縁膜１８を選択的
に形成し、次いで、ｐ側電極１９を例えば金−亜
鉛（AuZn）を用い、ｎ側電極２０を例えば金−
ゲルマニウム（AuGe）を用いて形成する。
本実施例において、先に述べた組成のｎ型
In1xGaxAsyP1−ｙ層１３の禁制帯幅は、ｎ型
In0.53Ga0.47As光吸収層１４とn+型InPバツフア
層１２及び基板１１との中間の値を有する。これ
らの各層のエネルギ帯を図示すれは、バイアス電
圧が印加されたときに、第３図ｂの如くであつ
て、ｎ型In1−xGaxAsyP1−ｙ層１３の厚さを選
択することによつて、受光装置の動作状態におい
て、ｎ型In0.53Ga0.47As光吸収層１４の伝導帯
の最高エネルギ準位E2を、n+InPバツフア層１２
の伝導帯の最低エネルギ準位E1に等しいか、或
いはこれにより低くしている。
In1xGaxAsyP1−ｙ層１３の禁制帯幅は、ｎ型
In0.53Ga0.47As光吸収層１４とn+型InPバツフア
層１２及び基板１１との中間の値を有する。これ
らの各層のエネルギ帯を図示すれは、バイアス電
圧が印加されたときに、第３図ｂの如くであつ
て、ｎ型In1−xGaxAsyP1−ｙ層１３の厚さを選
択することによつて、受光装置の動作状態におい
て、ｎ型In0.53Ga0.47As光吸収層１４の伝導帯
の最高エネルギ準位E2を、n+InPバツフア層１２
の伝導帯の最低エネルギ準位E1に等しいか、或
いはこれにより低くしている。
以上説明した様にこれらの３層のエネルギ帯が
位置することによつて、ｎ側電極２０に向う電子
は、その大部分が高速でｎ型InPバツフア１２に
注入される。
位置することによつて、ｎ側電極２０に向う電子
は、その大部分が高速でｎ型InPバツフア１２に
注入される。
次に前記第１の実施例を更に改善した本発明の
第２の実施例の断面図を第４図ａに、そのエネル
ギーダイヤグラムを第４図ｂに示す。
第２の実施例の断面図を第４図ａに、そのエネル
ギーダイヤグラムを第４図ｂに示す。
第４図ａにおいて、２１はn+型InP基板、２２
はｎ型InPバツフア層、２３は本発明の特徴とす
るｎ型InGaAsP層、２４はｎ型InGaAs光吸収
層、２５は先に特願昭57−097952号によつて提供
したｎ型InGaAsP層、２６はｎ型InP増倍層、２
７はp+型領域、２８はガードリング効果を有す
るｐ型領域、２９は絶縁膜、３０はｐ側電極、３
１はｎ側電極である。本実施例は先に示した第１
の実施例に比較してｎ型InGaAsP層２３の構成
が異なり、更にｎ型InGaAsP層２５を設けてい
る。
はｎ型InPバツフア層、２３は本発明の特徴とす
るｎ型InGaAsP層、２４はｎ型InGaAs光吸収
層、２５は先に特願昭57−097952号によつて提供
したｎ型InGaAsP層、２６はｎ型InP増倍層、２
７はp+型領域、２８はガードリング効果を有す
るｐ型領域、２９は絶縁膜、３０はｐ側電極、３
１はｎ側電極である。本実施例は先に示した第１
の実施例に比較してｎ型InGaAsP層２３の構成
が異なり、更にｎ型InGaAsP層２５を設けてい
る。
本実施例のｎ型In1−xGaxAsyP1−ｙ層２３
は、n+型InPバツフア層２２に接する面の近傍に
おいてはその組成はInPすなわち
In1.00Ga0As0P1.00であつて、格子整合するのみ
でなく禁制帯幅も整合する。エピタキシヤル成長
中にその組成を第５図中の点線で示すInP結晶へ
の格子整合条件に従つて、ｘ＝０→0.47、ｙ＝０
→1.00に変化させることによつて、禁制帯幅を次
第に縮少させて、ｎ型In0.53Ga0.47As光吸収層
２４に接する面の近傍においては、その組成を
In0.53Ga0.47As1.00Poとして禁制帯幅も整合さ
せている。なおこの層２３の厚さは前記第１の実
施例と同様に選択される。
は、n+型InPバツフア層２２に接する面の近傍に
おいてはその組成はInPすなわち
In1.00Ga0As0P1.00であつて、格子整合するのみ
でなく禁制帯幅も整合する。エピタキシヤル成長
中にその組成を第５図中の点線で示すInP結晶へ
の格子整合条件に従つて、ｘ＝０→0.47、ｙ＝０
→1.00に変化させることによつて、禁制帯幅を次
第に縮少させて、ｎ型In0.53Ga0.47As光吸収層
２４に接する面の近傍においては、その組成を
In0.53Ga0.47As1.00Poとして禁制帯幅も整合さ
せている。なおこの層２３の厚さは前記第１の実
施例と同様に選択される。
またｎ型InGaAsP層２５は前記ｎ型InGaAsP
層２３を逆向きに形成する。
層２３を逆向きに形成する。
ただし、第５図はIn1−xGaxAsyP1−ｙ混晶に
おける格子定数及び禁制帯幅の組成との相関を示
す図表であり、横軸及び縦軸は組成比を、図表中
の実線は禁制帯幅を、破線は格子定数を示す。
おける格子定数及び禁制帯幅の組成との相関を示
す図表であり、横軸及び縦軸は組成比を、図表中
の実線は禁制帯幅を、破線は格子定数を示す。
なお以上説明したｎ型In1−xGaxAsP1−ｙ層
２３及び２５は分子線結晶成長（Molecular
Beam Epitaxy＝MBE）法、気相エピタキシヤ
ル成長法などによつて形成することができる。
２３及び２５は分子線結晶成長（Molecular
Beam Epitaxy＝MBE）法、気相エピタキシヤ
ル成長法などによつて形成することができる。
本第２の実施例のエネルギ帯はバイアス電圧が
印加されたときに第４図ｂの如くであつて、ｎ型
In0.53As0.47As光吸収層２４とn+型InPバツフア
層２２との間にはｎ型In1−xGaxAsyP1−ｙ層２
３によつて、エネルギ帯は段差や谷がなく滑らか
に連続するために、キヤリアは減速されることな
く流入する。
印加されたときに第４図ｂの如くであつて、ｎ型
In0.53As0.47As光吸収層２４とn+型InPバツフア
層２２との間にはｎ型In1−xGaxAsyP1−ｙ層２
３によつて、エネルギ帯は段差や谷がなく滑らか
に連続するために、キヤリアは減速されることな
く流入する。
前記第１の実施例及び第２の実施例について、
入力信号の変調周波数−出力電流特性を従来品と
同様に測定した結果、変調周波数500〔ＭHz〕まで
何れも平坦な特性を示すことが確認された。
入力信号の変調周波数−出力電流特性を従来品と
同様に測定した結果、変調周波数500〔ＭHz〕まで
何れも平坦な特性を示すことが確認された。
以上の実施例はなだれ増倍層を有するAPDで
あるが、なだれ増倍効果を有しないフオトダイオ
ード（PD）についても、本発明を適用すること
によつて同様の効果を得ることができる。
あるが、なだれ増倍効果を有しないフオトダイオ
ード（PD）についても、本発明を適用すること
によつて同様の効果を得ることができる。
また以上の実施例はInGaAs／InP系材料を用
いているが、本発明はこれに限られるものではな
く、その他の化合物半導体に対しても同様に適用
することが可能であり、また、実施例の伝導型と
は反対の伝導型に構成される受光装置について
も、同様の効果が得られる。
いているが、本発明はこれに限られるものではな
く、その他の化合物半導体に対しても同様に適用
することが可能であり、また、実施例の伝導型と
は反対の伝導型に構成される受光装置について
も、同様の効果が得られる。
(g) 発明の効果
本発明によれば、以上説明した如く、半導体受
光装置のヘテロエピタキシヤル接合によつて生ず
るキヤリアの減速が軽減もしくは除去されるため
に応答が高速となり、光入力信号の変調周波数−
出力電流特性が大幅に改善される。
光装置のヘテロエピタキシヤル接合によつて生ず
るキヤリアの減速が軽減もしくは除去されるため
に応答が高速となり、光入力信号の変調周波数−
出力電流特性が大幅に改善される。
第１図ａは半導体受光装置の従来例を示す断面
図、第１図ｂはそのエネルギーダイヤグラム、第
２図はその変調周波数−出力電流特性の例を示す
図表、第３図ａは本発明の第１の実施例を示す断
面図、第３図ｂはそのエネルギーダイヤグラム、
第４図ａは本発明の第２の実施例を示す断面図、
第４図ｂはそのエネルギーダイヤグラム、第５図
はInGaAsP系混晶における格子定数と禁制帯幅
の組成との相関を示す図である。 図において、１１，２１はn+型InP基板、１
２，２２はn+型InPバツフア層、１３，２３はｎ
型In1GaxAsyP1−ｙ層、１４，２４はｎ型
InGaAs光吸収層、２５はｎ型In1−xGaxAsyP1
−ｙ層、１５，２６はｎ型InP増倍層、１６，２
７はp+型領域、１７，２８はガードリング、１
８，２９は絶縁膜、１９，３０はｐ側電極、２
０，２１はｎ側電極を示す。
図、第１図ｂはそのエネルギーダイヤグラム、第
２図はその変調周波数−出力電流特性の例を示す
図表、第３図ａは本発明の第１の実施例を示す断
面図、第３図ｂはそのエネルギーダイヤグラム、
第４図ａは本発明の第２の実施例を示す断面図、
第４図ｂはそのエネルギーダイヤグラム、第５図
はInGaAsP系混晶における格子定数と禁制帯幅
の組成との相関を示す図である。 図において、１１，２１はn+型InP基板、１
２，２２はn+型InPバツフア層、１３，２３はｎ
型In1GaxAsyP1−ｙ層、１４，２４はｎ型
InGaAs光吸収層、２５はｎ型In1−xGaxAsyP1
−ｙ層、１５，２６はｎ型InP増倍層、１６，２
７はp+型領域、１７，２８はガードリング、１
８，２９は絶縁膜、１９，３０はｐ側電極、２
０，２１はｎ側電極を示す。
Claims (1)
- １ 一つの電極が設けられた半導体基体と、該基
体に接して該基体と同一の導電型を有する第１の
半導体層と、該第１の半導体層に接し、前記基体
と同一の導電型と前記基体より小さい禁制帯幅と
を有して光吸収を行なう第２の半導体層とを備
え、前記第１の半導体層は前記基体より小さくか
つ前記第２の半導体層より大きい禁制帯幅を有す
る領域を含んでなることを特徴とする半導体受光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58011704A JPS59136981A (ja) | 1983-01-27 | 1983-01-27 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58011704A JPS59136981A (ja) | 1983-01-27 | 1983-01-27 | 半導体受光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59136981A JPS59136981A (ja) | 1984-08-06 |
| JPH0437591B2 true JPH0437591B2 (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=11785428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58011704A Granted JPS59136981A (ja) | 1983-01-27 | 1983-01-27 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59136981A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61154085A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置 |
| DE3855924T2 (de) * | 1987-08-19 | 1998-01-29 | Nec Corp | Planare Avalanche-Photodiode mit Heterostruktur |
| US4775876A (en) * | 1987-09-08 | 1988-10-04 | Motorola Inc. | Photon recycling light emitting diode |
| JPH0821727B2 (ja) * | 1988-11-18 | 1996-03-04 | 日本電気株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
-
1983
- 1983-01-27 JP JP58011704A patent/JPS59136981A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59136981A (ja) | 1984-08-06 |
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