JPS59149070A - 光検出器 - Google Patents
光検出器Info
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- JPS59149070A JPS59149070A JP58023946A JP2394683A JPS59149070A JP S59149070 A JPS59149070 A JP S59149070A JP 58023946 A JP58023946 A JP 58023946A JP 2394683 A JP2394683 A JP 2394683A JP S59149070 A JPS59149070 A JP S59149070A
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- junction
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
- H01L31/1035—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type the devices comprising active layers formed only by AIIIBV compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は逆バイアス動作で使用する光検出器に関するも
ので、特に、光通信用化合物半導体光検出器として高速
、高感度で低容量の７オトダイオード（以下ＰＤと呼ぶ
）ｋ関するものである。
ので、特に、光通信用化合物半導体光検出器として高速
、高感度で低容量の７オトダイオード（以下ＰＤと呼ぶ
）ｋ関するものである。
半導体光検出器のなかで、ＰＤあるいはアバランシ、フ
ォトダイオード（以下ＡＰＤと呼ぶ）は高速、かつ高感
度で光通信システムにおける光検出器として重要なもの
であり、光源である半導体レーザ、発光ダイオードと共
にその開発が進められている。半導体レーザの発振波長
は０．７μｍから１．６μｍ域のもの、たとえばＧａ
Ａｓ −Ｇａ ＡＩ Ａｓ系、あるいはＩｎＰ −Ｉｎ
Ｇａ ＡｓＰ系の半導体レーザーが主流である。Ｇａ
Ａｓ −Ｇｇ ＡＩ Ａｓ系レーザの主な発振波長０
．８から０．８９μｍｌｃ対する光検出器としては８ｉ
単結晶を用いたＦＤあるいはＡＰＤが広く使用φされて
おり、ＳｌのＩＣ及びＬ８Ｉ等の技術に支えられて信頼
性も含めてきわめて優れた特性を示している。しかしな
がら８ｉでは材料の吸収係数により波長１μｍ以上の光
を検出することは困難であり、光ファイバーの伝送損失
の低い１．１〜１．６μｍ波長域では使用することがで
きない。また、この１．１μｍ以上の波長用としてはＧ
ｅ ＡＰＤ、 ＰＤがあるが、暗電流が大きいこと、
過剰絨音が比較的大きく改良の余地が少ないこと、温度
変化に対して敏感であること等によりこの波長域での１
−Ｖ族化合物半導体材料等による高品質なＡＰＤ、ＰＤ
が要求されている。
ォトダイオード（以下ＡＰＤと呼ぶ）は高速、かつ高感
度で光通信システムにおける光検出器として重要なもの
であり、光源である半導体レーザ、発光ダイオードと共
にその開発が進められている。半導体レーザの発振波長
は０．７μｍから１．６μｍ域のもの、たとえばＧａ
Ａｓ −Ｇａ ＡＩ Ａｓ系、あるいはＩｎＰ −Ｉｎ
Ｇａ ＡｓＰ系の半導体レーザーが主流である。Ｇａ
Ａｓ −Ｇｇ ＡＩ Ａｓ系レーザの主な発振波長０
．８から０．８９μｍｌｃ対する光検出器としては８ｉ
単結晶を用いたＦＤあるいはＡＰＤが広く使用φされて
おり、ＳｌのＩＣ及びＬ８Ｉ等の技術に支えられて信頼
性も含めてきわめて優れた特性を示している。しかしな
がら８ｉでは材料の吸収係数により波長１μｍ以上の光
を検出することは困難であり、光ファイバーの伝送損失
の低い１．１〜１．６μｍ波長域では使用することがで
きない。また、この１．１μｍ以上の波長用としてはＧ
ｅ ＡＰＤ、 ＰＤがあるが、暗電流が大きいこと、
過剰絨音が比較的大きく改良の余地が少ないこと、温度
変化に対して敏感であること等によりこの波長域での１
−Ｖ族化合物半導体材料等による高品質なＡＰＤ、ＰＤ
が要求されている。
現在、この１．１〜１．６μｍμｍ波長光用光検出器て
研究・開発が進められている材料としては、ＩｎＧａＡ
ｓ 、ＩｎＧａＡｓｐ １ＧａＡＩ Ｓｂ ＊ ＧａＡ
ｌ ＡｓＳｂ、ＧａＳｂ等のＩ−Ｖ族化合物半導体結晶
、ＨｇＣｄ Ｔｅ等のＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体結晶に
よる報告例がある。例えば、ｎ＋−ＩｎＰ基板上ｋｎ
ｍ Ｉｎ ＧａＡｓ層をエピタキシャル成長後、亜鉛あ
るいはカドミウム等のｐｍ不純物を選択拡散した単純プ
レーナ型あるいは全面拡散後、メサエッチングしたメサ
型素子等の例がある。また、ｐ−ｎ接合をＩｎＰ中に形
成し、ＩｎＧａＡｓあるいはＩｎ Ｇａ ＡｓＰ層を光
吸収層としアバランシ領域をＩｎＰ層中に形成するとと
ｋより低暗電流化、高増倍化等が達成されてきているが
、高い侶頼性等を必要とする光通信用光検出器としては
必ずしも満足するものが得られていないのが現状である
。また、最近においては、上記した様な材料において低
容量化したＰＤ（以下ＰＩＮと呼ぶ）をＦＥＴと組合せ
たＰＩＮ十ＰＥＴの光検出器が注目されてきており、低
い負のバイアス電圧で低容量なＰＩＮが望まれている。
研究・開発が進められている材料としては、ＩｎＧａＡ
ｓ 、ＩｎＧａＡｓｐ １ＧａＡＩ Ｓｂ ＊ ＧａＡ
ｌ ＡｓＳｂ、ＧａＳｂ等のＩ−Ｖ族化合物半導体結晶
、ＨｇＣｄ Ｔｅ等のＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体結晶に
よる報告例がある。例えば、ｎ＋−ＩｎＰ基板上ｋｎ
ｍ Ｉｎ ＧａＡｓ層をエピタキシャル成長後、亜鉛あ
るいはカドミウム等のｐｍ不純物を選択拡散した単純プ
レーナ型あるいは全面拡散後、メサエッチングしたメサ
型素子等の例がある。また、ｐ−ｎ接合をＩｎＰ中に形
成し、ＩｎＧａＡｓあるいはＩｎ Ｇａ ＡｓＰ層を光
吸収層としアバランシ領域をＩｎＰ層中に形成するとと
ｋより低暗電流化、高増倍化等が達成されてきているが
、高い侶頼性等を必要とする光通信用光検出器としては
必ずしも満足するものが得られていないのが現状である
。また、最近においては、上記した様な材料において低
容量化したＰＤ（以下ＰＩＮと呼ぶ）をＦＥＴと組合せ
たＰＩＮ十ＰＥＴの光検出器が注目されてきており、低
い負のバイアス電圧で低容量なＰＩＮが望まれている。
本発明の目的は低バイアス動作で低容量が要求されるＰ
ＤあるいはＰＩＮ等の構造を工夫することｋより暗電流
及び低容量化の向上をなす光検出器を与えるものである
。本発明の光検出器は少くとも、第１の導電型を示す第
１の半導体層と、この第１の半導体層に接して第１の半
導体層の禁制帯幅より禁制帯幅が大きくかつ第１の導電
型を示す第２の半導体層を有する構造で、前記第１の半
導体層で第２の半導体層と接する側と逆の第１の半導体
層側から不純物を導入することＫよりｐ−ｎ接合先端部
を前記第１の半導体層内の第１と第２半導体層界面から
１μｍ以内か、あるいは第１と第２の半導体層界面をよ
ぎって前記第２の半導体層中に形成したことを特徴とす
る光検出器である。
ＤあるいはＰＩＮ等の構造を工夫することｋより暗電流
及び低容量化の向上をなす光検出器を与えるものである
。本発明の光検出器は少くとも、第１の導電型を示す第
１の半導体層と、この第１の半導体層に接して第１の半
導体層の禁制帯幅より禁制帯幅が大きくかつ第１の導電
型を示す第２の半導体層を有する構造で、前記第１の半
導体層で第２の半導体層と接する側と逆の第１の半導体
層側から不純物を導入することＫよりｐ−ｎ接合先端部
を前記第１の半導体層内の第１と第２半導体層界面から
１μｍ以内か、あるいは第１と第２の半導体層界面をよ
ぎって前記第２の半導体層中に形成したことを特徴とす
る光検出器である。
次に本発明の優れた利点について一実施例にもとすいて
説明する。
説明する。
第１図は本発明の光検出器の横断概略図である。
本実施例ではＩｎＰ Ｉｎ Ｇａ Ａｓ系材料を用い
たもの〒あり、まず（１００）面を有するｎ型ＩｎＰ基
板１１の上にエピタキシャル成長法（例えば気相エピタ
キシャル成長法）ｋより約１０μｍ厚で不純物濃度〜５
Ｘ １０ ”ｃｍ−３のｎ−ＩｎＰ層１層上２成した
後、膜厚３／ｊｍ＋不純物濃度Ｉ Ｘ １０”ｍ−のｎ
型”ＢＳ”ｏ、ａ７）Ｌｓ Ｎ １３を形成し、次に膜
厚１，５１１ｍ。
たもの〒あり、まず（１００）面を有するｎ型ＩｎＰ基
板１１の上にエピタキシャル成長法（例えば気相エピタ
キシャル成長法）ｋより約１０μｍ厚で不純物濃度〜５
Ｘ １０ ”ｃｍ−３のｎ−ＩｎＰ層１層上２成した
後、膜厚３／ｊｍ＋不純物濃度Ｉ Ｘ １０”ｍ−のｎ
型”ＢＳ”ｏ、ａ７）Ｌｓ Ｎ １３を形成し、次に膜
厚１，５１１ｍ。
不純物濃度Ｉ Ｘ １０ ”ｃｍ−”のｎ型ＩｎＰ層１
４を形成する。この様にして作製したウェーノ〜の表面
に気相成長法あるいはスパッタ法等によりＳｉＯ□ある
いは８１．Ｎ、膜等を形成した後、フォトレジスト、目
合せ工程等により前記Ｓ ｉ ０２あるいは８ ＋ ｇ
Ｎ４膜を選択的に円状に除去する。次にＣｄ、Ｐ、を
拡散源として排気した閉管中に上記ウェーノーと共忙配
し、約５７０℃の熱処理を加えてＣｄを選択拡散すると
とｋよりＣｄの拡散領域１５とｐ−ｎ接合１６を得る。
４を形成する。この様にして作製したウェーノ〜の表面
に気相成長法あるいはスパッタ法等によりＳｉＯ□ある
いは８１．Ｎ、膜等を形成した後、フォトレジスト、目
合せ工程等により前記Ｓ ｉ ０２あるいは８ ＋ ｇ
Ｎ４膜を選択的に円状に除去する。次にＣｄ、Ｐ、を
拡散源として排気した閉管中に上記ウェーノーと共忙配
し、約５７０℃の熱処理を加えてＣｄを選択拡散すると
とｋよりＣｄの拡散領域１５とｐ−ｎ接合１６を得る。
ここで熱処理時間は１時間程度行ないｐ−ｎ接合面１６
を前記Ｉｎ Ｇ、＋ Ａｓ １１１３を通過しＩｎＰ層
１層中２中成する。次に前記同様な８ｉ、Ｎ、ある（５
） いは８ｉ０□膜１７を形成し、電極取出し窓をフォトレ
ジスト、目合せ工程により前記Ｃｄ拡散領域上の前記薄
膜１７ＪＣ形成した後、この電極取出し窓を遮５ようＶ
Ｃｐ型電極電極１８に示す様にフォトレジスト、目合せ
工程等により形成する。次ｋｎ型電極１９をＩｎＰ基板
１１に形成するととｋより図に示した本発明の半導体光
検出器を得ることができる。
を前記Ｉｎ Ｇ、＋ Ａｓ １１１３を通過しＩｎＰ層
１層中２中成する。次に前記同様な８ｉ、Ｎ、ある（５
） いは８ｉ０□膜１７を形成し、電極取出し窓をフォトレ
ジスト、目合せ工程により前記Ｃｄ拡散領域上の前記薄
膜１７ＪＣ形成した後、この電極取出し窓を遮５ようＶ
Ｃｐ型電極電極１８に示す様にフォトレジスト、目合せ
工程等により形成する。次ｋｎ型電極１９をＩｎＰ基板
１１に形成するととｋより図に示した本発明の半導体光
検出器を得ることができる。
次に別の一実施例について説明する。第２図がその一実
施例であり、作製方法は第１図に示したと同様であり、
（１００）面に有するｎ型ＩｎＰ基板２１の上に気相成
長方法により厚さ約１０μｍで不純物濃度約５ Ｘ １
０ ” ｃｍ−”のｎ−−ＩｎＰ層２２を形成し、次に
、不純物濃度５ Ｘ １０ ” ｃｍ−”層厚的４μｍ
のＩ ｎ６ｊ＠ Ｇｍ ａ４１ Ａ １層２３を形成す
る。このウェーハを用いて、第１図で示したと同様な工
程により、ｐ＋拡散領斌２４＋ｐ−ｎ接合２５ ＊ Ｓ
’＋０２あるいは８ｉＮ膜２６＊ｐｍ電極２７．ｎ型電
極２８を形成する。ここでｐ＋拡散領域２４は、第１図
の場合とことなり、ＺｎＡｓ、を拡散源として排気した
閉（６） 管中にウェー八を入れ約５７０℃の熱処理で処理時２ 間約１０分によりｐ−ｎ接合面ｊｌ ＩｎｃＬｓｓＧａ
ｏ４．Ａ！ｉ層２層中３中ｎＰ層２２との界面から０．
５μｍ程度離れた位置に形成しである。
施例であり、作製方法は第１図に示したと同様であり、
（１００）面に有するｎ型ＩｎＰ基板２１の上に気相成
長方法により厚さ約１０μｍで不純物濃度約５ Ｘ １
０ ” ｃｍ−”のｎ−−ＩｎＰ層２２を形成し、次に
、不純物濃度５ Ｘ １０ ” ｃｍ−”層厚的４μｍ
のＩ ｎ６ｊ＠ Ｇｍ ａ４１ Ａ １層２３を形成す
る。このウェーハを用いて、第１図で示したと同様な工
程により、ｐ＋拡散領斌２４＋ｐ−ｎ接合２５ ＊ Ｓ
’＋０２あるいは８ｉＮ膜２６＊ｐｍ電極２７．ｎ型電
極２８を形成する。ここでｐ＋拡散領域２４は、第１図
の場合とことなり、ＺｎＡｓ、を拡散源として排気した
閉（６） 管中にウェー八を入れ約５７０℃の熱処理で処理時２ 間約１０分によりｐ−ｎ接合面ｊｌ ＩｎｃＬｓｓＧａ
ｏ４．Ａ！ｉ層２層中３中ｎＰ層２２との界面から０．
５μｍ程度離れた位置に形成しである。
次に、この発明の優れた特性と特性面上の理由たついて
説明する。前述の光検出器の構造でｐ＋影形成拡散マス
ク径１００μφの素子において第１印加で容量が約０．
１ＰＦで前記ｎ−ＩｎＰ層１２姓層化２姓牽化ていた。
説明する。前述の光検出器の構造でｐ＋影形成拡散マス
ク径１００μφの素子において第１印加で容量が約０．
１ＰＦで前記ｎ−ＩｎＰ層１２姓層化２姓牽化ていた。
また暗電流は一１０Ｖ印加時において１ｎＡ以下と低い
特性を示した。また、量子効率も波長１．０から１．６
５μｍ域にわたり８０％以上で、光パルスに対する応答
速度も、ＩＧＨｚ以上に十分応答が可能であった。これ
らの優れた特性は次に述べる様な理由により理解できる
。即ち、第１図の実施例においてはｐ−ｎ接合の先端領
域をｎ−ＩｎＰ層１２中に形成することにより、Ｉｎｏ
ｓＳＧａ０４． Ａｓ中に形成した場合と較べて禁制帯
の拡い、 ＩｎＰ層中であるのでトンネル電流の影
響を受けず低暗電流化が達成されている。また、高速応
答及び高量子効率が得られているのは不純物拡散により
ｐ−ｎ接合が形成されており、光吸収” ” ０．６３
ＧＢ６．＜ｔｋｍ層１層上３型領域にあるが不純物拡散
による不純物濃度の深さ方向での勾配が光励起による電
子−正孔対を再結合することなく瞬時に光電流として外
部回路に泡り出すことを可能にしている。また第２図の
実施例では、光吸収Ｉｎｏ５．Ｇａ０．７Ａｓ層２３中
にｐ−ｎ接合が存在するが、Ｉｎ。、３０ａ＠４７Ａｓ
層の不純物濃度が比較的低いこと及び空乏化するＩｎ６
．５１Ｇａ６４７人Ｓ層の幅が狭いために暗電流の劣化
もなく、ｎ”−ＩｎＰ層２２に空乏化することにより低
容量化が実現している。なお、禁制帯幅の小さい半導体
層中にｐ−ｎ接合がある場合にとＱ ｐ −ｎ接合の位
置が禁制帯幅の大きな半導体との界面から１μｍ以内に
規定しているのは、上記禁制帯幅の大きな半導体層中へ
逆バイアス印加で空乏化し低容量化すると共に低暗電流
特性を実現するために必要な条件である。
特性を示した。また、量子効率も波長１．０から１．６
５μｍ域にわたり８０％以上で、光パルスに対する応答
速度も、ＩＧＨｚ以上に十分応答が可能であった。これ
らの優れた特性は次に述べる様な理由により理解できる
。即ち、第１図の実施例においてはｐ−ｎ接合の先端領
域をｎ−ＩｎＰ層１２中に形成することにより、Ｉｎｏ
ｓＳＧａ０４． Ａｓ中に形成した場合と較べて禁制帯
の拡い、 ＩｎＰ層中であるのでトンネル電流の影
響を受けず低暗電流化が達成されている。また、高速応
答及び高量子効率が得られているのは不純物拡散により
ｐ−ｎ接合が形成されており、光吸収” ” ０．６３
ＧＢ６．＜ｔｋｍ層１層上３型領域にあるが不純物拡散
による不純物濃度の深さ方向での勾配が光励起による電
子−正孔対を再結合することなく瞬時に光電流として外
部回路に泡り出すことを可能にしている。また第２図の
実施例では、光吸収Ｉｎｏ５．Ｇａ０．７Ａｓ層２３中
にｐ−ｎ接合が存在するが、Ｉｎ。、３０ａ＠４７Ａｓ
層の不純物濃度が比較的低いこと及び空乏化するＩｎ６
．５１Ｇａ６４７人Ｓ層の幅が狭いために暗電流の劣化
もなく、ｎ”−ＩｎＰ層２２に空乏化することにより低
容量化が実現している。なお、禁制帯幅の小さい半導体
層中にｐ−ｎ接合がある場合にとＱ ｐ −ｎ接合の位
置が禁制帯幅の大きな半導体との界面から１μｍ以内に
規定しているのは、上記禁制帯幅の大きな半導体層中へ
逆バイアス印加で空乏化し低容量化すると共に低暗電流
特性を実現するために必要な条件である。
なお、ここではＩｎＰ −Ｉｎ Ｇａ Ａｓの実施例に
ついて述べたが、ＩｎＰ Ｉｎ Ｇａ ＡｓＰを始め
とするＧａＡｓ。
ついて述べたが、ＩｎＰ Ｉｎ Ｇａ ＡｓＰを始め
とするＧａＡｓ。
Ｇａｒｂ等のＩ−Ｖ族化合物半導体に適用できることは
言うまでもない。
言うまでもない。
第１図は本発明の一実施例により得られる半導体光検出
器を示す概略図であり、１１はｎ＋−型（１００）面を
有するＩｎＰ基板、１２はｎ′″型ＩｎＰエピタキシャ
ル層、１３はｎ ｆＪＩ ｎ（ｈＢＢ Ｇａ６４ｙＡＳ
エピタキシャル層、１４はｎｍＩｎＰｍＩｎ中シャル
層、１５はＣｄ拡散がほどこされたｐ＋領領域１６はｐ
−ｎ接合面、１７は８ ｉｏ、あるいは８ｉ、Ｎ、膜、
１８はｐ型電極、１９はｎ型電極である。 第２図も本発明の一実施例により得られる光検出器の概
略図であり、２１は、ｎ＋型ＩｎＰ基板、２２はｎ−ｍ
ＩｎＰ層、２３はｎ型Ｉｎ、、、Ｇａｆｌ、、Ａｓ層、
２４は亜鉛拡散により得られたｐ＋領領域２５はｐ−ｎ
接合面、２６は８ ｉｏ、あるいはＳｉ３Ｎ、膜、２７
はｐ型電極、２８はｎ型電極である。 閃理人弁理士内原 晋 （９） 第１図
器を示す概略図であり、１１はｎ＋−型（１００）面を
有するＩｎＰ基板、１２はｎ′″型ＩｎＰエピタキシャ
ル層、１３はｎ ｆＪＩ ｎ（ｈＢＢ Ｇａ６４ｙＡＳ
エピタキシャル層、１４はｎｍＩｎＰｍＩｎ中シャル
層、１５はＣｄ拡散がほどこされたｐ＋領領域１６はｐ
−ｎ接合面、１７は８ ｉｏ、あるいは８ｉ、Ｎ、膜、
１８はｐ型電極、１９はｎ型電極である。 第２図も本発明の一実施例により得られる光検出器の概
略図であり、２１は、ｎ＋型ＩｎＰ基板、２２はｎ−ｍ
ＩｎＰ層、２３はｎ型Ｉｎ、、、Ｇａｆｌ、、Ａｓ層、
２４は亜鉛拡散により得られたｐ＋領領域２５はｐ−ｎ
接合面、２６は８ ｉｏ、あるいはＳｉ３Ｎ、膜、２７
はｐ型電極、２８はｎ型電極である。 閃理人弁理士内原 晋 （９） 第１図
Claims (1)
- 第１の導電型を示す第１の半導体層と、この第１の半導
体層に接して前記第１の半導体層の禁制帯幅より禁制帯
幅が大でかつ第１の導電型を示す第２の半導体層とを少
なくとも有し、前記第２の半導体層と接する側とは逆の
第１の半導体層側か ゛ら不純物を導入してｐ−ｎ接
合を形成し、ｐ−ｎ接合の先端部を前記第１の半導体層
内でかつ第１と第２の界面から１μｍ以内か、あるいは
第１と第２の半導体層界面をよぎって第２の半導体層中
にあるようｋしたことを特徴とする光検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58023946A JPS59149070A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 光検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58023946A JPS59149070A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 光検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59149070A true JPS59149070A (ja) | 1984-08-25 |
Family
ID=12124705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58023946A Pending JPS59149070A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 光検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59149070A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6246247B1 (en) | 1994-11-15 | 2001-06-12 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of using same |
| US6624648B2 (en) | 1993-11-16 | 2003-09-23 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly |
| US7262611B2 (en) | 2000-03-17 | 2007-08-28 | Formfactor, Inc. | Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor |
| US7795639B2 (en) * | 2006-09-18 | 2010-09-14 | Commissariat A L'energie Atomique | Avalanche photodiode |
-
1983
- 1983-02-16 JP JP58023946A patent/JPS59149070A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6624648B2 (en) | 1993-11-16 | 2003-09-23 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly |
| US6246247B1 (en) | 1994-11-15 | 2001-06-12 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of using same |
| US7262611B2 (en) | 2000-03-17 | 2007-08-28 | Formfactor, Inc. | Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor |
| US7795639B2 (en) * | 2006-09-18 | 2010-09-14 | Commissariat A L'energie Atomique | Avalanche photodiode |
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