JP4061057B2 - フォトダイオード - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトダイオードに関し、より詳細には、「応答速度と内部量子効率のトレードオフ」の問題を大幅に改善した、広帯域・高内部量子効率の超高速フォトダイオードに関する。
【0002】
【従来の技術】
光検出器として用いられる従来のフォトダイオードの構造は、pinフォトダイオード(pin−PD)と単一走行キャリアフォトダイオード(UTC−PD)の2つに大別される。
【0003】
このうち、pin−PDは、逆バイアス印加状態で空乏化するi型の光吸収層を、バンドギャップの大きなp型電極層とn型電極層とで挟んだ構造を有し、必要とされる周波数応答に対して、活性域厚と内部量子効率が決まる。
【0004】
一方、UTC−PDは、逆バイアス印加状態で空乏化しないように一定濃度以上のドーピングを行なったp型中性の光吸収層と、逆バイアス印加状態で空乏化するバンドギャップの大きなi層とを、p型電極層とn型電極層とで挟んだ構造を有し、その動作原理は特開平9−275224号公報において詳細に説明されている。
【0005】
また、特開平10−233524号公報には、光電変換効率を上げようとすると光吸収層を厚くする必要が生じ高速光信号に応答できないという従来のフォトダイオードの問題を解決するために、光吸収層をp型の上部光吸収層と高抵抗n型の下部光吸収層の2層で構成し、実質的に、pin−PD構造とUTC−PD構造とを一つの構造で同時に実現したハイブリッド型の半導体受光素子が開示されている。
【0006】
このような構成の半導体受光素子では、2つの光吸収層の間に所定の逆バイアスが印加されると、高抵抗n型の下部光吸収層では、層の全域が空乏化されて光励起キャリアである正孔の移動速度が大きくなり、p型の上部光吸収層では、例え層の全域が空乏化しない状態でも光電変換に寄与する少数キャリアの電子は大きな拡散速度を有することとなるため、応答速度が大きく変化しない半導体受光素子が実現可能である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平10−233524号公報に記載の発明はフォトダイオードの高効率化に主眼があり、要求される周波数応答帯域に対してダイオードの構造をどのように設計するかについての指針は示されておらず、また、そもそもこの技術分野において、2層構成の光吸収層を有するダイオードの構造が、フォトダイオードの高速化に有利か否かについての議論はなされていない。
【0008】
フォトダイオードに光が入射すると、入射光は光吸収層内で電子・正孔対を形成し、これらの電子と正孔が層内で分離して、外部の電子回路に電流が流れる。一般に、光吸収層が厚くなると、層内でのキャリア走行時間が長くなるためにフォトダイオードの応答速度は低下する一方、光吸収層が厚いほど活性域で光を充分に吸収することができるようになるため内部量子効率は高くなる。つまり、フォトダイオードのパフォーマンスを決定する因子である応答速度と内部量子効率とは光吸収層厚を介してトレードオフの関係にあり、そのバランスをとることが重要である。
【0009】
キャリアの走行速度で決まる真性の応答速度について簡単に説明すると、pin−PDの応答速度は、ドリフト速度の遅い正孔の走行時間でほぼ決まり、電子の走行速度を無視して近似した正孔の走行時間τDは、光照射が均一の条件のもとで、
τD(pin)=WD/3vh (1)
で与えられ、また、応答速度の指標である周波数応答(3dB帯域:f3dB)は、
f3dB(pin)=1/(2πτD) (2)
と近似される。ここで、vhは正孔のドリフト速度、WDは空乏層厚である。
【0010】
一方、UTC−PDにおいては、逆バイアス印加状態で空乏化したバンドギャップの大きなi層中の電子走行速度がp型中性の光吸収層中の電子走行速度よりも充分大きいため、実効的なキャリア走行時間τAは、電子走行速度の遅い光吸収層によってほぼ支配され、光照射が均一の条件のもとで、
τA(UTC−PD)=WA 2/3De+WA/vth (3)
で与えられ、周波数応答(3dB帯域:f3dB)も電子の拡散電流で決まり、
f3dB(UTC−PD)=1/(2πτA) (4)
と近似される。ここで、Deは電子の拡散係数、vthは電子の熱放出速度、WAはp型中性の光吸収層厚である。
【0011】
数式(1)〜(4)をもとに3dB帯域の光吸収層厚依存性を求めると、pin−PDの場合には、
f3dB(pin)∝1/WD (5)
となる一方、UTC−PDの場合には、WA/vthの項が相対的に小さい場合には、
f3dB(UTC−PD)∝1/WA 2 (6)
となり、pin−PDとUTC−PDとで3dB帯域の吸収層厚依存性が大きく異なっており、光吸収層が厚い領域ではpin−PDの帯域が高く、光吸収層が薄くなるに従ってUTC−PDの帯域が高くなるという傾向を示す。
【0012】
応答速度を高めて高速動作のフォトダイオードを設計するためにはUTC−PDの構成を採用することが有利であるが、その場合でも上述したように光吸収層を薄くせざるを得ず、光吸収層の薄層化は内部量子効率の低下を招いてしまう。このように、UTC−PDには、高速動作が可能である反面、高速動作を目的とする素子の内部量子効率が低下してしまうという「応答速度と内部量子効率のトレードオフ」の問題は残る。
【0013】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、フォトダイオードにおける上述した「応答速度と内部量子効率のトレードオフ」の問題を改善し、広帯域でかつ高内部量子効率のフォトダイオードを提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、n型半導体電極層と、第1の半導体光吸収層とp型を有する第2の半導体光吸収層とを有する光吸収層と、p型半導体電極層とが順次積層され、前記n型半導体電極層に設けられたn型電極と前記p型半導体電極層に設けられたp型電極とを備え、前記n型電極と前記p型電極との間に所定の逆バイアスを印加すると、前記第1の半導体光吸収層は空乏化し、前記第2の半導体光吸収層は前記第1の半導体光吸収層との界面近傍領域以外の領域が中性となるフォトダイオードであって、前記第1の半導体光吸収層の層厚(WD)と前記第2の半導体光吸収層の層厚(WA)の和(W=WD+WA)で与えられる一定の層厚の前記光吸収層内において、前記フォトダイオードの実効的な全キャリア走行時間が最小となるようにWDとWAの比率を設定したことを特徴とする。
【0015】
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のフォトダイオードにおいて、前記第1の半導体光吸収層及び前記第2の半導体光吸収層の各々が、InxGa1―xAsyP1−y(0≦x及びy≦1)で表記される相互に同一又は相違する組成の化合物半導体から構成されていることを特徴とする。
【0016】
また、請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のフォトダイオードにおいて、前記WDとWAの比率は、次式で与えられるτtotを最小とするように設定されることを特徴とする。
τtot=WA 3/(3WDe)+WA 2/(Wvth)+WD 2/(3Wvh)
(De:電子の拡散係数、vth:電子の熱放出速度、vh:正孔のドリフト速度)
【0017】
更に、請求項4に記載の発明は、請求項1、2、又は3に記載のフォトダイオードにおいて、前記第1の半導体光吸収層と前記n型半導体電極層との間に、前記第1の半導体光吸収層よりも大きなバンドギャップを有する半導体光透過層を備え、該半導体光透過層は、前記n型電極と前記p型電極との間に所定の逆バイアスを印加すると空乏化することを特徴とする。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を参照して本発明の実施の形態について説明するが、本発明のフォトダイオードの設計に至った着想は以下のとおりである。一般に、2つに分割された領域I及び領域IIで光吸収が生じる場合、I領域の光周波数応答はII領域の構造パラメータをも含み、II領域の光吸収領域の光周波数応答は、I領域の構造パラメータをも含む。すなわち、I領域の応答遅延時間は、I領域のキャリア走行時間とII領域のキャリア走行時間との関数であり、II領域の応答遅延時間についても同様の関係を有する。従って、I領域とII領域とが接続された構造の全応答は、I領域とII領域のそれぞれが独立に存在する構造の応答を並列に重ね合わせた応答とはならない。例えば、pin−PDにおいて、光吸収層の層厚を2倍にすると、遅延時間は2倍となり帯域は1/2となってしまう。
【0019】
しかし、ここで、「I領域とII領域の依存関係」を低減させることが可能となれば、全応答はI領域とII領域とがそれぞれ独立に存在する構造の応答を並列に重ね合わせたものとすることが可能となるのである。
【0020】
(実施例1)
図1は、本発明のフォトダイオードの構成例を説明するための図で、単層又はバンドギャップの異なる多層のn型半導体電極層11と、逆バイアス印加状態で空乏化する膜厚WDの第1の半導体光吸収層12と、逆バイアス印加状態でp型中性の膜厚WAの第2の半導体光吸収層13と、単層又はバンドギャップの異なる多層のp型半導体電極層14とが順次積層され、n型半導体電極層11上に設けられたn型電極15とp型半導体電極層14上に設けられたp型電極16とから構成されており、第1の半導体光吸収層12と第2の半導体光吸収層13の層厚の比は、それらの層厚の和W(=WD+WA)が一定の条件の下で、所定の動作条件で応答速度が最大となるように設定されている。
【0021】
Wが一定であれば、WAとWDの比が変化しても第1の半導体光吸収層と第2の半導体光吸収層からなる半導体光吸収層全体の光吸収係数は殆ど変化せず、フォトダイオードの内部量子効率は変化しないから、フォトダイオードとしてのパフォーマンスは応答速度で決定されることとなる。
【0022】
図2は、図1に示した半導体光吸収層中でのキャリア走行時間を模式的に説明するための図で、層厚WDの空乏化した第1の半導体光吸収層12と、層厚WAのp型中性の第2の半導体光吸収層13の層厚の和W(=WD+WA)を一定にする条件の基で、これらの層厚の比を変化させた場合の、各半導体光吸収層中のキャリア走行時間(τD、τA)、キャリア走行時間の和、及び、実効的な半導体光吸収層全体のキャリア走行時間(τtot)を模式的に示したものである。
【0023】
図2から分かるように、フォトダイオードの応答速度を決定するファクターである光吸収層全体のキャリア走行時間τtotは、WA部分の電子走行時間τAとWD部分の正孔走行時間τDとの単純和とはならない。これは、空乏化した半導体光吸収層12内で生成したキャリアに起因する電流と、p型中性の半導体光吸収層13内で生成したキャリアに起因する電流とが光吸収層内を同時に流れることによる。
【0024】
図3は、p型中性の半導体光吸収層と空乏化した半導体光吸収層の各々の層内で生成したキャリアの移動の様子を説明するためのバンドダイアグラムで、単層又はバンドギャップの異なる多層のn型半導体電極層31と、逆バイアス印加状態で空乏化する膜厚WDの第1の半導体光吸収層32と、p型中性の膜厚WAの第2の半導体光吸収層33と、単層又はバンドギャップの異なる多層のp型半導体電極層34とが順次積層された半導体構造の半導体光吸収層に光が照射されると、第1の半導体光吸収層32と第2の半導体光吸収層33の各々の層内において電子・正孔対が発生し、電子はn型半導体電極31側へと移動し、正孔はp型半導体電極34側へと移動するという、いわば並列回路を構成した電流が流れる状態が実現される。
【0025】
この現象は、単位体積当たりのキャリア生成速度G(cm−2・s)一定の均一な光照射がなされる場合の光吸収層内でのキャリア生成の様子を、単純な電荷制御モデルによって取り扱うことにより理解することができる。
【0026】
光照射によって光吸収層内に電子・正孔対が形成されて光電流J(=qGW)が発生するが、一般に、光電流量が増大すると、p型中性の半導体光吸収層内の電子電荷−QA、及び、空乏化した半導体光吸収層内及びその近傍領域の正孔電荷QDも増加する。
【0027】
p型中性の半導体光吸収層内の電子電荷−QAは、拡散モデルによる取り扱いでは、
−QA=−qG(WA 3/(3De)+WA 2/vth) (7)
で与えられる。
【0028】
また、τAが、QAの微分量ΔQAと、WA層内の光電流JA(=qGWA)の微分量ΔJAとを用いて、
τA=ΔQA/ΔJA (8)
と表されることを考慮すると、τAは、
τA=(WA 2/(3De)+WA/vth) (9)
と表現できる。
【0029】
一方、QDは、空乏化した光吸収層内部でqGWD 2/2v h だけ増加し、p型中性の光吸収層と空乏化した光吸収層との界面でqGWD 2 /3v h だけ減少するから、
QD=qGWD 2/6vh (10)
で与えられる。
【0030】
また、τDが、QDの微分量ΔQDと、WD層内の光電流JD(=qGWD)の微分量ΔJDとを用いて、
τD=2ΔQD/ΔJD (11)
と表されることを考慮すると、τDは、
τD=WD/3vh (12)
で与えられる。なお、数式(11)の右辺で2の係数がついているのは、正孔電流が全電流の1/2であることによる。
【0031】
図1及び図3に示した構成のフォトダイオードの光周波数応答をより一般的に説明すると、第1の半導体光吸収層(空乏層)に光信号が入力された場合の光周波数応答をR1(ω)、第2の半導体光吸収層(p形中性層)に光信号が入力された場合の光周波数応答をR2(ω)とすると、第2の半導体光吸収層で発生した電子は、第1の半導体光吸収層の端から注入されてそこを通過するため、第2の半導体光吸収層独立の応答をR22(ω)、電子の第1の半導体光吸収層の通過に伴う応答をR21(ω)として、R2(ω)はこれらの積R22(ω)・R21(ω)で与えられる。ここで、対象としているフォトダイオードはInGaAsP系の半導体材料を用いて構成するため、第1の半導体光吸収層中の電子速度(走行時間)が第2の半導体光吸収層中の電子速度(走行時間)よりも充分高く(短く)、R2(ω)〜R22(ω)と近似可能な光吸収層の設計範囲が存在し得て、そのように近似することができる。
【0032】
一方、第1の半導体光吸収層から発生した電子と正孔による電流は、この層の両端領域が電荷中性(多数キャリアが存在)となっているために、ほぼそのまま外部回路へと流れ、第1の半導体光吸収層と第2の半導体光吸収層とがそれぞれ独立に存在する構造での応答を並列に重ね合わせた応答、すなわち、Rtot(ω)〜R1(ω)+R2(ω)の条件が実現できることとなる。
【0033】
ここで、電荷制御モデルによる取り扱いにおいて、拡散電流とドリフト電流とが並列で流れる回路の全応答J(ω)は、
J(ω)=JDC[(WA/W)/(1+jωτA)+(WD/W)/(1+jωτD)] (13)
となり、低周波領域では、
J(ω)≒JDC[1−jω(WAτA+WDτD)/W] (14)
と近似されるので、結局、全体のキャリア走行時間τtotは、
(15)となる。
【0034】
応答速度を大きくするためには、数式(15)で与えられるτtotを最小にすれば良く、応答速度(及びその指標である3dB帯域)は、WAとWDの比率を設定することで最大とすることが可能となる。
【0035】
なお、数式(15)から分かるように、τtotは、[WA 2/(3De)+WA/vth](WA/W)と[WD/3vh](WD/W)の成分からなり、WAとWDの各々が全光吸収層厚Wに占める比率に依存し、WA=0(空乏化した半導体光吸収層のみ)及びWA=W(p型中性の半導体光吸収層のみ)の構造のフォトダイオードのキャリア走行時間は、各々、上述した数式(1)及び数式(3)で与えられるキャリア走行時間に一致する。
【0036】
これに対して、WAとWDが共に有限の膜厚を有する構造の本発明のフォトダイオードのτtotは、W2/(3De)+W/vth、及び、W/3vhの何れの値よりも小さくなり得るから、pin−PD及びUTC−PDよりも小さなτtotを得ることが可能で、より高速な応答が可能となる。
【0037】
このように、図1及び図3に示した構成の本発明のフォトダイオードによれば、2つに分割された半導体光吸収領域の依存関係を低減させることが可能となり、フォトダイオードの全応答は、これら2つの領域がそれぞれ独立に存在する構造の応答を並列に重ね合わせたものとすることが可能となる。
【0038】
図4は、層厚WDの空乏化したInGaAs光吸収層と層厚WAのp型中性のInGaAs光吸収層とを備える本発明のフォトダイオードの光吸収層内での、全体のキャリア走行時間τtotと3dB帯域f3dBとを上述したモデルに基づく計算により求めた結果を説明するための図で、電子の拡散係数をDe=200cm2/s、正孔速度をvh=5×106cm/s、InGaAs光吸収層の全厚をW=WA+WD=0.4μm一定とし、Wに対するWAの割合に対して全体のキャリア走行時間τtot及び3dB帯域f3dBがどのように変化するかを示したものである。
【0039】
図4から分かるように、本発明のフォトダイオードのf3dBの値は、WA=0.18μm(WD=0.22μm)の場合に116GHzの最大値をとる。これに対して、WA=0(WD=W)の場合に対応するpin−PDのf3dBは60GHzであり、WA=W(WD=0)の場合に対応するUTC−PDのf3dBは37GHzであるから、本発明のフォトダイオードによってf3dBが大幅に増大することになる。なお、τtotは全光吸収層厚Wの増加とともに単調に増加するため、帯域を最大にするWAとWDの組み合わせは、その帯域に対する最大内部量子効率を与える組み合わせでもある。
【0040】
(実施例2)
図5は、本発明のフォトダイオードの他の構成例を説明するための図で、単層又はバンドギャップの異なる多層のn型半導体電極層51と、逆バイアス印加状態で空乏化する半導体光透過層52と、逆バイアス印加状態で空乏化する膜厚WDの第1の半導体光吸収層53と、逆バイアス印加状態でp型中性の膜厚WAの第2の半導体光吸収層54と、単層又はバンドギャップの異なる多層のp型半導体電極層55とが順次積層され、n型半導体電極層51上に設けられたn型電極56とp型半導体電極層55上に設けられたp型電極57とから構成されており、半導体光透過層52は第1の半導体光吸収層53よりも大きなバンドギャップを有するように設計されている。
【0041】
図6は、図5に示したp型中性の半導体光吸収層と空乏化した半導体光吸収層の各々の層内で生成したキャリアの移動の様子を説明するためのバンドダイアグラムで、単層又はバンドギャップの異なる多層のn型半導体電極層61と、逆バイアス印加状態で空乏化する半導体光透過層62と、逆バイアス印加状態で空乏化する膜厚WDの第1の半導体光吸収層63と、逆バイアス印加状態でp型中性の膜厚WAの第2の半導体光吸収層64と、単層又はバンドギャップの異なる多層のp型半導体電極層65とが順次積層された半導体構造の半導体光吸収層に光が照射されると、各々の半導体光吸収層内において電子・正孔対が発生し、電子はn型電極61側へ移動し、正孔はp型電極65側へ移動するという、いわば並列回路中を電流が流れる状態が実現される。
【0042】
図5に示した構造のフォトダイオードでは、半導体光透過層52が逆バイアス印加状態で空乏化するように設計されているので、動作時の半導体光透過層52内での電子電荷の増大は顕著となることはなく、pn接合幅が広がるとともに、接合容量を低くすることが可能である。また、空乏化した第1の半導体光吸収層53内のキャリア走行時間は、正孔の走行時間が一定であれば大きな変化がなく、全体のキャリア走行時間τtotは殆ど増加することはない。
【0043】
ここで、実施例1で説明した場合と同様に、ダイオードの応答を電荷制御モデルで取り扱うと、第1の半導体光吸収層の層厚をWD、第2の半導体光吸収層の層厚をWA、半導体光透過層の層厚をWTとし、かつ、第1及び第2の半導体光吸収層の層厚和W(=WD+WA)を一定とする条件の基での全体のキャリア走行時間(τtot)は、
τtot=WA 3/(3WDe)+W2 A/(Wvth)+[WD 3/(WD+WT)]/(3Wvh) (16)
となる。この結果を数式(15)で得られた比較とすると、数式(16)の第3項の値が、WD/(WD+WT)だけ小さくなることが理解できる。
【0044】
すなわち、図5に示す構成のフォトダイオードでは、WAとWDとを縮小した場合でもpn接合幅は狭くならず、接合容量C及びRC時定数の増大によって帯域を劣化させることがないという利点を有し、高速動作に有利な構造のフォトダイオードを得ることが可能となる。
【0045】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、光吸収層を、層厚WDの空乏化した第1の半導体光吸収層と、層厚WAのp型中性の第2の半導体光吸収層とで構成し、WAとWDの比率を、全体のキャリア走行時間τtotが最小となるように設定したので、従来の構成のフォトダイオードが抱えていた「応答速度と内部量子効率のトレードオフ」の問題を大幅に改善することが可能となる。
【0046】
特に、超高速信号処理(≧40Gbit/s)に用いられる従来型のフォトダイオードでは、光吸収層厚を薄く設計し、内部量子効率を犠牲にして帯域を確保するということがなされていたが、本発明のフォトダイオードでは、そのような設計上の制約を除去することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のフォトダイオードの構成例を説明するための図である。
【図2】 図1に示した本発明のフォトダイオードを構成する半導体光吸収層内でのキャリア走行時間を説明するための図である。
【図3】本発明のフォトダイオードを構成する半導体光吸収層内でのキャリアの移動を説明するためのバンドダイアグラムである。
【図4】 層厚WDの空乏化したInGaAs光吸収層と、層厚WAのp型中性のInGaAs光吸収層とを備える本発明のフォトダイオードの光吸収層内での、全体のキャリア走行時間τtotと3dB帯域f3dBとを計算により求めた結果を説明するための図である。
【図5】 本発明のフォトダイオードの他の構成例を説明するための図である。
【図6】 図5に示した本発明のフォトダイオードを構成する半導体光吸収層内でのキャリアの移動を説明するためのバンドダイアグラムである。
【符号の説明】
11、31、51、61 n型半導体電極層
12、32、53、63 第1の半導体光吸収層
13、33、54、64 第2の半導体光吸収層
14、34、55、65 p型半導体電極層
15、56 n型電極
16、57 p型電極
52、62 半導体光透過層
Claims (4)
- n型半導体電極層と、第1の半導体光吸収層とp型を有する第2の半導体光吸収層とを有する光吸収層と、p型半導体電極層とが順次積層され、前記n型半導体電極層に設けられたn型電極と前記p型半導体電極層に設けられたp型電極とを備え、前記n型電極と前記p型電極との間に所定の逆バイアスを印加すると、前記第1の半導体光吸収層は空乏化し、前記第2の半導体光吸収層は前記第1の半導体光吸収層との界面近傍領域以外の領域が中性となるフォトダイオードであって、
前記第1の半導体光吸収層の層厚(WD)と前記第2の半導体光吸収層の層厚(WA)の和(W=WD+WA)で与えられる一定の層厚の前記光吸収層内において、
前記フォトダイオードの実効的な全キャリア走行時間が最小となるようにWDとWAの比率を設定したことを特徴とするフォトダイオード。 - 前記第1の半導体光吸収層及び前記第2の半導体光吸収層の各々が、InxGa1―xAsyP1−y(0≦x及びy≦1)で表記される相互に同一又は相違する組成の化合物半導体から構成されていることを特徴とする請求項1に記載のフォトダイオード。
- 前記WDとWAの比率は、次式で与えられるτtotを最小とするように設定されることを特徴とする請求項2に記載のフォトダイオード。
τtot=WA 3/(3WDe)+WA 2/(Wvth)+WD 2/(3Wvh)
(De:電子の拡散係数、vth:電子の熱放出速度、vh:正孔のドリフト速度) - 前記第1の半導体光吸収層と前記n型半導体電極層との間に、前記第1の半導体光吸収層よりも大きなバンドギャップを有する半導体光透過層を備え、該半導体光透過層は、前記n型電極と前記p型電極との間に所定の逆バイアスを印加すると空乏化することを特徴とする請求項1、2、又は3に記載のフォトダイオード。
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