JPS5948963A - フオトトランジスタ - Google Patents
フオトトランジスタInfo
- Publication number
- JPS5948963A JPS5948963A JP57159241A JP15924182A JPS5948963A JP S5948963 A JPS5948963 A JP S5948963A JP 57159241 A JP57159241 A JP 57159241A JP 15924182 A JP15924182 A JP 15924182A JP S5948963 A JPS5948963 A JP S5948963A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- base
- substrate
- collector
- constitution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 241000609816 Pantholops hodgsonii Species 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 210000003296 saliva Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers or surface barriers, e.g. bipolar phototransistor
- H01L31/1105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers or surface barriers, e.g. bipolar phototransistor the device being a bipolar phototransistor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高速で高感度な受光素子としてのへテロ擬合フ
ォトトランジスタの改良に関する。
ォトトランジスタの改良に関する。
一般に、内部に受光機能と充電流増巾１ゾ質信と併せ持
つフォトトランジスタのうちで、エミッタ、ベースが二
つの異なる材料によって１杉成されたヘテロ接合フォト
トランジスタと呼ばれる蛍光素子は、高い電流増巾率を
持っており、重速化された受光素子は光通信や他の種々
の分野に用途がＩｖ１待されている。
つフォトトランジスタのうちで、エミッタ、ベースが二
つの異なる材料によって１杉成されたヘテロ接合フォト
トランジスタと呼ばれる蛍光素子は、高い電流増巾率を
持っており、重速化された受光素子は光通信や他の種々
の分野に用途がＩｖ１待されている。
第１図はこのヘテロ接合ｐ ｎ −ｐ −ｎフォトトラ
ンジスタの動ｆ’ｌ原理全示したバンドは１であＺ）。
ンジスタの動ｆ’ｌ原理全示したバンドは１であＺ）。
図中、１１はエミッタ、１２はベース、１３はコレクタ
を形成する１１０域である。屯営な動作状％’ではエミ
ッターベース成金はハ１１壜方回に、又コレクタ・ベー
ス接合は逆方向にバイアス′亀圧がかかっている。エミ
ッタ（１１）＆、１ペース（１２）及びコレクタ（１３
）とは異なる拐料によって形成され、・哄制螢ＩＨ，Ｈ
がベース（１２）及びコレクタ（］３）より大きな材料
で出来ている。１４は電子、１５は旧札でありそれぞれ
の領域での多数キャリアとなる。入射光のエネルギーは
、エミッタ（１１）の禁制帯幅で決するエネルギーより
小さくベース（１２）及びコレクタ（１３）の禁制帯幅
で決まるエネルギーよりも太きいものとする。１６及び
１７は光吸収によって生じた電子と正孔である。電子１
４に対するエミッターベース間の電位障壁１８は正孔１
５ｖＣ対する電位障壁１９よりも大きくなる様に材料ｋ
ｖ八へ］〜である。
を形成する１１０域である。屯営な動作状％’ではエミ
ッターベース成金はハ１１壜方回に、又コレクタ・ベー
ス接合は逆方向にバイアス′亀圧がかかっている。エミ
ッタ（１１）＆、１ペース（１２）及びコレクタ（１３
）とは異なる拐料によって形成され、・哄制螢ＩＨ，Ｈ
がベース（１２）及びコレクタ（］３）より大きな材料
で出来ている。１４は電子、１５は旧札でありそれぞれ
の領域での多数キャリアとなる。入射光のエネルギーは
、エミッタ（１１）の禁制帯幅で決するエネルギーより
小さくベース（１２）及びコレクタ（１３）の禁制帯幅
で決まるエネルギーよりも太きいものとする。１６及び
１７は光吸収によって生じた電子と正孔である。電子１
４に対するエミッターベース間の電位障壁１８は正孔１
５ｖＣ対する電位障壁１９よりも大きくなる様に材料ｋ
ｖ八へ］〜である。
吸収で生じた正孔１７はベース（１２）［注入されて電
子１４に対する電位障壁１８を押し下げるので、電子１
４はベース（１２）ｆｆｉ通過してコレクタ（１３）に
流れ込む。充電流増幅率は正孔１５に対する゛電位障壁
１９が電子１４に対する電位障壁１８に比べて大きい程
大きくなる。この才°１≧なヘテロの接合フォトトラン
ジスタで高速応答特性を有する素子を作製するには」妾
合容量を減らし、又ベース層厚を薄くしてキャリアのベ
ース走行時間を短かくすることが必要である。
子１４に対する電位障壁１８を押し下げるので、電子１
４はベース（１２）ｆｆｉ通過してコレクタ（１３）に
流れ込む。充電流増幅率は正孔１５に対する゛電位障壁
１９が電子１４に対する電位障壁１８に比べて大きい程
大きくなる。この才°１≧なヘテロの接合フォトトラン
ジスタで高速応答特性を有する素子を作製するには」妾
合容量を減らし、又ベース層厚を薄くしてキャリアのベ
ース走行時間を短かくすることが必要である。
纂２図は従来の高速へテロ接合フォトトランジスタの断
面図である。このフォトトランジスタはファイバが低分
散、低損失となる１μｎｌ帯における光通信用の半導体
材料として使用され、ＩｎＧａＡｓＰ系混晶を用いて高
部−流増倍率を有す／、）ものである。図に於いて、２
１はｎ型ＩｎＰ基板、２２にその上に形成されエミッタ
領域全構［反する１４智すＩｎＰ層、２３はベースとな
るｐ＋型１ｎｏ５３１Ｊａｏ、４７ＡＳ層でベース、２
４はコレクタとなるロー型Ｉｎ。、５３−Ｇ３０．４７
ＡＳ層、２５．２６はＡｕＵ ｅ Ｎ ｉ ／Ａｕから
なる電極である。光は図中矢印Ａで示した如く入射する
。このフォトトランジスタ（ｒＪ二、 Ｉｎ ｏ５３（
Ｊａ −８４□ＡＳの禁制帯幅より太きくＩｎＰの禁制
帯幅よりは小さいエネルギーの１０〜１６μｎ］ 帯の
光子を検出するもので、ＩｎＯ，５３Ｇａ Ｏ，４□Ａ
ｓＪすが吸収ノ曽となる３、また、４００ ｊＪ ｌ−
１ｚの高い周波数頭載で使用するようにメサの径は２０
μｍ として小さくして接合答箪を減らし、又ベース２
３の１５旧情は０２μｍと薄くしである。しかし、この
様に吸収層の面積が小さいヘテロ接合フォトトランジス
タの用途は光ファイバのコア径が小さなシングルモード
ファイバを用いたシステムに限定され、辿’Ｗ’ｓのコ
ア径がもっと大きなファイバ音用いたシステムには、唾
用し娠いという欠点があった。
面図である。このフォトトランジスタはファイバが低分
散、低損失となる１μｎｌ帯における光通信用の半導体
材料として使用され、ＩｎＧａＡｓＰ系混晶を用いて高
部−流増倍率を有す／、）ものである。図に於いて、２
１はｎ型ＩｎＰ基板、２２にその上に形成されエミッタ
領域全構［反する１４智すＩｎＰ層、２３はベースとな
るｐ＋型１ｎｏ５３１Ｊａｏ、４７ＡＳ層でベース、２
４はコレクタとなるロー型Ｉｎ。、５３−Ｇ３０．４７
ＡＳ層、２５．２６はＡｕＵ ｅ Ｎ ｉ ／Ａｕから
なる電極である。光は図中矢印Ａで示した如く入射する
。このフォトトランジスタ（ｒＪ二、 Ｉｎ ｏ５３（
Ｊａ −８４□ＡＳの禁制帯幅より太きくＩｎＰの禁制
帯幅よりは小さいエネルギーの１０〜１６μｎ］ 帯の
光子を検出するもので、ＩｎＯ，５３Ｇａ Ｏ，４□Ａ
ｓＪすが吸収ノ曽となる３、また、４００ ｊＪ ｌ−
１ｚの高い周波数頭載で使用するようにメサの径は２０
μｍ として小さくして接合答箪を減らし、又ベース２
３の１５旧情は０２μｍと薄くしである。しかし、この
様に吸収層の面積が小さいヘテロ接合フォトトランジス
タの用途は光ファイバのコア径が小さなシングルモード
ファイバを用いたシステムに限定され、辿’Ｗ’ｓのコ
ア径がもっと大きなファイバ音用いたシステムには、唾
用し娠いという欠点があった。
本発明の目的は、このような欠点を除去し、吸収層の面
積だけを大きくしてコア径５０μｍ１１といった通常［
炉用されるファイバを用いた光通信等にも、１）＆用可
能な高感度で高速なヘテロ接合フォトトランジスタを提
供することにある。
積だけを大きくしてコア径５０μｍ１１といった通常［
炉用されるファイバを用いた光通信等にも、１）＆用可
能な高感度で高速なヘテロ接合フォトトランジスタを提
供することにある。
本、−色間のフォトトランジスタの構成は、所定の半導
体基板上に、第１導電型、を有するｉＲ］の半導体層と
、Ｍｔｌ記第１導電型とは逆の第２導’ｄ７．型を有し
前記第１の半導体層とは同一組成の第２の半ｊ７ｉ。
体基板上に、第１導電型、を有するｉＲ］の半導体層と
、Ｍｔｌ記第１導電型とは逆の第２導’ｄ７．型を有し
前記第１の半導体層とは同一組成の第２の半ｊ７ｉ。
体層と、前記第１導電型を有し６１■記第１の半導体層
よりは大きな禁制帯幅をもつ第３の半導体層とを積層さ
れ、ｉ１１記第３の半導体層の表面より前記第１の半導
体層と前記第２の半導体層の凝合面に到る深さまでの半
導体層からなるメサ形状を形成したこと全特徴とする。
よりは大きな禁制帯幅をもつ第３の半導体層とを積層さ
れ、ｉ１１記第３の半導体層の表面より前記第１の半導
体層と前記第２の半導体層の凝合面に到る深さまでの半
導体層からなるメサ形状を形成したこと全特徴とする。
以下不発明全図面により詳細に説明する。
第３図は本発明に係わる一笑施例の１１ノ１面図である
。この実施例は、１．０〜１．６μｍの波長帯での元フ
ァイバ通Ｇｆ用の受光素子としてｎ−ｐ−ｎヘテロ硬合
フォトトランンスタである。この構成は、ｎ型ＩｎＰ基
板３１の上にバッファ層としてｎ型ＩｎＰ ）會３２を
形成する。その上に第１の半導体層として膜ノ４１μｍ
でＳｎドープ（ｎ＝５Ｘ１０”ｃｔｎ−３）ｌ、たｎ″
″ノ（すＩｎ０５７０３ｇ、４３ＡＳ層３３を形成し、
更に渠２の半導体層としてＩＩＱ厚０２μｍでＺｎドー
プ（Ｐ＝５Ｘ１０１８ｃｍ−３）のｐ ＋ ｑ■（１０
，５７ＧａＯ，４３ＡＳ ＩＵ ：３４ ’？ｉ−形成
する。そして第３の半導体層として膜Ｊ’ν、１μｍで
Ｓｎドープ（ロニ５×ＩＱＩ”ｃｍ−３）のｎ−型１ｎ
Ｐ層３５を形成する。エビタキシャルフェハの作製は気
相成し法によって行なう。ｎ−型ＩｎＰＪ７３５のにｋ
Ｌｌｉ４より！】−型１１１ｏ、５７ＧａＯ，４３ＮＳ
層３３と ｐ＋［Ｉｎ Ｏ，５７ｏ”０４３Ａｓ Ｉｃ
ｅ３４の接合面に到る深さまでメサエッチングしてｎ−
型Ｉｎｏ、５７Ｑａｏ、４３ＡＳ層３３の表面を露出さ
せる。メサ径は１５μｍである。Ａ’ｈ出したｎ−鼎１
ｎ −ｏ、５７Ｇ”ｏ、４ＢＡＳ Ｉｆ！ｔ ３３の
表面に８１３Ｎ４から成る光反射膜３８を形成する。最
イ／２Ｇ′こメサの土部吉１ＩＩＪとｎ型Ｉ ｎ Ｐ基
板３１の裏面にＡｕ１ＪｅＮｉ／、〜Ｕから成る゛電極
３６，３７全形成する。ｎμｍ琶１ＩＩＰ＋□・板３１
、ｎ型Ｉ ｎ Ｉ）層３２、及びｎ−型Ｉ ｎｏ、 ５
７” −８，４３八ＳＪ鴎３３がコレクタ領域全形成し
、ベースがｐ＋ｆｉＩｎｏ、５７Ｇａｏ４３ＡＳ３４
で、エミッタ力ｎ 型ＩｎＰ３５となる。
。この実施例は、１．０〜１．６μｍの波長帯での元フ
ァイバ通Ｇｆ用の受光素子としてｎ−ｐ−ｎヘテロ硬合
フォトトランンスタである。この構成は、ｎ型ＩｎＰ基
板３１の上にバッファ層としてｎ型ＩｎＰ ）會３２を
形成する。その上に第１の半導体層として膜ノ４１μｍ
でＳｎドープ（ｎ＝５Ｘ１０”ｃｔｎ−３）ｌ、たｎ″
″ノ（すＩｎ０５７０３ｇ、４３ＡＳ層３３を形成し、
更に渠２の半導体層としてＩＩＱ厚０２μｍでＺｎドー
プ（Ｐ＝５Ｘ１０１８ｃｍ−３）のｐ ＋ ｑ■（１０
，５７ＧａＯ，４３ＡＳ ＩＵ ：３４ ’？ｉ−形成
する。そして第３の半導体層として膜Ｊ’ν、１μｍで
Ｓｎドープ（ロニ５×ＩＱＩ”ｃｍ−３）のｎ−型１ｎ
Ｐ層３５を形成する。エビタキシャルフェハの作製は気
相成し法によって行なう。ｎ−型ＩｎＰＪ７３５のにｋ
Ｌｌｉ４より！】−型１１１ｏ、５７ＧａＯ，４３ＮＳ
層３３と ｐ＋［Ｉｎ Ｏ，５７ｏ”０４３Ａｓ Ｉｃ
ｅ３４の接合面に到る深さまでメサエッチングしてｎ−
型Ｉｎｏ、５７Ｑａｏ、４３ＡＳ層３３の表面を露出さ
せる。メサ径は１５μｍである。Ａ’ｈ出したｎ−鼎１
ｎ −ｏ、５７Ｇ”ｏ、４ＢＡＳ Ｉｆ！ｔ ３３の
表面に８１３Ｎ４から成る光反射膜３８を形成する。最
イ／２Ｇ′こメサの土部吉１ＩＩＪとｎ型Ｉ ｎ Ｐ基
板３１の裏面にＡｕ１ＪｅＮｉ／、〜Ｕから成る゛電極
３６，３７全形成する。ｎμｍ琶１ＩＩＰ＋□・板３１
、ｎ型Ｉ ｎ Ｉ）層３２、及びｎ−型Ｉ ｎｏ、 ５
７” −８，４３八ＳＪ鴎３３がコレクタ領域全形成し
、ベースがｐ＋ｆｉＩｎｏ、５７Ｇａｏ４３ＡＳ３４
で、エミッタ力ｎ 型ＩｎＰ３５となる。
光は、ｎ型１ｎＰ基板３１の長面より直径８０μｍの電
極が形成されていない円状部分を・通して入射し、コレ
クターペース接合は逆バイアス電圧かかかる１り１りに
して１更用する。コレクタ１Ｊｉ力１見中のｎ−型Ｉｎ
（、，５７Ｇａｏ４３Ａｓ ３３の不純物濃糺はベース
のｐ十型１ｎａｏ、５７（）ａｏ、４３八Ｓ３４及びｎ
Ｊ＋ｉＱ １． ｏ Ｐ １０３２の不純物・４渡に
比べて１かので、光音吸収してベースに正孔ヲ）１１．
給する空乏層は殆んどｎ ｔｐ 、１ ｎ ｏ、 ５７
Ｇ ａｏ４３１ｙｓ３３の層中全体に拡がっている。
極が形成されていない円状部分を・通して入射し、コレ
クターペース接合は逆バイアス電圧かかかる１り１りに
して１更用する。コレクタ１Ｊｉ力１見中のｎ−型Ｉｎ
（、，５７Ｇａｏ４３Ａｓ ３３の不純物濃糺はベース
のｐ十型１ｎａｏ、５７（）ａｏ、４３八Ｓ３４及びｎ
Ｊ＋ｉＱ １． ｏ Ｐ １０３２の不純物・４渡に
比べて１かので、光音吸収してベースに正孔ヲ）１１．
給する空乏層は殆んどｎ ｔｐ 、１ ｎ ｏ、 ５７
Ｇ ａｏ４３１ｙｓ３３の層中全体に拡がっている。
光反射膜３８を形成したのは吸収領域の享ざを笑効的に
２倍にして１（（り収効率を高める／こめである。
２倍にして１（（り収効率を高める／こめである。
不実姉例では、コレクターペース及びエミッターペース
接合の直径が２０μｍと小さく、接合容量が小さいに拘
らず、元の吸収領域は直径８０μｍと大きいので、通′
帛のコア径５０μＩｎのファイバを用いても、結合遺失
を生じることなく４０Δ什Ｔｚの高い周波数頭１我まで
使用することが出来る。
接合の直径が２０μｍと小さく、接合容量が小さいに拘
らず、元の吸収領域は直径８０μｍと大きいので、通′
帛のコア径５０μＩｎのファイバを用いても、結合遺失
を生じることなく４０Δ什Ｔｚの高い周波数頭１我まで
使用することが出来る。
以上説明した様に、不４色間によれば、人１月光束が大
きな面積の場合に対しても結合；Ｊ１失が小さく重速、
高光電流１゛、１倍率を有する′ン光累子が１１ｆられ
る。
きな面積の場合に対しても結合；Ｊ１失が小さく重速、
高光電流１゛、１倍率を有する′ン光累子が１１ｆられ
る。
第１図はへテロ１妾合フォトトランジスタの１ｌｆｌｌ
（／を三原理を示したバンド図、第２図は従来例のに
面内、第３１図は木元明に係わる一実施例の断１１１ｚ
Ｉで、ちる。 図において、 １１・・・・エミッタ領域、１２・・・・ベース領１或
、１３・・・・・コレクタ領域、１４，１６・・・・・
・′ル；子、１５゜１７・・・・・・正孔、１８．１９
・・・・・・′電位１≦ｔ４４．ｉ％、 ２１及び３
１・・・・・ｎ型ＩｎＰ基板、２２及び３５・・・・・
・ｎ−型 、ｔｎｐ層、 ３２ ・＝・ｎ型Ｉ ｎ Ｐ
層、２４及び３３・・・・・ｎ−型Ｉｎｏ５□Ｇａｏ、
４３ＡＳ層、２３及び３４・・・・・・ｐ十型 Ｉｎｏ
４３ＡＳ層、２５，２６．３６．”、’７・・・・・・
電極、３８・・・・・・光反射膜である。 一ハ ３／ ／−／′３．５ 一′ タ ４−−’−一 −一〜／３８
（／を三原理を示したバンド図、第２図は従来例のに
面内、第３１図は木元明に係わる一実施例の断１１１ｚ
Ｉで、ちる。 図において、 １１・・・・エミッタ領域、１２・・・・ベース領１或
、１３・・・・・コレクタ領域、１４，１６・・・・・
・′ル；子、１５゜１７・・・・・・正孔、１８．１９
・・・・・・′電位１≦ｔ４４．ｉ％、 ２１及び３
１・・・・・ｎ型ＩｎＰ基板、２２及び３５・・・・・
・ｎ−型 、ｔｎｐ層、 ３２ ・＝・ｎ型Ｉ ｎ Ｐ
層、２４及び３３・・・・・ｎ−型Ｉｎｏ５□Ｇａｏ、
４３ＡＳ層、２３及び３４・・・・・・ｐ十型 Ｉｎｏ
４３ＡＳ層、２５，２６．３６．”、’７・・・・・・
電極、３８・・・・・・光反射膜である。 一ハ ３／ ／−／′３．５ 一′ タ ４−−’−一 −一〜／３８
Claims (1)
- 所定の半導体基板上に、第１導ｉ型を有する第１の半導
体層と、この第１の半導体層の組成と同一組成で前記第
１導′屯型とは逆の第２導ｊＯ１型全哨する第２の半導
体層と、前記第１導電型を有し前記第１の半導体層より
は大きな禁制帯幅看二もつ第３の半導体層とを積層し、
前記第３の半導体層の表面より前記第１の半導体層と前
記第２の半導体層の接合面に到る深さまでの半導体層か
らなるメサ形状を形成したことを特徴とするフォトトラ
ンジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57159241A JPS5948963A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | フオトトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57159241A JPS5948963A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | フオトトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948963A true JPS5948963A (ja) | 1984-03-21 |
Family
ID=15689425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57159241A Pending JPS5948963A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | フオトトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948963A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4670274A (en) * | 1984-04-02 | 1987-06-02 | Kobanyai Sorgyar | Process for controlling the germination of malting barley |
| JPS62219675A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体受光装置 |
| US4918508A (en) * | 1986-03-28 | 1990-04-17 | General Electric Company | Vertical photoconductive detector |
| US5316956A (en) * | 1992-02-07 | 1994-05-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor light-receiving elements |
| US7129489B2 (en) * | 2004-12-03 | 2006-10-31 | Raytheon Company | Method and apparatus providing single bump, multi-color pixel architecture |
-
1982
- 1982-09-13 JP JP57159241A patent/JPS5948963A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4670274A (en) * | 1984-04-02 | 1987-06-02 | Kobanyai Sorgyar | Process for controlling the germination of malting barley |
| JPS62219675A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体受光装置 |
| US4918508A (en) * | 1986-03-28 | 1990-04-17 | General Electric Company | Vertical photoconductive detector |
| US5316956A (en) * | 1992-02-07 | 1994-05-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor light-receiving elements |
| US7129489B2 (en) * | 2004-12-03 | 2006-10-31 | Raytheon Company | Method and apparatus providing single bump, multi-color pixel architecture |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4220688B2 (ja) | アバランシェホトダイオード | |
| US4731641A (en) | Avalanche photo diode with quantum well layer | |
| JP2934294B2 (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| JP3016858B2 (ja) | シリコン層を備えた半導体デバイス | |
| JPS6016474A (ja) | ヘテロ多重接合型光検出器 | |
| JP3254532B2 (ja) | アバランシェホトダイオード | |
| JP4061057B2 (ja) | フォトダイオード | |
| JP4861388B2 (ja) | アバランシェホトダイオード | |
| JPS5948963A (ja) | フオトトランジスタ | |
| JP3589390B2 (ja) | 光電気集積回路およびヘテロ接合ホトトランジスタ | |
| JP3047385B2 (ja) | 受光素子 | |
| CN115224138A (zh) | 一种水平拉通型锗硅雪崩光电探测器 | |
| JPS6285477A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS61170079A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH11330536A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS6222473B2 (ja) | ||
| JPS59161082A (ja) | 半導体受光装置 | |
| JP2667413B2 (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPH057014A (ja) | アバランシエフオトダイオード | |
| JPH0265279A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH01196182A (ja) | フォトダイオード | |
| JPS62165981A (ja) | 受光素子 | |
| JP2991555B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS6146080A (ja) | 半導体受光装置 | |
| JP2723069B2 (ja) | 半導体受光素子 |