JP3589390B2 - 光電気集積回路およびヘテロ接合ホトトランジスタ - Google Patents

光電気集積回路およびヘテロ接合ホトトランジスタ Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信における光信号受信に用いられる光電気集積回路およびヘテロ接合ホトトランジスタに関する。
【0002】
【従来の技術】
高速大容量の光通信システムを安価に実現させるためのデバイスとして、一チップで超高速光信号を電気信号に変換して当該電気信号を増幅させる機能を有する光電気集積回路(以下「OEIC」という。)や、一素子で上記機能を有するヘテロ接合ホトトランジスタ(以下「HPT」という。)が開発されている。HPTは、増幅機能を持つため、光電気集積回路としての一部の機能を持つとみなすことができ、さらに、電子デバイスと集積化してOEICを形成する際の受光デバイスの一つとしてみなすことができる。受信OEICとしては、超高速光信号を電気信号に変換して当該電気信号にデジタル処理を行うOEICもその機能が確認されている。
【0003】
受信OEICは、同一の基板上に受光デバイスと電子デバイスとを集積して構成される。受光デバイスとしては、フォトダイオード(以下「PD」という。)やヘテロ接合バイポーラトランジスタ(以下「HBT」という。)や金属−半導体−金属の構造を有する素子などが採用され、また、電子デバイスとしては、HBTやヘテロ接合電界効果トランジスタなどが採用されている。なかでも、PDとHBTとを集積化したOEIC(以下「PD−HBT OEIC」という。)およびHPTとHBTとを集積化したOEIC(以下「HPT−HBT OEIC」という。)は、受光デバイスと電子デバイスとを構成する半導体層構造や製作工程を共通化することができるので、OEICを製作するための結晶成長やプロセスを大幅に簡略化することができる(例えば特開平6−326120号公報等参照)。
【0004】
このような従来のOEICやHPTを図3,4を用いて次に説明する。
【0005】
[PD−HBT OEIC]
図3に示すように、半絶縁性のInPの基板301上には、n型不純物を高濃度でドープしたInGaAsのサブコレクタ層である第一コレクタ層302および第一半導体層302aが積層されている。第一コレクタ層302上には、アンドープまたはn型不純物を低濃度でドープしたInPの第二コレクタ層303が積層されると共に、コレクタ電極309が設けられている。第一半導体層302a上には、アンドープまたはn型不純物を低濃度でドープしたInPの第二半導体層303aが積層されると共に、n側電極309aが設けられている。
【0006】
前記第二コレクタ層303上には、アンドープのInGaAsPとn型不純物をドープしたInGaAsPとの二層からなる第三コレクタ層304が積層されている。第二半導体層303a上には、アンドープのInGaAsPとn型不純物をドープしたInGaAsPとの二層からなる第三半導体層304aが積層されている。第三コレクタ層304上には、アンドープのInGaAsの第四コレクタ層305が積層されている。第三半導体層304a上には、アンドープのInGaAsの第四半導体層305aが積層されている。
【0007】
ここで、第三コレクタ層304は、第二コレクタ層303と第四コレクタ層305との伝導帯不連続によるキャリアブロッキング効果を低減するため、第二コレクタ層303と第四コレクタ層305との間に介在し、第三半導体層304aは、第二半導体層303aと第四半導体層305aとの伝導帯不連続によるキャリアブロッキング効果を低減するため、第二半導体層303aと第四半導体層305aとの間に介在している。なお、本例では、第二〜四コレクタ層303〜305などによりコレクタ層を構成している。
【0008】
前記第四コレクタ層305上には、p型不純物を高濃度でドープしたInGaAsのベース層306が積層されている。第四半導体層305a上には、p型不純物を高濃度でドープしたInGaAsの第五半導体層306aが積層されている。ベース層306上には、n型不純物をドープしたInPのエミッタ層307が積層されると共に、ベース電極310が設けられている。第五半導体層306a上には、p側電極310aが設けられている。エミッタ層307上には、n型不純物を高濃度にドープしたInGaAsのエミッタキャップ層308が積層されている。エミッタキャップ層308上には、エミッタ電極311が積層されている。また、PD側のp側電極310aには、信号光1の入射窓312が形成されている。
【0009】
つまり、HBTの第一〜四コレクタ層302〜305および前記電極309,310とPDの第一〜四半導体層302a〜305aおよび前記電極309a,310aとは、層構造および製作工程を共通としている、言い換えれば、PDは、HBTの第一〜四コレクタ層302〜305と共通する第一〜四半導体層302a〜305aを有すると共に、HBTの前記電極309,310と同時に形成された前記電極309a,310aを有しているのである。
【0010】
このようなPD−HBT OEICでは、信号光1が入射窓312から入射すると、当該入射光1が積層方向に進行して、第五半導体層306aおよび第四半導体層305aが当該信号光1を吸収し、PD側が受光デバイスとして作用して、HBT側が電子デバイスとして作用するようになっている。
【0011】
[HPT]
図4に示すように、半絶縁性のInPの基板401上には、n型不純物を高濃度でドープしたInGaAsのサブコレクタ層である第一コレクタ層402が積層されている。第一コレクタ層402上には、アンドープまたはn型不純物を低濃度でドープしたInPの第二コレクタ層403が積層されると共に、コレクタ電極409が設けられている。第二コレクタ層403上には、アンドープのInGaAsPとn型不純物をドープしたInGaAsPとの二層からなる第三コレクタ層404が積層されている。第三コレクタ層404上には、アンドープのInGaAsの第四コレクタ層405が積層されている。
【0012】
ここで、第三コレクタ層404は、第二コレクタ層403と第四コレクタ層405との伝導帯不連続によるキャリアブロッキング効果を低減するため、第二コレクタ層403と第四コレクタ層405との間に介在している。なお、本例では、第二〜四コレクタ層403〜405などによりコレクタ層を構成している。
【0013】
前記第四コレクタ層405上には、p型不純物を高濃度でドープしたInGaAsのベース層406が積層されている。ベース層406上には、n型不純物をドープしたInPのエミッタ層407が積層されると共に、ベース電極410が設けられている。エミッタ層407上には、n型不純物を高濃度にドープしたInGaAsのエミッタキャップ層408が積層されている。エミッタキャップ層408上には、エミッタ電極411が設けられている。エミッタ電極411には、信号光1の入射窓412が形成されている。
【0014】
このようなHPTでは、信号光1が入射窓412から入射すると、当該入射光1が積層方向に通過して、ベース層406および第四コレクタ層405が当該信号光1を吸収し、受光デバイスとして作用する。
【0015】
[HPT−HBT OEIC]
HPT−HBT OEICは、図3に示したPD−HBT OEICのPD部分を、図4に示したHPTに変更した構造をなし、前述した場合と同様に作用する。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
前述したような従来のHPT、PD−HBT OEIC、HPT−HBT OEICでは、受光デバイスとしての最適な層構造と電子デバイスとしての最適な層構造とが異なるため、受光感度と動作速度との間にトレードオフが存在してしまい、高性能化が妨げられてしまっていた。特に、PDの出力信号をデジタルICに直接入力させてデジタル信号の処理を行うデジタル直結型のOEICでは、PDからの電気信号出力としてデジタルICを駆動するのに十分な出力が必要であるものの、受光デバイスの感度が従来のものだと低過ぎてしまい、OEICとして実用レベルの感度および動作速度を得ることが極めて困難であった。
【0017】
より具体的に説明すると、第一の問題点は、信号光1が吸収層(PD−HBTOEICでは第四,五半導体層305a,306a、HPTではベース層406や第四コレクタ層405)を通過する距離が短いためにその感度が低いということである。ここで、上記吸収層を厚くすることにより感度を増大させることが考えられる。ところが、HBT等の電子デバイス側の動作速度を高速にするためには、高い電流密度で動作させることが必要であるものの、このような動作条件下では空間電荷の影響が現れやすくなり、しかもその影響がコレクタ空乏層を厚くするほど顕著になるため、PD等の受光デバイス側を高感度とするように前記吸収層を厚くしてしまうと、HBT等の電子デバイス側の動作速度が大幅に低下してしまう。
【0018】
第二の問題点は、前記電極310a,411に入射光1の入射窓312,412を形成しているため、前記電極310a,411側の寄生抵抗が大きいということである。HBT等の電子デバイス側の動作速度を高速にするためには、第五半導体層306やベース層406を薄くした方が望ましく、p型不純物を高濃度でドープして得られる現実的なシート抵抗が単位面積当たり数百Ω程度であるため、前記電極310a,411に入射窓312,412を形成することによる抵抗の増大は極めて大きい。
【0019】
第三の問題点は、第五半導体層306やベース層406にp型不純物が積層方向に均一に高濃度でドープされているため、当該第五半導体層306やベース層406で光励起された電子が第一半導体層302a側または第一コレクタ層402側に引き抜かれるのが遅くなってしまい、電気信号の時間応答波形に裾引きが現れてしまうということである。
【0020】
以上のような問題点を鑑み、本発明は、受光感度と動作速度との間のトレードオフを解消することができる光電気集積回路およびヘテロ接合ホトトランジスタを提供することを目的とする。
【0021】
【課題を解決するための手段】
前述した課題を解決するための、第一番目の発明による光電気集積回路は、基板上にサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層およびエミッタ層を積層されて、コレクタ電極、ベース電極およびエミッタ電極を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタと、当該基板上に前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記サブコレクタ層、前記コレクタ層および前記ベース層と共通する各半導体層を有して、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記コレクタ電極および前記ベース電極と同時に形成された各電極を有するフォトダイオードとを備え、当該フォトダイオードに入射した信号光を電気信号に変換処理して出力する光電気集積回路において、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記ベース層と共通する前記フォトダイオードの前記半導体層の不純物濃度またはバンドギャップエネルギが、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記コレクタ層と共通する前記フォトダイオードの前記半導体層側ほど段階的または連続的に減少していると共に、信号光を入射させる入射窓を前記基板の前記フォトダイオード側の側端面に当該基板の厚さ方向内側ほど窪んだ傾斜状となるように設けることにより、当該入射窓から入射する信号光を屈折させて、前記フォトダイオードの前記半導体層内に積層方向に対して斜めに通過させるようにしたことを特徴とする。
【0022】
第二番目の発明による光電気集積回路は、第一番目の発明の光電気集積回路において、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記ベース電極と同時に形成された前記フォトダイオードの前記電極がノンアロイオーミックであることを特徴とする。
【0024】
番目の発明による光電気集積回路は、第一番目又は第二番目の発明の光電気集積回路において、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記サブコレクタ層と共通する前記フォトダイオードの前記半導体層のバンドギャップエネルギが信号光の波長に対応するエネルギよりも大きいことを特徴とする。
【0025】
番目の発明による光電気集積回路は、基板上にサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層およびエミッタ層を積層されて、コレクタ電極、ベース電極およびエミッタ電極を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタと、当該基板上に前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記サブコレクタ層、前記コレクタ層、前記ベース層および前記エミッタ層と共通するサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層およびエミッタ層を有して、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記コレクタ電極、前記ベース電極および前記エミッタ電極と同時に形成されたコレクタ電極、ベース電極およびエミッタ電極を有するヘテロ接合ホトトランジスタとを備え、当該ヘテロ接合ホトトランジスタに入射した信号光を電気信号に変換処理して出力する光電気集積回路において、前記ヘテロ接合ホトトランジスタの前記ベース層の不純物濃度またはバンドギャップエネルギが当該ヘテロ接合ホトトランジスタの前記コレクタ層側ほど段階的または連続的に減少していると共に、信号光を入射させる入射窓を前記基板の前記ヘテロ接合ホトトランジスタ側の側端面に当該基板の厚さ方向内側ほど窪んだ傾斜状となるように設けることにより、当該入射窓から入射する信号光を屈折させて、前記ヘテロ接合ホトトランジスタの前記層内に積層方向に対して斜めに通過させるようにしたことを特徴とする。
【0026】
番目の発明による光電気集積回路は、第番目の発明の光電気集積回路において、前記ヘテロ接合ホトトランジスタの前記エミッタ電極がノンアロイオーミックであることを特徴とする。
【0028】
番目の発明による光電気集積回路は、第四番目又は第五番目の発明の光電気集積回路において、前記ヘテロ接合ホトトランジスタの前記サブコレクタ層のバンドギャップエネルギが信号光の波長に対応するエネルギよりも大きいことを特徴とする。
【0029】
また、前述した課題を解決するための、第番目の発明によるヘテロ接合ホトトランジスタは、基板上にサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層およびエミッタ層を積層されて、コレクタ電極、ベース電極およびエミッタ電極を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタからなり、当該ヘテロ接合バイポーラトランジスタに入射した信号光を電気信号として取り出すヘテロ接合ホトトランジスタにおいて、前記ベース層の不純物濃度またはバンドギャップエネルギが前記コレクタ層側ほど段階的または連続的に減少していると共に、信号光を入射させる入射窓を前記基板の側端面に当該基板の厚さ方向内側ほど窪んだ傾斜状となるように設けることにより、当該入射窓から入射する信号光を屈折させて、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記層内に積層方向に対して斜めに通過させるようにしたことを特徴とする。
【0030】
番目の発明によるヘテロ接合ホトトランジスタは、第番目の発明のヘテロ接合ホトトランジスタにおいて、前記エミッタ電極がノンアロイオーミックであることを特徴とする。
【0032】
番目の発明によるヘテロ接合ホトトランジスタは、第七番目又は第八番目の発明のヘテロ接合ホトトランジスタにおいて、前記サブコレクタ層のバンドギャップエネルギが信号光の波長に対応するエネルギよりも大きいことを特徴とする。
【0033】
【発明の実施の形態】
本発明による光電気集積回路(以下「OEIC」という。)およびヘテロ接合ホトトランジスタ(以下「HPT」という。)の実施の形態を以下に説明するが、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【0034】
[PD−HBT OEIC]
本発明によるOEICをPD−HBT OEICに応用した場合の実施の形態を図1を用いて説明する。なお、図1は、その概略構成図である。
【0035】
図1に示すように、半絶縁性のInPの基板101上には、n型不純物を高濃度でドープしたInPのサブコレクタ層である第一コレクタ層102および第一半導体層102aが積層されている。第一コレクタ層102上には、アンドープまたはn型不純物を低濃度でドープしたInPの第二コレクタ層103が積層されると共に、コレクタ電極109が積層されている。第一半導体層102a上には、アンドープまたはn型不純物を低濃度でドープしたInPの第二半導体層103aが積層されると共に、n側電極109aが設けられている。
【0036】
前記第二コレクタ層103上には、アンドープのInGaAsPとn型不純物をドープしたInGaAsPとの二層からなる第三コレクタ層104が積層されている。第二半導体層103a上には、アンドープのInGaAsPとn型不純物をドープしたInGaAsPとの二層からなる第三半導体層104aが積層されている。第三コレクタ層104上には、アンドープのInGaAsの第四コレクタ層105が積層されている。第三半導体層104a上には、アンドープのInGaAsの第四半導体層105aが積層されている。
【0037】
ここで、第三コレクタ層104は、第二コレクタ層103と第四コレクタ層105との伝導帯不連続によるキャリアブロッキング効果を低減するため、第二コレクタ層103と第四コレクタ層105との間に介在し、第三半導体層104aは、第二半導体層103aと第四半導体層105aとの伝導帯不連続によるキャリアブロッキング効果を低減するため、第二半導体層103aと第四半導体層105aとの間に介在している。なお、本例では、第二〜四コレクタ層103〜105などによりコレクタ層を構成している。
【0038】
前記第四コレクタ層105上には、基板101側ほどp型不純物を高濃度とするようにドープしたInGaAsのベース層106が積層されている。第四半導体層105a上には、基板101側ほどp型不純物を高濃度とするようにドープしたInGaAsの第五半導体層106aが積層されている。ベース層106上には、n型不純物をドープしたInPのエミッタ層107が積層されると共に、ベース電極110が設けられている。第五半導体層106a上には、p側電極110aが積層されている。エミッタ層107上には、n型不純物を高濃度にドープしたInGaAsのエミッタキャップ層108が積層されている。エミッタキャップ層108上には、エミッタ電極111が設けられている。
【0039】
前記電極109〜113は、その材質がすべてPt/Ti/Pt/Auであり、ノンアロイでオーミックコンタクトを得ることができるようになっている。
【0040】
つまり、HBTの第一〜四コレクタ層102〜105および前記電極109,110とPDの第一〜四半導体層102a〜105aおよび前記電極109a,110aとは、層構造および製作工程を共通としている、言い換えれば、PDは、HBTの第一〜四コレクタ層102〜105と共通する第一〜四半導体層102a〜105aを有すると共に、HBTの前記電極109,110と同時に形成された前記電極109a,110aを有しているのである。
【0041】
基板101のPD側の側面には、当該基板101の内部側ほど窪むように内側に傾斜した入射窓であるいわゆる逆メサ112が形成されている。この逆メサ112は、例えば、ブロムメタノールなどのような結晶面選択性のあるウエットエッチング液を用いることにより、容易に形成することができる。
【0042】
このようなPDにおいては、第四,五半導体層105a,106aが1.55μm帯の信号光1に対する吸収層として作用する。ここで、HBTが高電流密度で動作したとき、急峻な電界が第一半導体層102にかかるものの、第二半導体層103が第一半導体層102側にあるので、高電界がかかっても動作を安定させる、すなわち、耐圧を増大させることができる。
【0043】
このようなPD−HBT OEICでは、1.55μm帯の信号光1が基板101の表面に沿う方向で前記逆メサ112側から入射されると、当該信号光1が逆メサ112の入射端面で屈曲し、基板101およびPD側の前記層102a〜104aを積層方向に対して斜めに通過して第四,五半導体層105a,106aで吸収される。当該層105a,106aで吸収されきれずに当該層105a,106aを通過してしまった信号光1は、p側電極110aにおいて反射して上記層105a,106aで再度吸収される。
【0044】
すなわち、信号光1を逆メサ112から入射させることにより、信号光1を入射時点で屈折させて積層方向に対して斜めに通過させて通過距離を長くすると共に、n型不純物を高濃度にドープしたInPの第一半導体層102aを適用することにより、信号光1の波長に対応するエネルギよりもバンドギャップエネルギを大きくして、入射光1の第一半導体層102aでの吸収を抑制し、第四,五半導体層105a,106aでの入射光1の吸収量を増大させ、さらに、p側電極110aをノンアロイとすることにより、電極界面の平坦性を高め、第四,五半導体層105a,106aで吸収しきれなかった信号光1をp側電極110aで反射して第四,五半導体層105a,106aに再び斜めに通過させるようにしたのである。
【0045】
このため、第四,五半導体層105a,106aを通過する信号光1の距離が増大するので、第四,五半導体層105a,106aを厚くしなくても、PDの感度の増大を図ることができる。
【0046】
また、信号光1を逆メサ112から入射させることにより、p側電極110aに入射窓を形成する必要がなく、p側電極110aで第五半導体層106aを全面的に覆うことができるので、抵抗を大幅に低減することができる。
【0047】
また、第五半導体層106aにドープするp型不純物を基板101側ほど高濃度とすることにより、この領域で光励起された電子を内部電界によって前記コレクタ層側に加速することができるので、電気信号の時間応答波形に裾引きが現れることはない。
【0048】
したがって、このようなPD−HBT OEICによれば、受光感度と動作速度との間のトレードオフを解消することができる。
【0049】
[HPT]
本発明によるHPTの実施の形態を図2を用いて説明する。なお、図2は、その概略構成図である。ただし、前述した実施の形態の場合と同様な部材については、前述した実施の形態の説明で用いた符号と同様な符号を用いることにより、その説明を省略する。
【0050】
図2に示すように、半絶縁性のInPの基板201上には、n型不純物を高濃度でドープしたInPのサブコレクタ層である第一コレクタ層202が積層されている。第一コレクタ層202上には、アンドープまたはn型不純物を低濃度でドープしたInPの第二コレクタ層203が積層されると共に、コレクタ電極209が設けられている。第二コレクタ層203上には、アンドープのInGaAsPとn型不純物をドープしたInGaAsPとの二層からなる第三コレクタ層204が積層されている。第三コレクタ層204上には、アンドープのInGaAsの第四コレクタ層205が積層されている。
【0051】
ここで、第三コレクタ層204は、第二コレクタ層203と第四コレクタ層205との伝導帯不連続によるキャリアブロッキング効果を低減するため、第二コレクタ層203と第四コレクタ層205との間に介在している。なお、本例では、第二〜四コレクタ層203〜205などによりコレクタ層を構成している。
【0052】
前記第四コレクタ層205上には、基板101側ほどp型不純物を高濃度とするようにドープしたInGaAsのベース層206が積層されている。ベース層206上には、n型不純物をドープしたInPのエミッタ層207が積層されると共に、ベース電極210が設けられている。エミッタ層207上には、n型不純物を高濃度にドープしたInGaAsのエミッタキャップ層208が積層されている。エミッタキャップ層208上には、エミッタ電極211が設けられている。
【0053】
前記電極209〜211は、その材質がPt/Ti/Pt/Auであり、ノンアロイでオーミックコンタクトを得ることができるようになっている。
【0054】
基板201の側面には、当該基板201の内部側ほど窪むように内側に傾斜した入射窓であるいわゆる逆メサ212が形成されている。この逆メサ212は、例えば、ブロムメタノールなどのような結晶面選択性のあるウエットエッチング液を用いることにより、容易に形成することができる。
【0055】
このようなHPTでは、1.55μm帯の信号光1が基板201の表面に沿う方向で前記逆メサ212側から入射されると、当該信号光1が逆メサ212の入射端面で屈曲し、基板201および前記層202〜204を積層方向に対して斜めに通過して第四コレクタ層205およびベース層206で吸収される。当該層205,206で吸収されきれずに当該層205,206を通過してしまった信号光1は、エミッタキャップ層208で一部吸収されるものの、その大部分がエミッタ電極211において反射して第四コレクタ層205およびベース層206に吸収される。
【0056】
すなわち、前述した実施の形態のPD−HBT OEICの場合と同様に、信号光1を逆メサ212から入射させることにより、信号光1を入射時点で屈折させて積層方向に対して斜めに通過させて通過距離を長くすると共に、n型不純物を高濃度にドープしたInPの第一コレクタ層202を適用することにより、信号光1の波長に対応するエネルギよりもバンドギャップエネルギを大きくして、入射光1の第一コレクタ層202での吸収を抑制し、第四コレクタ層205およびベース層206での入射光1の吸収量を増大させ、さらに、エミッタ電極211をノンアロイとすることにより、電極界面の平坦性を高め、第四コレクタ層205およびベース層206で吸収しきれなかった信号光1をエミッタ電極211で反射して第四コレクタ層205およびベース層206に再び斜めに通過させるようにしたのである。
【0057】
このため、前述した実施の形態のPD−HBT OEICの場合と同様に、第四コレクタ層205およびベース層206を通過する信号光1の距離が増大するので、これら層205,206を厚くしなくても、受光デバイス側の感度の増大を図ることができる。
【0058】
また、前述した実施の形態のPD−HBT OEICの場合と同様に、信号光1を逆メサ212から入射させることにより、エミッタ電極211に入射窓を形成する必要がなく、エミッタ電極211でエミッタ層207およびエミッタキャップ層208を全面的に覆うことができるので、エミッタ抵抗を低減することができ、微細化も容易になる。
【0059】
また、前述した実施の形態のPD−HBT OEICの場合と同様に、ベース層206にドープするp型不純物を基板201側ほど高濃度とすることにより、この領域で光励起された電子を内部電界によって前記コレクタ層側に加速することができるので、電気信号の時間応答波形に裾引きが現れることはない。
【0060】
したがって、このようなHPTによれば、前述したPD−HBT OEICの場合と同様に、受光感度と動作速度との間のトレードオフを解消することができる。
【0061】
[HPT−HBT OEIC]
本発明によるOEICをHPT−HBT OEICに応用すると、図1に示したPD−HBT OEICのPD部分を、図2に示したHPTに変更した構造となり、前述した実施の形態の場合と同様な作用効果を発現するようになるので、その説明を省略する。
【0062】
なお、前述した各実施の形態では、第五半導体層106やベース層206の不純物濃度に勾配をもたせることにより、光励起された電子を第一〜第四半導体層102〜105側や第一〜四コレクタ層202〜205側に早く引き抜いて応答速度を上げるようにしたが、例えば、積層方向に連続的または段階的に組成を変化させたInGaAsPを第五半導体層やベース層に用いることにより、当該層のバンドギャップエネルギを基板側ほど減少させることも可能である。
【0063】
また、PDのp側電極110aやHPTのエミッタ電極210には、WSiなどのような高融点のノンアロイの材料を適用することも可能である。
【0064】
また、エミッタキャップ層209にInGaAsPを適用することにより、信号光1の吸収を防止することも可能である。
【0065】
このように、上記層構造は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜選択変更しても何ら支障を来すことはない。
【0066】
【発明の効果】
本発明の光電気集積回路およびヘテロ接合ホトトランジスタによれば、吸収層を厚くすることなく吸収感度を増大することができ、しかも、信号光の入射する窓を電極に形成する必要がないので、受光デバイスの寄生抵抗を低減することができ、素子の微細化を容易に行うことができる。したがって、受光デバイスの受光感度と電子デバイスの動作速度との間のトレードオフを克服し、高性能化を図ることができる。その結果、例えば、フォトダイオードの出力信号をデジタルICに直接入力させてデジタル信号の処理を行う光電気集積回路においても、実用的なレベルの感度および動作速度を得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による光電気集積回路をPD−HBT OEICに応用した場合の実施の形態の概略構成図である。
【図2】本発明によるヘテロ接合ホトトランジスタの実施の形態の概略構成図である。
【図3】従来の光電気集積回路の一例のPD−HBT OEICの概略構成図である。
【図4】従来のヘテロ接合ホトトランジスタの概略構成図である。
【符号の説明】
1 信号光
101,201 基板
102,202 第一コレクタ層
102a 第一半導体層
103,203 第二コレクタ層
103a 第二半導体層
104,204 第三コレクタ層
104a 第三半導体層
105,205 第四コレクタ層
105a 第四半導体層
106,206 ベース層
106a 第五半導体層
107,207 エミッタ層
108,208 エミッタキャップ層
109,209 コレクタ電極
109a p側極
110,210 ベース電極
110a n側極
111,211 エミッタ電極
112,212 逆メサ

Claims (9)

  1. 基板上にサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層およびエミッタ層を積層されて、コレクタ電極、ベース電極およびエミッタ電極を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタと、当該基板上に前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記サブコレクタ層、前記コレクタ層および前記ベース層と共通する各半導体層を有して、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記コレクタ電極および前記ベース電極と同時に形成された各電極を有するフォトダイオードとを備え、当該フォトダイオードに入射した信号光を電気信号に変換処理して出力する光電気集積回路において、
    前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記ベース層と共通する前記フォトダイオードの前記半導体層の不純物濃度またはバンドギャップエネルギが、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記コレクタ層と共通する前記フォトダイオードの前記半導体層側ほど段階的または連続的に減少していると共に、
    信号光を入射させる入射窓を前記基板の前記フォトダイオード側の側端面に当該基板の厚さ方向内側ほど窪んだ傾斜状となるように設けることにより、当該入射窓から入射する信号光を屈折させて、前記フォトダイオードの前記半導体層内に積層方向に対して斜めに通過させるようにした
    ことを特徴とする光電気集積回路。
  2. 請求項1に記載の光電気集積回路において、
    前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記ベース電極と同時に形成された前記フォトダイオードの前記電極がノンアロイオーミックである
    ことを特徴とする光電気集積回路。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の光電気集積回路において、
    前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記サブコレクタ層と共通する前記フォトダイオードの前記半導体層のバンドギャップエネルギが信号光の波長に対応するエネルギよりも大きい
    ことを特徴とする光電気集積回路。
  4. 基板上にサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層およびエミッタ層を積層されて、コレクタ電極、ベース電極およびエミッタ電極を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタと、当該基板上に前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記サブコレクタ層、前記コレクタ層、前記ベース層および前記エミッタ層と共通するサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層およびエミッタ層を有して、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記コレクタ電極、前記ベース電極および前記エミッタ電極と同時に形成されたコレクタ電極、ベース電極およびエミッタ電極を有するヘテロ接合ホトトランジスタとを備え、当該ヘテロ接合ホトトランジスタに入射した信号光を電気信号に変換処理して出力する光電気集積回路において、
    前記ヘテロ接合ホトトランジスタの前記ベース層の不純物濃度またはバンドギャップエネルギが当該ヘテロ接合ホトトランジスタの前記コレクタ層側ほど段階的または連続的に減少していると共に、
    信号光を入射させる入射窓を前記基板の前記ヘテロ接合ホトトランジスタ側の側端面に当該基板の厚さ方向内側ほど窪んだ傾斜状となるように設けることにより、当該入射窓から入射する信号光を屈折させて、前記ヘテロ接合ホトトランジスタの前記層内に積層方向に対して斜めに通過させるようにした
    ことを特徴とする光電気集積回路。
  5. 請求項に記載の光電気集積回路において、
    前記ヘテロ接合ホトトランジスタの前記エミッタ電極がノンアロイオーミックである
    ことを特徴とする光電気集積回路。
  6. 請求項4又は請求項5に記載の光電気集積回路において、
    前記ヘテロ接合ホトトランジスタの前記サブコレクタ層のバンドギャップエネルギが信号光の波長に対応するエネルギよりも大きい
    ことを特徴とする光電気集積回路。
  7. 基板上にサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層およびエミッタ層を積層されて、コレクタ電極、ベース電極およびエミッタ電極を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタからなり、当該ヘテロ接合バイポーラトランジスタに入射した信号光を電気信号として取り出すヘテロ接合ホトトランジスタにおいて、
    前記ベース層の不純物濃度またはバンドギャップエネルギが前記コレクタ層側ほど段階的または連続的に減少していると共に、
    信号光を入射させる入射窓を前記基板の側端面に当該基板の厚さ方向内側ほど窪んだ傾斜状となるように設けることにより、当該入射窓から入射する信号光を屈折させて、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記層内に積層方向に対して斜めに通過させるようにした
    ことを特徴とするヘテロ接合ホトトランジスタ。
  8. 請求項に記載のヘテロ接合ホトトランジスタにおいて、
    前記エミッタ電極がノンアロイオーミックである
    ことを特徴とするヘテロ接合ホトトランジスタ。
  9. 請求項7又は請求項8に記載のヘテロ接合ホトトランジスタにおいて、
    前記サブコレクタ層のバンドギャップエネルギが信号光の波長に対応するエネルギよりも大きい
    ことを特徴とするヘテロ接合ホトトランジスタ。
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