JP4134695B2 - 光モジュール - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
光モジュールは、カバーを有するパッケージと、パッケージ内に設けられた光通信サブアセンブリを備えている。光通信サブアセンブリは、動作中に熱を発生する。この熱を放出するために、光モジュールは、カバーと光通信サブアセンブリとの両方に直接に接触する放熱シートを備える。光通信サブアセンブリからの熱は、放熱シートを介してカバーに伝わる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
放熱シートは、カバーと光通信サブアセンブリとの間において変形する。この変形により、放熱シートは、カバー及び光通信サブアセンブリに力を及ぼす。この力は、カバー及び光通信サブアセンブリに直接に加わる。光モジュールの放熱に関する発明者による研究の結果、放熱シートから光通信サブアセンブリに加わる力が光モジュールの光軸ずれを引き起こしている可能性があることが明らかになっている。放熱シートからの力が大きい場合には、光通信サブアセンブリの調芯の精度を劣化させる場合がある。
【0004】
また、光通信サブアセンブリは、光ファイバと光通信サブアセンブリとの間に良好な光学的結合が得られるように調芯された後に、パッケージに対して位置決めされている。結果的に、光通信サブアセンブリの調芯位置は、光モジュール毎に異なる。個々の光モジュール毎に生じている調芯位置のばらつきを補償するために、厚い放熱シートを用いる。しかしながら、厚い放熱シートは、相対的に大きな熱抵抗を示す。
【0005】
故に、本発明の目的は、良好な放熱特性を有する光モジュールを提供することとする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面によれば、光モジュールは、ハウジングと、光通信サブアセンブリと、支持部品と、熱伝達部品とを備える。ハウジングは、支持面を有する第1の部材と接触面を有する第2の部材を有する。光通信サブアセンブリは、所定の軸の方向に向けてハウジングに支持されており半導体光デバイスを含む。支持部品は、第1の部材の支持面に支持されており、光通信サブアセンブリに接触する。熱伝達部品は、第2の部材の接触面と支持部品との間に設けられている。支持部品は、第1の支持部と、第2の支持部と、接続部とを備える。第1の支持部は、支持面及び接触面に交差する第1の面に沿って伸びる。第2の支持部は、支持面及び接触面に交差する第2の面に沿って伸びる。第1及び第2の支持部は、第1の部材の支持面に支持されている。接続部は、第1の支持部と第2の支持部とを互いに接続する。光通信サブアセンブリは、第1の支持部と第2の支持部との間に設けられている。
【0007】
この光モジュールによれば、支持部品は光通信サブアセンブリに接触しているので、光通信サブアセンブリにおいて発生された熱は、支持部品及び熱伝達部品を介してハウジングに伝わる。熱伝達部品は、第2の部材の接触面と支持部品との間に設けられるので、反発力を第2の部材及び支持部品に加えている。光通信サブアセンブリは支持部品を介してこの反発力を受ける。
【0008】
本発明の光モジュールでは、支持部品は、第1の支持部と、第2の支持部と、接続部とを備える。第1の支持部は、支持面及び接触面に交差する第1の面に沿って伸びる。第2の支持部は、支持面及び接触面に交差する第2の面に沿って伸びる。第1及び第2の支持部は、第1の部材の支持面に支持されている。接続部は、第1の支持部と第2の支持部とを互いに接続する。光通信サブアセンブリは、第1の支持部と第2の支持部との間に設けられている。この支持部品によれば、第1及び第2の支持部が光通信サブアセンブリに接触するように支持部品を構成できる。
【0009】
本発明の光モジュールでは、熱伝達部品は、支持部品の接続部と第2の部材の接触面との間に位置している。故に、熱伝達部品と支持部品及び第2の部材との間に適切な接触面積を提供することができる。
【0010】
本発明の光モジュールでは、支持部品は、一又は複数のフィンガ部を有している。支持部品は、フィンガ部を介して光通信サブアセブリに接触している。第1及び第2のフィンガ部の弾性を利用して、光通信サブアセンブリと支持部品との接触を得られる。
【0011】
支持部品が単一のフィンガ部を備える光モジュールでは、半田付けや高熱伝導樹脂を使用するとき、組立て時の光通信サブアセンブリへの熱的負荷を減らすという技術的な利点、及びアセンブリ作業そのものを簡素にできるという技術的な利点がある。
【0012】
支持部品が複数のフィンガ部を備える光モジュールでは、接触箇所自体を増やせる。また、光通信サブアセンブリに対して対称の位置に接触箇所を配置すれば、接触圧による光通信サブアセンブリへの軸ズレ方向の応力が、双方からの接触圧がキャンセルされることによって低減できるという技術的な利点がある。
【0013】
本発明の光モジュールでは、支持部品は、第1及び第2のフィンガ部を有している。第1のフィンガ部は第1の支持部に設けられており、第2のフィンガ部は第2の支持部に設けられている。第1及び第2のフィンガ部は、第1の支持部の内側面に沿って伸びる第1の面と第2の支持部の内側面に沿って伸びる第2の面との間の領域に位置している。この構造によれば、フィンガ部に弾性力を生じる。支持部品は、第1及び第2のフィンガ部を介して光通信サブアセブリに接触している。この構成によれば、光通信サブアセンブリは、その両側に位置する支持部の各々に設けられたフィンガ部に接触する。
【0014】
本発明の光モジュールでは、光通信サブアセンブリは、所定の軸の方向に伸びる外面を有する容器を有している。半導体光デバイスは容器内に設けられている。支持部品は、容器の外面に接触している。
【0015】
本発明の光モジュールでは、光通信サブアセンブリは、所定の軸に交差する方向に伸びる面に沿った外面を有する容器を有している。半導体光デバイスは容器内に設けられている。支持部品は、容器の外面に接触している。この光モジュールによれば、光モジュールにおける調芯を変化させるような向きの力が光通信サブアセンブリに加わりにくい。
【0016】
本発明の光モジュールでは、ハウジング内に設けられた回路基板を更に備えることができる。光通信サブアセンブリは、回路基板に接続されたリード端子を有している。この光モジュールによれば、光通信サブアセンブリはリード端子を介して回路基板に接続されているけれども、上記の反発力は、回路基板と光通信サブアセンブリとの接続部に加わりにくい。
【0017】
本発明の光モジュールでは、半導体光デバイスは、所定の軸の方向に向けて光を送出する半導体発光素子を含む。この光モジュールによれば、半導体発光素子において発生された熱、や回路基板からリード端子を介して光通信サブアセンブリに流入する熱を放出できる。
【0018】
本発明の光モジュールでは、半導体光デバイスは、所定の軸の方向からの光を受ける半導体受光素子を含む。光通信サブアセンブリは、半導体受光素子からの信号を増幅する増幅素子を含む。この光モジュールによれば、増幅素子において発生された熱を放出できる。
【0019】
本発明の光モジュールでは、当該光モジュールはピグテール型の構造を有する。また、本発明の光モジュールでは、当該光モジュールはレセプタクル型の構造を有する。
【0020】
本発明の光モジュールでは、支持部品は、該支持部品と前記光通信サブアセンブリとの接着を行うための接着部材を含むことができる。本発明の光モジュールでは、第1の支持部は、一又は複数の屈曲部を有することができる。
【0021】
本発明の別の側面は、支持部品に係る。支持部品は、接続部と、第1の支持部と、第2の支持部と、光通信サブアセンブリの外表面と接触を保つための手段とを備える。接続部は、所定の基準面に沿って伸びる接触面、一辺及び他辺を有する。第1の支持部は、所定の基準面に交差する第1の面に沿って接続部の一辺から伸びており支持端を有する。第2の支持部は、所定の基準面に交差する第2の面に沿って接続部の他辺から伸びており支持端を有する。第1の支持部と第2の支持部との間隔の最小値は、光通信サブアセンブリの幅より大きい。
【0022】
当該支持部品は、第1の支持部の支持端及び第2の支持部の支持端は、第1の面及び第2の面に交差する別の基準面上に位置するように設けられている。
【0023】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【0024】
【発明の実施の形態】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の光モジュールに係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【0025】
(第1の実施の形態)
図1は、本実施の形態に係る光モジュールを示す図面である。図2は、本実施の形態に係る光モジュールの構成部品を示す図面である。
【0026】
光モジュール1aは、ハウジング3と、光通信サブアセンブリ5と、支持部品7と、熱伝達部品9とを備える。ハウジング3は、第1の部材11及び第2の部材13を有する。第1の部材11は、支持面11aを有する。第2の部材13は、接触面13aを有する。光通信サブアセンブリ5は、所定の軸の方向に向けてハウジング3に支持されている。支持部品7は、第1の部材11の支持面11aに支持されており、光通信サブアセンブリ5に接触する。熱伝達部品9は、第2の部材13の接触面13aと支持部品7との間に設けられている。光通信サブアセンブリ5は、半導体光デバイス(図7の参照番号37)を含むことができる。あるいは、光通信サブアセンブリ5は、半導体光デバイス(図8における参照番号57)に接続された増幅素子(図8の参照番号57)を含むことができる。
【0027】
光通信サブアセンブリ5は、動作中に発熱する。この光モジュール1aによれば、支持部品7は光通信サブアセンブリ5に接触しているので、光通信サブアセンブリ5において発生された熱は、支持部品7及び熱伝達部品9を介してハウジング3に伝わる。熱伝達部品9は、第2の部材13の接触面13aと支持部品9との間に設けられるので、反発力を第2の部材13及び支持部品7に加えている。光通信サブアセンブリ5は支持部品7を介してこの反発力を受ける。
【0028】
熱伝達部品9は、支持部品7の接続部7aと第2の部材13の接触面13aとの間に位置している。この配置により、熱伝達部品9と支持部品7及び第2の部材13との間に適切な接触面積を提供することができる。
【0029】
熱伝達部品9は、第1の面9aと、この面9aに対向する第2の面9bとを有している。熱伝達部品9が支持部品7の接続部7aと第2の部材13の接触面13aとの間に置かれたとき、第1の面9aは支持部品7の接続部7aに接触でき、第2の面9bは第2の部材13の接触面13aに接触できる。この構造により、第1の面9aと支持部品7の接続部7aとの接触面積をより大きくでき、第2の面9bと第2の部材13の接触面13aとの接触面積をより大きくできる。
【0030】
また、熱伝達部品9は、支持部品7の接続部7aと第2の部材13の接触面13aとの間に置かれたときに変形可能な程度の柔らかさを有する。この変形は、弾性変形でもよく、塑性変形であってもよく、撓む変形であってもよい。つまり、熱伝達部品9は、変形可能な性質、例えば可撓性を有する。熱伝達部品9は、このような性質を備えるために、シリコンゲルといった材料から構成されることが好適である。シリコンゲルの部材は、シリコンゲルよりも熱伝導性がよい金属片、金属粉、セラミック片及びセラミック粉の少なくともいずれかを含む。熱伝達部品9の変形は、熱伝達部品9と支持部品7との密着性を高めることができ、また熱伝達部品9と第2部材13との密着性を高めることができる。これにより、支持部品7から第2部材13への熱伝達がより良好になる。
【0031】
本実施の形態の構成を備えない光モジュールでは、光モジュール毎に異なる調芯位置のばらつきを補償するために厚い放熱シートを用いる。しかしながら、本実施の形態の構成は、熱伝達部品9の厚さを薄くするために好適であり、これにより熱伝達部品9の熱抵抗を小さくできる。
【0032】
図3は、支持部品を示す図面である。支持部品7は、接続部7aと、第1の支持部7bと、第2の支持部7cとを備える。接続部7aは、熱伝達部品9に接触するように設けられた接触面7dを備える。例示的な形態では、接続部7a、第1の支持部7b、及び第2の支持部7cは、板状の形状を有している。接続部7aは、第1の支持部7bと第2の支持部7cとを互いに接続する。第1の支持部7bのエッジ7eは、第1の部材11の支持面11aに支持される。第2の支持部7cのエッジ7fは、第1の部材11の支持面11aに支持される。接触面7dは、一対の端部を有する。接触面7dの一端には第1の支持部7bが位置しており、その他端には第2の支持部7cが位置している。第1の支持部7bは、支持面11a及び接触面13aに交差する第1の面に沿って伸びている。第2の支持部7bは、支持面11a及び接触面13aに交差する第2の面に沿って伸びている。図1に示されるように、光通信サブアセンブリ5は、第1の支持部7bと第2の支持部7cとの間に設けられている。この構造によれば、第1及び第2の支持部7b、7cが光通信サブアセンブリ5に接触するように支持部品7を構成できる。
【0033】
光通信サブアセンブリ5は、動作中に発熱する。この光モジュール1aによれば、支持部品7は光通信サブアセンブリ5に接触しているので、光通信サブアセンブリ5において発生された熱は、第1及び第2の支持部7b、7c、接続部7a、熱伝達部品9を順に伝わりハウジング3に到達する。熱伝達部品9は、第2の部材13の接触面13aと支持部品9との間に設けられるので、支持部品7は第2の部材13から力を受けている。この力は支持部品7に加わるので、光通信サブアセンブリ5に直接加わることがない。
【0034】
支持部品7は、第1及び第2のフィンガ部7g、7hを有している。支持部品7は、第1及び第2のフィンガ7g、7hを介して光通信サブアセブリ5に接触している。第1及び第2のフィンガ7g、7hは、光通信サブアセンブリの外表面と接触を保つように機能する。光通信サブアセンブリ5と支持部品7との接触は、第1及び第2のフィンガ部7g、7hの弾性を利用して得られる。第1のフィンガ部7gは、第1の支持部7bから伸び出しており自由端を有する片であるので、第1のフィンガ部7gに加えられる力に応じて第1の支持部7bよりも容易に移動する。また、第2のフィンガ部7hも同様の構造を有する。この構造により、フィンガ部7g及び7hは弾性を示す。
【0035】
第1のフィンガ部7gは第1の支持部7bに設けられている。第1のフィンガ部7gは、第1の支持部7bから第2の支持部7cに向かう軸に交差する面に沿って伸びる内側面7kを有する。第2のフィンガ部7hは第2の支持部7cに設けられている。第2のフィンガ部7hは、第1の支持部7bから第2の支持部7cに向かう軸に交差する面に沿って伸びる内側面7mを有する。また、第1及び第2のフィンガ部7g、7hは、第1の支持部7bの内側面7kに沿って伸びる第1の面と、第2の支持部7cの内側面7mに沿って伸びる第2の面との間の領域に位置している。つまり、第1及び第2のフィンガ7g、7hの各々は、その他方に向かうように屈曲している。この構造によれば、フィンガ部7g、7hに弾性力を生じる。支持部品7は、第1及び第2のフィンガ部7g、7h(詳述すれば、内側面7i及び7j)を介して光通信サブアセブリに接触している。この構成によれば、光通信サブアセンブリ5は、その両側に位置する支持部7b、7cの各々に設けられたフィンガ部7g、7hに接触しており、光通信サブアセンブリ5はフィンガ部7g、7hから力を受ける。支持部品7は、この二つの力がほぼ釣り合った場所に位置する。これらの力の向きは実質的に逆方向であり、これらの力の大きさは互いにほぼ等しくなるので、光通信サブアセンブリ5に支持部品7から作用する合力は非常に小さくなる。故に、光通信サブアセンブリ5の軸ずれを生じさせるような力は光通信サブアセンブリ5に実質的に加わらない。
【0036】
支持部品7では、第1のフィンガ部7gと第2のフィンガ部7hとの間隔D1は、光通信サブアセンブリ5の幅にほぼ等しいか、或いはその幅よりわずかに小さい。故に、光通信サブアセンブリ5は、第1のフィンガ部7gと第2のフィンガ部7hとに確実に接触できる。また、第1の支持部7cと第2の支持部7cとの間隔D2は、光通信サブアセンブリ5の幅より大きい。故に、光通信サブアセンブリ5は、第1及び第2の支持部7a、7bには接触しない。
【0037】
支持部品7では、接続部7aがハウジング3から力を受けることにより接続部7aに微少な変形が生じる可能性がある。しかしながら、第1及び第2のフィンガ部7g、7hを支持部7aに設けているので、接続部7aの変形は、直接にフィンガ部に伝わらない。また、支持部品7では、ハウジング3からの力が支持部7b及び7cの両端に加わるので、この力により支持部7b及び7cの全体が変形する。したがって、支持部7b及び7cの単位長さ当たりの変形量が小さい。支持部品7の剛性は熱伝達部品9の剛性より大きいので、支持部品7の変形量は無視できる程度に小さい。例えば、熱伝達部品のヤング率は、2.94〜7.84MPa(0.3〜0.8kgf/mm2)であり、支持部材の材料となる金属のヤング率は、20580MPa(2100kgf/mm2)である。
【0038】
図4は、光モジュールを示す斜視図である。図5は、光モジュールを示す斜視図である。図1、図2、図4及び図5を参照しながら、引き続いて、光モジュール1aを説明する。ハウジング3は、第1の部材11及び第2の部材13を有する。好適な実施例では、第1の部材11は合成樹脂材料から形成されており、第2の部材13は金属製である。
【0039】
第1の部材11はレセプタクル部11b及び部品収容部11cを有する。レセプタクル部11b及び部品収容部11cは、所定の軸に沿って配置されており、本実施の形態では、レセプタクル部11bは部品収容部11cの隣に設けられている。レセプタクル部11bは、孔11d及び11e(図1参照)を介して部品収容部11cと接続されている。これらの孔11d及び11eには、光通信サブアセンブリ5及び15が配置される。この配置において、光通信サブアセンブリ5及び15の先端部は、図4に示されるように、レセプタクル11f及び11gに位置する。レセプタクル11f及び11gには、コネクタ21が挿入される。部品収容部11cは、ベース11hを備えている。ベース11hは、所定の面に沿って伸びる支持面11aを有しており、支持面11aは、所定の軸の方向に伸びる一対のエッジを有している。ベース11h上には、所定の軸の方向に伸びる第1及び第2の側壁11i及び11jが設けられている。第1の側壁11iは支持面11aのエッジの一方に位置しており、第2の側壁11jは支持面11aのエッジの他方に位置している。ベース11hには複数のリード端子23が配列されている。リード端子23は、第1の側壁11iの近くに所定の軸の方向に配置されている。また、ベース11hには、複数のリード端子25が配列されている。リード端子25は、第1の側壁11jの近くに所定の軸の方向に配置されている。第1及び第2の側壁11i及び11jは、それぞれ、ラッチ片11kを備えており、また位置合わせ開口11mを備える。
【0040】
第2の部材13は、放熱構造部13b及び天井13cを有する。放熱構造部13b及び天井13cは、所定の軸に沿って配置されており、本実施の形態では、放熱構造部13bは天井13cの隣に設けられている。放熱構造部13bは、その外面上に一又は複数の放熱フィン13dを備える。放熱構造部13bは、その内面上に少なくと一つの突出部13e(図4参照)を備える。突出部13eと電子素子27a及び27bとの間には、熱伝達部品29(図4参照)が設けられる。電子素子27a及び27bは動作中に熱を発生しており、この熱は熱伝達部品29及び突出部13eを介して放熱フィン13dに伝わる。天井部13cは、接触面13を備える。既に説明したように、接触面13aは熱伝達部品9に接触する。この接触により、光通信サブアセンブリ5からの熱は、接触面13a及び熱伝達部品9を介して第2の部材13に伝わり放出される。第2の部材13は、第1の部材11の孔11dに位置合わせして設けられたガイド突起13f及び13gを有しており、第1の部材11の孔11eに位置合わせして設けられたガイド突起13g及び13hを有する。ガイド突起13fとガイド突起13gとの間には、光通信サブアセンブリ5が位置しており、ガイド突起13gとガイド突起13hとの間には、光通信サブアセンブリ15が位置している。天井部13cは、所定の軸の方向に沿って伸びる一対のエッジを有しており、一対のエッジは、それぞれ、位置決め突起13iを備えている。図5に示されるように、位置決め突起13iは、それぞれ、第1の部材11の位置合わせ開口11mに配置され、これにより、第1の部材11及び第2の部材13が互いに位置決めされる。また、第1の部材11のラッチ片11kが第2の部材13にはめ合わされ、第1の部材11及び第2の部材13が互いに固定される。
【0041】
ベース11上には、少なくとも一つの回路基板17は配置される。回路基板17は、電子素子を搭載するための搭載面17aを有している。回路基板17は、リード端子23及び25に接続する孔17b及び17cを備えており、また、光通信サブアセンブリ5のリード端子5aと接続する孔17dを備えており、さらに、光通信サブアセンブリ15のリード端子15aと接続する孔17eを備えている。回路基板17の搭載面17a上には、1又は複数の電子素子27a〜27fを備えている。例えば、電子素子27aは、配線層17fを介して光通信サブアセンブリ5と接続されている。電子素子27bは、配線層17gを介して光通信サブアセンブリ15と接続されている。
【0042】
図6(A)は、図1及び図5に示されたI−I線にそった断面図であり、図6(B)は、図1に示されたII−II線にそった断面図である。図6(A)及び図6(B)を参照すると、光通信サブアセンブリ5は、ハウジング3に保持されている。また、光通信サブアセンブリ5のリード端子5aは、配線基板17に固定されている。このような配置において、光通信サブアセンブリ5は、光学的に位置合わせされている。この配置の光通信サブアセンブリ5に加わる力は、光通信サブアセンブリ5を好適な位置から変位させるように作用する。
【0043】
本実施の形態の光通信サブアセンブリ5は、支持部品7に接触している。支持部品7は、支持面11aと接触面13aとの間に配置されている。支持部品7は、支持面11aから力を受けており、また、接触面13aから熱伝達部品9を介して力を受けている。しかしながら、光通信サブアセンブリ5は、支持部品7のフィンガ部7g、7hに接触しているので、支持部品7がハウジング3から受ける力を直接に受けることはない。
【0044】
図6(A)及び図6(B)を参照しながら、光通信サブアセンブリ5からの熱の伝搬の経路を説明する。光通信サブアセンブリ5において発生された熱H1は、支持部品7のフィンガ部7g及び7hを介して支持部品7に伝わる。フィンガ部7g及び7hからの熱H2は支持部7b及び7cに伝わる。支持部品7は熱伝達部品9に接触しており、また熱伝達部品9は接触面13aに接触しているので、熱H3は支持部品7から第2の部材13に伝わる。熱H3の一部は第2の部材13内を伝搬する熱H4になる。熱H3及びH4は第2の部材13の表面から大気に放散する。
【0045】
図6(A)及び図6(B)を参照しながら、電子素子27bからの熱の伝搬の経路を説明する。電子素子27bは熱伝達部品29に接触しており、また熱伝達部品29は突出部13eに接触しているので、電子素子27bにおいて発生された熱H6は、熱伝達部品29を介して第2の部材13の突出部13eに伝わる。熱H6の一部は第2の部材13内を伝わる熱H7になる。熱H6及びH7は、熱H8となって第2の部材13の表面から大気に放散する。
【0046】
上記の説明から理解されるように、支持部品7を用いれば、光通信サブアセンブリ5からの熱の伝搬経路が提供される。また、熱伝達部品9の変形により、支持部品7と熱伝達部品9との接触面積が増加され、また、接触面13aと熱伝達部品9との接触面積が増加される。熱伝達部品9の変形により、ハウジング3から加わる力が小さくなる。故に、支持部品7がハウジング3から受ける力が小さくなる。
【0047】
一方、光通信サブアセンブリに直接に熱伝達部品を接触させることによっても、放熱が可能である。しかしながら、直接の接触により、ハウジングからの力も光通信サブアセンブリに直接に加わる。故に、熱伝達部品の応力が光通信サブアセンブリの位置を変位させるだけでなく、ハウジング等の熱変形が熱伝達部品を介して光通信サブアセンブリに伝わる。つまり、光通信サブアセンブリの光軸ずれが生じる可能性がある。
【0048】
図7は、光送信サブアセンブリとして動作する光通信サブアセンブリの例を示す図面である。図8は、光受信サブアセンブリとして動作する光通信サブアセンブリの別の例を示す図面である。光通信サブアセンブリ5は容器32を備える。
【0049】
図7を参照すると、光通信サブアセンブリ5は、所定の軸31の方向に光L1を出射する。容器32は、搭載部材33を備える。搭載部材33は、ステムといった金属製の部品であって、例えば、ニッケル、コバルト及び鉄の合金(コバール)等の金属から構成される。搭載部材33は、所定の軸31に交差する第1の面33a及び第2の面33bと、第1の面33aから第2の面33bに伸びる貫通孔33dとを有している。リード端子35は、貫通孔33d内に配置されている。絶縁部材33eが貫通孔33d内に設けられており、搭載部材33をリード端子35から絶縁している。光通信サブアセンブリ5は、半導体発光素子37といった半導体光デバイスを備える。半導体発光素子37は、搭載部材33上に搭載されている。半導体発光素子37として、半導体レーザ素子等が例示される。容器32は、搭載部材33上に設けられたレンズ保持部材39を備える。レンズ保持部材39は、金属製の部品であって、例えば、ステンレス鋼等といった溶接可能な金属から構成される。レンズ保持部材39は、球レンズといったレンズ41を保持している。光通信サブアセンブリ5は、搭載部材33又はレンズ保持部材39上に設けられたガイド部材43を備える。ガイド部材43は、スリーブといった金属製の部品であって、例えば、ステンレス鋼等といった溶接可能な金属から構成される。ガイド部材43は、所定の軸31の方向に伸びる内側面43aを有する。ガイド部材43は、内側面43aにより規定される領域に光コネクタ21のフェルール21aを受け入れることができる。内側面43aは、フェルール21aをガイドするように機能する。ガイド部材43は、内側面43a上に位置決め部43bを有する。位置決め部43bは、フェルール21aの位置を規定している。フェルール21aが矢印A1の向きにガイド部材43に挿入され位置決め部43に位置決めされると、レンズ41を介して半導体発光素子37が光ファイバ21bに光学的に結合される。光通信サブアセンブリ5は、半導体発光素子37をモニタする半導体受光素子45を備える。
【0050】
以上の説明により理解されるように、容器32は、所定の軸31の方向に伸びる外面33fを有しており、また外面39aを有する。半導体発光素子37は容器32内に設けられている。半導体発光素子37は、動作中に発熱する。支持部品7は、容器32の外面33b、33f及び/又は39aに接触しているので、半導体発光素子37において発生された熱は、容器32の外面33b、33f及び/又は39aを介して支持部品7に伝わる。
【0051】
図8を参照すると、光通信サブアセンブリ5は、所定の軸51の方向に進む光L2を受ける。容器32は、搭載部材53を備える。搭載部材53は、ステムといった金属製の部品であって、例えば、ニッケル、コバルト及び鉄の合金(コバール)等の金属から構成される。搭載部材53は、所定の軸53に交差する第1の面53a及び第2の面53bと、第1の面53aから第2の面53bに伸びる貫通孔53dとを有している。リード端子55は、貫通孔53d内に配置されている。絶縁部材53eが貫通孔53d内に設けられており、搭載部材53をリード端子55から絶縁している。光通信サブアセンブリ5は、半導体受光素子57といった半導体光デバイスを備えており、また増幅素子58を備える。半導体受光素子57及び増幅素子58は、搭載部材53上に搭載されている。半導体受光素子57として、フォトダイオード等が例示される。増幅素子58は、半導体受光素子から受けた電気信号を増幅する。増幅された信号は、リード端子55を介して出力される。容器32は、搭載部材53上に設けられたレンズ保持部材59を備える。レンズ保持部材59は、金属製の部品であって、例えば、ステンレス鋼等の金属から構成される。レンズ保持部材59は、球レンズといったレンズ61を保持している。光通信サブアセンブリ5は、搭載部材53又はレンズ保持部材59上に設けられたガイド部材63を備える。ガイド部材63は、スリーブといった金属製の部品であって、例えば、ステンレス鋼等の金属から構成される。ガイド部材63は、所定の軸51の方向に伸びる内側面63aを有する。ガイド部材63は、内側面63aにより規定される領域に光コネクタ21のフェルール21aを受け入れることができる。内側面63aは、フェルール21aをガイドするように機能する。ガイド部材63は、内側面63a上に位置決め部63bを有する。位置決め部63bは、フェルール21aの位置を規定している。フェルール21aが矢印A2の向きにガイド部材63に挿入され位置決め部63に位置決めされると、レンズ61を介して光ファイバ21bが半導体受光素子57に光学的に結合される。光通信サブアセンブリ5は、半導体受光素子57の電源を安定化するためのキャパシタ65を備えることができる。キャパシタ65は、半導体受光素子57の一方の端子に接続されている。
【0052】
以上の説明により理解されるように、容器32は、所定の軸51の方向に伸びる外面53fを有しており、また外面59aを有する。半導体受光素子57及び増幅素子59は容器32内に設けられている。増幅素子59は、動作中に発熱する。支持部品7は、容器32の外面53b、53f及び/又は59aに接触しているので、増幅素子59において発生された熱は、容器32の外面53b、53f及び/又は59aを介して支持部品7に伝わる。
【0053】
図7及び図8を参照して、光通信サブアセンブリ5を説明したけれども、図7及び図8に示されたサブアセンブリは光通信サブアセンブリ15に使用できる。
【0054】
(第2の実施の形態)
図9は、別の実施の形態に係る光モジュールの構成部品を示す図面である。図10は、本実施の形態に係る光モジュールを示す図面である。
【0055】
光モジュール1bは、ハウジング3と、光通信サブアセンブリ5と、支持部品6と、熱伝達部品9とを備える。支持部品6は、第1の部材11の支持面11aに支持されており、光通信サブアセンブリ5に接触する。熱伝達部品9は、第2の部材13の接触面13aと支持部品6との間に設けられている。
【0056】
光通信サブアセンブリ5は動作中に発熱する。この光モジュール1bによれば、支持部品6は光通信サブアセンブリ5に接触しているので、光通信サブアセンブリ5において発生された熱は、支持部品6及び熱伝達部品9を介してハウジング3に伝わる。熱伝達部品9は、第2の部材13の接触面13aと支持部品9との間に設けられるので、反発力を第2の部材13及び支持部品6に加えている。
【0057】
熱伝達部品9は、支持部品6と第2の部材13の接触面13aとの間に位置している。この配置により、熱伝達部品9と支持部品6及び第2の部材13との間に適切な接触面積を提供できる。
【0058】
熱伝達部品9は、第1の面9a及び第2の面9bを有している。熱伝達部品9が支持部品6の接続部6aと第2の部材13の接触面13aとの間に置かれたとき、第1の面9aは支持部品6の接続部6aに接触できる。この構造により、第1の面9aと支持部品6との接触面積をより大きくできる。また、熱伝達部品9は、支持部品6の接続部6aと第2の部材13の接触面13aとの間に置かれたときに変形可能な程度の柔らかさを有する。
【0059】
図11(A)及び図11(B)は、支持部品を示す図面である。図12は、図10に示されたIII−III線に沿った断面図である。支持部品6は、接続部6aと、第1の支持部6bと、第2の支持部6cとを備える。接続部6aは、熱伝達部品9に接触するように設けられた接触面6dを備える。接続部6aは、第1の支持部6bと第2の支持部6cとを互いに接続する。第1の支持部6bのエッジ6eは、第1の部材11の支持面11aに支持される。第2の支持部6cのエッジ6fは、第1の部材11の支持面11aに支持される。接触面6dは一対の端部を有する。接触面6dの一端には第1の支持部6bが位置しており、接触面6dの他端には第2の支持部6cが位置している。第1の支持部6bは、支持面11a及び接触面13aに交差する面に沿って伸びている。第2の支持部6bは、支持面11a及び接触面13aに交差する別の面に沿って伸びている。図9を参照すると、光通信サブアセンブリ5は、第1の支持部6bと第2の支持部6cとの間に設けられている。この構造によれば、第1及び第2の支持部6b、6cが光通信サブアセンブリ5に接触するように支持部品6を構成できる。
【0060】
光通信サブアセンブリ5は、動作中に発熱する。この光モジュール1bによれば、支持部品6が光通信サブアセンブリ5に接触しているので、光通信サブアセンブリ5において発生された熱は、第1及び第2の支持部6b及び6c、接続部6a、熱伝達部品9を順に伝わりハウジング3に到達する。熱伝達部品9は、第2の部材13の接触面13aと支持部品9との間に設けられるので、支持部品6は第2の部材13から力を受けている。この力は支持部品6に加わるけれども、光通信サブアセンブリ5に直接加わることがない。
【0061】
支持部品6は、第1及び第2のフィンガ部6g、6hを有している。支持部品6の第1及び第2のフィンガ部6g、6hは、光通信サブアセンブリ5のハウジングの材料及び支持部材6の材料よりも融点の低い金属部材を介して光通信サブアセブリ5に接触している。光通信サブアセンブリ5と支持部品6との接触は、第1及び第2のフィンガ部6g、6hにおける低融点の金属部材(例えば、半田)を介して実現される。これらの金属部材は、光通信サブアセンブリ5か支持部品6への熱伝達を促進するために設けられている。第1及び第2のフィンガ6g、6hは、光通信サブアセンブリの外表面と熱伝達の経路を維持するように働く。
【0062】
支持部品6では、接続部6aは所定の面S0に沿って伸びており、第1及び第2の支持部6b及び6cは、該所定の面S0に交差する所定の軸の方向に伸びている。第1のフィンガ部6gは第1の支持部6bに設けられている。第1のフィンガ部7gは、該所定の軸に交差する第1の面S1に沿って伸びる内側面6iを有する。第2のフィンガ部6hは第2の支持部6cに設けられている。第2のフィンガ部6hは、該所定の軸に交差する第2の面S2に沿って伸びる内側面6jを有する。好適な実施例は、第1の面S1と第2の面S2とは、第1の支持部6bと第1の支持部6bの間において交差している。第1の面S1及び第2の面S2と光通信サブアセンブリとの間にはわずかな間隔あり、第1の面S1及び第2の面S2と光通信サブアセンブリ5との間の領域に低融点の金属部材が設けられている。好適には、金属部材は、支持部品と光通信サブアセンブリの各々位置決め後に形成されることができる。
【0063】
図11(A)及び図11(B)並びに図12を参照すると、支持部材6では、第1及び第2のフィンガ部6g、6hの各々は、その他方のフィンガ部に向かうように屈曲している。第1及び第2のフィンガ部6g、6hの各々は、光通信サブアセブリ5が第1の支持部6bと第2及びの支持部6cとの間に配置されるとき、光通信サブアセブリ5と第1及び第2のフィンガ部6g、6hの各々との間にわずかに間隔が得られる程度に屈曲している。この構造によれば、支持部品6の第1及び第2のフィンガ部6g、6h(詳述すれば、内側面6i及び6j)は、半田といった接触部材6m、6nを介して光通信サブアセブリに接触している。この構成において、光通信サブアセンブリは、その両隣に位置する支持部6b、6cの各々に設けられたフィンガ部6g、6hに、半田等の金属を介して接触する。光通信サブアセンブリ5において発生した熱はフィンガ部6g、6h及び接触部材6m、6nを介して熱伝達部品に伝搬する。また、半田等の低融点材料を用いると、フィンガ部6g、6hと光通信サブアセンブリ5との形状合わせて溶融半田等が固化して、これにより、フィンガ部6g、6hと光通信サブアセンブリ5との間に熱伝搬経路が設けられる。
【0064】
支持部品7では、第1の支持部6bのエッジ6eと第2の支持部6cのエッジ6fとをつなぐ基準面と、第1のフィンガ部7g及び第2のフィンガ部7hの内側面6i及び6jとの最大間隔D3は、該基準面と接続部6aの内側面6kとの最大間隔D4より小さい。光通信サブアセンブリ5は、第1のフィンガ部7g及び第2のフィンガ部7hに接触部材6m、6nを介してそれぞれ確実に接触できると共に、接続部6aの内側面6kには接触することはない。
【0065】
光モジュール1bにおいても、光モジュール1aの形態と同様に、光通信サブアセンブリ5に加わる力は、光通信サブアセンブリ5を好適な位置から変位させるように作用する。
【0066】
本実施の形態の光モジュール1bでは、光通信サブアセンブリ5は支持部品6に接触している。支持部品6は、支持面11aと接触面13aとの間に配置されている。支持部品6は、支持面11aから力を受けており、また、接触面13aから熱伝達部品9を介して力を受けている。しかしながら、光通信サブアセンブリ5は、接触部材6m、6n及びフィンガ部6g、6hを介して支持部品6に接触しているので、支持部品6がハウジング3から受ける力を直接に受けることはない。
【0067】
光モジュール1bにおいても、光モジュール1aの形態と同様に、支持部品6を用いれば、光通信サブアセンブリ5からの熱の伝搬経路が提供される。
【0068】
(第3の実施の形態)
図13は、別の実施の形態に係る光モジュールの構成部品を示す図面である。図14は、本実施の形態に係る光モジュールを示す図面である。
【0069】
光モジュール1cは、ハウジング3と、光通信サブアセンブリ5と、支持部品8と、熱伝達部品9とを備える。支持部品8は、第1の部材11の支持面11aに支持されており、光通信サブアセンブリ5に接触する。熱伝達部品9は、第2の部材13の接触面13aと支持部品8との間に設けられている。
【0070】
この光モジュール1cによれば、支持部品8は光通信サブアセンブリ5に接触しているので、光通信サブアセンブリ5において発生された熱は、支持部品8及び熱伝達部品9を介してハウジング3に伝わる。熱伝達部品9は、第2の部材13の接触面13aと支持部品9との間に設けられるので、反発力を第2の部材13及び支持部品8に加えている。
【0071】
熱伝達部品9は、支持部品8と第2の部材13の接触面13aとの間に位置している。この配置により、熱伝達部品9と支持部品8及び第2の部材13との間に適切な接触面積を提供することができる。熱伝達部品9が支持部品8の接続部8aと第2の部材13の接触面13aとの間に置かれたとき、第1の面9aは支持部品8の接続部8aに接触できる。この構造により、第1の面9aと支持部品8との接触面積をより大きくできる。また、熱伝達部品9は、支持部品8の接続部8aと第2の部材13の接触面13aとの間に置かれたとき、変形可能な程度の柔らかさを有する。
【0072】
図15(A)及び図15(B)は、支持部品を示す図面である。支持部品8は、接続部8aと、第1の支持部8bと、第2の支持部8cとを備える。接続部8aは、熱伝達部品9に接触するように設けられた接触面8dを備える。接続部8aは、第1の支持部8bと第2の支持部8cを互いに接続する。第1の支持部8bのエッジ8eは、第1の部材11の支持面11aに支持される。第2の支持部8cのエッジ8fは、第1の部材11の支持面11aに支持される。接触面8dは一対の端部を有する。接触面8dの一端には第1の支持部8bが位置しており、接触面8dの他端には第2の支持部8cが位置している。第1の支持部8bは、支持面11a及び接触面13aに交差する面に沿って伸びている。第2の支持部8bは、支持面11a及び接触面13aに交差する別の面に沿って伸びている。この構造によれば、第1及び第2の支持部8b、8cが光通信サブアセンブリ5に接触するように支持部品8を構成できる。図13を参照すると、光通信サブアセンブリ5は、第1の支持部8bと第2の支持部8cとの間に設けられている。この光モジュール1cによれば、光通信サブアセンブリ5のハウジングの材料及び支持部材の材料よりも融点の低い金属部材を介して光通信サブアセンブリ5に支持部品8が接触しているので、光通信サブアセンブリ5において発生された熱は、第1及び第2の支持部8b及び8c、接続部8a、熱伝達部品9を順に伝わりハウジング3に到達する。熱伝達部品9は、第2の部材13の接触面13aと支持部品9との間に設けられるので、支持部品8は第2の部材13から力を受けている。この力は支持部品8に加わるけれども、光通信サブアセンブリ5に直接加わることがない。
【0073】
支持部品8は、第1及び第2のフィンガ部8g、8hを有している。支持部品8の第1及び第2のフィンガ部8g、8hは、光通信サブアセブリ5に接触している。第1及び第2のフィンガ8g、8hは、半田等といった金属部材を介して光通信サブアセンブリの外表面と接触を保つように働く。光通信サブアセンブリ5と支持部品8との接触は、第1及び第2のフィンガ部8g、8h並びに金属部材を介して実現されている。好適には、金属部材は、支持部品と光通信サブアセンブリの各々の位置決め後に形成されることができる。
【0074】
図16は、図14に示されたIV−IV線にそった断面図である。図15(A)、図15(B) 及び図16を参照すると、支持部品8では、接続部8aは所定の面S0に沿って伸びており、第1及び第2の支持部8b及び8cは、該所定の面S0に交差する所定の軸の方向に伸びる。第1のフィンガ部8gは第1の支持部8bに設けられている。第1のフィンガ部8gは、光通信サブアセンブリの光軸に交差する第1の面S1に沿って伸びる内側面8iを有する。第2のフィンガ部8hは第2の支持部8cに設けられている。第2のフィンガ部8hは、該光軸に交差する第2の面S2に沿って伸びる内側面8jを有する。第1及び第2のフィンガ部8g、8hの各々は、その他方のフィンガ部に向かうように屈曲している。この構造によれば、フィンガ部8g、8hに弾性力を生じる。支持部品8の第1及び第2のフィンガ部8g、8h(詳述すれば、内側面8i及び8j)は、接触部材8m、8nを介して光通信サブアセブリに接触している。この構成によれば、光通信サブアセンブリは、その光軸に交差する外面において、支持部8b、8cの各々から伸び出したフィンガ部8g、8hに接触部材8m、8nを介して接触する。しかしながら、これらの力は光通信サブアセンブリ5の光軸の方向に向いているので、該光軸に交差する方向の力ではない。故に、光通信サブアセンブリ5に支持部品8から作用する力は光学的な調芯をずらす方向には大きくない。
【0075】
支持部品8では、第1の支持部7cと第2の支持部7cとの間隔D5は、光通信サブアセンブリ5の幅より大きい。第1のフィンガ部8gと第2のフィンガ部8hとの最小間隔D5は、光通信サブアセンブリ5の幅よりわずかに小さい。故に、光通信サブアセンブリ5は、第1のフィンガ部8gと第2のフィンガ部8hとに確実に接触できる。また、光通信サブアセンブリ5は、接触部8a、第1の支持部8b、第2の支持部8cには接触することはない。フィンガ部8g、8hの幅は、フィンガ部8g、8hそれぞれの先端に近づくにつれて小さくなっている。この構造により、光通信サブアセンブリのリード端子との意図しない接触の可能性を小さくできる。
【0076】
光モジュール1cにおいても、光モジュール1aの形態と同様に、光通信サブアセンブリ5に加わる力は、光通信サブアセンブリ5を好適な位置から変位させるように作用する。
【0077】
本実施の形態の光モジュール1cでは、光通信サブアセンブリ5は支持部品8の外側面に接触している。この外側面は、光通信サブアセンブリ5の光軸に交差する面に沿って伸びている。支持部品8は、支持面11aと接触面13aとの間に配置されている。支持部品8は、支持面11aから力を受けており、また、接触面13aから熱伝達部品9を介して力を受けている。しかしながら、光通信サブアセンブリ5は、接触部材8m、8n及びフィンガ部8g、8hを介して支持部品8にそれぞれ接触しているので、支持部品8がハウジング3から受ける力を直接に受けることはない。
【0078】
以上説明したように、光モジュール1cにおいても、光モジュール1aの形態と同様に、支持部品8を用いれば、光通信サブアセンブリ5からの熱の伝搬経路が提供される。
【0079】
(第4の実施の形態)
図17(A)〜図17(C)は、支持部品の様々な変形例を示す図面である。図17(A)を参照すると、光モジュール1cでは、支持部品81は、これまでに説明された支持部品と同様に、接続部81aと、第1の支持部81bと、第2の支持部81cとを備える。第1の支持部81b及び第2の支持部81cの各々は、第1の支持部81bと第2の支持部81cとの間隔が光通信サブアセンブリ5の幅より十分に大きい第1の部分と、該間隔が光通信サブアセンブリ5の幅に実質的に等しいか或いはやや小さい第2の部分とを構成するように屈曲されている。光通信サブアセンブリ5は、支持部品81の第2の部分において接触している。第2の部分は、光通信サブアセンブリの外表面と接触を保つように機能する。適切な屈曲量によれば、非常に小さい力が、支持部品81から光通信サブアセンブリ5に加わる。
【0080】
図17(B)を参照すると、光モジュール1dでは、支持部品83は、これまでに説明された支持部品と同様に、接続部83aと、第1の支持部83bと、第2の支持部83cと、接触部83d、83eとを備える。第1の支持部83bと第2の支持部83cとの間隔が光通信サブアセンブリ5の幅よりわずかに大きい。接触部83d、83eは、第1の支持部83b及び第2の支持部83cと光通信サブアセンブリ5との間に設けられている。接触部83d、83eとしては、半田が例示される。これらの接触部83d、83eにより、支持部材83と光通信サブアセンブリとの接触が実現される。接触部83d、83eは、光通信サブアセンブリの外表面と接触を保つように機能する。
【0081】
支持部品83では、接続部83aがハウジング3から力を受けることにより接続部83aに微少な変形が生じる可能性がある。接続部83aの変形は、接触部83d、83eが第1の支持部83b及び第2の支持部83cにそれぞれ設けられているので、直接に接触部に伝わらない。また、支持部品83では、ハウジング3からの力が支持部83b及び83cの両端に加わるので、この力により支持部83b及び83cの全体が変形する。したがって、支持部83b及び83cの単位長さ当たりの変形量が小さい。
【0082】
支持部品83の剛性は熱伝達部品9の剛性より大きいので、支持部品83の変形量は無視できる程度に小さい。例えば、熱伝達部品のヤング率は、2.94〜7.84MPa(0.3〜0.8kgf/mm2)であり、支持部材の材料となる金属のヤング率は、20580MPa(2100kgf/mm2)である。
【0083】
図17(C)を参照すると、光モジュール1eでは、支持部品85は、これまでに説明された支持部品と同様に、接続部85aと、第1の支持部85bと、第2の支持部85cと、接触部85dと、架橋部85eとを備える。第1の支持部85bと第2の支持部85cとの間隔が光通信サブアセンブリ5の幅より十分に大きい。接続部85aは、所定の軸に交差する面に沿って伸びており、架橋部85eは所定の軸に交差する別の面に沿って伸びている。該面に交差する軸の方向に、第1の支持部85bと第2の支持部85cが伸びている。熱伝達部品9は、支持部品85の接続部85aと接触面13aとの間に位置しており、架橋部83eには接触していない。架橋部85eと光通信サブアセンブリ5との間には、接着部85dが設けられている。接触部85dとしては、半田が例示される。架橋部83e及び接着部85dは、光通信サブアセンブリの外表面と接触を保つように機能する。
【0084】
支持部品85では、接続部85aがハウジング3から力を受けることにより接続部85aに微少な変形が生じる可能性がある。支持部品85では、ハウジング3からの力が支持部85b及び85cの両端に加わるので、この力により支持部85b及び85cの全体が変形する。したがって、支持部85b及び85cの単位長さ当たりの変形量が小さい。また、接続部85aの変形は、接触部85dが架橋部85eに設けられているので、直接に接着部に伝わらない。
【0085】
以上説明したように、支持部品の変形例は様々である。故に、支持部品の構造は、本実施の形態に記載された特定の構成に限定的なものではない。
【0086】
(第5の実施の形態)
図18(A)及び図18(B)は、本実施の形態の光モジュールの別の変形例を示す図面である。光モジュール1fでは、支持部品7を光通信サブアセンブリ5のために使用するだけでなく、別の支持部品4を光通信サブアセンブリ15のために使用する。別の支持部品4の構造は、支持部品7と同じ構造を備えている。しかしながら、別の支持部品4の構造は、支持部品7の構造と異なる別の構造であってもよい。別の支持部品4は、支持面11aに支持されている。別の支持部品4と接触面13aとの間には、別の熱伝達部品10が設けられている。別の支持部品4も、支持部品7が奏する技術的な利点を光モジュール1gに提供する。
【0087】
また、これまで説明された光モジュールは、レセプタクル型の構造を備えていたけれども、光モジュール1hは、図19に示されるように、ピグテール型の構造を備えてもよい。
【0088】
以上説明したように、支持部品のフィンガ部は、支持部から伸び出しており自由端を有する片であるので、フィンガ部に加えられる力に応じて支持部品の支持部よりも容易に移動する。この構造により、フィンガ部は弾性を獲得する。故に、フィンガ部は、光モジュールに温度に応じて発生する熱応力を吸収するように作用する。
【0089】
また、支持部品は、一又は複数のフィンガ部が備えることができる。一のフィンガ部が備える光モジュールにおいて、フィンガ部に関する技術的な利点がある。単一のフィンガ部を備える支持部品を含む光モジュールでは、光通信サブアセンブリとフィンガとの間での熱伝導率を上げるために接触面の面積を増やす手段として半田付けや高熱伝導樹脂を使用することによって、フィンガ部が光通信サブアセンブリに弾性的に接触圧をかけることがない。半田付けや高熱伝導樹脂を使用する場合には、光通信サブアセンブリのための半田付けの回数(好適な形態では、半田付けの回数は1回になる)を低減できるので半田付けによる熱的ストレスが組立て時に光通信サブアセンブリへ加えられることを減らすこと、及びアセンブリ作業そのものを簡素にできるという技術的な利点がある。また、複数のフィンガ部を備える支持部品を含む光モジュールでは、光通信サブアセンブリとフィンガとの間での熱伝達率を上げるために接触面の面積を増やす手段として、接触箇所の数を増やせる。また、光通信サブアセンブリに力を及ぼす接触箇所を光通信サブアセンブリに対して実質的に対称に配置すれば、光通信サブアセンブリの両サイドに加わる接触圧が実質的にキャンセルされることによって、光通信サブアセンブリの光軸に垂直な方向に関するシフト力が低減され、光通信サブアセンブリの光軸の位置合わせが実用的な範囲内に収まるという技術的な利点がある。
【0090】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることができることは、当業者によって認識される。本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【0091】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、良好な放熱特性を有する光モジュールが提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本実施の形態に係る光モジュールを示す図面である。
【図2】図2は、本実施の形態に係る光モジュールの構成部品を示す図面である。
【図3】図3は、支持部品を示す図面である。
【図4】図4は、光モジュールを示す斜視図である。
【図5】図5は、光モジュールを示す斜視図である。
【図6】図6(A)は、図1及び図5に示されたII−II線にそった断面図であり、図6(B)は、図1に示されたI−I線にそった断面図である。
【図7】図7は、光送信サブアセンブリとして動作する光通信サブアセンブリの例を示す図面である。
【図8】図8は、光受信サブアセンブリとして動作する光通信サブアセンブリの別の例を示す図面である。
【図9】図9は、別の実施の形態に係る光モジュールの構成部品を示す図面である。
【図10】図10は、本実施の形態に係る光モジュールを示す図面である。
【図11】図11(A)及び図11(B)は、支持部品を示す図面である。
【図12】図12は、図10に示されたIII−III線にそった断面図である。
【図13】図13は、別の実施の形態に係る光モジュールの構成部品を示す図面である。
【図14】図14は、本実施の形態に係る光モジュールを示す図面である。
【図15】図15(A)及び図15(B)は、支持部品を示す図面である。
【図16】図16は、図10に示されたIV−IV線にそった断面図であ
【図17】図17(A)〜図17(C)は、支持部品の様々な変形例を示す図面である。
【図18】図18(A)及び図18(B)は、本実施の形態の光モジュールの別の変形例を示す図面である。
【図19】図19は、ピグテール型の構造の光モジュールを示す図面である。
【符号の説明】
1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h…光モジュール、3…ハウジング、5…光通信サブアセンブリ、4、6、7、8…支持部品、9、10…熱伝達部品、11…第1の部材、13…第2の部材、15…光通信サブアセンブリ、17…回路基板、23、25…リード端子、81、83、85…支持部品
Claims (9)
- 支持面を有する第1の部材と接触面を有する第2の部材とを有するハウジングと、
所定の軸の方向に向けて前記ハウジングに支持されており半導体光デバイスを含む光通信サブアセンブリと、
前記第1の部材の前記支持面に支持されており前記光通信サブアセンブリに接触する支持部品と、
前記第2の部材の前記接触面と前記支持部品との間に設けられた熱伝達部品とを備え、
前記支持部品は、前記支持面及び前記接触面に交差する第1の面に沿って伸びる第1の支持部と、前記支持面及び前記接触面に交差する第2の面に沿って伸びる第2の支持部と、前記第1の支持部と前記第2の支持部とを互いに接続する接続部とを備えており、
前記第1及び第2の支持部は前記第1の部材の前記支持面に支持されており、
前記光通信サブアセンブリは、前記第1の支持部と前記第2の支持部との間に設けられている光モジュール。 - 前記熱伝達部品は前記支持部品の接続部と前記第2の部材の前記接触面との間に位置している、請求項1に記載の光モジュール。
- 前記支持部品は、一又は複数のフィンガ部を有しており、
前記支持部品は、前記フィンガ部を介して前記光通信サブアセブリに接触している、請求項1又は2に記載の光モジュール。 - 前記支持部品は、第1及び第2のフィンガ部を有しており、
前記第1のフィンガ部は前記第1の支持部に設けられており、
前記第2のフィンガ部は前記第2の支持部に設けられており、
前記第1及び第2のフィンガ部は、前記第1の支持部の内側面に沿って伸びる第1の面と前記第2の支持部の内側面に沿って伸びる第2の面との間の領域に位置しており、
前記支持部品は、前記第1及び第2のフィンガ部を介して前記光通信サブアセブリに接触している、請求項1又は2に記載の光モジュール。 - 前記光通信サブアセンブリは、前記所定の軸の方向に伸びる外面を有する容器を有しており、
前記半導体光デバイスは前記容器内に設けられており、
前記支持部品は、前記容器の前記外面に接触している、請求項1〜請求項4のいずれかに記載の光モジュール。 - 前記光通信サブアセンブリは、前記所定の軸に交差する方向に伸びる面に沿った外面を有する容器を有しており、
前記半導体光デバイスは前記容器内に設けられており、
前記支持部品は、前記容器の前記外面に接触している、請求項1〜請求項4のいずれかに記載の光モジュール。 - 前記ハウジング内に設けられた回路基板を更に備え、
前記光通信サブアセンブリは、前記回路基板に接続されたリード端子を有している、請求項1〜請求項6のいずれかに記載の光モジュール。 - 前記半導体光デバイスは、前記所定の軸の方向に向けて光を送出する半導体発光素子を含む、請求項1〜請求項7のいずれかに記載の光モジュール。
- 前記半導体光デバイスは、所定の軸の方向からの光を受ける半導体受光素子を含み、
前記光通信サブアセンブリは、前記半導体受光素子からの信号を増幅する増幅素子を含む、請求項1〜請求項7のいずれかに記載の光モジュール。
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