JPH02294070A - 受光素子内蔵集積回路装置 - Google Patents
受光素子内蔵集積回路装置Info
- Publication number
- JPH02294070A JPH02294070A JP11571989A JP11571989A JPH02294070A JP H02294070 A JPH02294070 A JP H02294070A JP 11571989 A JP11571989 A JP 11571989A JP 11571989 A JP11571989 A JP 11571989A JP H02294070 A JPH02294070 A JP H02294070A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- integrated circuit
- metal
- bonding window
- receiving element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は受光素子と、その出力信号の処理を行なう集積
回路とが同一基板上に形成された受光素子内蔵集積回路
装置に関する． 〔従来の技術〕 従来の受光素子内蔵集積回路装置の断面図を第３図、平
面図を第４図に示す． 従来、Ｎ型高濃度埋込み領域５を有する半導体基板４上
にＮ型低濃度領域のエビタキシャル層３を備え、このエ
ビタキシャル層内にＰ型高濃度領域６、Ｎ型高濃度領域
７と素子分離領域１とが拡散により設けられている．さ
らにエビタキシャル層上には、Ｎ型領域７及びＰ型領域
６上に開孔を有するシリコン酸化膜１１を備え、開孔部
に電極用の金属８が設けられ、それらの上部に層間一絶
縁膜９が成長され、受光素子《図示省略》とボンディン
グ窓１０を除く領域に遮光用の金属２が形成されている
．つまり受光素子に照射されるべき光の一部やもれ光な
どがトランジスタ（第３図においてはＮ型領域７、Ｐ型
領域６、エビタキシャル層で成っている》や抵抗の部分
に光が照射されるとその部分で光電流が発生し集積回路
の正常な動作をさまたげる為に遮光用の金属が形成され
ている。
回路とが同一基板上に形成された受光素子内蔵集積回路
装置に関する． 〔従来の技術〕 従来の受光素子内蔵集積回路装置の断面図を第３図、平
面図を第４図に示す． 従来、Ｎ型高濃度埋込み領域５を有する半導体基板４上
にＮ型低濃度領域のエビタキシャル層３を備え、このエ
ビタキシャル層内にＰ型高濃度領域６、Ｎ型高濃度領域
７と素子分離領域１とが拡散により設けられている．さ
らにエビタキシャル層上には、Ｎ型領域７及びＰ型領域
６上に開孔を有するシリコン酸化膜１１を備え、開孔部
に電極用の金属８が設けられ、それらの上部に層間一絶
縁膜９が成長され、受光素子《図示省略》とボンディン
グ窓１０を除く領域に遮光用の金属２が形成されている
．つまり受光素子に照射されるべき光の一部やもれ光な
どがトランジスタ（第３図においてはＮ型領域７、Ｐ型
領域６、エビタキシャル層で成っている》や抵抗の部分
に光が照射されるとその部分で光電流が発生し集積回路
の正常な動作をさまたげる為に遮光用の金属が形成され
ている。
しかしながら、ボンディング窓に対向する遮光用金属の
部分は、ワイヤボンディングする為に、ボンディング窓
と遮光用金属が接触しない様離している為に、受光素子
に照射されるべき光の一部やもれ光などが、ボンディン
グ窓と遮光用金属の間から入射し、その部分で光電流が
発生し集積回路の正常な動作をさまたげる欠点がある。
部分は、ワイヤボンディングする為に、ボンディング窓
と遮光用金属が接触しない様離している為に、受光素子
に照射されるべき光の一部やもれ光などが、ボンディン
グ窓と遮光用金属の間から入射し、その部分で光電流が
発生し集積回路の正常な動作をさまたげる欠点がある。
本発明は、漏れ光があっても誤動作の生じない集積回路
を提供することを目的としている。
を提供することを目的としている。
本発明の受光素子内蔵集積回路装置は、光信号を電気信
号に変換する受光素子と、該受光素子より発生する光電
流信号を処理する回路とが素子分離領域で電気的に分離
されて同一基板上に集積され、外部の電極と接続するた
めのボンディング窓を具備し、前記受光素子及びボンデ
ィング窓を除く全ての領域上に遮光用金属を備えている
受光素子内蔵集積回路装置に於いて、少くともボンデイ
ング窓の近傍に存在する絶縁分離領域に当該集積回路の
最低電位となる金属を接触したことを特徴とする構成に
なっている。
号に変換する受光素子と、該受光素子より発生する光電
流信号を処理する回路とが素子分離領域で電気的に分離
されて同一基板上に集積され、外部の電極と接続するた
めのボンディング窓を具備し、前記受光素子及びボンデ
ィング窓を除く全ての領域上に遮光用金属を備えている
受光素子内蔵集積回路装置に於いて、少くともボンデイ
ング窓の近傍に存在する絶縁分離領域に当該集積回路の
最低電位となる金属を接触したことを特徴とする構成に
なっている。
本発明の受光素子内蔵集積回路装置の断面図を第１図、
平面図を第２図に示す。不純物拡散により形成したＮ型
高濃度埋込み領域５を有する半導体基板４上にＮ型低濃
度領域のエビタキシャル層（コレクタ）３を備え、この
エビタキシャル層内にＰ型高濃度領域（ベース）６、Ｎ
型高濃度領域（エミッタ）７と絶縁分離領域１とが拡散
により設けられている．さらに、エビタキシャル層上に
は、シリコン酸化膜１１が形成され、Ｎ型領域７及びＰ
型領域６上のシリコン酸化膜１１には開孔を有し、電極
及び配線用の金属８が設けられ、その上部に層間絶縁膜
９が成長され、受光素子（図示省略）とボンディング窓
を除く領域に遮光用の金属２が形成され、ボンディング
窓１０の近傍の絶縁分離領域１に本集積回路の最低電位
となる金属８ａを接触させている。尚、受光素子、信号
処理用回路素子等は従来通りであるので詳しい説明は省
略した． 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、ボンデイング窓の近くに
存在する絶縁分離領域に、その回路の最低電位の金属を
接触することにより、受光素子に照射されるべき光の一
部やもれ光などが入っても絶縁分離領域上の最低電位の
金属に流れることにより、集積回路の誤動作を防ぐこと
ができる効果がある． 面図である。
平面図を第２図に示す。不純物拡散により形成したＮ型
高濃度埋込み領域５を有する半導体基板４上にＮ型低濃
度領域のエビタキシャル層（コレクタ）３を備え、この
エビタキシャル層内にＰ型高濃度領域（ベース）６、Ｎ
型高濃度領域（エミッタ）７と絶縁分離領域１とが拡散
により設けられている．さらに、エビタキシャル層上に
は、シリコン酸化膜１１が形成され、Ｎ型領域７及びＰ
型領域６上のシリコン酸化膜１１には開孔を有し、電極
及び配線用の金属８が設けられ、その上部に層間絶縁膜
９が成長され、受光素子（図示省略）とボンディング窓
を除く領域に遮光用の金属２が形成され、ボンディング
窓１０の近傍の絶縁分離領域１に本集積回路の最低電位
となる金属８ａを接触させている。尚、受光素子、信号
処理用回路素子等は従来通りであるので詳しい説明は省
略した． 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、ボンデイング窓の近くに
存在する絶縁分離領域に、その回路の最低電位の金属を
接触することにより、受光素子に照射されるべき光の一
部やもれ光などが入っても絶縁分離領域上の最低電位の
金属に流れることにより、集積回路の誤動作を防ぐこと
ができる効果がある． 面図である。
１・・・絶縁分離領域、２・・・遮光用金属、３・・・
エビタキシャル層、４・・・半導体基板、５・・・Ｎ型
高濃度埋込み領域、６・・・Ｐ型高濃度領域、７・・・
Ｎ型高濃度領域、８・・・金属、９・・・層間絶縁膜、
１０・・・ボンディング窓、１１・・・シリコン酸化膜
。
エビタキシャル層、４・・・半導体基板、５・・・Ｎ型
高濃度埋込み領域、６・・・Ｐ型高濃度領域、７・・・
Ｎ型高濃度領域、８・・・金属、９・・・層間絶縁膜、
１０・・・ボンディング窓、１１・・・シリコン酸化膜
。
Claims (1)
- 光信号を電気信号に変換する受光素子と、該受光素子
より発生する光電流信号を処理する回路とが素子分離領
域で電気的に分離されて同一基板上に集積され、外部の
電極と接続するためのボンディング窓を具備し、前記受
光素子及びボンディング窓を除く全ての領域上に遮光用
金属を備えている受光素子内蔵集積回路装置に於いて、
少くともボンディング窓の近傍に存在する絶縁分離領域
に当該集積回路の最低電位となる金属を接触したことを
特徴とする受光素子内蔵集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11571989A JPH02294070A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 受光素子内蔵集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11571989A JPH02294070A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 受光素子内蔵集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02294070A true JPH02294070A (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=14669453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11571989A Pending JPH02294070A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 受光素子内蔵集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02294070A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05304280A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPH09186307A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-15 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 光半導体集積回路装置 |
-
1989
- 1989-05-08 JP JP11571989A patent/JPH02294070A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05304280A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPH09186307A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-15 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 光半導体集積回路装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4318115A (en) | Dual junction photoelectric semiconductor device | |
| US3436548A (en) | Combination p-n junction light emitter and photocell having electrostatic shielding | |
| JPH0691228B2 (ja) | 半導体装置 | |
| GB2151399A (en) | A semiconductor device | |
| JPH01117375A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02294070A (ja) | 受光素子内蔵集積回路装置 | |
| JPS63160270A (ja) | フオトセンサと信号処理用素子を有する半導体装置 | |
| JP2998646B2 (ja) | 受光演算素子 | |
| KR940006291A (ko) | 수광소자 및 이를 구비한 광전자 집적회로 | |
| JPH1070292A (ja) | サイリスタおよび光駆動回路を備える半導体集積回路 | |
| JPH0369173A (ja) | ホトカプラ | |
| JPS63182874A (ja) | 半導体光検出装置 | |
| JPH01216581A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02196463A (ja) | 回路内蔵受光素子 | |
| JP3794606B2 (ja) | 受光素子用接合容量 | |
| JPH0621815B2 (ja) | 半導体光検出装置 | |
| JP2663851B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS6244706B2 (ja) | ||
| JPH02275680A (ja) | 光半導体集積回路装置 | |
| JPH08130324A (ja) | 高耐圧プレーナ型受光素子 | |
| JP3177287B2 (ja) | 受光モジュ−ル | |
| JPS5996784A (ja) | 光結合半導体装置 | |
| JPH06268247A (ja) | 光結合型半導体リレー | |
| JPS5880866A (ja) | 双方向半導体スイツチ | |
| JPH05259501A (ja) | 光結合デバイス |